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PROPTED/\DES NO LINEALES
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Lsta ecuacin contionc dos incgnitas, u c i, las cuales, a su vezr sran !erciolcdr\ l,or l cracterfstica r dcl diodo, La soiucin o"*'i" ",,^' rnto la (sustitucin' dc ta curva , i; ;;;"i;;.';:ii;;1;":';"""t1J";:,t",: "; ndica f,iente nrodo: La caacterlstica del.diodo que slo puc<le circuiar coiente tlositiva en el sentido de referencia. Elto rcquiire quc , > u., Sin emlargo, crndo eI dio(lo est conduciendo, u:0, o sea que la'corrinte iiciia cn s"n_ tido positivo slo cuando Di > 0, "l c.ando rj cs negativa, ra circuracn de corriente deberra ser opucsta ar sentido ite eterencj; pcro el diodo no puede conducir cn estc scntido; ail i: O cuando
alimentcin cs ncgati\r.
lista c\plicacin pucde resumirse dibujando dos circuitos, uno de los cuales para rr > 0 y el otro para ui < 0; tal omo ('tlizat(io los circuitos dc la figua, pueden hallarsc se inaici en-ta-ngura 1 t_.l. tas in"Ogniia.-r, e D. Asf la coricntc i dcl diodo cs
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I.jg. 1.1-2 Diodo jdeat v su c.r!crrrisucx
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,,guur,o, muestran. algunas dc ras operacioncs con seirrcs cuc sc rcarizln a nenudo con simples circuitos dc diodos.
Eimplo 1.1-1. Reclfcador do moda,onda. ns det diodo cs t^ produccin (tc una tcnsin Unl de las prjncipales aplicacio.".ri";; ;;"ii#,lfili.,n ruon," " lrrncntncin,lc corricntc altcn):t_ I r)roccs. llrrrritln rllirnci'ln, u) stlbprorluclo n
Los diodos ealcs ticnen caactcjsticas y linitaciones quc haccn que dille_ ran del diodo idcal. Los diodos rcalcs se csiucliarin lor,r"""i*", slguientes. De nomento sto se considerarin tos cliorios "n iJ";i;.
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L__tcnsiD.(lc c^rgll )/. v Iir trn\i(in (lc soirril cstrin rcp.cscnta(lns cn la fi_ grrr.l.l-5. Ol)s(1rv(.\. rrr, tl t,nrr ,lf rr(tr rt0 tnur irrr.tontr. c* tgrriii irro t,r rto trr Irrslr rlr lrr .rrlgrr r,. t,t\ rrr ,,r(tfi \(rt,lttrl tu:ttltt\utt r rrr1ii onrlr. su vntor
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relacin cntrc cl vlol.cflcllz (r.nt.s.) dc Ir tcnsin dc on (hl rcin yltcrsin lll cllrircitr (ld flltro cn lll scl)ercir dc lr tcnsin contin 1r (lc los ittn)(tli(:os. [)ril cl lillro ,t(-] (ld (!jcntl)lo
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Asi el valor elicaz dc la tcnsin dc ondulacin es aproximadamcnte el 1 % dc ln tensin continua en la salidI. Filtros ms complicaclos cono son los lilttos C y Ios CLC que se muestran en la figura 1.1-6r, dan na Lensin eficaz de ondulacin mucho mcnor, que puedc (:r!culse aproximadamcnie utiliznclo cl nltodo anterior (vansc problemas_ 1,1_4
lll el clisciro dc una lue|tc de alilucntacin usualtnente no j93ju$4_!a,esis. tcnci^ (lc liltro It de nrodo qlre sca n1rcho mayor quc Il. Realm-etc se suelc hacer quc 11, sca infinito, supininclolc del cicuito, ya que esto da por rcsultado una na]or tcnsin de saliata. En cstc cjcmplo hemos supuesto R ( Il para que sea
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frctible un anlisis lincal. Un circuito prictico dc fuente de alimentacin es el (lctccto dc crcsta quc estu(liarcmos en ct cjcmplo 1.1-3. ()) La forma de onda de )r se ha .cprescntado cn la figura 1.1-2. En cste caso se ha aiadido una polarizacin negativx fl la seilal. L forma de onda <lc u sc ha obtenido consideran(lo que la corrientc circular slo cuando rr sea positiva. El ticnrpo exacto :L 1r, en cl cual empieza y termina la circulacin de coientc sc hrlli llciondo , 0; rnl,'necs
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Lucgo la teDsin de salicla consiste en una tensin continua y.,/ J una pequea tensin d ondulacin w, donde
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)'Eemplo 1.1-2. Rectficador d onda completa. La tcnsin dc ondulacin en el rectificador de media onda se dcbc lrincpatmcntc ,r la eonpoireDic rlc 1a seal de frecuencia JundameDtal o4. El rcctilircdoi dt ontla complcli cl una tensir en la carga que tiene una ondulacin cuya menor lreclrcncia cs 2oro, y adems la com_ ponente de c.c. es er doble. Este tipo de cicuito, una forma clei-c"uat se indica en ra figura 1.1-8 esj por tanto, ms encicnte pa.. ta p.oauccion rte unilcn,"ior conn'a con pcquea ondulacin y cs el circuito rcctifiiarrot bsico dc la ,rayorlil dc lrs Iuentes de alimcntacin de corricntc continu.
Arrollamtento Arrollsmtento pflE o secundarlo
(ritoi
I.r. t.1,lr lal circuito cquivkntc dcl rcctincrdor dc ondr complcta y formas
{h) fornrxs (lc onda.
cic
l.a t,rnsin cD
lo cerga l)leclc escribirsc Dr: lrrl. I-s lormas de onda dc coricnte tension se l]lltcstrn cn lx 0gurt 1.1-90. Irl ,j' \j,rrullo cr \(rjr rl, lr,'rrrier lnr:r ,r, es lvasc protr. t.l-2li
,": ",^(i**"o.
c,)n'.'lcrte cn ,t\tr.,,,
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(1.1-3),
I.x c{rmpolerltc dc c.c. cs (2/r)yr.,, que es dos veces nayor quc cl vlor obtenido ltilizalrdo cl rccLilic^dor (le nrccli onda. Si , Dasa a trnvs del IIltro IIC de la fi8ura 1.1 0a, coll )olic:100 conro antcs, la tnqi4n dc ondulacin dc salida se Iil u, lrir!. Ll-8
Itcctillcr(lor 1( on(tr co|)lllctr.
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I o dcl circuito pLrcdc explicrsc crntitrivnrncnt sr so :.rrl,rimc ., 1r'rlnsonDCtor ,.:] l:::]^"1:],,]:r cr l(lc|1l Irrizllndo LIc nucvo l{ figurA 1.1_S tal conlo sc iIldiclt cu la llgula 1.1-9d. E' esta flgura se corsidcra el ansIomaalor u.ro lucntc cle oorricrtc olten rcncjada dcl prifiario cn cl circrito sccundario "o*o corr.,n iou, (lLrir.(to.r cs_tositiv, D, cs un corlocircuito y "cnt."r. D, uu ;i";iiii; ;i;;;. cuin(lo ur cs .cgativa, Dr cs un circuito abierto y D, un coitocircrio. nn l" (tc.nrgil , ticnc cl nislno snti(lo positivo conlo sc in(licn "nn "n* "o".i"nt" ctr fn nff,u.,, f.i-1i", I, collo llrlo tl otro (lc los (llodos rl o,)! cs ult cortocircuito cll clth scririrtcto:rttcrno,
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l-:r fclc;(ir cntrc Ir tcDsir dc ondulacin
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. t|,,r lrlo:i loi, . (.tilr,.i r,li.r.1|0lir.0s |1.(lic|'(.n clcrl.jiir cn fo.r il cle collicn_ || r'(|||i|||ti| rrrir :r r'rrIr( l l , v r'.ro g.'.f:lrrt0,l.a s. (risponc oc corrcntc llr', r)rl, r'rr lr rrriryrrr.lrr rlr los r:rrrirrrs r.|i.r.tr.1,Iic s s,. lit.rrr,lArlrr til,o rlc rcCtilicador ,,'rr lrllr,,. 1.,,.r , i, rrl,lr,\ LI-l .J l.l-.1 lr:u |lr.,.s,,11:rrl,, lrrs corrrlrir"iseq s .ai |i ri rr i
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lu. rrr r.s rr ririzirrrrrs 'rrir rr.oducir.una tensin conlirrrrrr r:r'rirrrrrIrr {l..rn [.c'10 (lc (ir)l..i(].r.().llcrn,i. IisLos circuilos bsicos tienen r\( |lir)ri ir(lor\'{fnicr)tcs, (Jlrc Ios rllccu illlir-ilcs Iitra rnuchas aplicaciones. til pri,,r'r rlr'.ll.s r:s l; viacirin (kt l l_e'sin cotLin.a cn Ia carga con Ia coDientc ,lr.r.rrr.rr. llislrr s. rtirlc por urr cauticlird l.rnarla rcgulacidn,
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Iectificad_ocs
crrcuito dc filtro no son desprcciablas y prociucen uno ."rirt"n.l" de salida linita. Si la resistcncia de salida es igual a.la iesistencia de carga, la tcns,on a pt"na carga es igual a la mitad de la tensin cn vacio, y Ia regu"lacin es t00 poi 100 Un segundo inconvenicnte dc estc cicuito rectilicado" 'sico -c,ranao se utiliza como fuente dc alimentacin cn corricntc contirua cs quc la salicla dc corriente continua es dircctanente proporcional a la magnitud ll. U io.ri* dc alimen_ ta.rn de corientc altena. Como la mayoria d"e las lineas de couiente altcrna no mantlelen una tensin absolutamente constantc, ]a salicla de corleDte continua variar proporcionalmentc. paa muchas aplicacioncs, esta variacin no pttede tolcrcrsc,.lncJuso arrnqrrc sca relativanentc pcqueria. Un tercei tnconvenrentc dcl clrcurto terior es que incluso la pcqueila tensin de ondulacin n raca cn tos ccmplos cs nrclludo mayor quc ]a aclnitida prira cl funcionamienlo corrccto dc los circuilos clccl_nicos rnris complicados.' . , !*l"n n_umerosJs tecnics para soluciona los inconvenicnLes citados. Los
fucnte dr alimcntircir.tIr idcal proporcionaria ura tcnsiIr continua aorrslartc e independictltc dc lt corricrrte cle carga, o sea, l.egulacin cero. Esto cqui_ lalo ir dccit rluc ll [rLcrtc tcn(lrja llna rcsisl.cnci{l ,lc s,rl-id,r c".0 a parlir dc los Ictrinalcs dc la carga. Sin cmbar.go, cn ]os circuitos prcticos, la resistencia dcl diodo, que no sc ha tenicjo cr cuenta cn los cjentpios, y Ia rcslstencia dcl
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Ejemplo 1.1-3, El delector de cresta. I_n cornl)oncntc (lc c.(,. ct1 lr srrli(lll (lc ur rcctificado-.dc ordr corplota es slo el ti4,Z",ifr,:"*i"i"ii,i,"",iLi ttc ll r.cnsir,n c ccsta dc la scnoidc dc crtrad. lll rlcltclor cli'crisla urr sl_ 1" lida d0c.c. colnprl)lc *l vrlo.(lc (rcsL{ (lc I. tcnsin'rlc "rirrf,i"iif"i'rr.nucc i,,,:',,u n.,a,,,,,u r sc utiliza como tucnte ctc rlirrlentrcin. I.r" "iii,:^it,i " -1,i ,,,,,,,,",, iii(. 'i,, li:;"; t-in)bicn cn los rcccptorcs AIf I,flra (lctcctar 1,, ";r,,i,ir.,, ",,,,,, ,,,,,t,, ,r,,,rr"r,l) i,,,.,,,,, (1c In portarlorr
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&d Ll l{}/r. Iir (r c;rso (ro (rc /rr. ro sr.rr irfirit:, I. l.cnsir (lc sali(r del dctecto rr!)i'r'cc (.r)r{).slf fr'rfrscrrr{lir (r r:r frJ-jlr*l r.r-r0a. Irn r,sta 'rsr^ iigrrra vernos .rr.\'rrrc'l(: (La /,/, ) rl.r..lr! (:l l)rirl.r c..t,l() (l{) .i(:1{), yil quc cl diodo actila i,,rro (.r)rtr)circritr,. Sin rjnrt)rfl.j(), 1:rnn(tr) ,r (lisrlirrjyr, l,i'i",,.in cir oncs clel { s r Illt)l)ill (lisnli tyc IIII(IIIc,c|. (liorlo cs i n co.1c, y,, _qua uoy .rn Ii)tl)1) l,tril.lll It)rri0Dl(! (10 {Lcs(:Nrgtr, cs (l(,(.it., sl.it t:ircul a L,avs clc Il. La tcnl'ia)r) rl(: sllirll ctltr Ios il)sLantcs /r /? (vrsc Ilg. l.l_l0c) ,li.r,ii,,t,y" _y ( rllrl( nlr (l(:
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(1.1-11)
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Cou cl 1ln cle hilr. Ia nrlixitna cantidad que pucdc disminui la envolventc tn rrn tierrpo igullt a in Dcriodo cr la portaclra ir : r'r".]ii"i,"os du,(t) lrtt por Lu"l\l y ponentos A : ?'. EnLonccs, cn un pcriodo rlc la
Dotauora
L.u"
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lintc los irsta'tes r y 13 cl dioo irpr.ccf rr.cvariler; coro cortocrrcuito l,jr l.fnsir del,conrie)lsxdor sigue x la ten;in de cntada. I , En c.cuifo tt on_ rrrirt,rir o rtzndo crcstlt crc\la es "ii"
VLt.ee: L(t) \L(tr) : Vr,,( -(r'-r, rnc
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a^TYn
(1.1-12)
yr- (ng.
0, I:r
. (!,-t)lRLc)
L(l): Vh.-ttrr.c
(1.1-5)
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Si nC > ! * 11, como usuatr .x 7 -:x, que es vlida n"* , t'ili iliii?q
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A,ut:Vn-Vhe''I'lltLc
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1.1-14)
v-,no
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v" v,.t ,oo = j"C
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'l <
1 * ( < l),
(1.1-15)
(1.1-6)
Paa el dctector de cresta del rcctillcacio dc oncia colnpleta cprcsetltado cn la ngrrrx.1.l-10a Io durrcin dc lr p.tc. dc_dcsc"rg" .f ll_i, a casi igual l neriodo de la ond;r se'loitll ie cntra(ti. Asi",._t,"l"i;, _ i).,,'il, ouuu,""in
1,". v,-7|-
".
(1.1-7)
lrntcs (lijimos, la vriacin de la tcnsin dc salida dcbe . .L0l]10 scr Dor lo rncros rgul a la tn/rxinut vaiacin (ic la onvolvcnte cl un ciclo poaio,f,ia". r_". a" lo dicioncs pata quc clto ocurr sc halln iguatando ii.i it'y ii i_j;;-'i"o qu,, ,,^"uu_
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/i/. su I,,,r grtrnde cot'o scr posiblc c,,' cl lltr (lJ cl.c csLi .".c,,i" t* lrrtnrrta c,nclu^.lce y ntonces D se aproximarli mlrcho al valo de cresti iocron (lc cntra(l. dc la Ilu los sistem.s /\l\{ clt qlc cl (lotcdo. (lc crcsLa sL! (lc'o'rillir tcrlsin (lctccL{)r (Lc c'\,o1, _ vcnte (o. dcllodulado), los poblclns 5olt .lgo clilcl.entcs. ?\qui h eotlstante dc ticrnpo deI detcctor. de ccsta sc rteb(. clcgir ,ti: nr,,,1,, q,," ..i:.,.,,iin j,,r"u,, *"g,,,l' lrr , rlv lvctll" vrrrit'l'l "f It(:iri (l(.scll(tll. '.,,I ,l Ii' ||||)I) .III(I rr.rllslor.Irir tl i,tli)r.
Obsvese quc cuando ll (o C) sc apoxiutr a infinilo, .f/,dc sc nprorilrna a yr,J cono antcs hemos visto. paa cl clctcctor clc crcstr rlc .""iill"",ltori,i" otld:r con_
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ri,.,.rr\tl ,. u vr,luIt(lr.(),
(.icllr1)t1),
rll (l()nslIrt(r (l|l Licr rr) /ir.(. cxce(lc (ra rrjr^, r\ (l0scafgl (lcr e0lrrlcusil{L{)f . si (lcrirsi{rio Ior!Lr y la saiid^ (lcl (lctcctor ur, tio'scguir.ri a tit?rrloli,cnrc; st rrC rs nroor.qrc lltrl^, L)L scg..ir, rl cnvolve'tc pcro la onchrJl.i, r).c(re scf cxccsjvr. En la J)ricLica, usratnrcntc t norlutacin por lo.quc sc (lcbe rdoptr rnir s()lrrci)r a" ionticnc irir:r i,,iiiii,,,,i" t.."r"n"in., iiilii-,,,u.i,,]r,"ur,,,,,,, lu ccraci(lrr (l_t-t{;) sc rlct)(,ri utitizur tl ttxlcr)ciit "uurp.n,,iii,. rlir rrortLrl:rciiiir,,,,i.,,l,,r.,,,L". de.nive. Ill crcuila r0prcscntado.cn-la figut.ll 1.1_1..1r full(:iona tlc nra crilijadar dt: nt):, o sulctattor, lllt.rloga I llt, (lcl dctccto rlt'cicsLi (lc lx figura l.j 10.r. llclll CtLttj los dos cir.cuitos son iclnticos si .l clel circuito tlj(lor sc ajust:r (lc rr{)(J,) (Jrc srr varor sea i,,nirii,,.-l,i tlvirt)cljlc cl lt cjolt )i(,r)tr (t(,t i.ircrrjto.slponf{t os lllc /l.^ "*pjicar cuarita, cs i.rflito y rlrc el i(rc,r. or)scf\',,.rr(' rir',rr).rir rt..sti t:,rrrc<rtiritir 'lirrl'cs ." vo (rrrc ru (1(! slli(i r, u cr tcnsin "i'i,,,r,, I)trcrl(: scr rtlityor qrc l tcnsi (lc rcfccncia Vn. En {rl.instrntc cn (lc D/. o\(:c{Il. (lc }/r cl riioo.c"onrn,ii".,i-"n rjn, (onslilLrvcn(lo rrrr r,or.tocir.r.rriio (.iull)oricn(lo l^,,ii,ii"l"'rr,: "f ".in,io,r" "nnOu"_ i,,r; cntonccs cl (o(11'rrs(lor.al sc {l{rt)(lri crrr.rrr.hlstrr.l:i Lc-nsin _ V,., ;,;; mu;sra la flu_ V ra 1.1-12. (tor) /t, inr)itr) {.t ,{,n(Lcnsl(l{)r.d no sc DLrc<lc ,il;;;;;;.;',,,
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ig. 1.1-11
Dctcctor de envolvcntc: (a) forma dc onda,aM; (bi vista amPliada de la salida
epreseniada en la flgura 1.1-110. El dei"ecto de envolvente es utilizado paa recupcrar la sciral modula(lora tr(l) siguicndo las variacioncs lentas dc m() y prescindiendo de las variaciones mucho ns pidas dc la potadora de alta frecucncia. Para poner dc mnifiesto lo que est ocurricndo, hemos representado en la
fllrfn 1.1-11/) unlI){)(:indclllo1rrdcon(lr(l(} ur ltnplIr(ln pltro rlostrnr los (lctlles dcl proceso dc cletcccin. La scilal cr la srlida dcl detector dc cnvolvclrtc est dibujada en llnea llcna o continua y ha sido designada por ur. Se ve que, para que , puecla seguil la cnvolventc dc rt, la tnsin del condcnsador debe ser capaz de clrbiar una cantidad igual al nximo cambio de la envolvente en cl intervalo (lc ticmpo rcquctido por 1a polt^dora para rccorrcr tln ciclo complcto, Estc ticnpo
(ls (lcsign!r(lo '1.(.. I ll,,\.
