UFPI - UNIVERSIDADE FEDERAL DO PIAU CENTRO DE TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA ELETRNICA I Prof.

MARCOS ZURITA -

Agosto / 2010

Diodos Exerccios

1 PARTE TEORIA
O que um diodo? Quais as caractersticas de um diodo ideial? Como constitudo um diodo semicondutor? O que a regio de depleo? Explique seu processo de formao. O que e a que se deve a tenso de barreira? Como polarizar uma juno pn diretamente? Fisicamente, explique o que ocorre com uma juno pn reversamente polarizada (refira os portadores majoritrios e minoritrios de cada regio semicondutora e a regio de depleo). 1.8) Explique o processo de estabelecimento de corrente numa juno pn diretamente polarizada (refira os portadores majoritrios e minoritrios de cada regio semicondutora e a regio de depleo). 1.9) O que a ruptura reversa de um diodo? Que mecanismos podem origin-la? 1.10) Explique como se d a ruptura por efeito avalanche. 1.11) Explique como se d a ruptura por efeito zener. 1.12) Esboce a curva caracterstica tpica de um diodo de silcio identificando suas 3 regies de operao. 1.13) Quais as vantagens de um diodo de silcio em comparao a um de germnio? E as desvantagens? 1.14) Qual a relao da a tenso de limiar, tenso zener, e corrente reversa com a temperatura? 1.15) Quais as capacitncias encontradas numa juno pn? Explique resumidamente a origem de cada uma delas. 1.1) 1.2) 1.3) 1.4) 1.5) 1.6) 1.7)

2 PARTE CLCULOS
Resolva as questes abaixo admitindo os valores de base da pgina 3, sempre que tais dados no forem mencionados no enunciado. 2.1) Um determinado diodo pode ser aproximado por uma juno abrupta com NA = 3 1017/cm3, e ND = 1015/cm3. Determine: a) a tenso de barreira (V0); b) o valor de NA se desejarmos alterar a concentrao de tomos aceitadores para obter V0= 0,8V. 2.2) Determine a corrente que flui atravs de um diodo de silcio com IS = 50 nA e uma polarizao direta de 0,6 V 20 C. 2.3) Dado um diodo de silcio com IS = 0,1 A e uma polarizao reversa de -10 V 20 C, determine: a) A corrente atravs do diodo; b) O resultado obtido condiz com o esperado? Por qu?

2.4) Na regio de polarizao reversa, a corrente de saturao de um diodo de silcio de aproximadamente 0,1 A 20 C. Determine seu valor aproximado se a temperatura for elevada a 40 C. 2.5) Para um diodo com NA = 1017/cm3, ND = 1016/cm3, operando com T = 300 K, determine: a) A tenso de barreira (V0); b) A largura da regio de depleo (W0); c) A extenso da regio de depleo no lado p (xp0) e no lado n (xn0); d) O valor de Cj0 por m2 ; e) A capacitncia de transio CT para uma tenso de polarizao reversa de 2 V assumindo uma rea de juno de 2500 m2; Considere ni = 1,5 x 1010/cm3, m = . 2.6) Dada uma juno pn em que as regies p e n so igualmente dopadas com 1016/cm3, ni = 1010/cm3 e sua rea transversal 100 m2, VT = 25 mV. Determine: a) A tenso de barreira; b) Sem nenhuma tenso externa aplicada, qual a largura da regio de depleo, e quanto ela se estende para as regies n e p? c) A magnitude da carga armazenada em cada lado da juno; d) A capacitncia de depleo resultante. 2.7) Um diodo tem NA = 1017/cm3, ND = 1016/cm3, ni= 1,5 x 1010/cm3, Lp = 5 m, Ln = 10 m, A = 2500 m2, Dp (na regio n) = 10 cm2/Vs, e Dn (na regio p) = 18 cm2/Vs. O diodo est diretamente polarizado e conduzindo uma corrente ID = 0,1 mA. Calcule: a) IS; b) a tenso de polarizao direta VD; c) as correntes Jndif e Jpdif; d) p e n; e) a carga Qp do excesso de lacunas na regio n, a carga Qn do excesso de eltrons na regio p, a carga total Q de portadores minoritrios armazenada e o tempo mdio de trnsito T; f) a capacitncia de difuso (CD) do diodo. 2.8) Duas regies de um diodo de silcio so dopadas com concentraes de NA = 1018/cm3, ND = 1016/cm3. Calcule: a) as concentraes de portadores minoritrios em cada regio para T=300 K. b) A tenso de barreira. 2.9) Se a corrente de saturao reversa de um diodo de silcio for 10-14 A, calcule a tenso aplicada juno na temperatura ambiente (300 K) se a corrente de polarizao direta for 1,4 mA. 2.10) No circuito da Fig. 1, o diodo tem IS = 10-12 mA na 2 k temperatura ambiente (300 K). + a) calcule o valor aproximado da corrente I, supondo que a queda de tenso no diodo seja de 0,7 V. I 6V V b) calcule o valor exato de I. c) Se no diodo em questo a corrente IS dobra a cada aumento de 6 C na temperatura, recalcule o item (b) , considerando um aumento de 40 C. Fig. 1 2.11) Qual a queda de tenso direta em um diodo cujo n = 2, e conduz uma corrente de 1000 IS? Em termos de IS, qual corrente circula nomesmo diodo quando a queda de tenso direta de 0,7 V? 2.12) Um diodo com n = 1 conduz 3 mA para uma tenso de juno de 0,7V. Qual a corrente de saturao IS? Que corrente fluir neste diodo se a tenso de juno subir para 0,71 V? E

