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INTECAP-CG1

ELECTRONICA INDUSTRIAL
Estabilizadores de tensin con
transistores
En cargas que consumen corrientes
variables entre las centenas de mA
a decenas de amperios y que se
necesite una buena estabilizacin
de la tensin de alimentacin se
utilizan circuitos transistorizados.
El Transistor puede estar dispuesto
en serie a la carga (fig.1a) o en
paralelo a la misma (fig. 1b)
En estos circuitos el transistor debe
trabajar a lo largo de la recta de
carga en los puntos comprendidos
entre el corte y la saturacin como
el punto A de la figura 2 debe
moverse entre el punto X y el Y; en
tal
caso
el
alimentador estabilizado permite
una regulacin lineal de la tensin.


En la figura 3 se muestra la curva
ideal de un estabilizador en donde
se observa que la tensin de salida
permanece constante al aumentar
la corriente de carga IL
.
1
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Para que esto sea real es necesario
que se neutralicen todas las cusas
que puedan trasladar las
caractersticas. Tales causas Son:
1. La variacin de la tensin
continua de ingreso Vin
2. La fluctuacin de la corriente
absorbida por la carga si esta es
variable.
3. Por las variaciones de los
parmetros de los componentes
activos debido a las variaciones
trmicas.
Por lo tanto la variacin de la
tensin de salida Vo se expresa en
la siguiente frmula
T S I R V S V
T L O i V O
+ +
(1)
en donde Sv se le llama coeficiente
de estabilidad en tensin, es la
relacin entre la variacin de la
tensin de salida Vo causada por
la variacin de la tensin de
entrada
i
V
.
i
O
V
V
V
S

donde IL

y T son
constantes (2)
el trmino (3)
Donde de Vin y T son
constantes
Es la resistencia de salida Ro

del
estabilizador ,
(4)
es el coeficiente que
nos cuantifica la
variacin de la tensin de salida
causada por la temperatura.
Estabilizadores de tensin con
transistor regulador en serie
El circuito mas sencillo de un
estabilizador en serie es el de la
figura 4 en donde el transistor se
encuentra en conexin a colector
comn, que segn sea mayor o
menor la corriente pedida por la
carga se tiene una variacin de la
tensin V
CE
entre colector emisor
de tal forma de mantener
constante el valor prefijado de la
tensin de salida.
2
1
]
1

L
O
T
I
V
S
1
]
1

L
o
o
I
V
R
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La tensin de salida est expresada
en la siguiente ecuacin :
BE Z O
V V V
(5) Donde:
VZ es la tensin del diodo zener
que funge de elemento de tensin
de referencia.
VBE es la tensin entre la base y el
emisor del transistor regulador Q.
Por ejemplo supongamos que la
tensin Vo a los bornes de la carga
aumente, tal incremento
determinar una disminucin de la
tensin V
BE
; de la expresin (5) se
tiene
BE O Z
V V V +
= constante
(6)
Esto implica necesariamente que
una variacin de la Vo sigue una
variacin en sentido opuesto de la
V
BE
puesto que VZ es constante.
Tomando de nuevo el ejemplo, el
aumento de la Vo sigue un
decremento de la VBE, a esto
ltimo seguir una menor
conduccin del transistor
(disminuye la polarizacin base
emisor); que aumentar la cada de
tensin entre colector y emisor,
esto consentir a la tensin Vo de
salida permanecer constante. En
pocas palabras, el transistor se
comporta como una resistencia
variable dispuesta en seria a la
carga, cuyo valor aumenta o
disminuya respectivamente, de
manera anloga, el transistor
regulador reacciona a las
variaciones
i
V
de la tensin de
ingreso.
Ejemplo Prctico
Se requiere alimentar un circuito
que necesite una tensin de
alimentacin de 6V y una carga
variable que consume de 50mA a
500mA.
Para un ptimo funcionamiento del
circuito estabilizador es buena
3
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norma imponer que la tensin
rectificada y filtrada Vi sea de 1.2 a
2 veces la tensin Vo deseada.
Tenemos por lo tanto:
Vi= 2 X Vo = 2 X 6 = 12V ;
suponiendo que esta tensin vare
el +/-10% o sea entre el 10.8V y el
13.2 V.
Datos:
Vi= 10.8V a 13.2 V
Vo=6V
ILmin = 50mA
ILmax = 500mA
A) Seleccin del transistor
El transistor debe dar la corriente
mxima ILmax a la carga y debe
estar capacitado para disipar la
potencia:
W mA P
I V V P
Q
C o i Q
6 . 3 500 ) 6 2 . 13 (
) (
max max


(7)
max max L C
I I
El transistor se debe seleccionar de
acuerdo a:
V Vi B
mA I I
W P P
VCEO
L C
Q D
2 . 13
500
6 . 3
max max