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!# : -
rl8 l.l'12 cjrcuito jtjador dc nivcl: (d) circuito; () f(,rnrrs rc ,,!r|l rlf onrrrl| sf|li)r,rrr;
l3
l.:Il los sislr'||rrs t)fii{:lifos lr fr)nlri! (lc o|l(lu (l(! cntuldu ro (rs scnoidal pero li( n( lllr rrlllilLr(l vlfill(, (r(,ro lil rclrr(ls(:rrllr(lrr (lrr lrl li!]rrf 1.1-12c. Pala asumir Ios c:tl bios rIc:rrrrrIiIrrrL ircluinlos fl rcsisl{rf /ir. (ltr ]ro(lo (Jtrc cl c()tr(lcnsador pucda
{l(.sr'rftjrrsti
y^.
D! y D3 cstn invcisamentc polarizados. Vemos, puss, quc el circuito obedece a la deflnicin para todas las combinaciones de las tensiones de cntrada. Se le denomina puerta O porque r:5 V si ur :5 V r,O,r uz:5 V r,O,r u3: 5 \. Natual' mentc, si ,r : D! : ur : 0 V, cDto)rccs : 0 V.
Dr
Ejonrplo 1.1-5. Puertas lgcas de diodos. L(rs (lio(los so l)[e(lcn utilizar para conslilir /)r'r'lrs lrigicus (luo Iclizn irlgu|lls (lc lns ol)clrciones lgicas lrrcesariars cn l{rs r)r(lcn|(lorcs (ligitlcs. Llls dos opcrltcioncs quc nls f1cilnrente sc rcalizan con (li()(l{)s son l1ls (LcnoDindas Y y O. lrlt 1{ figur^ 1.1-13{1 est representado el oi'(:lriLo flrr uDa pucL (J (lc tres cDLra(las. Ls tcnsiones de clltrda )1,,, y r3 )' lu tcnsin clc slida u plredcr arsumi solmentc uno dc dos valores,0 o 5 V. Est pucrt^ O opern de acucrdo con la dclinicin siguiente. a salida dc IQ pttcrla O ser 5 V si nd o ms cnradus son 5 V. Con relerencia al cicuito ver]los que sj, por ejelnplo,D1 : 5 V mientras De : ,3:0 V, entonces D1 es un cortocircito yt/,:5 V.
ditntcncnto (le los valores que tcngan ur y ,3. Cundo todas ls cnLracls sean 5 V, ,:d lno dc los diodos cstlrii ])loqucdo o cn corto, y la slida serii 5 V. lin li prictica los dio(los no son idcalcs y cuando allsobelr corticntc irctlan Ei como una batorla de 0,7 V quc conlo un cortocircuito. Si cn la puorta O rjc tiltzrr diodos lealcs, corno cn la ligura 1.1-13c, vernos qe si , :15 V, crtonces . .1,3 \'. Si ahora la srlida (lc csta pucrta cs Ia cntrda dc otra puert.a O, la ldn (le ln scguDdr pucrta ser/r 3,ij V. Asf pues, una (scada o conexin scric de i?lr p0elas darl una salida de slo 0,1 V. Idealmcnte, ios cicuitos digitales reco[o(crlan, o (letectari4]r, slo dos tensiones, talcs como 0 o 5 V, per.o en la prctica rr.oocerin como 0 V cualquicr tcnsin menor que, por ejcmplo, 2,5 V. Cuardo sc lliz una puerta dc diodo con un transistor, elproblcm{ dc la atcnuacin dc scal .ur ?(:rbnlos dc nencionar queda climinado, yi que cl transisto amplifica ta seiral. l)rhido a la atenuacirl prescntc cn las puetas de diodos, la lgica del diodo no 14 cilleil cll lll prctica.
I,2
INTBODUCCIN
SEMICONDUCTOR !'3
I':n cst:i scccin se prcscnta una breve cxplicacin cualitativa de los conceptos l'.ricos qu rigen la circulacin de coniente cn un diodo semiconductor. No se nlrnt ser riguroso ni resolver ecuaciones, El estudiante que est interesado r.nlrii consultar cualquiera dc los numerosos textos sobre fisica de estado slido f{t-.r prof,-rndizar en los detalles.
ur
o-
^.1
-\clr!alrncnte el naterial bsico utilizado cn la fabricacin de la mayor prle ,lr,)dos ) tnsislores cs el silicio. Antciormcntc se uliliz ampliamentc cl ,:r.lrilio, l)ero stc ticndc a dcsaparcccl rpidamente. El silicio cs scnico dct.{; rslo.s, a Lcmpcrtura nrllicnte existen muy pocos clectrones cn la l)a cla ,l L4ndLrccir dc un crisLal dc silicio. Como la corrientc es proporcioral al nirnlcro ,lt tlectrones cn movimicnto, la conientc cs peqeila; por lo tato, cl lnlerirl lrrnc lrna clclacla rcsistcncia. Las bandas de conduccin y valerci dcl sili.io l)uro sc in(lican cn la figLra 1.2-1.
,h
Electrn
lbl
lri(.
Oi () prcrta Y.
1.2
Il,'lr(l1rs lc cncrEla cn
l'ig.
1.1
13
En la llgura 1.1-13b csLri rcprcscntldll una PtlcrLx Y (lc tlcs cnttltrllls (10 diodos i\quf sc pucdc (Lar la (lcflnioin siguicltc. a salir . I /)trl. ]' s.ri 5 \ sod \utlc crl(u\| 1rxas krs anodas sann ifllas o 5 \. (bll rck'rcn(ri1l lll (irctlito' vemos quc si, por ejemplo, ur:0 V, clltonces D1 estllrli I)01izr(io c,r scDtid( djccto y scri un cortocircnito. llsto conducc n lrI con(licin ), '" 0 \ indlpen
1,4
.\ 0Ii (cclo rrlrsolrrlrr), lorlos los ckrctroncs cstn cn los nivclcs dc crergi.l l lcnrl)c|lur rrrrrlrir'rrlc rtlgn clccl,Ln ticno ocllsionnltncrrto Iit suli.tntc rltrliir l)lllr rscrl)r rlc lrr Irrrrrlrr rlc valcncia y pnsar ll It l)arId {l(i (rorlr))irs l)irjos.
(lrrr.ci,)1, collo s(i il(li(iit rt llr lillrrllr 1.2-1. l.l r'lt'clrr s(f lcl)cs(lrll l)ol lln l)llnLo y la vilclllc (lcjr{lil I)of fl 1'lr'clrrr sr'irt(li(u l)of Lur r:i:-crrlo vrrr:io o /rrcc. Si sc:rp)ir:rr rr) clnrl)o r,lrrr'lr'ico rrl trrrr
r,I lir liilItit I.:l_:, (,1 (,1(.(.1t.(in srj r)r (:vc hcit cl tcrlrinal l, I rlr\o rl! l:r lrrtr'i:r, r.orro r,r,:r rlr,*ilrlfrf. llrr lL.clr.rr rlr tlr t,l,,,,io ac vlcncia rLr.rlr' lrrrrrlririrr rrr,r,crsr: lrr.i;r (ll l._rtir.l r.silr'. rlr: I,, 1,,,f"]ir, a, csL posec '"l,,,,.gia"at |,rIIi( i(:Ir|{| flr'fgil l)rr.ir lrr(l(lr l)ilsirr (:l {jl(j(llrlr ,1,, ,,iu,,f ,i" ael trueco. (,r|la{ro {lsr. rLalf(r'l):rsa rl ",, hlr.(ro, (krjfri,, Ira(io {lcLfiis rlc 1. lrrrccc como :lr r'l lrcrrr sc rrovi(,q(, hlcia la rlr:r.ccha, h,,,,i,,,,t t".,,,i,",i',,"g"ii*'U",^ oo*.r". r,ir ((lr-r'r{rrtc r0ll cs (l0l)i(l, pof Ltrlo, tl nrovinricDto ,1"'lo, ]" tlrrrlrr rlr: r:ortlrrcciD y al movinictLo cle "la"taon"a "n los huccos. FI"bl";;o;;";;"rmren Los dc ltr(i(los, o (lc cargas positivas, cn vcz d0 nlovinlicnLos tlc clectores en la banda rlr: valcncia para evitar confusin con cl tovimiento dc elcctrores cn la banda de c0r)duccin. La corriente convencional, dcbida al flujo o.f".i.on.rl'" f" (tc huecos, siguen desde luego "' , la dircccin del campo ""rri"nt"
t,rrirt IrL.iIIr|:,,|||,IiI.jI
Bafd de conduccin
tc boro.
"l"t.i;;,
trones a la banda de conduccin del silicio. por consiguiente da (a temperatura arabiente) todos sus electtores a la banda de conduccin del silicio, como se nuestra en la frgura 1,2-4. Ahora, la circulacin de corriente, cuando se apliquc u0 crrrfo clctrico, scr debida principalmcnte a la corriente de cleclroncs. Estc nleri,rl dopado sc llama matc.ial lpo n.
trjg.
Debc observarsc quc los clcctroDes sc nlucvcn niis rpiclamcnte acia cl . Lcminal positivo quc los huecos hlcia cl terminal ,ri"l,-y"'q"" la posibi_ lidad dc- que ur clectrn Lcnga la energra leccsara para pasar a una situacin til e en la banda cte conduccin (que.esti cosi total_enJ'viij ilu"iro *oyo, que la probabilidad dc que un electrn.tcnga "i l" n;i.;.,u Uu.u pn.u" una siLuacin librc cn la lancla clc "n..gi" 1qu" i"i^"r* ,,.*. Asi la coriente debida a la ciicutacin"nt.n.in ..f".tiJn", "rr-".^ri conduccin cs mayor que la corriente dcbida a la circrlacin "n-to;;"d#-cl " Iru".or-.n silicio.
ni)a(li(to.
:i0,1:91 concluctor.
"i
,nat",ial
Sin
Para construir un dioclo sc toma silicio y se le anadcn tomos de otro ele_ "Jrpoar. ,"t como.boo. Dste p.oceso se llama co1nlnar.ln o i.,llll ff loro sc llama material dccplo Dorquc uuedc accptar.clcctroncs de la bancla clc valcn_ cil dcl silic.ro. A rl tcrrrcrrtur:r' .rrbicnrc, ros elccLroncs .lc la iraDda crc valencia ut,**i" llenan los espacios aceptores del boo [al r.;;i;; en la figua 1.2-3, puesto quc la probabilidad cic cuc los ""_" ,tc in *i,ii u" "1,,"1.o,r* sullcio,ll:, l tc,upcraLura ambicnrc, "nl.n.lo p,,r,, ,;;;;;;;;; ra pcquejia :']i:'l: "]l"ti^
"s
,,n
sem,_
f flgura
idn. La figua 1.2-5a, mucstra un diodo polarizado cliectaente y su simbolo. Los huccos de la regin p fluycn hacia la rcgin n, mientras que ios electroncs dc la regin n fluycn )tacia la rcgiril . Una pcquca tcnsin V es sulicientc para
prod
El diodo consistc cn matcriales tipo p y tipo n unidos tal como sc indica cn 1.2-5. La nijn entc los matcrialcs tipo p y n cs la basc dal dodo dt
cuando sc
es tnuy intensa,
.,";;;j::;;.r "pii."-,,;,
y cl matcrial
Ill
resultado
cs ahora un u"n ,t p- obsncsc quc ia conrlLrcciri. ,,,, t,,,"onuato., "ri" ,nntarint ,,r,,i;;;,r;..,,;iiii,
"tJ,l"Til::j,.il",fl:l
:#lil"ri
lxx..::
de hrrccos. Tomemos ahora otro trozo dc silicio y laclrnoslc itontos (lc olro clomento, lrtl cono fs[or.o. I,]l tsto,o s. Il''l nrn[.r.inl au,,uAu., ,,,r,,,,, lu,.,i" ,,,,,r,,r .t.,"_
16
"" ,,r,r"t,ia"
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l7
ninguna distincin entre los dos procesos. El proceso de ruptura en avalancha puede considerarse como un electrn mvil que choca con un electrn frjo, dejndolo libre; estos dos electrones libean a otros dos, etc. Ello da lugar a un gran flujo de coriente en esta rcgin. Unos clcrrkrs nruy st:rrcillos (sil tcncr. cD cucn[a lt lcgiu Zcucr) rnucstran que la coriente y la tensin estn relacionadas por
1,. lRa.r l 2-5, ,.(fsrrr l. rri.rr. ror.lizatro cn seuticlo invcrso. Los erectror0$ rllr lrl rLlgi|| r lhryo lrucin ln rcgin , micnlras (luc ]os lluecos de la regin n fltry(ltr hlcit In r.cgin r. l,l oircrlxain dc corricntc es por lo tanto muy pequena, r cust rlcl txtrcrio nrrnclo dc cargas cn rnovimiento. Si y, sc incrementa ms rllf dc lr ltnsit de rupluro del diodo, la coriente de ste aumenta conside1rl)luretlLc pnrr pcqucitos cambios de V,. Esta rcgin se llama regn Zener, y lr ruptura, ruptura Zcnu o en aualqncl. Los rnecanismos de la ayalancha y (lo Ia ruptura Zcner, son dislintos entre si. La ruptura en avalancha se presenta I)ara altas tensioncs inversas, y la ruptura Zdner para pequeas tensiones inver_ sas. Sin embargo, el efecto en cl circuito es el misno, En este libro no se har
"
o:
dondc
l"1,t'ot'"rr
- 1)
(1.2-1)
: : ,, 1o : q: k: ?: m:
i.r
a l-rar's dci rliodo, A l,csin cn borrrcs rlcl diodo, V cortieDte invcrsa dc saturacit, A carga del electrn, 1,6 x 10-1e C constante de Boltzmann, 1,38 X 10 ,3
corricrtc temperatura absoluta, K constante empirica que varia entrc para mayor simplicidad quc m:1)
1
J/I(
asumil.emos
(D)
KT
q --
f!. l.?.1; (lrprcL.ris!ic s rlrl (ljo(lo: (d) crrrctcrfsrica rcul; (1,) osc'logran)a dr curlLrrrls!{rt,lrl rliodo; () caractcrislicas linc1cs por trozos o segmcDtos.
2l-r
mV
(r.2-2)
unin cnlrc las rcgiones Lipos p y ,1, disminuye noiablcmentc la rcsistcncia in\crsa. Con grandes Lensioncs i[vcrsas ticne lugar la ruptura en avalancha. Otros cfectos cntran en juego en vaias partes dc la caracteristica del diodo, pero para l rna{or parte de lines prcticos son despreciables. Las curvas de la ligura 1,2-6l 1rzidas a una escala adccuada, nuestran un rcodol en aproxirnadamente 0,2 V
La ccuacin (1.2-1) cstablccc que si uD cs ncgati\a con una magnitu.l mucho mayor que k?'/q, la corriente i, es la corriente inversa cle saturacin _ 1-.
1, es una funcin del material, de su forma geomtrici, es positiva y excede en mucho a fr?/q,
iD f; l.aq'DlLr :
par cl gcrmanio
Ior|lr'l
(1.2-3)
1.2_6a, para
eJ
a divsos cfcctos. Pra couiontcs dirccLas rclativamcntc granclcs la ,csistcncia lthmicn rlc los contlctos ' rlt:l nltcrial scnli(:l)n{iuclor linrcnl,l consi<lcrablc_ nentc la rcsistccia dircct. En cl sc1lido invcrso, la fuga superficial, que es lfi corrinte a lo largo de Ia supedicic del silicio en lugar dc a Lravs de la
18
Paa seriales intensas, sc considera que el diodo se comporta de acuerdo con ls apro\inlaciones lineales de la figura 1.2-6c. Tales aproximaciones se llaman rr,rs rle simiiccidn lineol (tambin pueden denorninarse caractersticas lineales proximadas o caractcristicas lineale( por tramos). Consi(lcrando ln ctactcrisLica invcs, hay que obscrvar quc micntas cl gcrnranio rrLl(sLIrr ul co(l() it 0,2 V cr sLr oa.{cLcrlstica dircctt y el silicio o 0,7 V, as caracleristicas inversas, indicadas cn la flgura 1.2-7, muestran quc a la misma tcrriiu inrcrsa V., cl rliodo tlc silicio deja pasar una corientc considerablcncn lc menor quc el diodo de germanio.
l9
inversas.
diodo es I a l5 mA, micntras que la caida dc lcnsin cn cl diotlo dc silicio se mantienc cn aproximadamcntc 0,7 V. Si sc utilizasc cl diotio cn una aDlicacin que recibiese 100 mA cn vez dc 10 ln^, la cscala (lc corl.icnl,c quc t|rccc cr In figua 1.2-6c tcndria quc scr rnultiplicada por uIl factor 10. En consccucnci ! tensin aproximada dc concxin, o sca, dc conmuLacin cr conduccr. aDanceria aumentada de 60 mV a 0,76 V. As pucs, cn una cscah lincal dc corrientc l caracteristica del diodo no aparcccria como exponcncial sino como llnea poli6onal o lilreal por trozos, como en la flgura 1.2-6c.
I.2.2
l,it cclci (1.2 il) <krsr:r.ibc la ca.actcrstica dirccta del diodo. r\Iediantc cslll (icuaci(iIl sr: rrrcrlt: hlllllrr tna rclcin ltil considerando las corientcs y llts Lc si('1cs 0tt (los l)llntos (lilifti tes d0 Iuncionanriento. Supongamos que llLrvli la colricnlc ir)l con lil corrcspon(licll-c Lcnsin dcl diodo ur1. Si la corrientc rlia hasta ir", ricscanos hallar la nueva [ensin del diodo {rr' Supolemos 0r,> kTlq. Iintonces (1.2-3) da ls dos ecaciones
i:
Ia'DJv''
Cuando estc cs cl caso, el diodo puede ser sustituido por un circuito equivalente consislcntc cn una balcrir Vr. cu serie con un diodo ideal, colo muestra la li_ gurr 1.2-81'. Dc acuerdo con lo expucsto en la seccin 1.2-1, se tiene en cuenta el lccho clc que el valor de V. cmpleado es una funcin del livel de coriente,
Iin muchas aplicaciones la caactestica real del diodo puede ser represcntadl aproxinadamente por otra lineal por trozos, como en la fiqura 1,2_ga.
(1.2-4a)
(1.2-4b)
cn la mayoria de nuestras aplicaciones admitiremos que V :0,2 V. .' Por ejernplo, cn el circuito rcctilicador dc media onda de la fipura 1.1_3 si !r sustitu)'ese el diodo por cl circuito cquivalentc lineel por trozos de la ligura .2-8, hallariamos quc la corricntc del diodo es
)cro
lL :
IL2
E@D,-D,)tvr
<
Vo
v.
rn
-|a
IDz
(1.2-4d)
H ,, ,o(D)
lr
relacin dc corriertcs
('1)
Du-uDzde 0,7
25
ln 10:60
mV
Fje. 1.2'8 DquivalcDics lincfllcs por trozos: (d) carrcrerjsrica uj; () circuilo.
