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TRABAJO COLABORATIVO 2 FISICA ELECTRONICA

POR : JULIAN S MACHADO B CDIGO 13825003 HENRY DUQUE PEREZ CODIGO 15 437 116

TUTOR FREDY TELLEZ

GRUPO 100414_9

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA MEDELLIN MAYO 2013

OBJETIVOS

Conocer la teora bsica de los aisladores, conductores y semi-conductores.

Analizar los diferentes tipos de diodos y su empleo en la electrnica.

Estudiar la evolucin y el funcionamiento del transistor, la forma en que operan en los diferentes equipos electrnicos que los utilizan.

Estudiar mediante la simulacin de circuitos electrnicos las diferentes variantes que realizar en el momento de elaborar un circuito.

FASE 1. Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores. Por favor consulte otras fuentes adicionales al Mdulo del curso de Fsica Electrnica. 1. ENUNCIE LAS PRINCIPALES CARACTERSTICAS Y DIFERENCIAS EXISTENTES ENTRE UN MATERIAL AISLANTE, UN CONDUCTOR Y UN SEMICONDUCTOR. DE ALGUNOS EJEMPLOS DE CADA GRUPO.
MATERIAL CARACTERSTICAS Son aquellos cuyos tomos tienen 8 electrones de valencia o ms de cuatro. Se utilizan para separar conductores elctricos para evitar cortos circuitos. Los materiales empleados como aislantes siempre conducen algo la electricidad, pero presentan una resistencia al paso de corriente elctrica hasta 2,5 x 1024 veces mayor que la de los buenos conductores elctricos como la plata o el cobre. Tienen uno o dos electrones de valencia. DIFERENCIAS EJEMPLOS

Ms de 4 electrones en la capa de valencia. La magnitud de la banda prohibida (6ev), de forma que todos los electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula.

En los circuitos elctricos normales suelen usarse plsticos como envoltura aislante para los cables, tambin se puede utilizar unas capas de barniz. En las lneas de alta tensin se utilizan como aislantes el vidrio, la porcelana u otro material cermico.

AISLANTE

En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada.

CONDUCTOR

Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de conduccin.

Algunos conductores muy buenos son: el oro, la plata, el aluminio, cobre, hierro, magnesio, etc.

SEMICONDUCTOR

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante.

Tienen cuatro electrones de valencia y sus tomos pueden enlazarse entre ellos, compartiendo sus electrones, para formar cristales estables. En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos)

Perteneciente al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc.)

2. CMO SE OBTIENE UN SEMICONDUCTOR TIPO N Y UNO TIPO P? QU CUALIDADES O CARACTERSTICAS ADQUIERE ESTE MATERIAL CON RESPECTO AL SEMICONDUCTOR PURO? Los semiconductores tipo N se construyen con Si o Ge, pero se les adicionan tomos de impurezas que tienen 5 electrones de valencia, de tal manera que al formarse los enlaces covalentes queda sobrando un electrn. De esta forma conseguimos materiales semiconductores con exceso de electrones o carga negativa (tipo N). Los tomos que se usan como impurezas son los de arsnico, antimonio y fsforo. Los materiales tipo P son aquellos que se forman agregando al material semiconductor puro impurezas que contienen 3 electrones de valencia, de tal manera que vamos a tener ausencias de electrones o lo que podemos llamar huecos. Los huecos que quedan en los enlaces covalentes de este tipo de material permiten que los electrones vecinos los puedan llenar quedando abiertos nuevos huecos para ser cubiertos por otros electrones y producir de esta forma la corriente en los semiconductores. 3. CONSULTE SOBRE OTROS TIPOS DE DIODOS, DIFERENTES AL RECTIFICADOR, EL LED, EL ZNER Y EL FOTODIODO. DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE ( VARICAP ): La capacidad formada en los extremos de la unin PN puede resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual se est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se esparcan lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la capacidad del

hipottico capacitor (el mismo efecto producido al distanciar las placas del un capacitor estndar). Por esta razn podemos terminar diciendo que los diodos de capacidad variable, ms conocidos como varicap's, varan su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensin que los polariza de forma inversa.

DIODO TNEL: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin. DIODO SCHOTTKY Los diodos Schottky tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de portadores calientes, estn hechos de silicio y se caracterizan por poseer una cada de voltaje directa muy pequea, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rpidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia. Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de conduccin prcticamente igual a cero, pero tambin un voltaje inverso de ruptura muy bajo, lo cual lo limita su uso a aplicaciones muy especiales.

DIODO PIN Su nombre deriva de su formacin P(material P), I(zona intrnseca)y N(material N) Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. Tambin se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.

Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes est limitada por su tiempo de trnsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la unin PN. Los ms conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT. DIODO SCHOKLEY. Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida. Adems, la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo semiconductor de dos regiones. DIODO DE CONMUTACIN. Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el estado conduccin y el estado de bloqueo y a la inversa.

Diodo 1N 4007

Diodo Zener

Leds Puent e Rectifi cador

4. CULES SON LAS PRINCIPALES CARACTERSTICAS Y DIFERENCIAS EXISTENTES ENTRE UN TRANSISTOR NPN Y UNO PNP. TRANSISTO R CARACTERSTICAS
Llamados transistores bipolares de unin Es un componente semiconductor que tiene tres terminales.

DIFERENCIAS
Su base es positiva solo le puede aplicar tensin positiva Internamente est formado por un cristal que contiene una regin P entre dos N (transistor NPN) Los transistores NPN como el 2n2222permiten el paso de corriente desde colector hacia emisor, cuando reciben un voltaje (mayor a 0,7V)en su base PNP su base es negativa o sea solo puedes aplicarle a su base tensin negativa O una regin N entre dos regiones P, (transistor PNP ) Los transistores PNP como el 2n3906, permiten el paso de corriente desde emisor hacia colector (que es en el sentido contrario de los NPN),cuando reciben un voltaje (menor a VCC-0,7) en su base

NPN

Encienden con 1 lgico Es decir que los NPN encienden con un voltaje mayor a 0,7V y se apagan con un voltaje menor a 0,7V BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR

Llamados transistores bipolares de unin Es un componente semiconductor que tiene tres terminales.

PNP

Encienden con un 0 lgico encienden con un voltaje menor que VCC-0,7Vy se apagan con un voltaje mayor a VCC0,7VBASE (b), EMISOR (e), COLECTOR

5. CUL ES LA IMPORTANCIA DE LOS ELEMENTOS SEMICONDUCTORES EN EL ACTUAL DESARROLLO TECNOLGICO? Los semiconductores son uno de los adelantos tecnolgicos que ms relevancia han tenido en este siglo principalmente por haber permitido un desarrollo extremo de la electrnica general. Su antecesor, el tubo termoinico o vlvula de vaco es un dispositivo caro, grande, frgil, lento y que requiere un consumo de potencia no despreciable slo para hacerlo funcionar.

Con l nunca se hubiesen podido alcanzar niveles que a da de hoy nos parecen de lo ms normal como integrar decenas de millones de transistores en el tamao de una ua, y esto se debe al bajo precio, reducido tamao y bajo consumo que permite la tecnologa de los semiconductores. FASE 2 Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes circuitos y analice los resultados obtenidos. 1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido .

En la simulacin de la parte izquierda el indicador enciende debido a que el diodo se polariza en directa, lo que permite que la corriente circule a travs del circuito y encienda el indicador color rojo. En este circuito la lmpara se enciende porque el diodo rectificador esta polarizado de forma positiva, asea que deja pasar la corriente positiva que va de la batera hacia la resistencia y hacia la lmpara la cual se ve encendida. En el segundo circuito el diodo est colocado o polarizado de forma negativa o inversa y de esta forma no deja pasar corriente hacia la resistencia ni hacia la lmpara por tanto se queda apagada. El diodo esta polarizado en inversa con respecto a la fuente de voltaje, lo que impide el paso de la corriente a travs del circuito 2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido. a) Rectificador de Media Onda

El generador de seal produce una onda seno completa de pico a pico, positivo y negativo, la cual se puede ver de color amarillo en el osciloscopio; pero cuando se toma la seal para el osciloscopio despus del diodo rectificador se puede ver que solo pasa la mitad de la onda o el siclo positivo ya que el diodo rectificador conectado o polarizado de forma positiva solo deja pasar los siclos superiores o positivos y no los negativos. En el espacio donde debe estar el ciclo negativo o inferior solo se puede leer una raya o cero voltios. La tensin en el secundario del transformador es alterna, y tendr un semi ciclo positivo y uno negativo El diodo rectificador se comporta como un cheque en un tubo de agua, solo dejando pasar corriente en un solo sentido.

b) Rectificador de Onda completa con puente de Greatz.

Segn las grficas observamos ahora que siempre tenemos voltaje en la resistencia al cambiar la polaridad del voltaje de la fuente; habr, de los cuatro diodos del rectificador, un par de diodos que quedan polarizados directamente que permiten el paso de la corriente; as tendremos, tanto en el semiciclo positivo como en el negativo, la presencia de voltaje en la resistencia. En el osciloscopio vemos sobre la carga las dos seales de voltaje rectificadas y la seal definitiva es la suma de las dos En donde pasa de corriente alterna a corriente directa

3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. Explique lo sucedido.

Se puede ver claramente que la seal azul que entra al osciloscopio es muy pequea, tan solo de 2 mili voltios, comparada con la seal que sale despus del transistor y que se observa de color rojo aunque est en la misma frecuencia de oscilacin es mucho ms grande aproximadamente 100 veces el tamao inicial, por tanto lo que hace el transistor es amplificar la seal que recibe por su base unas 100 veces, pero aunque amplifica la seal no sucede lo mismo con la frecuencia pues es la misma que entrega en la seal de amplificacin e igual a la que recibe en la seal inicial.

Tambin podemos observar que la seal de salida no es senoidal y est desfasada con respecto a la entrada, pero conservar la misma frecuencia.

CONCLUSIONES Un conductor es un material a travs del cual se transfiere fcilmente la carga. Un aislante es un material que se resiste al flujo de carga. Un semiconductor es un material intermedio en su capacidad para transportar carga. Un semiconductor tipo N contiene impurezas donadoras y electrones libres. Un semiconductor tipo P est formado por tomos aceptores y por huecos faltantes de electrones. Los tipos de aislantes son dos: Elctricos y Trmicos. Con la realizacin de este trabajo se ampliaron los conocimientos sobre los semiconductores describiendo sus caractersticas y algunas diferencias. Se logr determinar cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P, donde el propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material y el propsito del dopaje tipo p es el de crear abundancia de huecos.

BIBLIOGRAFIA Cartillas FAD. Publicaciones SENA. Programa a distancia SENA, Ao 1990. Electrnica para Audio y Video. ESCOBAR Edgar y Jos Elas Acosta. Documento para electrnica desescolarizada. Ao 1999 TLLEZ ACUA, FREDDY Reynaldo. Mdulo De Fsica Electrnica. Universidad Nacional Abierta Y A Distancia UNAD. Facultad De Ciencias Bsicas E Ingeniera. 2008 CIBERGRAFIA http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor#Semiconductor_tipo_N http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar#NPN

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