B. Seleccin del Diodo Zener
De la expresin (6)
BE O Z
V V V +

Encontramos:
W V V
V V
z
z
1 8 . 6
7 . 6 7 . 0 6

+
Usaremos el diodo
Zener
C. Determinacin del R
B
Del manual tomamos el valor
mnimo de hFE del transistor
seleccionado y encontramos la
IBmax
) 8 ( 6 . 16
30
500
min
max
max
mA
mA
h
I
I
FE
C
B

Teniendo en cuenta el principio de


Kirchoff para la corriente aplicando
al nodo K de la figura 4 se tiene
I= IZ + IBmax (9)
Y tomando para I
Z
el valor de 5mA
como Izmin
Tenemos:
I=(5+16.6)mA 22mA
Por lo tanto:
max
min
B Z
z i
B
I I
V V
R
+

(10)
4
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220 182
22
8 . 6 8 . 10
mA
Regresando al diodo zener se debe
considerar la condicin ms grave
para el, y es cuando la carga se
desconecta en este caso la I
B
es
nula y la corriente IZmax circulante
en el diodo zener bajo tensin
mxima de ingreso Iimax es
limitada solo por la resistencia RB
.

ecc(11)
mA
R
V V
I
B
Z i
Z
1 . 29
220
8 . 6 2 . 13
max
max

EL diodo zener debe estar en grado


de disipar una potencia al menos
igual a:
P
DZ
= V
Z
x Izmax = 6.8x 29.1mA
= 0.20W
El diodo zener puede ser de 0.5W
en vez de 1W seleccionado por lo
que es muy adecuado.
D. Clculo de la resistencia de
salida Ro
De la (3)
1
]
1

L
o
o
I
V
R
con de Vin y T igual
constantes
la Ro es fcilmente calculada si
se considera que la variacin de
Vo es esencialmente debida a la
variacin de
BE
V
de la tensin
base emisor entonces la (3)
vuelve:
1
]
1

L
BE
o
I
V
R
con Vi y T constantes
o sea:
(14)


22 . 0
) 50 500 (
6 . 0 7 . 0
min max
max
mA
I I
V V
R
L L
j BE
o
(Vj = tensin de disparo de la
unin del transistor)
entonces la variacin Vo debido
a la resistencia de salida Ro es:
(15)
mV m x I R
L o
99 450 22 . 0
E. Clculo del coeficiente de
estabilidad Sv
Se considera que la variacin de Vo
coincide con la variacin de Vz
entonces la (2) se transforma en:
5
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i
O
V
V
V
S

IL

y T son constantes
n V
V
S
i
Z
V

IL

y T son constantes
Por otra parte la resistencia
equivalente de la etapa
estabilizadora vista de los bornes
de ingreso es:
z i
z i
eq
r R
r R
R
+

siendo Ri de una etapa seguidor de


emisor esta es muy alta por lo que
Req aproximadamente rz.
La Req es aproximadamente la
resistencia diferencial del zener
entonces:
(16)
B z
z
i Z
R r
r
V V
+

en este ltimo anlisis dividiendo el
primer y segundo trmino entre la
variaciones de Vi se tiene:
B z
z
i
Z
V
R r
r
V
V
S
+

(17)
De la (17) se ve que para disminuir
el valor del coeficiente de
estabilidad Sv es necesario
aumentar el valor de la resistencia
RB, dentro de ciertos lmites, pues
si es demasiado alta pondra el
zener fuera de la zona de trabajo,
Inutilizando as el estabilizador.
Para aumentar dicha resistencia se
puede aumentar la tensin de
ingreso Vi.
Continuado el ejemplo:
supongamos una rz

= 15
tenemos para S
V
064 . 0
220 15
15

B z
z
V
R r
r
S
y con la (16) nos da una
Z o
V V

igual a:
mV
S V V
V i o
154 064 . 0 ) 8 . 10 2 . 13 (

Consider
ando la temperatura constante la
variacin total es:
mV m m
I R V S V
L o in V o
253 99 154 +
+
esta es la variacin terica de la
tensin de salida
o
V
con una
tensin de ingreso variable y una
carga tambin variable.
Para corrientes mayores al amperio
se prefiere utilizar la conexin
Darlinton para el transistor serie,
con esto se logra una corriente de
base IB1 mucho menor que con un
solo transistor. A continuacin un
6
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ejemplo de estabilizador en
conexin Darlinton. Fig 5
Fig.5
Ejemplo proyector un circuito
estabilizador para alimentar una
carga variable de 300mA a 1A con
una alimentacin de 12v y una
tensin de ingreso de 18V a 24V.
Datos:
Vin=18 a 24 voltios
Vo= 12V
IL = 300mA a 1A
Vin=6V