Asi pucs, si sabcrnos tluc lLn diodo pfLicul Licnc ura tcnslll 0n bo.ncs V cuando la corriente es 0,5 mA,la tensin ser'r 0,76 V cuando Ia co[iente scir 5 mA. Si lr rclacin dc coicrtc cs 2, con.cspondicntc a una duplicaciI dc la coriente, cntonces url-rr:25 ln 2:17 mV, que ordinariamente es nr cantidad dcspl.ccia])lc. Loquchac0 qur: cn las 0i.flcLe.lsLicas roprcscnLadas crr la ligurr 1,2-6a apafczcIn las lines casi verticalcs desptrs de quc el diodo sc conmut en conduccin cs lu pcquotlu vtliuoirt rlc l0lrill (llr0 col.rcsl)on(10 a uln vnr,inci(ln muy gfondc dc la corricnte. Por ejemplo, en la figura 1.2-6, el margen de la coriente del
20
rcsistor.cs.
la figura 1,8-1, Este circuito fte unnliznrlo cn cl cjcnrjtlo 1,1-1, suponicndo rrn dio(lo i(lcol. Iln csto scccin se tendrn en cuenta las caracteristicas de un diodo real.
21
lil
sencillos
circuito a con-
,il.csi
,ti
I
"
1l
tl
."t
';'t,,
I
lfjg. 1.3,1 rircrillcador dc mcdi
orrda.
..
1,
t
\ I i ; I ,
l. ljl 2.
cn las especificaciones de los fabricantes o puede ser fcilmente medida. Los otros elemcntos del circuito, siendo jincales, puecicn ser reemplazados por cl circuito cquivalcntc dc Thvenin visto desde los terminales del diodo.
corlportanlicnto del diodo cst completamentc determinado a baias fre_ cuencias por su caracteristica ui, quc generalmente existe er lornta grhca
cn el misnro sistema de ejes de coordenadas' [intcrseccinclc]astlosctlrvaslcsultantcsdaelpuntodctlabajodelcircuito. Un trrzaclo lipico cs el clc la figura 1.3-3. La caractcristica rccta del circuito dc fh,enin (generalncntc llanada ecla dc carga dt conicnle conlnua) sc ha traza,lo para rina tensin continua dc Thvenin de 1,5 V y una r.esistencia de Thveuir cte 50 Q. La interseccin dc la recta de carga de corriente continua (1 3-2) trabajo (llamado a menudo I h caractcristica del dioclo (1.:f1) da el punto dc La interseccin de cstas dos cordiciones para cstas punlo dc rttoso, o punto Q)
lot
(1 3-2)
Considerernos las dos pales corrcspondicntcs del circuilo, tal como se ve grficamente en la figura 1.3-2, Las relaciorcs de las rnagnitucles en sus termr_ nales para las dos partes pueden escribirse:
.rras ticnc lugar-cn el runto Q1, dondc u,:v 0'7 \, io x 15 mA Sila tcnsin ile -lhivcin . c:nbia a 2 V, la recta de carga se desplaza horizontalmcnte l,i \. hacia l clcrecha tal como sc indica, y el punto dc trabajo sc desplaza hasta cambio de u' da {,t, crr cl grlico. l{icntras 11", Pcrlrlanece constante, cualquie carga lccta dc dc la horizonlal hr{ar uD simplc clcspllzernicnto
,: /(:,)
.,.
(1.3-1) (1.3-2)
Do:Dr-rnlIr
pucde, en electo, implicar un h.abajo consiclcablc. En algunos casos ste puedc scr justilicable, pero en la mayor parte no lo es, por dos azoncs, la exactitud requetda en la mavor ilarte dc los casos no cs grande, de estc modo qucda justicada la uiilizacin dc mtoilos nrs scncillos o aproximaclos; y la cxacLitu que puede alcanzarse con tn c'rlculo clctallaclo r'ncnur.lo no qucda jus_ tilicada ya que la mayor partc de ros diodos dilieren de ra caracteistrca terica dada por (1.2-1), y pueden encontrase grandes variacioncs en lotes de cliodos
llarse analiticamente si la forma funcional de la caractcstica rl clel elemento no lineal.es conocida. Si, por ejemplo, el clenento cs un diodo cle silicio (1.2-1) puede utilizasc como relacin no lineal, y hallarsc la solucin. Dcbido a la nturaleza exponencial de (1.2-1), es evidente que no serii un clculo dc rutina, v
Tcnemos dos ecuaciones con dos incgnitas, u, e 4. Cuando las dos partes del ci'cuito estn conectadas, estas dos relaciones se satisfacn simultneamcnte, y el circuito trabajar en cl punto dado por las ccuaciones. Esta solucin puede ha_
9u
rcctas dc carga
dt
diodo
y lrazando las collcslesultantes Esta tclas conientes pata cncontar de carga rcctas ronilicntcs irica sc ilLrstra cn la ligura 1 3-4 para v"" : 1'5 v' La naturaleza no lineal de la crcLcristica clel dioclo hacc qtlc la fornta de onda dc la corriente quede distorrionada (o sca, quc aclquicrc rln forma de onda diferentc quc u.) Esta forma
puerle hallarsc tomando algunos puntos dc la onda scnoidal
.\si, si
,r
la foma
dc oncla de
la
coricnl
,je onda ilcbe comparasc cor Ia tle la ligura 1.1-5, quc mucstra cl rcsult:rdo obtcnido riuanclo sc utiliza un diodo ideal. lolvicnclo rl cicttito oliginal (lig 1.3-1) sc observa que paa cste caso simple la tcnsirin (lc'fhvcnin tt, cs la ntisnta ruc la tcnsin de Ia fuentc dc alimen-
t__,
Fig. 1.3-2 Circuito gcncral quc contienc un ctcmento no
1inal-
iacin u,, y -Iir : I -l, (l(: nro(lo (luc todo lo qnc sc nccesita cs rnultiplicar la corientc dc la ligula 1.3-'1 I)0r Il para obtener un grlico de la tcnsin dc rrsl)ucsta ur. Obsrvcsc ruc ll lorcin de curva en la quc trabaja cl diodo con lr iciral lplicarla sc cnclcntrt cnl.rtr los pttntos a y ' como indica la cractcrfsticl
,i del diodo.
2A
22
F'g. 1.3-4 Solucin grfic para la corricntc cuando cs apticad tcnsin scnoidal.
V. +V
Fig. 1.4
aproximado de anlisis grlico-analtico que simplifica mucho el clculo, Este mtodo sc ilusta utilizando el circuito de la ligura 1.3-1 con una tensin de co_ [ienLe continua airadida a ur, por lo que
rr"
\/dc
V"
(1.4-1)
En la pratica la caractersticr rlcl diotlo pucclc considcrasc lincal cn csta regin, resultantc puede traza$e con tcnicas de anlisis de circuito. Teniendo presentc qua el circuito debc scr lincal, sc detcrmina primero el )- pnto de tabajo para u : Vrrc (o sca, yi,, :0). Es[c cs cl punlo de reposo (Q), El proccdimiento cs igual al rLilizado cn la scocin 1.3, y cl grrifico oorruspondicntc sc rqpite en la figura 1.4-1 para V" : 1,5 V y ., -.1- li : b0 O. La constnccin ptra dctcr.rlilat la forna cxaota <lc la onrla tlc coricltc como en la scccin 1.3 (ng. 1.3-a) sc mucstra cn cl grhfico. Slo la porcin dc la caracteristica del diodo situada cntre los puntos a y ir l,icnc importancia en
La tcnsin y(tc sc suelc dclonrinar tcnsin tlc pllazacn, La tcnica utilizada se basa en cl hecho de que la desigualdad de (1.4-1) Jracc que el cjrcuito opcre cn una rcgin mtly pequeila dc su zona de trabajo.
l:ig- ] l2
llLr\ilinrcs.
25
lr ' | I rlr'lrr'.rrrrr:rlrr. si ltr .r.*:|.rr.isri.ir es lpr,xirnadamente lineal arlrr'.slr) rrtrrl,s, rtrr'rlu r'('(:rrrrlrzlrsa l.t t'rir lira. t.0cLl a clectos de calcurar Irr.rrrrrrrrrrurrIu rh: c.t. l)'r arrfor:tt lr lL.'ai. ct Iu .csprcsta a la corriente ltllcnlt, lolslfuifltlos un lllcvo rrrl rlt cjcs con origcn cn cl punto Las varial 0.
| r
'
r | r
' i
l..1
< I'o
lu"l
Yoe
sorr
(:r)f
(1.4-2a)
IDa+id:f(VDa+Dd)
L'r scrie dc Taylor a partir de la cual pucde hallarsc
0.4-5)
'lirsirr:
(1.+2b)
f(r f Ar),
dado
f(r),
es
intcrcsarrtc dcl grlico (fig. 1.a-l) sc vc cn la ligura 1.4_2, con las nuevas variables trazadas a mayor cscala. La zona de tabajo c se supone lineal, cn ella sc encuentra el origen. Esto es equivalente a reemplazar ei diodo-por
l,r prrlc
trminos de orden
superior
(1.4-6)
Lna esistcncia de valor igual a la invesa de la pendiente de Ia linea aD. Eita sc llama sislencia dntimtca ro dcl diodo, y puedc hallarse calculando la invcrsa
Ac
0. por tanto
Ar"
A
io
Ioa
(1.+7)
f,unto
Q
prnto
(r.43)
O
Tcniendo cr cucta
Una vez se ha determinado ro, cualquiera de las variables del circuito (fun_ cionando slo para seales dbiles de c.a.) puedc calcularse aplicarrdo la ley de
Ohm.
El circuito original puede considerarse formado por dos circuitos, tal como indica en la figura 1.4-3. La ligula 1.4-3a se utiliza para hallar 1ro y Vro (el punto de reposo), y la ligura 1.4-3 para hallar io y rd (las componentes e seirat Olit;. La coriente y tensin total del diodo puede hallase uiilizando las expresiones 1.4-2a) y (1.4-2b) .
se
finalmente --\';
o.
du,.
aD |, rto p
Au^
'
|
I
(1.4-e)
se
RL
u
Y.sen (,a
: uo iaR
Vu.
donde
oc L
- r R
|Ir
(1.4-10)
-- u, -
uo
I DaRr -T
() circuito pari
""f"ufo.'i, "o,i,pun"nr"
,r"
".n.
Dl desarrollo quc ooudcc a los circuitos equivalcntcs dc la ligura 1.4_3 puede hacersc tambin analiticarneirte, utilizando un desarollo en serie de Taylor de la caacterstica del diodo en el punto Q. Este es un mtodo utilizado a menudo por los tcnicos. La caracteistica oi del diodo vicne dada por
Ya ruc corno par^ las condiciones de selial dbil sin distorsin I uo ud c id son todas ellas seiales variables con el tiempo con el valo medio igual a cero, )' V", Vro e lDo son constantes, (1.4-11) puede separarse en una ecuacin paa
corriente continua
Va"
V,c -l-
/rcfi'
(1.4-12)
,
,, 26
Ku,)
(1.3-r)
u,:un{nR,1
0.4-13)
:1.o *
uD:
1-
u.l
(1.4-4)
u,:io(o*R')
(1.4-14)
2',7
;.dffil
ll,, ,,,',', i,,,,, ', (l.l-12) v (l.l-l'l) rlt:st:rilrrrrr l(rs 0ilcrritos cquiyaLcnLes para .rrrrr rr{,r'orrIirtrIrr Y lttrlllil (lt) llt ligtlrll 1.'l-ll l)l clrll:lllo Paril colricrLc continua ,, r'rrlizrr i i t l I i lll ilizill(lr) liL cliril0l(rrisli(:ll (l0l (lio(lo, lnic l'fas que cl ;rrr;rlr.,l, lrt-rr strrrrllts tlbilcs s(: 11)li7il lllilizilll(lo ll l(ly (lc Ohm, con cl rrrl,rl r',, c:rlcrrlirrlrr rr l)i!fl.ir (10 li cittlltrtrlislit:lt rlcl iliodo rll cl pllnto 0
1
r
I
' r I
r r r
rt r
r )
Cc trabajo: asi quc los ciilculos l)ra corricDte continur son inalterables, Asimismo la ircndicnLe dc lr carrcLcristica dcl diodo 1/r',, en cl punto Q no cambia, para cictcrminar h cor'icntc llluna y lir l-cnsi(')ll dcl diodo pucdc utilizarsc
1
,,1r1'.rr,
r'
v.
(li|.lo (l(! r, l)i[crcuciando ]t ccutlcirt tlcl diodo (1 2-1), invirtiendo el lrsr llurlo, y citlctllan(lo ,' en cl purlto dc abajo' puedc hallarse una cxpresin arlilic rlc la resistcrlcil dinmica de trn diodo dc silicio en scntido directo, tal
c<rno sigttc:
lttl rd+z
dondc 1r",
(1.4-10)
I
y V/- indican la coricntc dc crcsta y la ampliLud dc la lensin, y Z rs una impedanci compleja. Esto queda ilustrado en el cjemplo que siguc.
Ejemplo
. du,
-1)
(1.2-1)
con
1,5
11
V
200
V- : 20 InV
90
: 0
Vr l-, 25 mV
, /e lbo
a?
300
I{,
],,nro
/D" .n \
(1.4-15)
Normalmentc la resistcnaia dinmica de un diodo de unin trabajando con una corrientc continua de 1 mA cs de 25 Q. Obsrvese que cl lntilisis precedcnte cs vlido slo si la zona dc fncionaniento cle la caractersLica del diodo (dc .r a ) en la fig 1'4-1) puede consideralse una linca ecta. (Si estr suposicin o se cumple las lormas de onda en tensin v conlcnte scrn distorsionadas ) I-os resulLados linales de la coierrte y de la icnsin de carga sc hallan supdrponiendo las lcspuesLas dc los circuitos de las .1.4-lir: lieuras 1..1-3 y
tD Ino ' V .,,t.tr . llt
Solcidn. Para halla el puntL Q, sc [raza la recta dc caga de corriente continua qre pasa lor cl punto Dn :1,5 \, con pendicnte 1/( + nJ : La inter-0,01. scccin de csta ccta dc carga con la caractcrlstica del diodo tiene lugar para 7,5 mA )- 0,75 V (ng. 1.4-5). La situacin dcl punto Q sobre la curva y la amplitud de la scal aiterna indican quc sch aplicrblc cl mtodo de clculo para seiral dbil,
De 1a cxpresin (1.4-15)
' : fi{ffi::,,
scl '
{r/
ut': Rt
trlcmcntos rcactiYos. Cuando sa cumPlel las condiciones de serial dbil, cs sencillo tcncr en cucnta los clamcntos raactivos lales colno cl lillro IiC rcprcsentado en la gura 1.4-,1. Evidentemente el condensador no puede afectar al punto
fi. 1.4-5
1..1-4.
Puesto quc lX"l :7laC : 1 Q, sc observa quc cl con(Iensado ticnc una impedncia dcsprociablc conlp,t:l(l (:on ,l,. 'fcnindolo en cucnt:1, 7,t x RrlIi: 62 j;)'t, El circuito l)tr scirl dbil nirlogo l dc la figura 1.4-3 tonr llr formll indicada en l flgut 1.4-6. Utilizn(lo los valolcs obtenidos paa d y Z, tenenos
V,":0
v
t^
2,.
Iri(. 1. I (lirorrilo
23
(lLr
"
Lr notcir tt ilr-
cs
,29
m
-vw
''
,
^/w
I
F! tinto (lotcInilada pot la lesistcncia i + lr. Cuando sc encuentra presente r scirl dc (ioricntc altctna (srLponicndo que el condensador acta como un (Dr(orircuito para las lrecuencias consideradas) la resistencia efectiva vista por
t! diodc cs r, ]- (.fllllr), que es la inversa de la pcndiente dc la recta dc carga dl corriente alterna cambiada dc signo, Para trazar esla recta de carga de co.i({le irlterna, sc precisa solamente un punto, ya qua la pendiente es conocida.
1:ig. 1.4
(j Cifcuilo cquivlcntc n
sciral dbil.
EI cicuito dc la figura 1.4-4 se vio en la seccin 1.4 por medio de un mtodo combinado grlico y analltico. Es posible, con una simple ampliacin del conccpto de recta de carga de corientc continua, hacer grlicamente tanto el anlisis para corientc contina 0ollo para corr.icntc altcrna, mientras la eactancia dcl condensador sea dcsprcciable. Estc proccdimicnto conduce al corcepro oe rcclq tl carga de cotentc allcrnc que, si bien no sc cmplca para los circuitos con dioclos, sc utiliza a rncrudo para hnalizar )' pro)'ectar cioLritos con lrnsistocs. Es nis fcil comprendcl cste conccpto cr lrrninos cic un sinplc cliodo, )' por tanto lo introducircr)ros cn qslc l)unto. Para el cicuito dc l ligua 1.4-4, la recLa dc carga cle coricntc continLla y cl punlo Q sc obtienen tal como se tDlrostra cn la ligur.a 1.5-1. Las condiciores de corriente continua no sc vcn influidas por la partc del circuito formada por el condensado C y la resistcncia cle cargn Rr, a causa de la xccin de bloqueo dcl condensador. La peudicnlc dc la lecLa de cl.gt cn corriertc continua qucda
Fil punto dondc la seiral (le c.a. es cero es el ms fcil de obtener. Este es sencillmcnte el punto 0. Asi la rccta dc carga dc corrientq alterna se traza pasando (nrllnJ] tal como se ve er la poi el punto Q con una pcrdiente de - 1/[r, + fuurr L5-1. Cono la seial varia con el tiempo, la recta de carga de corriente alterna se i:'Jete a lno y otro lado para clefiIrir ]a zona de fncionamiento del diodo. Comin.e-re esto con la ligura 1.4-1 donde la ecta de carga de corriente aontinua sc r?!..!e a uno y otro lado. La difcrencia ente las dos es que la impedancia para ,irricntc altcrna no es la misna que la resistencia para corriente continua vista t-)r cl diodo en cl cso del circuito considcrado cn csta seccin. l.r lrlpli'"ucl dc la componcnle de c,a. de la corriente se halla utilizando l ilica de la llgura 1.5-1. La zona de funcionamiento es el segmento a'r'de la
.iirctfristic clcl diodo. Iilstc proccdinricnto dar resultados idnticos a los rt*ult{los alirljticcrs obtcnidos cn (1.4-16) siempre quc el scgmento a'' sea l;o\inradirnrcntc lincal. I)cl nisulo nodo quc cn la seccin 1.4, es til supcr'l{inrr urr l) de cjcs io-r, cn las culvls d0 la ligura 1.5-1. Esto se dcja como
rJcrcrcll).
Se pLrcden oblencf sinrulll'LnelnrelLc las 0cLracioncs correspondicnlcs \ las icilas dc cugil d0 0.c. y... rrrcdianlc cl circuito de la ligura 1.4-,1 utilizarclo l: riurrl lcv rle I{ilclrhoii r lcv do lensiones. Tcneros
y,rc
'
I ,r =. Drt I
1,, J-
nD
-l
1a
nl + td(nl
y
.R)
(1.5-1)
ll:tcir:rr<lo
i,.- iu-l I
DD:t)
Vra
l,r.
o--w't
Becta de carga --l \ alrerna \\_---corrrente ' r +rR 1,4. peno enre \\\\ \\\ \ Recta d carga cr de conii 'N \_-col.|rere conrrnua, - - --j-; \\\ \ penorere a,t5 t,o /f 1,5 -uD'v 1,25
1
1.6
EL SISTEMA DE DIODOS
'1.-"
l:ig. 1.5-1 liohrrijn
30
-'
l'll sislca dc diodos ticnc n]uchas aplicaciones, e1tre ellas cl connutador :rnalgico, 01 mult\)licador y cl dcLecto de lase. La ligura 1.6-1 muestra un esqucma de un sistema de diodos quc sc pucde adquirir en.el comcrcio (LN13019). Se componc de un cuadrctc dc diodos y dos diodos aislados, iabicalos toclos "-llos al rismo tiempo sobrc cl rnismo chip dc silicio. Los detalle$ dc fabricaci dc lrlcs circuitos intcgrados (CI) sc csludiarn en al capitulo 16. No obstanlc, scialc,ros quc los diodos de 0I est todos fabicados simultneamenta y, por tanto, t!cnen caracteristicas casi idnticas, mientras que las caracteristicas dc los diodos discretos, seleccionadas al azar, pucden diferir ampliamente. Por ejemplo, cntrc dos
1..1-4.
3I
cuando Dr lo es cco. Si
l
+ +
"liillli:l'"
.io
+;l
l^ I
ir +J
T
los
crltJargo, incluso
Von, Sin
La tcnsin Vori sc cligc rlc moclo que sca sufrcientemcnte pequeria para que cuando ,c : Vo, los cual,ro diodos cstr en corte y, por tanto, no conduzcan. Po consig!iente la coicntc cn 1l cs cero y u :0 V indcpendientemente de ,r.
Anlisis cuantitativo. En
IJ
I.ig. 1.6_1
Sistcma (le cljoctos.
la prctiaa el conmutador
analgico es activado
por un amplilicador opeacional (vasc captulo 8) que tiene una impedancia de salida mucho menor quc 1 Q. Asi pues, es razonable admitir que rr :0 e.
rliodos r'.rrrrlcsrlrriu.lr dcl sisLcnta puctlc habcr uDa rn.rfia r\ crlnrlo l corricnLc (flr(j r)ilsit.por clios es 1 mA. clifcrencia dc tensiones Si ," a"le"ciona"au alea_ r.r'irrrrLrrrru (ros (rio(ros <risr'cLos rr.l rnisr'o rilro r crifcr.c'cia cle tcnsioncs pooria scl rlo 2l-r lr ir0 trV.
rlt: 5
El anlisis cuantitativo dcl circuito de la figura 1.6-2 es bastante complicado a no ser quc se considcre suslituido aproximadamentc cada diodo por.un clrcuilo equivalentc lineal r,por trozosr dcl diodo ideal descrito en la ligura 1.1-2. Si hora t;c : yo,, la caida de tensin en cada diodo es cero y el circuito rcsultante es el representado en la figura 1.6-3, Observemos que los puntos a, b, c y rl de la llgula 1.G2 sc confundcn cn n solo punto t y
(1.6-1)
Lrr frrrrci (h
l..stLrrlionlos lrr.itncro cl
co n
mu Laclor
fl
.r)r(r.cci(i^
l prcsLcin.del ci|cuito cs l:r cspcracla, scr oc: yo,. ,.,,,r11t-.1. "uu,n":,Unr l,rLonccs clal(lo ,:0, los culLro diodos csn condncie,ro y'a"jo.n" r"na lrla crid dc tcnsir Vo. por Lanto, la cada de tensin desde J "ri" , Vn,, so ajusta dc maner.a quc toclos los diodos se mantcngan cn conduccln, ", ".r". incluso
(luc
ra= I,,r o t,,j
o
v,,^
: 0 cuando u. :
1/otr (corte).
t, I
., 1zW
,,
Voo.
iut' )l
-'1.,1
-t-'
t,,
I
'""
<
/,r
Cllculo dc l mxima tensin de cntdc lcrmisiblc Vr,,. El circilo cleja (le funcionat corectarcntc cuando or aumcnLa hasta cl lrlLo cn quc ,i : yr cs una tensir sulicicntcncntc positiva para quc D1 y Do sc bloquccn dc modo quc rl c rr sean ccro. Ilsto cla por rcsultado la complcla apcrtura dcl pucntc de diodos col la consiguicnlc dcsconcxin dc la cnhada u, dcsde h carga n. El cicuilo cquivalcntc csullante cs Lrl rcprescntado cn la ligura 1.6-.4. Supongamos (luc los dio(los fstr'r) I)l-(:(:islnrcttc r cl IrrnLo (lc corLo (lc mod() rJrLc lits tcnsioncs
Llc diodo r.,,,.
,,, sLtlli
Icsfccto
ls citls
(1.6'2d)
1,,
-L'( --1 ,, o -l ,, t,ig. l.l;: Un .onnllrt:Ilof :rlIt,ltif,) coI cunrro
32 33
(tro(ti)s.
v,,,, l?/,
R,.l
lt
( r.
l.{i-2)
*lttrrFrq!rniqqF."
- :'
,.-!F..1
coricntcs clifielc cr los rlioclos 1lt y l)r, siendo mayor la corricrte cle D.. La azl de csta difcrcncia (10 corrierrLc cs la siguiente. La corricnte que circula tn los cuatro (liodos sc plLcdc hallar por supcrposicin. FIay dos fuerrr_es u" y u,. rc hacc quc la cor'icntc cir.culc cn todos los diodos D1 a Do en sentido tal qre stos oonduzc{rn. Sin embargo, la fucnte u, suminisla una coriente que liendc a hacer quc disminuya la corricntc total en los diodos D1 y Do y aumente h corricntc total en los diodos D, y Dr. En consecuencia los dioclos _D, y D, conducen corienles mis ir[ensas que Ios diodos rl y IJa. por consiguientc, la cada dc tcnsir V"" cn D. cs nayo que la caida de tensin v1 cn D1. El resultado eJ que ,0. no cs igual a cero sino cue cs una funcin no lincal dc D!. Nosotros desprcciamos estc efecto de segundo orden.
lus dos dioclos luncionen en la regin inrersa (de modo quc no concluzcan) pcro ro nrs tlli de su ruptura Zenc. Si l_os diodos cstuvicscn polarizados invcrsa_
-l-,
lrig. r.0-4 Cicuilo fqrilalcnt(: clln.to rr : yh, ! tos diodos u1 \, ,r fsttiD en cl punro
ilc
Ilacicndo u." :
t'r
u. igual
1 cefo tcncnlos
t/
"--"'E+n;
I)
_r,
r/
Ilt
(1.6-3)
Ilecodetnos que cste cs el vrlo clc Vr,- cn que los dioclos Si R" > -R (1.6-3) se r.etlucc a
Do st llloqcan.
ulis allti dc csl tcrsiu dt: r.upLrril Zencr, condrLcirian cor.ricntcs lnvcrsas 'r)rnt( ,le rodriau ser sulicicttenlenLc intcnsas para dctcriorarlos. Los dioclos tuc sc :rliliza' cn los cir.cLritos inL(rgaclos ticncn tipicamentc una rlpLura Zc.er cuanclo i:r ttnsin inYersa es altr.orintadarncDtc Vz, :6 V. Con cl lin de deLcrrninar cl rDr.gel |cr.misible dc uc : Vori ollscrvanros (luc i)irr r]la lcncr cn corLe los diodos 1), "r D4 tlebemos tcncr. V.r: V"_ Vo < .:.1(0,7) : 1,4 V. Iin eslc tltodo dc funcionamiento no circula corrientc cn ningn rtsistor 1i.; r:le aqui que 2 V.ri: \/",i <1,4 V 5, V"ff <0,7 V. (lLrardo los (liodos estiin cn cot.Lc cxislc la posibiiidad dc quc pucdan csLar r\|ucstos " una rulltura Zener si u, : V,,,, cs dcmasiatlo grandc. Co lo no )asa couicntc por r cuado los rliodos cstn en corLe, V. : V,., clc noclo rlLrc \'.. - 1/,,,, yor. Prr quc no se produzca el corte cn los clioclos ajustlrnos t,r)' l',*- V,,,, cionde Y., cs la tensin dc ruptura Zcncr (lc los (lio(los. I)or tnlo, ynri debc csLar compri:ndido en el margen
(1.G,1o)
v"u
<
v,,lr
< 0,7 v
Vo
Sin embargo, si sc conccta el cuaclrcte clc cliorlos l la cni_fad de un amplt_ ficaclor operacional no invcsor (scc. 8.2) cu5,a impedln0ia clc entracla Rr_ sea mucho ma)'or quc -R", tcndremos
(1.rj-4)
:5 V podramos elcgir conducir cuando u, cxceda de 0,7 V y er lenol que 0,7 \. Pero tt sc mantendr rie tr a causa de-clue I). v l)o cstn cn cortc )'por tfnrlri en cotc,
l),
Emplo
:0 V, Si se hacc csLa elecD1 conducir cuando u, llcgLtc r igual a 0 V indcpcndientemcntc tanto la puerLa tambin sc lnan_
1.ti_l:) csti
csllln cn cortc. ]
0odlnuta.lor funcionar dando rr, : a,. Si o, cxr:urlc rlc \.,,,,, la te sir (lc salida se nianLcndrh lija en el valor dado cn (1.6-2). ISe cli:mufstra [cilncntc que lanbin csulta (1.6-3) si ajustanios , \',,, caso ot1 Lrl <ue los rlioclos D, y D.
,,
- -.
Ic,=
(rorrrctos l)orJu(: ul circ ilo c(lui\,lcIrlc ui,ilizrldo l)ara r0l)l.LtsclrLrr los diodos no os cliilcto. I)or. cjcrnr10, critsitlcrctnos los dioclos trrc rlchcn sql. t.cl)t.cs0Dl.rlos por cl circuito cquivalenLc linell por.hozos cn la ligLtrl 1.2_g. l}rtorccs, en la figura 1.6-2 venlos qlle con Di : yr, quc es una tonsiD posilir.a consLantc, ls
34
l'.i1, ln tcnsirr (lc (largit, cs ce0. Hallar (.) r ct1 ftlncin cie ,r cLtanclo r'. -- 1i", () la ruiirirlr I i- I)( r)risibtc, \, (rj) el n)ininro valor I';{ v cl mftgen l,trnrisil)lc (lc I,',rr.
represcrta(io utr conrrlrrt(lor rrlrigico con seis diodos utilizanrlo el circuito cl \i-.tenra corl)lcto (ki scis djo{los. l,n iuncin de esto cicuito cs l nrisrn qLlc l (lel connrutldor uDalgit() con cUllt.o (lio(los represcttado en la figur. 1.(i-2. Es (iccit., cirn(lo ,c : \/Ju, l lcllsirirr (kr crrgir u es proporcion{] a u,, irientras qlle cultn(lo
ll el nle(Lio do connrutr Dc dcsdc l' ). Itl trNrrsf()frrll(lor t; h.rst 1,ir )' \'icc\'0l.slt. l.lstr) lr() I)r{)l)o[cio csllt.ti rcprcscntdr) cn cl circLliLo (lc la ll_ ur 1(;_2 rllrquo s. I)o(lrf lrrilizrrf lrr l nl forrn(lor. lil cir.cLrito oslri cnlcllu(l) pra quc cLado : : l/,j, los (tir)rlos 1)6 \'110 cstD .n .orlr v lo\ rlir)(los l), /)
.\lrctjn (r
s
.15
i<
J,, ,
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kt
L'
Lf
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_L
A v +
N'
.Srrucln. Dl circuilo dcl sislcra tipico con diodos cs cl rnisno que cI conmutador con diodos reprcsentdo el1 l hgura_.1.6_5. Si n,l,"itiIrroi 'q,i" -,r tenga una lora dc onda se)oidal, tat como ,i ::en 2jr1, y nc,l" i.^ i"." O" onda senoiil3l, tal como Dc : cos 2?1... cnto p"'1,,r "-;;"*i;; :i.u:'::h""":lt;H";:";":i'i,:it:"i;:"f ',#1,1:::"ol: "ii"" y clesconectar )r trol concctr r un ritmo igual a^1". ri";;i;i ilustauo cn la [8T.:.1.6-!q, donde hemos elegido l" <l. C-on cl fi. " proccso cle urilizando estc clispo-sitivo,' ia op".n"ion a" ""p"".^.'"j jn esta reprel.]:ll]llt"1^crll $nrrda corno mucsta ra ligura 1.0-6. Aquf la tersin senoidal "nfiiilci de;ontror dc la ftccnenci /" cs sustituicla por la funcin " " ai""iooa"oao s1f; de frrcuencia 1., que cs 1 bien 0^v.. Cronao "",r*ri""i" Slrj er-r ],"r)1",(1. Cu"no "r"p"s"ntoan v Pucsto quc s(t) cs periaici, pu"" J"" po"
iJ'l;.ta),r:;;l
,.\.t
p()
..
(1.6-7)
(tr Sf/)Dt) . I
qcn nn12
*.1,
-^sen
(1.c-8)
Fij.
1.0-5
.L original ,r, el p.orcio de dos seirales, y tos protlirctos d _,(0 fs o.,"oi*, " v L,"at originat dc c_ontoi. Dc aqu que si et connrutador vi'seguiao d" ;;;;;tt; sintonizado (on frccucncia centrat y ancho de bancla 1J : l, 2 la te;;in c;la-sajta er nlto lcri r;() : K_ser,2q11cos 2zlJ. Asi, llt tcnsin ii "i nii." rii) es propor_ .tonal
producto dc oc(t)
u(l).
""ri"
cc,rrduzcar haciendo
(1.6-3)-con
I/n:6 \
qllc
menor que cl !alor i/,. clado por (1.6_3). Utilizando se puede dernoitrcr quc la I.r,r m*ima .crlri-: V, y para
D, sea
-.-
El circuito dc la iigura 1,6-6 ticne varios nombres, dependienrlo de la fina: Sif;r,11 circuito sc deno_
(1.6-5)
"f
() Puesto que u, nunca cxccder alc vz^ _ vr_ _ 3 \, la tensLn en el pun_ to c lro excede de 3 + 0,7 - 3,7 V. por co]tsiguientc los iodos D, Do estirn v y; n 0 sremprc quc rc : > 3,7_ va5 : 3,7 _0,7 : 3 \. ios clioclos a .1^cstal n o{ siclnprc que la cafda dc tcnsin ,iesc Last" e1 la D, figua 1.0-5 sea menor quc 1,4 V. Iror Ia segunda tcy tlc I(irclrhoff tencinos
u"a
Sup-oniend-o V,", I rr 0 _que Plcsto
: yrt +
2L)c
-F
0,? \, tos cliodos Dr a l)a estan en coLc sl Dc : que ro c ,lcqcj quc los dioos O, O. ie :nue,._ sarncrte por una tensin mayor quc l! dc l.upturr Z"ne l.rr, i,otai"en tineinos
'
\'.
: ytu :
De
clonde
Yo'
: Y'' --
VrI
-- Vr < 6 V
0,? V Lrl)
(
()
.t(/)
^sl
es
Vr,, 0,7VcVr<0V
1.6-0)
-(;F-
o !/1,I
Ejemplo 1.6-2. Uso d un conmutador con ses diodos como multiplc6dor. De_ mostrar que el conmuta(lor con scis diodos dcscrito cn cl cjcltlplo i.6_r se puccle tilizar como multiplicador.
36
lrn
*l
l7
.
5T
Fl8. 1,6-6 DI conrrur.a(ior dlodo coDro lnLrltjfltctrdori (r) , (1) cLrrn(lo l,r =. scn 4n x 10t y rc - scn 2,' x 10li () oprcscnrncin cquivtcntc cl ciniraor ,rir,,. 37
,lil.liilill:ll1:1i ii,,;,,,];,,il".ll,'il":Ji;11;;i$i:;:X:*i,?:.:,,,iiiffi:
;:i,:,';il;"li,,l:,ll;l:i:
!
c
rrr:rrcirr
{f,i,i"[,,:lxl;T"'::1i.i:*;#*:.i;i
p*" "lL"raa^i"
tueva le-
+-l
j
i*
I
g'.od9
/, I
rr/".
I
t
30,
I
1.7
GENERACIN DE FUNCIN
rT'
t{ l.;.2 (lircIitos
]inctcs por irozos;() sntcsis rtcjlgura 1.?_1; () sint(,sis (tc ftgur 1-7_1a.
constante para consLuif un circr rito cq uivatente quc ."rii;;l; ;;i.," tineal por trozos. De.csta maner. se puctlc anrlizar ct circuiti .;j;; io. to. _etoao, normales.dc anlisis dc circuito, cspcclalneDtc para sejales dibiles, evltando los proccdimientos grhlicos.
_
Lcnica clc gcneracin clc funcjn implica una aproximacin a la carac_ tcfistica r de u^ dispositivo no rinear con segmcntos d linea ecta concctados y Lrtilizando luego diodos, resisLores y fuentes ic ,"^lri"".il"r" de corriente
I-
Una aplicacin del uso de los gencadoes de funcin es la soluclr dc pro_ lir*l q;;;;;;;rcrrr" un ,,.*rno ,,r,.o deba se rcsuelta uLilizando un computadrir "" nalgico. Los trminos no tincalcs son afroximados
blcmas en que una ccuacin difcrcJcial
r.7*rr, corsisrcnLc;;;;r,,;l;..',;;;;nLos, mDos .a arroxinrar.s0 r l Lr crr\. crun<lo la cxa0Litr(l 'ltl||zir ,...::l::l:lll,.^,ir ,,r(sirrir pcIl)l e rt {,r'tot.grrr(]c .cl)rcs0nlAdo. Ijs sirtctizacla COmo 0l ctrcuitO de ia llgura 1.7-2a. L, operacin del circuito se cxplica fecii-inte sise consiAera
electrnicamentc y cl esultado ,. ."pr"r"nrn grliea l, automticamente o sc visualiza en un osciloscopio ta aproximacin de tres segmintos para ta caracteistica ,,_^9iTld:*i"r. no lneal epescntada en la ligura 1.2_1a como cjemplo dc ta ,int.rir-J. un cicuito trozos. Obsrvese qlc cuatquier curva no tineal pu"J"-..i'np.o*tn liy tanto l:] como se desec utiljzando rno o ms segmcntos "an. e inea ecta. para fines prcticos el nmeo dc segmcntos cle linea sc nantie"" a"" p""" cotno sca
cl problema completo
.. ,.ru.rr.
li tcnsin dc cntrada como lucntc dc c.c. que cambia lentamente desdc un valor {r:rn(lc nceali\.o hasta un vlor gr.ancle positivo. Rccurdese que cl cliodo iclcal (onrlcit.li solancntc cuando la tensi(ll u", y3 sca positiva (poiarizacil dirccta) s,-i un circuito bic.to curndo ur_ V. cs negativa (polarizacin invcrsa). No crcrrlani corrienLc a no ser (lLlc,r, > Vr;asi ur l Vtcla el segmenio 1 dc la curva. (.!rrr(lo r?,: \' (purto dc rrcodor), ocurrc un canbio dc csLado. Tar ponto cono ttr so hacc rnayo cllLc ls, cl clioclo concluce y aparccc como un cortocircuito. l,rrr'go para todos Ios valorcs rlc o. > V", cl circuito consiste cn el rcsistor.R..en rric con Il Lonsin V3, tuc ploporciona cl scgmcnto 2 clc la curva. llslc rcsLrlL.clo s. puedc urilizu. jra siltctizar ra curva dc |Ies scgmontos d: la fi.rrr 1.7-1a. El cir.cui[o de 1a llaufa 1.7_2a sintetiza los scgmcntos I y 2 {cstn(lo ,susLituido -ti. por. .R,, , V. por V1). Todavia hay provist un purrto de t'r,lo en 1,'r, r' la pendicnte dc la curva en la regin 3 debe ser 1/I1,. Obsrvesc qlc cstr pclldicntc es malo.(Juc la del segmento r lo quc ta resjsic;;;Gri\lr lc ,il cst.rnrr.lcD ,lcb,. scr tnct)or. Esto sugicrc ,uc rrcJc-ser cr,rdiC,, uu crrcurro fr.,lcLo frir conse{rir una educcin de resistencia. El circuird de .i figLra 1.7-2 producii tl rcsrrltaclo deseado. La rma dc la izquierd.r cs la nrisma qrre ll p.oviitlll{I)l.c <rotsirlcrrll y nos da los scgmcnlos 1 y tlc la crrrva. 2 I- r,rr rl. l. rlc.ct:llr rr) t.r{r*i (rkr0tr) argano rrnsta rrrc u.: 11 ,n,,,,,., tt c(rnduce. l)lr ot), V,, D ,.1)1 cstn ambos cn cortocil.cuito y ia resistcncii {lel cicuito toial es.Rjl1?r, Con cl fin de adaptar la penclicnte deseada 1/?i., 1 : 1-- -,- ,1 n3 1i, _l ftr-ft,
Ij(.
