PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATLICA DEL PER FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERA ESPECIALIDAD DE INGENIERA ELECTRNICA

Curso: Circuitos analgicos Profesor: Ing. Csar A. Carranza De La Cruz Separata: Principio de funcionamiento, curvas caractersticas y ecuaciones de transferencia de transistores MOSFET
Tipos de MOSFET Enriquecimiento Canal n Enriquecimiento Canal p Empobrecimiento Canal n Empobrecimiento Canal p

D G B S
Principio de funcionamiento:

D G B S
G

D B S
G

D B S

MOSFET de enriquecimiento Canal n a) Construccin:

El MOSFET canal n de enriquecimiento se construye a partir de un substrato tipo p, al cual se le aaden dos bloques de tipo n fuertemente dopados, luego se le aade una capa de dixido de silicio (dielctrico, aislante), a este se le hacen dos perforaciones para tener acceso a los bloques n y finalmente se colocan contactos elctricos para obtener los terminales de drenador, puerta y surtidor. Adicionalmente se coloca un contacto metlico en el substrato de donde se obtiene el terminal denominado substrato. En el presente curso se asumir que siempre el substrato est conectado al surtidor. Adems ntese que debido a que la puerta est aislada por un dielctrico la iG ser CERO (siempre) b) Principio de funcionamiento: Caso1: vGS = 0, vDS a una fuente variable desde 0 hasta un voltaje V+ (por ejemplo 25V): Observando las regiones n (drenador),p (substrato) y n (surtidor) se puede considerar como si fueran dos diodos en serie opuestos, por lo que la corriente del drenador (= surtidor) ser cero (realmente hay una corriente de fuga muy pequea), MOSFET en corte. Caso2: vGS > VT (tensin umbral), vDS a una fuente variable desde 0 hasta un voltaje V+ (por ejemplo 25V): Cuando vGS supera un cierto valor denominado voltaje umbral, se crea un

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PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATLICA DEL PER FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERA ESPECIALIDAD DE INGENIERA ELECTRNICA canal inducido (equivalente a una regin de tipo n) entre el drenador y surtidor. En consecuencia no hay nada que impida, que si se aplica una diferencia de potencial entre el drenador y surtidor, circule corriente; en un inicio el canal creado se comporta como si fuera una resistencia, pero conforme se incrementa la tensin en el drenador, la diferencia de potencial entre el drenador y puerta se va reduciendo, originando que el canal inducido se vaya decrementando, lo cual origina que la resistencia del canal aumente (iD aumenta ms lentamente al incrementar vDS), llegar un punto en el cual el canal se estrechar haciendo que la iD se mantenga constante a pesar que se incremente la vDS (regin de saturacin). Estado del MOSFET con vGS > VT y vDS = 0

Estado del MOSFET con vGS > VT y vDS > 0

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PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATLICA DEL PER FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERA ESPECIALIDAD DE INGENIERA ELECTRNICA Las curvas caractersticas de puerta y drenador sern:

Ntese que las curvas caractersticas de puerta sola son vlidas en la regin de saturacin. Adems en esta grfica se puede obtener el valor del voltaje umbral VT (igual a 2V para este ejemplo en particular). MOSFET de enriquecimiento canal p:

MOSFET de empobrecimiento canal n

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PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATLICA DEL PER FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERA ESPECIALIDAD DE INGENIERA ELECTRNICA Su construccin es similar al de tipo enriquecimiento, con la nica diferencia que se le aade un bloque n entre los bloques n del drenador y surtidor. En consecuencia el canal ya est creado aun con vGS = 0 negativo (hasta un cierto valor). De modo que si aplica vGS=0 y vDS un voltaje entre 0 y V+ (25V por ejemplo) habr circulacin de corriente.

Si vGS se incrementa, inducir que el canal n se haga ms grande, mientras que si vGS disminuye, har que el canal se haga ms pequeo, en consecuencia si vGS llega hasta un cierto valor negativo VT har que el canal desaparezca, lo que originar que iD sea cero sin importar el valor de vDS (regin de corte). Las curvas caractersticas de puerta y drenador sern:

MOSFET de empobrecimiento canal p:

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Ecuacin de transferencia del MOSFET Canal

D

Canal n
Enriquecimiento Empobrecimiento

Canal p
Enriquecimiento Empobrecimiento

Smbolo
VT Activa el MOSFET VDS Regin ohmica Regin de saturacin Regin de corte Ecuacin de transferencia en la regin ohmica Ecuacin de transferencia en la regin de saturacin
Notas:

D G
G

S
G

S
(-) VGS > VT (-)

D
(+) VGS < VT (-) VDS > VGS - VT VDS VGS - VT VGS > VT (-)

(+) (+) VDS < VGS - VT VDS VGS - VT VGS < VT (+)

ID = K * [ 2 * ( VGS VT ) * VDS VDS2]

ID = K*( VGS VT )2 (1+ * VDS )

1. Para llevar el MOSFET a la regin de saturacin: Primero debe activarse, luego se debe cumplir la condicin para la regin de saturacin. Estando es esta regin se cumple la ecuacin de transferencia en la regin de saturacin. 2. Para llevar el MOSFET a la regin ohmica: Primero debe activarse, luego se debe cumplir la condicin para la regin ohmica. Estando es esta regin se cumple la ecuacin de transferencia en la regin ohmica. 3. Para llevar el MOSFET a la regin de corte: Basta con hacer que no se cumpla la condicin de activar el MOSFET. 4. La ID va de drenador hacia el surtidor en el MOSFET de canal n, y va de surtidor a drenador en el MOSFET de canal p. Los valores VT, K y se obtienen de la hoja de datos del fabricante. En la mayora de los casos es despreciable (cero). Referencias bibliogrficas: Boylestad-Nashelsky: Electrnica: Teora de circuitos, sexta edicin, captulos 5.7, 5.8

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Curso: Circuitos analgicos Profesor: Ing. Csar A. Carranza De La Cruz Separata: Circuitos de polarizacin para transistores MOSFET
Curvas caractersticas de transferencia de puerta mximas y mnimas: Tipo de MOSFET Enriquecimiento canal n

ID

D G

VGS(off) VGS(off)
min max

VGS

S
Empobrecimiento canal n

ID

D G
VGS(off)
max

VGS(off)
min

VGS

S
Enriquecimiento canal p

ID

S G
VGS(off)
max

VGS(off)
min

VGS

D
Empobrecimiento canal p

ID

S G

VGS(off) VGS(off)
min max

VGS

En cualquiera de los casos, el circuito de polarizacin debe garantizar que la recta de polarizacin cruza a las curvas caractersticas mxima y mnima. En caso contrario el transistor no estar polarizado adecuadamente en la regin de saturacin. Recurdese adems, que el hecho de que la recta de polarizacin corte a las curvas de transferencia mxima y mnima no garantiza que el transistor est en la regin de saturacin, pues se debe verificar adicionalmente que VDS tenga el valor adecuado.

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