para 0,8 V? Se a tenso diminuir para 0,6 V? Que aumento de tenso na juno aumenta a corrente por um fator de 10, se a tenso inicial for de 0,6V ? Considere T = 20C. 2.13) O circuito da Fig. 2 utiliza trs diodos idnticos tendo n = 1 e IS = 10-14 A. Calcule o valor da corrente I necessria para obter uma tenso de sada Vo = 2 V. Se uma corrente de 1 mA for drenada do terminal de I sada por uma carga, qual a variao na tenso de sada? 2.14) Um projetista de um instrumento que precisa operar para uma faixa Vo ampla de tenses de alimentao, percebendo que a queda de tenso em um diodo relativamente independente da corrente da juno, considera o uso de um diodo de grandes dimenses para obter uma tenso relativamente constante. Ele emprega um diodo de potncia, para qual a queda de tenso de 0,8 V para uma uma corrente nominal de 10 A. Alm disso ele acredita que n = 2. Para a fonte de corrente que ele tem disponvel, que pode variar de 0,5 a 1,5 mA, que tenso ele deve esperar entre os terminais do diodo? Que variao na tenso ele deve esperar para uma variao de 20C? Fig. 2 2.15) Um diodo p+-n aquele em que a concentrao de dopantes na regio p muito maior que a da regio n. Nesse diodo, a corrente direta devida basicamente injeo de lacunas atravs da juno. Mostre que Dp dif 2 V /V I D I p = qAn i [e 1] Lp N D
D T

Para o caso em que ND = 5 1016/cm3, Dp = 10 cm /s, p = 0,1 s e A = 104 m2, determine IS e a tenso VD obtida quando I = 0,1 mA. Calcule tambm a carga de portadores minoritrios em excesso e o valor da capacitncia de difuso para I = 0,1 mA. 2.16) Para uma juno na qual Cj0 = 0,5 pF, V0=0,8 V e m = 1/3, determine as capacitncias para as tenses reversas de 1 e 10 V.
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Valores de base para resoluo das questes de clculo.

Tabela 1 - Propriedades de alguns semicondutores 300K Material Intrnseco B (cm-3K-1/3) Eg (eV) ni (cm-3) n (cm2/Vs) Silcio 2,48 x1031 1,1 1,5 x1010 1350 30 Germnio 4,136 x10 0,66 2,4 x1013 3900 6 Arseneto de Glio 1,42 2,15 x10 8500

p (cm2/Vs)
480 1900 400

r
11,9 16,0 13,1

q = 1,6 10-19 C k = 1,3807 10-23 J/K = 8,62 10-5 eV/K 2 Dp = 12 cm /s 2 Dn = 34 cm /s T = 300 K n=1 m=

0 = 8,85 10-14 F/cm.