38
1.7
^pro\inracjoncs
({) trrs
s:g|lrrrtosi () dos
Ilsto compleLa cl circuito. . -Es importanie distinguir crLc los circuitos equivalcrtes lineales ljo trozos dc los quc aqui tratamos y cl circuito equivalcnte lineal para se.ialcs dbiles cstu_ diado en la scccin 1.4. L-os valocs dc rcsistencia pucden diferir consiclcablcrenlc a causa de quc cn cl caso rlc scrlal dbil las pcndientcs se mirlcn en un punto particular dc funcio n am ii:n Lo, ticntras que cn el caso lincal po trozos son lalorcs promcdiados cn nrhr.gcDcs o inteavalos relativamentc largos. El cic!ito lincal I)o. trozos sc prc(lc tltilizt para calcular las corricntes v las ten_ siones lolcs, mienhas q(lc cl circrito cquivalcnte para serial dbil cst restrin_ giclo a variacioncs pcquci]lrs aJredcrlor dcl punto rlc trabajo.
scg_
Ejmplo 1.7-1. SintcLizar utr circLrito quc proporcione una apoxirn(:i)l trozos de lA luncin v : ln r pra el tnrgen 0 <,| < 3,
linfitl
l)()r
fl
rr,,fi, L7 r] r)r(lscnh rrn
crri{i.c:-:1c^
illii',1,;ll;.,i;ll,ilil',iii;i.-ll'J'iii;ii;ii;li,'i'.ii't""^''i"i'"pen(iio'tcodccodocn/
---1
:..=,,:]. l]l',1.1,,i;,J,"
,,li"?iifil
constuir cl circuito Se planteaI vrios proltcnlrs l)ri\cticos cuando sc inte dc que un diodo rcalos { y rcsistcncias -usa clioclos utiliz;ndo ligura 1.7-5 la de real tice una tensin (lc r(tPturx clistinta (le ccro y unr rcsistcncia seric cquivilentc. ,\dems, la rcsistcncia quivalentc dsminugc con la corrientc, na caracteristica cllye cu!-aturl cs opuesta a la descad
lo cual produce
t:
\
(
,,
Prrnl0
st
gr {irlto 3 tlei)c
I'r\r I'or l
'
20
t
n=$:ro,en
I.'jg. 1.7-5 Circuito complcto par cl cjernplo 1-?-1
!n= fi -::n
:,rt
l'is
1.?
3 Lr
funcin
r =
ninimizr estos problcmas, usualmente sc mupiidn las variablcs lor lo qe sc co,rsidcra que cn el cicuito circula un^a corrientc de er viz cle rniliamperios. I'ara vcr cmo se hace esta transformcin vol_ ".neio. {amos a la ecuacin oiginal y escibmosla en la lora
una constante, por
Para
lil:r',.'""ilriliir i";w I'i: Jifll{5i:fi{ 'rift tii:i'*il l;1";l'Ji:':xi?"li'"1;;1 '"';f "::l;:"lil'i'i 'i:.;ill:'j;il.',lljluiliu ll,::i*.] l'l' :r4o:l:o']"1i":':r';l::1
y
1
U:bi
il :lilxxiir,:lill lml';'li
- i ",
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ii?;"1#Tlilfl,*:ll,xilTi.j''li+;:n:i:';',"*ulm:i"::''i;"n:i""lli"n'i;
ra*r z,su (lc los scgNcntos 1 y z Fig. 1.r-_'l Circuiio para la rcalizxcin
dc
lr
ngufa 17_:J'
i \ tcofricntc'
mnrrores
'lc i'f'l
Ar'
l*'ril J;;,; llltil.'J; lrj:i;iiillrl*l 'llllj'ru l il*;il:llil.i: iii.,ir"''"',J" I - '.q' l: 'l ":l:;iJiJl ll;.i',1.",,il,,".lll'l,J,lJ'n','" ,, * "^ .u''''" ll,J;ll,"l;,,11".' *l.llli,lil,"i"il',ill"i', "'' n t - (i - l'1i1XS'3) I 2'5i + 1 ,;: i,'t+
[,ir l)c (licntlf
corrierl-c vicnc dada cn milimpcrj^ r- ar"inte un 1"':' l r' 6' la iensin sc puedc cxpresar cn una escala dc mltiplos ilt(lccanlDlan cn nendientenlcnte. l.Natutallnente, todos los valoles de los resistores iorlron"n"io. Si rI : 1 Y , : 103, todos los resistores dcl circuiLo de l[l figlrra 1 7_5 pol 103 i las corrientes qlre circulan clr el nucvo circuito r"iuri"ti "turtipri".,los pu. i0 t lo titi.tnu qu" las (lcl circLrito ojginal -l-as tcnsioncs son multiplicaias gcncral' sc eNistcntes cn cl nJcr'o ci|cuito son lns rnislDs que 0n cl origirlal llD Divcles dc tcnsin sLtlicricDtelircnte altos parr (lrrc no scrr cxLlsr tLc "fen "l"f:i. qraniles eiores las caldas (]e tcnsin eD los cliodos' " gn la figura 1.7-6 esli rcplcscnta(lll Llrra lcrsin a escaltl Inltiplo del circuito h dc Ia ngu.a i.f-S. En cste cir'uito sc ha sriprimido el suninistro {lc 1 V, -v Dr las .i rr.iit"i" por un diodo dc sjlicio y uno clc gcrmanio en scric l-n srrrl dc 1v' y str i"".i"". J" ruptrtra cle cstos dos (Iiolos es l\poxim a{lirmcn l e igral:r {Lc Divelcs cstos quc ]r!) cn 2,5 nlenor es rnucho combinada intc;na resiste[cia y nrA' 1'61 1 ontre rccta cle lfrea u1a caactcrfstica ;;;;i;;i;, p;" lo que resultar'/r Lo fuente'cl" cor';iente est sustitLlida por una batcra dc 13,5 V cn seric coll tl esistor de 8,3 kQ.
de la constaDtc d,
Si
103,
hall l solucin dc
las
li c:ll pol
cs
r
Alr A
ll:r! 1/:i
0<r<2 llz-r"2
4I
t'' I
2'r-r
'.' l0'S
til
coulo sc l cqllcrill
tr
Ce 13,5 V 2,5 k0
l:'ig. 1.7,8 Circuito ineat por tozos para U : 2. I:ig. 1.7-6 Vcrsin prctica dcl circuito dc
lr
flgura
1.7_5.
La solucin
esJ
natDralmente,
r:
Soladn. Pimeo sc rcprescn_ta lq ccuacin y . - recta - , por los res segnentos de dibujados en la figrra 1.?-2.-Un prorcrliinicnto directc pcra clegir los scgmentos dc rccta es dividir cl intcrvlo en fiftes igulcs, corno sc inclica. mpezamos los segnentos 1 y 2, tenicrdo er cllerta las pcndicntes cn los punios _por. indicados (en este caso r : 0 y n Si el ellor entr.e la eclacin lineal por lrozos - 2). y la ccuacin no lineal es dcmasiado grdnde, se ilade un scgmcnto 3. I-a pcndicnte del s_egmento 3 cs la misna quc cn : 1. Si el cror siguc sicno <iemasia<lo granclc se pueclen- aadir dos scgmentos ms en : : t 12 y i : j12, ctc. I_Iay quc sctalar qrrc indrr\o c^oD LIcs scgntcrL|Js sc po(lrii rc(lucir cl error innsidcrarcl sirnplenrcntc l sc{nl(tllo :l c{,rrlo cI|r'rrlll ,lc llr trrr.r'a ctl vcz (l(] coro tnficntc 0lln, (Col)lo los cl'lculos sc snpljficr utilizundo un{ Lnugc[tc, aqui llo nos dctcnclnos a consi_ (lear el cro rcducido.) Ahoa ponemos
El circuito cot.rcsl)Llll(iienLc :l q.-.: (y .- tniliarmpcrios; : u cs linplcme'tc .na rcsisLcncia dc I 1i!1. r'xri rrr[ar 1. soiucir dc ras voltios) ecuaclones tinulLiincs haccmos (lltc (: r) scr ia rnisrnil en anbos cicuitos conectnclolos {'o pealclo, corno sc lllLtcstr el lll llgrtrt 1.?_9. Lll tensin D -. y1 c( luLljo vlt.i(la llsta i : ir. En estc punto : yr (: r) t i.=.ir (: q) rcpres,tt!l I^ solrcir'r. <lc ls ccr.rciores sirnrltneas. ) En estc caso rcncillo,.. Vr ,. 1 V r: i. i,,.1 rltA (lan l solucin_
I
I
L
y: (mA)
:D(v) :
jcr como sc nlucstra
l;jg.
1.7
Cone\in
prfr ln soluciD
lj _
1:z e
! ::t.
Itn otro lntodo sc concct l rcsistencia tlc 1 kO cn seic con la e(l _,:xx, U ro,l lo quc la corricnte y scr la misma en ambos circuitos. La tensin clc cntratta es.entoltccs variada hasta quc la tensin (: f) entre los terminaia: dc ctdr cir_ fuilo .set l rnistna, Ejomplo. 1.7'3. Utiliznr cl rcstlLa(lo clcl cjemplo 1.?-2 para rcsolvc la ccuacin diferencial no liDeal dr
l+t!:l()
lra
(0)
to:4
j convcnlcntenrcnto qrlc seo u, por Lo que se puede utilizai cl circuito de la ngura 1.7_8 lnloga.a norr cl segundo trmino de I ecucin. Esto produce una co!iente, en mA, igual a r,: (: .rl). El primer trmino se puede representar po un condensador rle 1000 7rIr, en ct cul t corrcnte cs
==
"
':;;
"
,J: (mA): du :-
Asl tcnenos corrieDtcs anlogas a los dos tminos variables de la ccuacin (lil(roncirl. Ilsto sugiec quc haccnos uso d6 la primea ley de l{irchhoff par radir ls clos corrietltes a llna luclte de corrient constante de.1 mA, com cn
:r ngur 1.7,10.
43
"ffi
,
,,|i
<O
*O I-.
I
r-l .F+
.ts+
1000!Fl u=r
l
5oo f]
;'
*O *o --O *O -
+]* +* +a+ a+
(r'+Co
1.8
En csta seccin describimos cicrlos cfcctos que ocurren en los dioclos 'qul; r elementos dc capacidad en el nodelo de circuito para cl diodo: Los valores dc cstas caprcidadcs dependen dc la magnitud y de la polaridad de la tcnsin aplicada al diodo, asi como del tipo dc unin formada durante el proceso de fabricacin. La capacidad real no es lineal, pcro usualmcllte se la cofi ,i,lar" ,,no primera aproximacin como clemento lineal. fro t r.t cnp".i,tn,l (lcl
conclujeron
{l,)
"n
'r.'t|! l:ti.a Jc la
(liodo, polariz^cin inversa: (a) rcprcscnt.rcin capaci(lrd con la tensirln inversx aplicada.
grillcr; () varia-
2npolarizadoinvclsamcntcreprcscn|adocnllligura1.8-1a'Ctrand'oeldiodlil,at|iorlclsooricapo]cr4clocsL.infabricados runciona dc csie modo, los rruccos de ta resin p t los clcctroncs de ,r rcsin:;;;'";':i';1";:'i;lIi'f";;;-;;";.ii"do0"*t,ii"';lo".il""u"lJnili" se mueven separndose da la unin, formando por tanto una regin.dc -enllolunor cent,nrrcs tle icofaradios si asi s requiere- Una aplicacin del uso de btrcimientt) en la cual han sido sustraidos Portadores dc carga La lo n git ud eler' bl.r d iorl os c s l d c los circui Los clc modulacin de frecuencia (FM), donde se tiva Z de la regin de cmpobrccimiento se hace ms ancha cuando la tensirf(s8(t un diodo invcrsamcnte Dolarizado cn Daralelo con un inductor. La fe-
inversa Vr, aumenta puesto que el campo clctrico l-ambin aumenta proporclo[ramcia resonante del circuito sintonizalo resultante se puede cambiar variando nalmente a V . [l'. fror tanto. si V,, es una scnal vocal, por ejemplo, la lrecuencia resonantc Como los electrones y los huccos se han separado dc la irrin, la regiotl*| proporcionnl r ia omplitud clc la seai vocal; s deci, la frecue[cia estar de empobrecimicnto establccida cn cl maleial p sc ha cargado ngativamenhlFd;leda. Sc construycn muchos sistcmas clc FM utilizando este principio. micntras que la regin de empoblecimiento cstablccida en el material t'na ecuacin que relaciona la capacidad de transicin en patalelo con un sc ha cargaclo l)ositivanleoLe. La unin con po:larizacin invelsa se comportan'lddo inr.crsrncntc nolarizado y la icnsin del diodo Vn es pucs, como un condcnsado cuya capacidad valia tericamente o" -"uj t:::1; C0 strncrrtc pr-orolciorl r lir caidx dc tensin yx, dcsdc N hasta P Real (1 8-1) C' : l- t+z'v^lt rncntc la r:lncirlrcl (i,, cs invcrsantcnl-c plopor'cional a la potcncir L/2 o 1,t. 'l' ii rlc V"r,, tlepcnclicntlo dc si cl clisposilivo tienc tna unin de alcacin o una unlo! clc cccimiento. Iin un <liodo cle alta velociciad csla capacidacl cs ms bien pequer'ra Co:r<le C. - ctprci(ld dcbida a la clipsula clel diodo usualmcnl.c mcnor quc 5 pF En los dioclos rcctificadotls para alta conienl Co : clpaciOaO ctct rlioo cuanclo y : (] n:ll2 o ll3 l)ucdc scr Lan grrndo corno 500 lF.
44
45
&L
griilico dc la capacidad dcl diodo en funcin cle I cn los clculos 'r $ l,ir r;il.lllrllczil Ito lincal de Cn se desprecia ordinariamente t,rr li1rrr':t
Ltrr
rrlilizrr
vrllor constlnLe'
Cuando el diodo cs" l'oltrizroilt dirccta, capacidad ilc lmaccnmicnto' de empobrecimiento I. regin la de ,,,rf,,.irr,i" en scntido ciireto, la anchura al valor de cap:i respecto con aumenta transicin [r;;t;;;; y r"."p""lo"a de en la condicii' embargo, Sin polarizado. inve$amcnte ciclad hallado er un dioclo quc c nayor' mucho de polarizacin directa ocune un cfecto de capacidad un elemento llamado capacitlntl de almacenamen|.o
;"",i";;;;;;; i.d:^11':'1' '^'" del lluio de coniente como els " in ."..lon 1.2 describimos el mecanismo S'!:ic-ii1',1re el-tlemli (\'acanle)
,'",ii;;;,;;;""en
;';
"l*
t s (z es el tieml-
ambos flujos dc electrones en la banda de conduccin ' Ir"J es^I',: Q/r' dono i"-^." de valencia) Entonces el flujo mcdio cle corriente (1 2-3) tenemos diodo ". l"-*tg" media. Sin enbargo, por la ecuacin del
(r
Iol L:
f
I"6vott''
(1 &:
Sidcftniloslacapacitiacldca]macenanricn|oC.'comoC":rlQ/rlV,hal]ar.:
IiiciinenLc clltc
I n't
(1.$.
