TRABAJO DE INVESTIGACION

Tema: Transistores FET y MOSFET Transistor FET (Field-Effect Transistor) El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-InsulatorSemiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

P-channel

N-channel

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente.

CURVAS CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

MOS-FET DE TIPO DECREMENTAL CANAL N. El sustrato est formado por una placa de material tipo P de silicio. En algunos casos, el sustrato est conectado internamente con la fuente y solo presenta tres terminales. El drenaje y la fuente estn formados de material tipo N unidos por un canal tambin de material tipo N. La puerta est conectada a una capa muy delgada de xido de silicio. El xido de silicio es aislante, lo que explica la alta impedancia de estos dispositivos.

Cuando la tensin de la puerta VGS = 0 V y se aplica una tensin a los terminales de drenaje y fuente, se establece una corriente IDSS similar a la del transistor JFET. Si a la puerta se le aplica una tensin negativa, esto tendr como consecuencia una disminucin

de la corriente de drenaje IDSS. Cuanto ms alta sea la tensin negativa de la puerta tanto ms se reducir la corriente de drenaje, segn se puede ver en las curvas de la figura, hasta llegar al nivel de estrechamiento con una tensin de puerta de -6 voltios

Para valores positivos de la tensin de puerta VGS , la corriente de drenaje aumentar. El espaciamiento vertical entra las curvas VGS = 0 V y VGS = +1 V en la figura 14.2 es una indicacin cara de cuanto ha aumentado la corriente de drenaje cuando cambia en un voltio la tensin de puerta. Vemos que la aplicacin de una tensin positiva a la puerta incrementa la intensidad de drenaje. Por esta razn, a esta zona de tensiones de puerta positiva se le denomina regin incremental. MOS-FET DE TIPO DECREMENTAL CANAL P.
La construccin de un transistor MOS-FET de tipo decremental de canal P es exactamente de forma inversa al de canal N, pero cambian el sustrato que es de material tipo N y el canal drenadorfuente que es de tipo P. Como consecuencia, las polaridades y direcciones de corriente tambin estn invertidas. Las caractersticas y el modo de funcionamiento son similares al tipo de canal N.

(a) Tipo decremental canal N.

b) Tipo decremental canal P

MOS-FET DE TIPO INCREMENTAL CANAL N.

La construccin del MOS-FET tipo incremental es similar a la del tipo decremental. La nica diferencia es que se suprime el canal tipo N que une las regiones de drenaje y fuente.

Si entre drenaje y fuente se la aplica una tensin, siendo la tensin de puerta VGS = 0 V, el resultado ser una ausencia de corriente entre los terminales de drenaje y fuente, debido a que existe dos regiones P-N con polarizacin inversa entre las regiones N y el sustrato P. Si se aplica una pequea tensin positiva a la puerta, respecto a la fuente, se apreciar una corriente del drenador a la fuente. Conforme la tensin de puerta VSG contine aumentando, la corriente drenador-fuente tambin aumentar. El valor de la tensin de puerta VSG del que resulta un incremento significativo de la corriente de drenaje se denomina tensin de umbral, con smbolo VT (del ingls Threshold). Puesto que al aumentar la tensin de puerta aumenta la corriente de drenaje, a este tipo de MODFET se le conoce con el nombre de incremental.

Cuando VGS se incrementa ms all de la tensin de umbral, se incrementa la intensidad de drenaje, Sin embargo, si se mantiene constante VGS y solo se aumenta la tensin VDS , la corriente de drenaje alcanzar un nivel de saturacin como ocurra en el JFET y en el MOS-FET decremental. Las curvas de la figura 14.5 indican que cuando se incrementa la tensin VGS se incrementa de VT a 8 voltios, el nivel de saturacin resultante para ID tambin aumenta de 0 mA a 10 mA. Ntese el amplio espaciamiento entre los niveles de ID cuando aumenta el nivel de VGS .

MOS-FET DE TIPO INCREMENTAL CANAL P. La construccin de un transistor MOS-FET de tipo incremental de canal P es exactamente de forma inversa al de canal N, pero cambian el sustrato que es de material tipo N y el canal drenador-fuente que es de tipo P. Como consecuencia, las polaridades y direcciones de corriente tambin estn invertidas. Las caractersticas y el modo de funcionamiento son similares al tipo de canal N. Los smbolos para este tipo de MOS-FET incremental, tanto de canal N como de canal P, son los mismos que para los de tipo decremental.

BIBLIOGRAFIA: electricosonline.com/Privado/Electronica/transistor_MOSFET.htm proyectosutj.scienceontheweb.net/MOSFEt.htm es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo