UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO FACULTAD DE INGENIERA ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA

TRANSISTORES BIPOLARES: ZONA DE OPERACIN

-LABORATORIO-

CURSO

: CIRCUITOS ANALGICOS I

DOCENTE

: ING. GUILLERMO EVANGELISTA ADRIANZN

INTEGRANTES

: HERNNDEZ SUREZ, JORGE ARMANDO. PINEDO LUJN, ERIC GERARDO. RODRGUEZ DVILA, ERICK JESS. JARA POLO, JOSE DANIEL.

CICLO

: V

SEMESTRE

: 2013 10

TRUJILLO PER

E 5 TRANSISTORES BIPOLARES: ZONA DE OPERACIN.1. OBJETIVO: Mostrar al alumno las caractersticas de los transistores bipolares en estado de conmutacin, las operaciones en las zonas de corte y saturacin as como la identificacin de las rectas de carga y punto de operacin. 2. FUNDAMENTO TERICO: Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP.Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

a. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito.

b. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.

c. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). (*)

3. MATERIALES Y EQUIPO:

COMPONENTES 2 transistores BJT iguales 2 R = 1k, 2 R = RB = 47K R =180K, 56k, 2 x 22k, 15k, 3.3k 2 C = 47uF 2 Diodos LED

MATERIALES 1 Multmetro 2 Fuentes DC variables 2 Cables de fuente y para conexiones Protoboard

(*) GARCIA, A. S. (2009). ELECTRONICA DIGITAL. Recuperado el 25 de 04 de 2013, de http://www.exa.unicen.edu.ar/catedras/edigital/cursoDistancia/transistor.htm

4. PROCEDIMIENTO:

a) Armar el circuito de la Fig. 1

C B

Polarizacin con 2 fuentes Figura 1

b) Polarizar el dispositivo con V1 = 12 v y medir VC y VB, obteniendo la tabla siguiente:

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Vin 0 11.99 11,48 9,82 8,26 6,7 5,166 3,821 2,33 1,11 0,365 0,259 VC 0 0,615 0,649 0,661 0,669 0,676 0,683 0,692 0,699 0,706 0,709 VB 0.01 0,52 2,18 3,74 5,3 6,834 8,179 9,67 10,89 11,635 11,741 IC 66,666 63,25 63,061 62,994 62,95 62,911 62,8722 62,822 62,783 62,744 62,728 IB 0,15 8,221 34,569 59,370 84,193 108,629 130,089 153,926 173,453 185,435 187,174 BETA

V V mA uA

c) A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida: Vc-vs-Vin. Si es necesario, tomar medidas de puntos intermedios. (Tomar como referencia la Figura 2

Curvas VC - Vin Astable Figura 2

Segn la referencia de la figura2, observamos q tiene esa tendencia ya que en la parte final de nuestra curva se ve una tendencia constante.

d) Graficar la curva de trasferencia de corrientes (IC-vs-IB) y el beta de las mismas (BETA-vs-IC) (Tomar como referencia la Figura 5.)

e) Armar el circuito de la Fig.2

C B E Figura 3 BJT Autopolarizado Astable

f) Medir las tensiones VC, VE y VB para trazar la recta de carga del circuito, variando R2

R2 VB VC VE IC IB ZONA

56K

47K 5,92 5,49 6,81 7,17 4,83 5,26 5,230 4,811 0,026 0,024 Saturacin saturacin

22K 3,65 9,08 2,94 2,987 0,015 activa

15K 2,83 9,85 2,14 2,169 0,011 activa

3.3K 0,77 V 11,6 V 0,15 V 0,184 mA 0,001 uA corte

Analizando el circuito otros datos: VTh = IB(Rth) + IB(RB) + IC(RE) VTh - Vu IB = ---------------------Rth + (1+)RE VCE = V2 - IC (RC + RE) Se obtiene:
R2 Vth Rth(k) VCE 56K 6,524 25,553 1,540 47K 6,000 23,500 2,379 22K 3,826 14,986 6,025 15K 2,903 11,371 7,662 3.3K 0,787 3,083 11,633

IC=IB

g) Determinar las corrientes (NO MEDIR CORRIENTES) y graficar la recta de carga en el plano IC-vs-VCE del transistor ensayado. Indicar la ZONA de operacin correspondiente. R2=56K

PUNTO DE OPERACIN

Q=

IC=5.230 mA VCE= 1.54 V

ZONA DE SATURACION

R2=47K

PUNTO DE OPERACIN

Q=

IC= 4.811mA VCE= 2.379 V

ZONA DE SATURACION

R2=22K

PUNTO DE OPERACIN

Q=

IC= 2.987mA VCE= 6.025V

ZONA ACTIVA

R2=15K

PUNTO DE OPERACIN

Q=

IC= 2.169mA VCE= 7.662V

ZONA ACTIVA

R2=3.3K

PUNTO DE OPERACIN

Q=

IC= 0.184mA VCE= 11.663V

ZONA DE CORTE

h) Colocar R2 de 22k y variar esta vez la resistencia RC para obtener (por evaluacin) diferentes rectas de carga en DC. IC RC=0 RC=1K RC=3,3K RC=0K 2,987 2,987 2,987 VCE ZONA 6,75 corte 1,53 activa -10,45 saturacion

RC=1K

RC=3.3K

i) Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de operacin. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de los transistores utilizados. Transistor utilizado: BC548

j) Armar el circuito de la Fig.4 y averiguar cul BJT est en corte y cul est en saturacin

47k

47k

Oscilador Astable

Figura 4

LOS DOS TRANSISTORES BJTS VAN A ESTAR EN CORTE Y EN SATURACIN EL ALGUN MOMENTO, CUANDO EL LED DEL TRANSISTOR SE ENCIENDE ESTA EN SATURACIN Y CUANDO SE APAGA ESTA EN CORTE. Q1: LED APAGADO VCE=9.43V...CORTE LED ENCENDIDO VCE=0.072V.SATURACION LED APAGADO VCE=10.05V.CORTE LED ENCENDIDO VCE=0.081V.SATURACION

Q2:

Figura 5

IC mA

Curvas de Beta - IC

5. Conclusiones:
En esta prctica de laboratorio se pudo comprobar la teora hallando las rectas de operacin, el punto de operacin y la zona de operacin, lo cual es importante identificar para saber cul es el comportamiento del transistor y para no excedernos de las capacidades que est diseado el transistor a utilizar. Teniendo en cuenta tambin que no todos los transistores tendrn las mismas respuestas por lo que se tendr que observar en el datasheet de cada dispositivo diferente que usemos.

6. Anexos:
- Datasheet NPN BC548 - Simulacin Polarizacin con 2 fuentes. - Simulacin BJT Autopolarizado. - Simulacin Oscilador Astable.