" -to
a la corrientc dirccta c Asi pucs, la capacidad es directamente proPorcional : ns e J'.: 1 mA' entono 1 z si ,L"i o ot"" se, m,,y g.ande. Por cjemplo, de conmutacron I " ]iO'oe. Esta esia capacidad que limita la velocidad ciicuitos igicos que utilizan dispositivos dc unin'
"t a,r,r cn lplicaciotrcs rlc corunutcin ir"ai"f,i" y .,,in .'", ," utilizan rlis vclocidad''.^lIi.]^.Pnlornaralosel.dn!1decntrc]osternlialcs (ilr nrr.lrl, Irtt ujtrtttltlo l)ltilino, rl0llil colllo lllatctill ccPtor Pa
(.) los circritos intcgradosi cn lttilizado nltcvo rclLivancntc Un componcntc * l-!.1 l)ioilos Schottlt):(d) (lislrib(iirlD (lc potcncial despus de la difusin inicial;(b) disdc unin' lal c.omo plat lf(ln dc pottncirl (lcsfuas (lc rplicr unr tensjn positiva; () distribucin de potencjal OioOu S"itotLtll', qttc cst formatlo pol un llrctal dc carga t,r{t dc aplicnf un tcnsiD nrgntivl: (d) sttrrbolo dc circLrito. ..lli"i,, <tc Lipo n. I')sLos disposilivoi Licncrl rrrt lIlacc amicnto
clc
al
ctllll:cl<lolllsilicior]rlLi|on'losclectroncsr]cl-silicioscdifn(lcnl#i'-.la.unin1''.e5LllLil,j)
:l:",il.Tl:"J,'$"1,;if':iT:xl'* H:T::iJ:':"'.*
csta tcnsin Positi\'^ inpidc
paI|c'cuan(loesrl)licada"*t",io.i.'.nt".*o|"n,ionpositivaslrficjerrtem"i,lliu"1,^"i'Ji'ili'*'ji;..l:;"_'::.,]l
46
47
rtrw 7
0,til V). tltl ll{:(lll(lllo lltllll(l)l.o dtr Ilt lcnsin V" por cncima de }" (rori(:llt(r Illlly ;randc 0uando sc inviete la tensio r{Jdllcc rlllrr v:rlilt:ilr rltl (lio(lo (l(1 rrrtr trl maLctiltl t sc hac0 positivo con respecto a! t\o(lr) irllicarlrr lrl ctl ll crrl rle la unin aumenta (lig 1 9-1c) Irltrsir Ilt (u tllltl.lrriirl plllt.irro /)), l Mc y no lly ltjg 9: corriente' ,,,.,,tt"i,,,,, tlt:l rivtrl indica<lo ctr l ligurit (lulrrtlo so (rslill)lccti ull corLll0to hl)li0o, no hay difusin inicial de electro' y lles llltvs rltl Iir rrrtin, Pllcsto (lll(l ctt los dos Dterialcs la densidad energh t las mismas son Llnjn {l(r l oill-lls (to(itforltrs llnll)s (kr los cD f l,ls illlcrr:sirnLc ol)s0rvl[ (llr(! sc Ioull unil unin matal-silicio n incluso enI n utilizando f rrn rliorlo n In0sLo ltlc rltrlli: strl ttllitlo urI hilo nctlico al material F Para evitar que (iollll\i(')ll exterior' 0ircuito cl con llllli pari\ cstill)l(rcct irlLlllliDio crlt conixiu clcl tltrtlinio co cl silicio (ic tiPo n se comporte como un diodo'i
rrilLlrln(rrll(r
Cracterstlca dtrect
,, uI
Simbolo del
rl
en ' clcctroncs cn la olra qc (lcbc scl tlnidir al lrlcLal Esta regin de electTones electrona' dc inicial dc l rlifusin l)osltts nr' rclii()n cxceso es lo quc sc lllmll ao(lulelcu las Ilrrsruas mismas caracte sticat i ad(luielcu lls ! nccpLor, las regiones n y en 0n el metal ltccpLor, 1""'i"""""' cs decir' acta comol' qLL0 el Inetal y entouccs cl contacLo sc conviertc cn hmico; Lrnr pcqueria rcsistcncia para tensiones de cualquier polaridad' . . .. , dioclo Schottky fuciona cn el modo directo, la corriente cs dcbide Coano "t de la unin a los electrctes qo" ," t,ru"u"n desdc el silicio de tipo n a tavs libre relativamentc muevcn se que los elgctrones y a travs <lel metal. Pucsto y (1 8-3)] (1 8-2) ecs z de recombinacin cl iempo fvanse a travs dcl mctal, pequello, tpicamenie dcl orden de 10 ps, esto es, varios rdenes de mag es muy "menos quc los que se corresponden utilizando diodos de silicio pn' Por nitud :.0,1 pO ejemplo, utilizando (1.8-3), hallamos, con I, - 1 mA que C" " Ei simoto cle circuito dcl diodo Schotlky es el que aparece en la figura . ^.,i 1 9-1d El diodo tiene una caractedstica ui simiiar a la cle un iiodo odinaio de silicio t
ig. 1.10'1
g-!.r rnr:r dc vlocs.
caractclstica
,i.
El f ncionrnienlo del circuito luedc exDlicarse cualitatrrc0tc cn funcin dc la caaclcrstica ui clc la figura 1.10-1. Si la tensin de rld almcnta, cl diodo ticnde I mantcner una tcnsin constante en bones .!a ll carga de modo que la ctrda dc tensin en r aumenla, El incremento esulinle dc ,ri circula a travs dcl diodo, mientras que la coriente de carga pergltnecc constante.
,-
"*""pto
0'3
v"
G
2
ii
, t L,, tzl+Yz
.l* t)
(lf
,ri,la
vL
Fi8.
1.10
licgLrla(lor dc lcnsin
7.-".
Los diodos Zener, o diodos de avalancha, son diodos semicondLlctores dei qulf unin pn con propicdadcs controladas en la zona dc pola zacin inversa dlsposltr-. como los ]raien muy irtiles en nlln'terosas aplicaciones, especialmente ui vo, de elerencia de tensiu La ltgura i.10-1 muestra una caracteristica tipica i nor'f semiconduciores los diodos de a la cs simila La caracLcrstica diccta nalcs. La caracteristica invcrsa, sin cnlbargo' presanta una regin cn la cuall la tensin es casi indcpcn(licntc dc la corrientQ tal como sc expuso- cn la sec por.ll ciiin 1.2, I-a tcrtsir Zcllt rlc curlqtricl tliodo espccilico csti'I corholcda -valores usualel: Los cantidacl tlc clopado aplicacla en el proceso de fabricacin \\'' varin cntrc 2 y 200 V, con caPacidacs rle tlisipacin dc energa dc bsta 100 dl; l^ rc{{il cn trirbljaD Zotror tliotlos los uplicucio[cs do las I]II la mayoria dti tensin polarizacin in.r"..a. Una aplicacitn tpica es el sencillo- cgulador.de cflrgl: lt cn (rst( ln l'cnsin bictt pt'oylrtntlo, in flgrrlt 1.10-2. (ltrtntlo rrsttr 0il'0llil0 V, pc.-anec" consLantc c ignal a la lensin nominal Zcncr, incluso aunqut m' la tensin dc cntrada V(rc y la rcsistcncia tlc carga I?r, varicn denfo de una
dc cara. Esto requiere un increnento de la coriente extra no pucde venir de Ia fuente de alirnentacin ya que la caida en lr y, por lo tanto, la couicrte suminislada, no puede cambiar crie tras cl diodo trabajc dcrlro dc su zona de rcgulacin. La corricntc dc carga dicional ser debida, por tanto, a na clisminucin dc la cor.icntc a travs del
diocio Zenc.
,\nrbns rcciocs dc rcullcirin rlcrcndcn tlcl IulcionamicrLo rlci diodo rhs ll dei codo de la curva, clonde su tensin pcrmanece prcticamenlc consran[c, I el mrgen dc rcgulaciirn di:pcndc.ii dcl valor dc , cn cstc circuito. (Las calclcristicas d(i l.Lir rl)ont Llr rir sr:riirr cxrlica<las ell Ia scccin 1.11.)
fj.mplo 1,10-1, IJn(lio(loZc|cf (lc ?,2 V s(] tillzil ('Jl ct cir{jlilo (lolt fl.{lll.l l,l0-2, y Ir (orlcntc (lo cltgll l)Ltcrtc Yllriitr 0nlrc 12 y 100 DlA. llullaf cl valor (10 r Ilccc-
.t
rrio lara maDtencr csta corricntc (lc {iarga si la tcnsir dc la ftlcnLc (le tllincnLrcin l,r. .- 12 V. 4q
4R1
12,5 I1,5
",
lo llrrgo
Ya"- Y, IZ+IL
4,g
La Lensin cn los tcrminales de , dcbe pernanecer en el valor 12 7,2 : de todo el margcn de rcgulcin. La corriente mfnjma en el diodo ocurljrli cuarldo la coricntc de carga sea m\ima, dc nrodo que
Zed
de potecta mxima Pr - 1W
Hiprbo s
- 1r,*. 1,,-r +
1e
Vc
:i1
+ oJ[,,*.
Vc
:;i:43.5
Cuando la conicnte de carga disminuyA teniendo ri el valor fijo calculado ante! ; coriontc en el diodo Zcncr aurnettar, perlnaneciendo la suma de las dos corrjcr.i lcs con\lintc c igucl .r 110 InA. Ntese que si la csistellcia de carga qucda acci(lentrltnente en cicuito bierl I (lc rrlodo quc JL :0 c Iz =. 110 nlA, cl (lio(lo Zcncr (lcbc scr calz (Ic di\ipr.,
P,
(7,2) (1i0
x 10-)
^,
0,s w
ir-
12 mA
300
Escojamos un diodo Zener de 1 W que tienc unLtcnsin de ?,2 \ cando cicul por l 10 nA, \' un rcsislcncin dinrinlicl r rlc 2 C). Clrlctrlnrc.riros ls \llri .ioltrr (lc tcnslu dc sltlld{ lll)lictr(ltt il l! cll.gil lrlilizlD(lo lt)to(los grliflc0s La carxctcristicx u {lc 0stc (liodo sc rucsLrr\ cn l flgur i.10-3. 'I.rnlbin v.
:L 1.lo
ii
J, rcctus (tc
c rgu l,
nolcncin Ilt.i\iDt:t.
Las ecuaciores de la recta dc caga (le corrierrtc continlla puc(lcn hallars( (libuindo {lc tucvo ln ligurN 1.10-2 1rl (or o s(i in(lic,r cn tll ligrrra 1.10_.1. A partir (lcl (:ircuilo c|l cu(]stin sc 1)uc(fc llllllr lN ccLr (i(ir (lc lr f(rjt (lo cIf,ta
oz
1 1t2 _D".df : Vz lzo:1\\ I )| -Tl2 Esl cs li .cua, in rl ln hiprbola rcprc\cnti,l.r .obre I. c.rrartcrislici ,,. Lrr opcrcin m.is il_dc cstir hipct.bola (lar pot.resultado la djsipacin de potcnch. ,l.l dl0do en e\ccso do sr nrximo vlo ornirr.,l ,1. I \\'. p":
r': trnsi Zencr 0s lo (luc sc llalua colcnlc tlc prLLcba I"r. 'lipica' 'rorlintl polcncjir lloninal dcl diodo cs cuatro Ycces ntayor rluc la disii.:tr j l]tli\intt ra,n (ie I)otcnci. cn la Lcnsirin Zcner, cs decir, l',,
",,'
: ll
',Y "
(1.10-3)
t2
-.t3,5(I. i
(1t
a
iz)
(1.10-1r
rz
. ^ l
rz.
t3.5;
r J ]r;" L /,rj)
1,_. ]: /r rrrr I A
||'\
(1.10-2,
Lrs do.s rc(:^las (lc cut.glr dij (1.10-2) sc ltitn Iepresontldo cn l ngur! 1.10_3. paLi dcl grfico es cvidente quc l tensin inveis clel diodo rz, y por lo tanto tcnsin cn llr crglr ,r, \'itrfrn (lc 7,2 \r(ui (lo /,,. 100 lDr\ i,31 \'culrrl, ,l - 12 r.\. NLosc qlc si cl diodo Zcrer no cstll!ic]. Dl.csentc. la te|lsin cll l carga Yariari{ (nanteniendo r : 43,5 Q) dc ?,6i V cuaro 1, .= 100 mA a 11,5 \ cun(lo 1.:12 r,{. I-uof.{o \'cr)tos (luc cl (lio(lo ZcIor l.cf{Ulir lr tcnsi(in scl{(iu l05 ,.Ill,l,'s 1. l:r .,,rfir.Dtr rtr' r'rr|g:r. Iillu sLr{.,,,t,. t., irrp,.,rr,,.i:r c. I,r,t ,,irr {l l) compard cull l rcsistcncia de carga ll,I,,,r,1u,. > ?,2 \/100 mA : ?2 f).
lr ra (lisil)il(iiu nlixiltit r'sl)(i(iilicil(lir y cs irrdorcntlicnlo (lc ll ,itrlsi(i!t i.l0llcr t.-ll{cficadu. I.ln cl il)u(licc (l ltilv uua lista de csrccilicacioncs dt: diotlo Zcnqr. I)t el clioclo Zenel neccsario cn el ejemplo 1.10-1 que hcnlos caracLcriztdo orro (lisl)ositivo 7,2 \, 1 \\, la ligur.a C.1-1 indica que 1",,: 1/4 rn, por (1.10-3), ,ur' /,r' : li5 rn.\. Olsr'r'csc rrrc ll minima coricntc prcvisiblc cn cl diodo .r ll) u,\, (lrr(: os rrrrrcho nitvr)r (lu(! //(, ), tmbiin rrrc /rr. cstli colrrrri:)Ilrlirlir rntrc los vxlolcs rIliixinro r']ltinirrlo (lc la corl.icntc provisiblc..si prlcs, nucstl.a
dticitin rlol diorlo cs l'zonlltlc.
rltro l)rlinlcLro (lc irlcrs pr trosot.os es Ia corricntc cr cl codo ci0 Ia caac:rnsti.ir Zfro. l:,sl^ nttit'rl( rlt: Lorlo I^ r(rsulLa proxinr(lirlfnL(: (lonsLulltc
Los labrictntcs csllccilicln los diodos Zcncr'<ic acuor.clo con su Lcnsin Zenc corrientc bsorhicla por cl dioclo con
I:ig. l.1r) I
Ill (it1.ito rlf lN fiJ.{rfr l.l1) Llil,rjx(lo (lc rUc\o I)urir ri|lr\i)f
ct
5l
Ejomplo 1.10-2. Roduccin ds la ondulacn con el regulador Zener. El diodo Zcncl dc ?,2 V sr] rtiliza crl rln circuito similr al dc l: figua 1.10-2, con una tcnsi (lc r)lrdLrLl(:ii1n (lc (nricrrtc altcrn aadida a 1a tensin continua sin regular. Tal r0'r)o [lo r:st|l)lccj(b rltcaio ncntc, cstas tcusioncs son tfpicas de la salida de un IU{:Dtc {l) alinrcDlacin (lc col'ricnte continua. La carga absobe una corriente dr I(X) iDA. l,1r sli(l dc lr fuente dc alime'rtacin sin regular prede representarsa
rr)n
lll
(:currcin
rr:12+1cos
lir carg.
- 12-3,2-L
1A 100
rr
(1.104)
d enkada de 2V
cresta a cresta
llllr 11| resistcl'rcia i dc la luentc de alimcntacin para un fllncionamiento xd(cado y cl valor de crcsta de la tensin de ondulacin prescnte en bornes d!
,Solucjn. Lar ccuxcin dc la recta dc caga dc cste problema se obtiene lcilrentr si (libujamos (lc nrlcvo la figura 1.10-2 tal como sc indica cn I figrra 1.10-5, Asi
nz .=
H prbo de Potencia
maxirna Pm- 1W
12 | 1 cos l - (0,1 +
z)
-1-
rt iz
:12
-0,1{ +
1 cos
(i,l
(1.10,51
+
z
Flecta de carga
uz
+32i z
t2-3,2
+l
Zerrrf
prrr rl cjrmplo
1.10-2.
Fig. 1.10
Caactcrlslica Zenc
problema pedc rcsolversc analticamcnte o grflcamente utilizando l caracterlstica linedl ctel dioclo de la ligura 1.10-3. Utilizaremos el mtodo grllco porque da una visin nls clara del problema. La caacteistica de la ngura 1.10-3 sc ha vuelto a traza cn lA flgura 1.10-6, La gama de los posibles valores de la esistencia de Ia luentc de alimentacin
ser elevada debiclo a las corrientes nximo y mfnima admitidas en el diodo Zene. : 10 mA (quc es cl 10 % dc Ia corricnte mxima), entonces Dz,orn = Luego si iz, ",in :7,2\ypor(1.10'5)
El
-1
rllci del diodo, rnientas que la carga est epreserii.i..l- i^r el esia',or .i.7-u.. l{;,2 \')^100 mA)1. Evidentemente podemos despreciar la resistencia de caga, po
lo que utilizando la frmula dcl di\isor dc tensin podemos hallar la ondulacin
La ondulacin de la salida sc pue(le calcular ms lcilmente suponiendo que r (lcrlto es lineal paa una tensin de ondulacin de entrada de 2 V. (La validez dc cate supuesto est linitada por el camido de ondulacln en funclonqmlento lr4lcado cn la figua 1.10-6.) Esto nos permite utilizar eI pincipio de supelposlcin f \'on5iderar la porcin de c.a. de l respuesta separadamente. El cicuito de c.a. est Idlcado cn la ngura 1.10-7. Hn cl circuito, d:2 O eplesenta la resistercia din-
(1.10-6)
dr sllda
,ondulacin
32
(2)
0,118
cresta a cresta
"'*
135 nA
uz,x x'7,4 \l
el resistor
de la luente ser
.,=l:A , 5.0
0,235
zq
(1.10J)
Escojamos hoa arbitarlamcrltc :32 O. I-a ccuacjn dc la reotq dc carg (1.10-5) puedc trazarse en la ngura 1.10-6, y puede dcteminarse ln tensln dc ondu. locln dc sll(l[. Como sc vo cn l& llgura, ls tcnsln dc crcstn dc ondulocin apllcldl r la carga es cle 7,33 7,22 : 0,11 V comparada con los 2 V de tensln de ondu.
nf. l.l0-?
&c.. para
Clrculio
clculo
& l
el
ondulactn.
53
':=
1.11
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
clc modo importaute con la L0nsi(in del (liodo. Si cmbargo, una p^ctica normai en ingenict es suponc qllc,k cs constntc. Irs valorcs odinariancntc nsunidos son las aprc,ximacioncs hallrdas por la ligura 1.ll-1, con las tcnsioncs
rria
l) cl rroy0r:l.o (lc los cil0uitos dc diodo, cspccialmcntc para niveles altos rlc toteuoia, sc rkrbe Lcnu cr cucrrLa Ia dcpentlcncia da las caracteristicas del diodo (x)) rcsl]cclo it l t0rlrpcralura. Estl depende cia da lugar a una variacin de la tclsin tlirccla V,, la l-cnsin Zctcr \'"y la corticnlc inversa de saturacin 10. l)or ol-a Partc, uD aulrlc l-o irrportante dc la tenperatura suele ir acompaado dc un aurncnto dc la disipacirin de Potcncia, lo cuc hace que la temperaiura del diodo aumcntc lirn nis. listo cs lo quc sc llama emalamenIo trmco y, a no scr quc pucdc scr clisipdo cl calol dcsarollado dentro del diodo, conducir al dclsrioro o dcstruccin dcl diodo. En csla seccin se describen alguno de ios
elecLos mhs iIIpottnl"cs
uo(To):0,7 V paa d silicio, 0,3 V prra cl diodo Schottl(y \'0,2 V paa el germanio. Sor
tipicas de diodo,
gcrnlanio silicio
Scholtl<y
(1,1 1-2)
[ 1,5 nV/'C
dc la tcurPcrttura.
Tonsin dcl diodo. Curlo Iunciona un diodo en sentido directo, un aumento de la tcmperatrua origina utra disminucin dc la tensin. Una relacin que cs vlida cuando sc mantiene consLanLc h corricntc cs
oo(7',)
Por ejemplo, si un diodo dc silicio ticnc una cada dc letsin cle 0,? V a ?.i'C con una cor'iette de diodo dc 1 mA y la temperatu del diodo sc aumenta hlsta 125 "C, entonces si la coriente del diodo sc manticne en 1 rnA, (1.11-l) indica que la tensin del diodo disminuir hasta 0,b V. Si la tempcratura ha Crslninuido hasta la Lcnsin dcl diodo habr'r aumenlado hasta 0,9 V
ccn
rnA.
-75'C,
oo('1')
:-
k('t't-'t'.)
i,'
conslanLo
(1.11-l)
donde
: : ,(?'o) : ,r(?1) : l :
?o ?1
temperatura ambiente 25'C nueva tempcrattlra dcl diodo, "C tcnsirl dcl diodo a tempcraluri anrbierlc, V tensin del diodo en ?r, V coeficicnte clc tempelatura, V/'C
/'' en funcin de
Corricntc iriyorsil d0 stur:Icirr. I-il coricntc invorsa cle sturacin 1" talnes funcin de la tcmpclatua. En la prctica sc encucntra que a una tem_ perxtura prxima a la del ambicnte, sc duplica 1, aproximadamcnte con un aumento clc la lenperatura dc 10'C (anlogancntc 1,, sc rcduci a la mitad
biin
la tctrIcratula de 10 "C).
diodo
Trnsin Zcncr. Lt va.jacitin dc la tcnsin Zcner y, a colsccucrrril clc rn cutbio rlc la lcnrl)craLllra lcsulla plopolcional al valol de la tcnsin Zcncr rsi (oro a lr variacin dc la temperrLura. Esta variacin sc suclc cxproslr corno <tcfitctttc rlc tcntpetaluru (TC), donde
'r,
: oYtr'" x
1oo
%rc
(l. r 1-3)
S: ha hailado quc cuando V, es aproximadamente 6 V, el'IC cs ccro y V, es indepcn{licntc d0 la lcmpcr:itur. Si V, excedc dc 6 V, aproxinadalncn Lc, cl TC cs positilo, y si Vr cs mcrror (lue 0 V, cl TC cs ncgativo. Ur TC tipico r0,1 l", rs dccir, la tqnsil Zenc aumenta 0,001 V, por cada aumento dc-i.C dc tcnprratura. Electo dc l disbacin dol calor sobro cl funcionamicnto dcl
s.ccin consiLlerarctnos
cc'mo
cl
rr-oblcnra pr'lctico dc
calor pcrmisible cn un cliodo dc unin pn. I,a disipacin de la potencia elctrica calol en el diodo hace que la temperatura de la unin aumentc. Estc auncnto . ile temperatura se debe rantener deniro de limites aceptables, o de lo contario
ti
uD
(ro ), V
diodo se deteiorar. El problena trmico se trata de una rnanera fcil por una simple analoga trnica de la ley dc Ohm, en que la corriente cs sLlstitui.lo prr la potencia, la tensin por la tempeatra y la rcsistencia elctrica por la rsistencia tmica 0. La figura 1.11-2 muestra un diodo montado sobre un radiador dc calo. Iill diodo est aislado elctricanenLe (no trmicamente) dcl racli(lor gr (lo (lc
55
l:ig. 1.11-1 Corlicicntes (lc l{lrrl)(rrtur dc los diotlos.rL ftrrrci(h (lc 1 tcrlsill dcl diodo r lx lon\rerlrtur.r ar1riLIk,.
54
Tcmpcmtur onrblcnrc
To
Tempertura do t capsuta
de a un
7./
Terperatlrra de la cpsula
.
TerpertLr arb,enre
I"
(J
r,
ti{ l.l :}
Dio(lo y
() natogja
lil circuito do la figura 1.11-31) .cpcscnta una analogia clctrica del sistema l.rnico de la figura 1.11-3a, con las siguientes anlogias clcrivadas dc (1,11_4) y t l.l l-5):
[)irminLcin dc terrpcrllua
calor. El funcionamiento dcl sistema cs como sigue. Cuando no hay conexin clctrica cn el diodo, la tenpcratura dc la unin I scr la misma que la tenr_
pcratura ambientc ?o. Cuando sc aplica una seiial se disipar potencia cn cl diodo, hacicndo que armente la tcmperatura dc la unir. El calor producido fluye hacia lucra hasta la cpsula y lucgo cs transportado por.conduccin desde la cpsula dei cliodo hasta cl radiador de calor. Este ticne un rer superficial grande, desde la cual iadia cl calor llasta el circunambientc. Si Ia poLcncia disipada cn la unin es constante y no excede de la capacidad de potencia del diodo, despus de transcurrido un ticmpo suhciente, el sistema alcanzar un estado de eqilibio trmico. En gcncral, cada uno de los elementos estar a una tcmperatura diferentc. Una buena aproximacin es considerar que el amento de la temperatua sei proporcional a la potcncia disipada en la r.rnin, La constante de proporcionalidad es lo que se llama sslnca tmca 0, Un aumento de la temperatura de la unin por encima dc la temperatura de la cpsula cst relacionado con la potcncia disipada por la ecuacin
)iip:rcidx dc fotcnci
llesistencia trnica
PJ
0t,l
y
Resistcncia elctrica
lin ia figura
1.11-3
(1.11-b)
se
ve
que
T,:P10+PtA,.+7;
liste rcsLrltado se puedc extcnder inmcdiatamcn[e de clor dc la llgura 1.11-2
1't
(1.11-6)
al sistcna dc conduccir
P,(.0r
A",
+ A) +.1'"
(1.1 1-7)
7',1-7,:0hP1
donde 7i
(1.11-4)
armento du la temperatura dc la unin por encima de la temperatura de la cpsula, "C P/ = potencia clctrica disipada cn la unin, W 0r" : resistcncia trmica entre la unin y la cpsrrla, .C/W.
cp-
7"
: 0- :
0.,
cl
La csislencia lrmica cs funcin dc la construccin dcl diodo y dc la srrla y ordinariamente csti cspccilicada por cl fabricante.
l. ?. 3.
Corsiclcrcnos un {iio(lo tojdo cn una ciipsula sin tnonLura alguna, cotno mucsLra la ligrrll 1. t 1-3. Las lcnrpcrLuras dc la clipsula y dcl ambicnte difieren en una 0n'.irl(i igul l lroduclo dc P./ y la csisLoncia lrnica cntre la cpsula y el aml)icutc f1,.,,. l)llcs, cl llt])crrto (lc l LcDip0rLurit dc lt <:iirsrrla ror cncima clc la
valores tipicos son aproxirnadamenle l_Q[lpara diodos de gcrnranio y 1bO a 2C0'C para diodos dc silicio. I-a tcnrpcratunr anrbienLc cs una vrrirblc no colL.ola(lt ruc tlcporrric tlcl anrblente en que dcba funcionar.cl equipo. La potencia disipada etn )a rrnirin rlepcndc rlel sistema elcirico y para cot.r.icn_ tes y lension,rs vr.iltllcs con:l Liernpo vienc dada l)or
't.-7":0",Pr
56
(1.ii,5)
',
1 l'I
i'
)oI)DQ)D(t)
dt
l)ur
L l)nl
\'02 clcgido un tliodo particular que satisfaga las especificaciones elcticas, sc cleie lljar su resistencia trmica 0r" Esta la dar odinariarnente el Iabricantc '.n- 6mperatura de
la
que la resisObsetrardo cstos hechos y teniendo cn cucnta (1 11-6), vemos para dl quc se dispone de variable la tnica cs tcncia tnnica cpsula-ambiente de seguridad' valor en un unin de la la temperatura ajuste a fin de mantener La resolucin dc (1.11-6) da
|j8. 1.11-4
Crrv.r dc (lcgf.idacin
(hl
(tio(lo.
.r -r'mtrx -'l
0.11-8)
i-'tilizando (1,11-4) vcmos quc la tasa de disminucin dc potencia cuando vxcntala tcmpeatura de la cpsula cs_Qg, En la figura 1.11_4 observamos que ,..::ndo P,:0, ?'.: ?',,,,,"*. Rcfirindors a (1.11_1) y sustituyendo ?, por
Ir.
Esta expresin se utiliza para determina la mxima 0"o' cuando son cono(1 11-7) se puede cios toos los factoes del iegundo miembro La ecuacin implicadas variablcs las de cualtuiera ntilizur, natu.ulm"nte, para determinar
dcb! Ejsplo 1.11-1, En ur1 circuito prrticul[ tlD diodo Zcner dc silicio de 50 \v es 175'C' la tem' unln la permisiblc-de tcmpe;aturl La mxima N. rO i.iou. 2'4;c/w Hallar la mxima resistcncia trcs i0 c y p"lit".. "t"l'*" cl am}iente para que la tcmpcratura '/"-: 1r cpstlla pro\rslir untrc rnic{r que debc ser 'v e 1a irnin no e{cedl (lc 175'C.
r!
tencmos
T.
1."
l'r,
0r,P1
(1.11-e)
.:uo:lol (l.l1-9) repescnta la pendicnte cle la porcin de la curva de degra_ drtLin. llelirinilonos nucvamcnLc a la frgura 1.1i_4 vcmos que cuando
T,
).rttuvL'0do cn (1.11-9)
7",,
Pt:
&, _._.
Soucidn. De
11 11-8)
o-..
1i'5
50 , 10
2,4
10,1
.c/N
'f ''p
I-x resistencia trnica crtre la cpsula
,t-
(l.l y
-10)
tipo dc diodo tienl Un radiaclo de calor tDico con ^islacLor de )nica prtl estc Si se cmplca estc radia' i.,': Az;Cnv, que ser atlecuatlo para csta aplicacin por (1 11-6) '" "'*r"i, l icmperatura real cl l unin se puedc calcular
7't
jr.tli.xmrnte utilizando (1.11-5) y Ia curva de degraclacin de la ligura l.ll_4, i'r:r,, s. e\pllca en ei siguientc cjemplo.
(10)(2,4
3,2)
-i
')0
100'C
"C Lj
Jioo
,i,'.,
tti
It
t.hplo 1.11-2. t,:n (iioLlo Zcncr (lc lJ \v (curv de degrdacin (ic 1^ figura Lll_r-)) ':.Lr.,li.iIir :t.j-, \\' cn un cjrcuitu particular. I_a temfcraturr anrbicn cs 100 "C. r,.r rr:||:rr r. pr qtc ct diodo no se _sobaecaliente. ()) Ha r ?" paa cstas .ailicioncs. (c) Si se dispusiea de un Ladiador de calor'i;Iinito, _-.nta Doicrr.i ia l:l.r 'lr..il,11r c\'. ,lio,lo
rcnrcscntanclo (1,11-5) sobc la cLr.va (te (tegradacin. ):,-',.lll lrrlrrtos ll,l CorneDzr)ros .t(.'ro\ conocidos ct (1.11-5) son T": I'd:100.C cuan(lo 1] : 0 y cl i,rlo_ forntido por Pr : 3,5 \\' \obe la curva de degradcin. Rcfirindo'os a rl l1-51, \'emos que cuando ?" : 0
orclinaiamentccllabricanteSuministlalasculvasdedegladacinquesepue. pam clen utiliza para determinar la nxima disipacin de potencia admisible
pucde disipar sl exceden de T* la cpsula-quc de p otcn cia' pclm isible Con tempcraluras
d-iodo cl 'lc
degradacin Se
\e
,, .\jl
I)or l figura 1.11-5 tcrcmos
'
-7. a."
iLi.rimr lanlixiniarlisipacinpclrnisiblcrcsultadisminuidahasla?":7',,'""'Aestt h exceda de Lcnlcratura ,r,iillinta cl (liodo no pueclc tiisipar una poLencia que nxinlrl L(:lrll)orxhlril P(rlrltisiblc de l Llnin
58
tt"'
100 = tt :9'C/\
59
cc.
fi.r
r-5), d., =
cc
6,2
ll.lt5)
r-8-
rliclo 1N566.
1.12-1 Curv.r dc dcgr1dncin o rcduccin (lc la (:ofrifr(( Jr)Irir) t plrfn ur) (ljo(lo
(rc
r,
= 100, 4,d
7,.'c
4=l3o
Carcttistica l. T, l.ensi(irr irtvqrsa dc crcsta (PIV) cs la Lcnsin nclrtiv rixima admisiblc quc pucdc tltlicarsc ll diodo anlcs dc la ruptura. Esta tcn_ rin cs, pucs, algo menor quc Ia Lcnsin Zcncr, pcro cn la prctica no haccmos rrfeencia a la tensin Zene dc un diodo rluc cst dcstinado a sc utilizado como r(tificador. C8rscterfsiico 2. La coricntr: invcrsa mhxima de satuacin 1, cs 1,5 7zA. .\sl, cuando el diodo se utilicc en un circuito rcctificador, Ia corriente negativa mxma a travs de l scr <tc 1,5 A.
C8rcterfstic 3. Si cl diodo cs atravcsado por una coniente continua de 500 m.\, la cada dc tcnsin mixira i:n Jl scfti de 1,2 V.
l.i!.
1.11
Las caacteristicas 4 a
1.12-3
(b) La intcrseccin de (1.11-5) y la cva dc degradacin en la potencia de Iuncionamiento dc 3, W cla la rnxima tcrnpcratura dc la cpsula permisible fara cliLar cl sobrecalcntamicnto. Por la ngura 1.11-5, ?" t 130.C. : 100'C y 0* : 0 (un radiador infinito), (1.11-5) se puede dibujar (c) Si como si luesc ". una r'ecta vertical, como mestra la figua 1.11-5. La interseccin clc csta ecla con lA curva dc degradacin da la mxima disipacjn de lotencia permisible. Po la ligura, sta cs P/ ! 6,2 W.
1.12-1.
Caractcrlstice 4. Cuando la tcnsi(in cle cntada |, cn la figura 1.12-3 cs scnoidal, la coientc rnedia cn scntido directo rcctificada er media onda cs
"R
0.
FABRICANTES
ECTIFICADO
r",
los labricantcs
rrz
1,5
500 mA
Las caractelsticas del dioclo que normalmcntc suninistran son las siguientes (vansc figs. 1.12-1 a 1.12-3):
'fipo: Diodo dc silicio 1N566 (los valorcs scr.hn para 25.C) L lcnsiil il\'rsa d,.rn.tr (PIV) -. t00 V 2. I'Ilxima coriento invcrsa 1" (para la PIV) : 1,5 rA ll. lfixinie lcnsir1 dircct dc c.c. : 1,2 V pa 500 mA .1. (lor'ricntc dirccta mcdia cctificada cn media onda, 1Fn : 1,5 A 5. 'lirnpcrnl-ura rn'rxima .lc ll unin ?j, ,,r. : 175 'C {j. (lurva dc (lqgfdlcin o del facto .lc lcduccin (lc la coiente nomllxl r: i lll liou 1.12-1
l,s caracLcrsLicas I a 3 sc cxplicn fcilmcntc considerando la llgura
60
1.12-2.
Io
- - l'5A
su[
".'l)
I ig.
5% Regln
do toleracla -v"J
Ir-5
r.12'3 ltcctificador
diodo de mcdia onda.
Para tempeaturas mayores de 60 "C, csta corrientc mxima debe reducise linealmente hasta que la temperatura ambiente sea la misma que la mxima dc la unin de 175'C, en cuyo punto 1 :0. Cuando se proyectan circuitos con diodos, un bucn rLtodo es utiliza un factor de segu dad del 10 al 20 % en todos los valoes nominales dados, para tener en cuenta la dispersin de las caracteristicas de los diodos individuales.
I ,r'
76
| lR
'r
1.12.2 EL DIODO
ZEN ER
l:ig. Ll2.l
'filo:
1. Tensin nominal de refcrencia Vz :18 V 2. Tolcrancia :5 % 3. Disipacin mxima (a 25 "C) : 50 W 4. Corricnte dc prueba 1,r :700 mA 5. Impedancia dinmica para Izr, Rz :2 A 0. Corrientc dc codo 1zk :5 mA 7. Impcdnucin <lirtrinricrt nlu /z/,, Iilt -= 80 o 8. Tcmpcratula m'txima dc la unin : 150 "C 9. Coeficiente de tempcratura TC :0,075 %/'C
Las caracteristicas se explican fcilrnente utilizando las figuras 1-12-4 a 1.12-0. La ligura 1.12-4 ilust}a los apal l,ados 1, 2 y 4. Nl"csc quc un diodo Zcrtct' dc 18 Y plledc tencr una tcnsin (noninal') comprcndida crte 17,1 y 18,9 V debido a Ja tolcrancia tlcl 5 1". La corricnl.c dc prucbl indica la rcgin dc l.abajo nominal, Dl apartado 3, disipacin mxima, da la potcncia mxira admisiblc quc el diodo tucde disipar a tcmperatura ambiente. La impedancia dinmica, apartado 5. cs h Derdiento dq lx caractcristica dcl diodo polarizado cn sentido inverso mcdid r rrr'rxirrrr rlt: lrr rrrririrt y lrr rlist| r;rlr lrr t:or'r'ir:rrIr: rlc r'rrr:lrrr //... Lr t l l rkrgIrrrlitcirirr o fc(luc0itt (lu ]l cstr'rn llr cLrLvu <lo \rlirciol|rrrlrrs rot rrrcirr rrrrixiru visla lr es la esistcncia lrmica (! 2,4"C/W pam en frgura 1.,72-5. Ak lrolcncia cstc diodo), r gcnclmcntc vicro dada por cl labricantc. La tcmpcralura ?., cs Iu tcmpcratura nxima de la cpsula pala la cual puede disiparse la plcna Iol cncin lotlirrrl. l,ll coclicicrrlc (lo tolrrl)Lrr'irlLrrir cortcsl)orl(licLo Lrl :rl)irfLx(lo 1) csLil clclilti(10
(
DjoLlo Z(nur
dc I8 V. lN28l0
1N2Bl{j.
rI
' i
r'
cn (1.11-3) como
1Lt"/:__ .,
62
LV zlv zr
%l'c
Iri8. 1.12'0 Crr clcrlsticr (le ilio(lo Zctlcr itustrando cl (octicic rc de tcurtrcl1rtullr.
^?
Ijr ll sclciril Lll lrcllrs so.Llclo qu0 cl .IC cs positivo cuantlo V, excede ,].,U.:",:ll':ij',,,,u,rrnrr y n,,ljrrivo si-V,' cs meno'r ,lr" 6 V.';;;; este diodo '], r, r v, )u w, ur ruurcntu do Lcmperatura dc 50 originar "C una vaiacin (lc l Lo)sin ZcD0r dc
,1-3. Irar rl circuito dr ln llgur;r l)1.1-ila k) trazrr r(i) si Ilb : 100 kO, r:1i _ murstrr la flgIrn 1,1.1,:11,. ' :, (omo () Itcpctir l partc (a) si r)(t) .s scnoidnt, tri^nAuln. (1 V crcsto).
1 kO
LV"
v",
Ayz
(0,075
%l"c)
(50
"c)
3,75 %
(0,0375X18)
:0,67 v
V", x
18,7
REFERENCIAS
t .t*""11"*""",i|.1:. and Rectifie Handbook,, -il;;rj;.";ili;. .zcner.Diode Motoola Inc., {::q:^"-"}l,I_(s]licor Semiconclutor troclucts nivisiif .. 2. A, S. covc, (Scrnicol(lucto physicsD, Witev. New i" yok, rr;;;"'i,i'' , Wiley, 106?. 3. Motoola Inc., Ensineeing srarf, ;rntetect i.;;;i;,,;;;'i.*;:H]., New ..ork,
19ii5.
ig, l)1.1-3
cn
'
pp.
24,
l.-:. La t0nsin dc sali(la dada por 1.1-3 sc aptica fl ll cntrad:r dcl nltro C rcDruscnrroo l, nLrr Pl.l-4. S,n 1.C - 10,,.., ) //: tuul z ,. (o) rlllar r.ll). Comtar.rt co cl rcs ltado obrcnido utitjzando cl nltro nC, ()
Calclar la tcnsin clcaz dc oIl(lutncln. (c) Calculr. la reLrcl rnlf0 ln tfnsin rftcz tc on(tulcin
y lll
PROBLEMAS 1.1-1.
Para el circuito de la liAura p1.1
t
1.1.6. Rcpctir cl poblcnla
1.1,4
Irig.
P1.1-1
'a\
traz
DL
I'1.
l -r-)
cs un
|ig. P1.1-2 _
64
.Ins
dos Dfincas cirras dcl nLimcro dcl probtcma ilica la scccin del tcxto o
lrjg. I,l
l -(i
65
r;ru
l
vcrsin ]ns prcticn dcl cicult0 ljl clrcrlito rcprcscntsdo cn li 0gura Pl 1-7 es un las rcslste,ncls dct dtodo Trn-zar u(l) cuan(lo ur cr nl"i"r ,-1" l- nc,,* Pi r'0, vo qu" lnclutc i;i;i^;;;;i;,i;;;p;;""niira. s'r,po""r qire nu : 1 ko, : 50 o v rdc < r" 'nicntrs nDc >'
1.1-7.
l..l.lI lll circLrito (tc la flgura I,1.1 13 cs una fuentc dc alimcntacin con rccliflcador de crcsta {r ooJ complcLa dondc r, y J), son dlorlos idcales.
() 'Irazar u. () ClcLrlr ln tcnsin
on(lLrl:rcii)D
cn r,r.
l0 cos
200 r
Fig. P1.1-7
dc ond representado cn la ngua P1 1_8 cs un pucntc dc diodos rcctiflcador cs scnoidal ,ll) ,(l) cuando Trazar complet.
|ig. 1,1.I l3 l.ll. I:rpfcillcar n, C y la ondulacin cn Ia fuente de alimentacin dcl dctcctor dc crcsta fltura l)1.1'1{ para quc cntreguc 30 V c.c. a la caga dc 100 O cor\ na tcnsin dc ondr!t'.t: i6l o nrenor (lcl 10 % de la tcnsin c.c. ) (, ldeat J .
4x
1.1-8. El circuito
100
1.1-6
l.l.g.Elcircuitorcctincailor(lcondrconplcLxdclng|lrn1'l.8csconpl|cadoporlnprcso]. 0. lr3z3r '(r) cuxrldo f iiiir*-r";ii"i*cnscricconD,yD,,conrorllrcsrrInnsurxr,r.1 qllc 0'2ni n Suponer cs senoilal con lccucncia o!
D1
rrig. I,1.1-14
l:1
!.r.t9. l.r
(nLnrda nl circuilo (liodo nj.dor dc la flgura 1.1-12d ticnc lx fornra do onrlr rcprcnrl,1 n lx llUUfa P1.1-15. Supone. quc Yn : 10 V. r.) i.(lu:il cs rl nivel (lc c.c. (lc la fornra dc onda? l),i(;!rl cs l.l tcnsin (lc c.c. cntlii los lermirralcs dcl condcrs:rdor? l.) l-r^zar oL.
l.t.\l-
Lr
;l;;;;.
1 1_10r cs
'D"r
5lt '(i) -
i'(r)l
(a)s
IrnTnr
lr
s'
kl) Itcfll(1|l'l,sf lIt ll{urr 1.1-10c y uliliz.r lx .{:uici(ir) 1lf l,i prrrr cl ccnd(:nsrdor
yr<yr,
l(lel
,,.
y fl
lreclro (lo (tuc
(1u0
'
v,.,.
,\ i{lel J
1D.,
-.
() Utilizrr la tcnjca dc l partc (d) pra calcula la ondulacin crcsta a crest ctr , (1) Lx ondL'lncin cn Dr sc pncdc calculr rpro\inradamentc por lr tornra dc ond (lc la ligLrr.r P1.1 1tjlr. Uiilizr na scrie dc Fo ricr
la ondulacin cs pcquci)4.
Ynltlt prla cAlcular y-' y {rbtener (1.1-6). dc l flgurr l'1.1-16d.'ll.azar ," suponicndo quc cl
diod,)
rrig..t,1.1
1i
1rJ
,' :
don.lc yr:
V1 scn (@i
+ q) l- vr
sen (2ol
+ q, lnccesarias
vLtln:l v1: u,rr. unun",o. las condicion0s qrre so u, : V scn (@r + q), () Utiliza los resultados dc ti partc (d) para demostr que
vL
para
quL
x JL'
::-
0,1 %. Dctcrminar la rcla(,)i {,c cspiras n dcl trrnsfofn)dof y /, y C. Suponcr quc tas de prdirlas cn ta bobina scan .rlr, quc ' : 00 l1. y qrc la oDduluci(jn dcl 20 % cn ," es suflcientementc peqea pqra .iltr h:rcer uso dc las aproxinrcio cs ncncionrdas en cl roblcma 1.1-16. l-t-0, \iri0c:rf (conrprobur) (1.1 2). .r.2. \'rriflcr ( 1.1 :l).
100
J-t. Rctrcscntrf irl.o dado pof (1.2 1)crrtuDcindclarcnsindcldiodouDutitizandopaFet *n'rogltnrico. SupoDcr ? .. :J00 Ii (tcnpcrarura onrlricnro). lJ-3. ltcpctir cl trobleDa 1.2-1 pr.r 7 : :)00 y 200 I{. Explicar cstos resltaatos. .!'3. Un diodo dc siljcio ticnc una corricntc invcrsa dc saturacin /o : 1 n^. Rcpcsentar iD cn icncn dc ,r. No utilizar papel scmiloftarltmico. Un diodo dc gcrmanto que ticnc ta misma rpcidad de disipacin dc potcncir quc cl diodo dc silicto ticne una Io : 100 /A. Rprcsentr
os nisnros cjes
.n
or dos dlodos. ULiliza dos rcclas cn )a rcgin de polarizacin djrccta para obtcner sultodos nlogos a los reprcsentados cn ta ngura 1.2-6.
i]) cn funcin de .)D para cl dlodo de germanio. (d) Dctcrminar las tcnsioncs dc concxin, o sea, tc conrnutacln en conluccln. (r) Hallar las rcprcscntacioncs cn llnca ccta (funcionamicnto Iincal por trozos) paa
.2-{.
S{ lrponc que
Calcular Calcular
rr-5.
l$]0
"
la DrlDr que rcsulta dc cambiar la tcnsin dcl diodo por 50, 100 y 200 mV. : 300 l{.
'T
(b,
1. 1.1-17. Dn la ngura P1.1-16 supJnc
,r
I::j. I'1.1-
1r;
llre
rrntc I solu
Para cl circuito de la ngura P1_3,1 rcpescntar i, cuando r!, s unaonda cuadrada que \'olor mcdio nulo y una tensin crcsta a cresta dc 2 V. Obtenc anatttica y grnca-
I :10
: 10 scn 200J1, ]l :
1 kO, C
H. (a) 'tr^zar v" r- calcular la ondulacin crcsta a cresta. Comprobar la suposicin hecha dc ondulacin Dcquea. () 'frazar la forma dc onda previsiblc cn Dr. Cul es la ondulacin crcsta a cresl?
1.1-18.
100 F ]'
tkn
- Disposltivo
PaIa el circuilo (lc la llgura P1.1-18: (d) tl.arar'r. y calcular lo ondLrlacln crcsta t basrlndosc cn los supucstos dcl problema 1.1"16. (lr) llrcrll)lr la s0rlc (lc Fourlcr para 10 ondulocl)n cD , como cn lr pnrlc (l) dcl Pio' 1.1-10 y cnunciar las condlcloncs para quc u sea senoidal. (c) Poncr dc mqnlncsto 1a vcntala de la rectlflcacln dc onda complcta para el cicnio (lr 1r on(lul0cln crcsln r crcsto cn r, y comprlo con cl )csultndo de ln pnrtc () dcl probl.'
',-1(
!,1..
)trra
0
io
llnol
"
->o
u,<0
l'}1.3-1
Irig,
|li{ Ll-10.
,.1-10. Dls0ilor unr lucntc dc nllmcntocln dcl dctcctor.lc crcstq dc onda complcta ttlllzando l flllr) Cr,rl,, (lo ln fltnr l'1.1-18 (trr( (rtrcfrrc l!0 V .,c (lc(lc,r'r Ir,.1,: (lLf 120V.rl.itxr! '
68
Para cl clrcullo de la flgura I,1.:]-2a rcprcscntar t, cuando 0r es scnollal con un valo V (rtllzrr lo tcnlcu ,{rdncn). Ln crrnctcrhtlca dcl dlsDosttlvo no ltncal cstt r0ttrcntr(l .n l ll411r t'1.1r-2. lltlll?.rr 1/ - r * l(r(r0 n, .flr. - t, () y ,Dc - t V.
dc crcsts de 4
69
l* t,
fig.
I,1.J-2
1.3-4._
l,+,1.
5
l.:n
1t) "(.,1,D1k7'-
1) (lo(t0
?.
..
;100
I(
:
I
l) Obtrncr cl circujto (lc ,t.hvfniD, nr y r,7,. () Deternrina! la corrienr0 cn rrDoso.tct ( orlo. (.) Calcular d. (,i) Calcular I,(t).
100
140 a
1.3-3. (o) v^olvr a clibDjr lr ngum_prj,2d y obtcncr el circuito dc Thvcnin (r" y _t?,). i; ;'j:'l'"''.: i?i,{"^3,; .. R.prFscntar ntar Ia la rccta rccla dc carga dc c.c. cuandto"t jr-i, y cuando o"t - 0. a2 0, * "5. v _.,"r. (c)ReprcsentaIuL(l),Insnuacin:uI':RLiD'
";;; :"i'ihl",i:'i:"id;1,"ji:Tih:'
i-'ll,iil
Fig. l)1.4
cl circuito dc ta flgua p1.3-4 calcutar u(t) utiljzrndo ls caractcrhticas dc la ^En con Y : 0,? V. gurr 1.2-8
t-:
fl.
d0 lr ltgura pt.4-2 csrf caracterizado por (1.2-1) dondc 10:10-! A y ?: . 3-rl ,Iit,,lio(lo ti. I{ lhf iD.
lo -3sen do
l0
mA
)
P1.3-.1
zka ( { 30
)
'3
ko
cos
d,,/
aooa
5 x l0 -3 +
20 mA
l0-6cos r.rot
Fjg.
I:ig.
(t c l's (lir)rtos /), \. /)r sci! irt(irrtifos rI ol cifcllilo lf
1^
P1.4-2
1.3-s.
Slrt!,rlcn{1,,
fiA rr lrl.l]-,i),
!,1f. ro) llall:rr cl circuiio rlc ,fhvcnin cquivalcntc, R", y ' Ir1.l.J. () Itrt)rrsurtf ir(/). r.) llIlllllr ll corrlcntc nrcdir cn cl diodo.
Dj:
pafa
cl
circuito dc la flgr-
.
Iiig.
[z
'
ro-,
'"i
500
+
250 n
l-
P1.3-5
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'11,"'i,:lilii';''lr *t u'"oo en reposo cn ra nsura P1 4'5 l).";,;;-,;'' """""" cn cr probr..:r 14-1' i,i",i' ,i'i'-"liu ,,"i" '^
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La caracteristica
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dcmostar quc ta
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r,d!-.la s(l).
rd) I)ctcrnrinar un margcn accptrblc de la aml)litud dc onda cuadada (y,: yJ de n.i',,ir cl conmutador funcionc corrccr IneDLc. () Ilcprcscntar ur(l) si {, .- rol,i) y dcmostrar quc ,, cs cl poducto dc , y una onta
I frgura r.8 5 ticnc una I flgura Pl. 1, dondc V : V,. Sea ,r - scn ol.
rc (1.6.7) /. . f :1lT y quc I csr sustilido tor I _ T14. Exprcsr r() como una suma
2x
t-5.
I-:n el problcn)a 1.6 4 sc pucde cscrjbir. Sr(l) como una serie atc Fourier obscrvando que dc
l0-3cos uroI
l.t....lo)
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I.ln cl circuito dc la figurr 1.6,5 sc suponc quc l = Vr, sen (])0. Demostrar que rondlcin para quc la scal dc control sca una onta cuadrada simtica te amplitul y, y que .l (onnrutador funcionc corrcctamentc, sc dcbc tener
Fig. P1.-1
1.5-2.
ir ^lr.,,il (lol (lio(lo (lt ltl llgrrrA Pt d(r rr conicntc 'r'o'ro i,\'ii:i,r i;',";;'i;' y 1, ',j" ,i consrrrrir lr rcctr dc-crgr n'ouo. o"'"""" u", '
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Jf\- : :,os v
dondc VF
:0,7 V
() Ilallar la anrplitud dc V, dc onda cu:rdrada cocspondicntc al csultarto de la Frt. (o). l-?.- El s:stcma de scis diodos dc la ltgura 1.6-1 sc utiliza como pueta shunt o cn paratelo .! l fi8ura P1.6-?.Ios diodos , y ,. provccn la fucnte te control con carga stmtic;. SupoE
fl
t.uc todos los diodos son ideales y quc la scat rtc control
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: !1 nd -
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,anlro.dn. Suponer un puente equilibrado y utilizar la supcrposicin. (4 qlrl cs cl vator mxinro dc yrn pcrmjtido si y, = v,
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!l qre cl valor nbsoluto de la mxnna difcrcncia cnrrc la funcin y y su:rproximactn clquier jnstantc , es sicmprc nenor quc 0,5_
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lncor.pr^':11:
1.7-4.
:;;;.^;;"-;;;;;""-perios
paa quc las corrientes cst{D el circuito del ejemplo'1_7-1 Relucir a la escala conveniente volrios cn csrLln lo las tcnsioncs
l.Gl. .l:l diodo Zcncr dc la flgura p1.10.1 cne una calla nJa dc.tcnsin de 18 V cntrc sus l.rnnrcs cn ta to quc L sc n)antcnga cntrc 200 mA y 2 A. dc ]rodo quc y sc mantenga cn i8 V micntrrs ydc pueda varjar librc_ dcsdc .() H-allar r.".nlc 22 hasta 28 V.
(D) Hallar
aliodo.
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uDc< 28v
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Fig. P1.10,1
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l.ro-2. Sc c'DI)10 LrD (lio(lo Zcnrr (lc jO V prrn rcgu)flr tn tcnstn cn borncs (lc unn cnr(n vnrln, !!. cor) l r(prrsf'rtr,l r',t. ,{,r'r I't.lt)-2. I^ tcrsln {tc cntrn(tn u v,rrl. cnrrc rl y tti v. rr coflcnrc 'lu_ cu.gr vnrf rntrr l0 y 85 mA. La mfntma corrlcntc Zencr cs 15 ,nA:
rd, Latcutar cl valor ml\imo J. r. () Calcular la mxlma potcncia disipnda poa el liolo Zcnc rtilizando estc v^lor de . :.1G3. . Lha tucnte no rcgulada vxrla cntrc 20 y 25 V y tiene una impclancia lntern dc 10 O. U dlodo Zcner dc 10 V debc egula csta tcnsin par utilizala enlun magnetlono o egis_
75
rig. l'1.7-2
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L!^.rjsP'102
l.L2-2. L^ nxima cofricntc dircctLr rcrlia rectillcada cn media onta a tmvs
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r)1. r2-1
t|l|ll{)|(lccinLa'Elregistradofabsolb.cs0mAmicntrasgAbay50n1Acuandoreproduce.El
2".* ri"'" ,..;*':l:1"11", *o*:Tll,lil XT;,";T i;l:i ;:i.X'i'Jl*; li,i"iil'i,i"ii .xrrctc sticx Zcncr ticnc lugaf cn ru '/ nrxi dc 800 m\v' ri >10 o) de moilo quc cr (riodo rcsurc-con^n^uam"l.lif" "'0"* i:"l1Htil 3 'resrr dc saridx J''rracion i;;;;;;; ij;ii;; l;; "*'ra
,.to-*. \.
(lcscrilo aProtimidamcnte poI ll
ccuacron
1.72-7. L^ corjcntc invcrsa dc saturacin dcl diodo dc la flgura p1.12-1 cs 1pA. Su tcnsin inlersa dc crcsta (I,tV) cs 500 V. llalta i para quc no sc cxccala la plv. A cn la figura P1.12 2. (a) Haliar nr para quc no sc cxcccta cstc valor. () Si Jo : 1 tA, l)altar tr minitna pJV ncces^ri para impcdir
det diodo
cs
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uptua rtel
ctiodo.
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J1 a 1
tt:.1 v ' t9'. --,..-,..,,-^ ld) llcDfcscnur l.r ctltclcrsticr Dziz p^t'\ p"" ot"i'"' una carcrcrisLica nornrrizada' " i,li" ,"-*")',1'?J'-*ii". 'ili' "'ii"'"r' ia ltttull'rt,n""t (b) obtcncr tl codo dc dos llncas
() RcPrescntat una aProxLmc1
"""'
(lllc: o*lql:.1l.:J:":11'1.*,1"^'j"j,iilffli""l" ,r, La pendicntc dc rx c,rlv3 ';.'i^; ','o"'"'uo' qe r' c'mbi^ continuamentc' ,r-" ." ''i"'"ii,"llll)i);'>;'';. 1 11.3 en
"
1^t3:3:.
l iS. l'1.1:-2
di
corriente dc prucba dc 100 mA, un diodo Zcncr tice una rcnsin nominxl !1" una \. Tiene una tolcrancia del 2 %. CAtcular cl margen dc las tcnsiones te lrurba jinmicas.
i;'.1;i;,,31'X1"l,ii:ii,i"l'ii'i":lf"'ii:*,1"1"?"lifi,'::':?i:""i"'ra,ngura
1.11-2.UndiodoZcncr.lesiliciocstcspecinc^do^cn"15'w'Larrrximatcmpcmtur'dclaunin
?0
i;',i,,i,'': :l',"'c'i; i;.;;;i "* ;.i:'t:: iinl'"i'i^i':""i'i*il"a ::;1 :,1",,i" "';,1.iI potcn"ia ;".?1o"'";"iXi"fi':::l$:"^n'::t: (liodo Dcrmisible "'""" '''ii,j'liiel es la tcmperatura dc ra unin dcl diodo? i;i ;;n * la tcmperatura dc la cpsula del diodo?
1.11-3. Repctir cl problcma (lc 2 'C/w.
1 11_2
nomhrr
der
U"d
diodo Zcnef 1N281(j dc ta figufa p1.12-4 sc dcbe utilizar para manlcncr.una tcnsin ra corrlcnte continur suflcientcmentc consLante cnte ios tcninalc; dc la carga, ta cal varfa d.dc 10 a 100 O. La tcnsin dc entrada varta desde 80 trasta 100 V. 91 !lcLlta. suponicndo vzr :18 v y Rzr x2 e. () Calcular r tcniendo cn cuenta la totcrancia det 5 % y;l hccho dc quc cl circuiro tun<iona por cncima del mafgn (tc tcmpcratura de 0 a 25 "C.
l.l2-4.. El
rrlcnorcs 1.11-4. Un diodo pucdc disiprr 20 W a tempcraturrs Hallar 200'C. cs unin la tura de 'j" : 100'C y 0'4 : 1,11-5, Rcpcti cl problcma 1 11-2 si ?j nax l;,11
3 "C/W'
. YL i\le l;i l il"'l i:: " " i, "i;; rl-':"'-o , r"- 'lrr' I rrn'i'rof Iro "^ soLr''xrintc () Ir,,af.?" pl" ":t": "ilillii",]i."sJe caror inrLniio, i,cunta
'':"'i""li!",.,liil i,iiifiil"llnJ,
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ncurs
rr r:
(.)
rrig. t)1.12-,1
.rsplctr (lc l
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t l?'. I)cnrostraf quc cl varor nominir rrIV de los diodos cn cl circLito rectillcador (rc oncra flurA 1.1 I dcbc scr Inayor qLc 2tt,. Suponcr (tio(los i(lc lcs. t.ll'. Dcnrostrf quc cl valof nominal l,IV rtc tos ctiodos cD rl fircLrito rcctincado pucntc
o'r{n cornplcla dc la ngura Pl.1
t/in. S lroncf
(liodos idcatcs.
77