IL
= 700mA
Solucin:
1. Seleccionar el transistor Q2
(potencia)
PQ2= (Vinmax Vo)ILmax= (24 -
12) x 1 = 24W
Se escoge un transistor con las
siguientes caractersticas:
P
D
>12W
ICmax>1A
VCEO >24V
utilizando el 2N3055 (ECG130)
P
D
=115W
I
Cmax
=15A
V
CEO
=60V
h
FEmin
=30
h
FE
= 45
2. Ahora calculemos la
corriente de base de Q2
mA
h
I
I
FE
L
B
34
30
1
min
max
max 2

y escogemos el transistor Q
1
con IC1 = IB2

= 34mA
P
Q1
=(Vinmax-VOUT)I
C1
=(Vinmax-
VOUT)IB2

= (24-12) 34m= 0.41W
PD1

> 0.5W
ICmax

> 34mA
Utilizando el BC141 (ecg128)
PD

= 1W
7
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ICmax

= 1A
VCEO

= 80V
hFemin

= 90min.
para IB1 tenemos
A
m
h
I
I
FE
C
B
380
90
34
min
max 1
max 1

3. Se escoge el diodo zener
V
V V V V
O BE BE z
3 . 13 12 7 . 0 65 . 0
2 1
+ +
+ +
Por lo que se puede utilizar dos
diodos de 6.8V en serie (segn
figura 5)
4. Clculo de la resistencia R
B
1 min
min
B Z
z i
B
I I
V V
R
+

820 817
38 . 0 5
6 . 13 18
m m
R
B
5. Verificacin
( )
W m
I V V P
C out in Q
4 . 0 34 ) 12 24 (
1
max 1


mA
R
V V
I
B
Z i
Z
7 . 12
820
3 . 13 24
max
max

W m
I V P
Z Z DZ
17 . 0 7 . 12 3 . 13
max

W W P
DZ
17 . 0 5 . 0
El amplificador de error en las
etapas estabilizadoras
En las etapas estabilizadoras hasta
aqu analizadas se ha visto en
particular que, las posibles
fluctuaciones de la tensin VZ del
diodo zener y la tensin VBE
causadas por las variaciones
trmicas, la tensin de salida no
presenta ninguna posibilidad de
estabilizacin ya que sta depende
de la tensin de referencia dada por
el diodo zener.
Otra desventaja de los circuitos
anteriores es la resistencia interna
que es relativamente muy grande
que hace variar la tensin de salida
al variar la carga.
8
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Para evitar todo esto se utiliza un
circuito particular como el de la fig.
6 en la cual notamos respecto a la
disposicin circuital ya estudiadas
la agregacin de la etapa
amplificadora en continua y un
potencimetro RV que sirve para
ajustar la tensin de salida Vo al
valor deseado, mientras el
amplificador en continua detecta
instante por instante la fluctuacin
de la tensin de salida dada por la
diferencia entre la tensin mVout
de la tensin A-A y la tensin V
Z
de
referencia.
Fig.6
Esta diferencia (mVo VZ) viene
amplificada y transmitida a la base
del transistor en serie cuya
conduccin aumenta o disminuye a
modo de regresar al valor inicial
prefijada la tensin de salida.
Al funcionamiento del circuito es
fsicamente ms comprensible si se
hace referencia al esquema de la
Fig 7, en el cual el elemento de
comparacin o tambin llamado
amplificador de error es el
transistor Q2. Si por ejemplo la
tensin Vo se incrementa seguir
un aumento de la polarizacin
directa de la unin base emisor
del transistor Q2; en incremento de
tal polarizacin directa causa ahora
una mayor conduccin del
transistor Q2, consecuentemente
incrementa la cada de tensin a
los bornes de RB. Esto hace que la
base del transistor Q1 (punto K) se
haga menos positiva y esto causar
una menor conduccin del mismo
Q1, o sea una mayor cada de
tensin VCE1 entre colector
emisor tal de regresar al valor
inicial la tensin de salida Vo.
9
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En otras palabras la polarizacin
directa de la unin base-emisor del
transistor Q1 aumenta o disminuye
segn que respectivamente,
disminuya o aumente la
polarizacin directa de la unin
base emisor del transistor Q2; y un
aumento o una disminucin de esta
ltima es causado,
respectivamente de un aumento de
una disminucin de la tensin a los
bornes de salida.
Con referencia a la malla de salida
de la figura7 la tensin de salida Vo
est dada por la suma de tensiones
presentes entre el punto N y el
punto M o sea:
(1)
X BE Z O
V V V V + +
2
Pero siendo:
2 1
1
R R
R V
V
O
X
+

La expresin (1) es:


2 1
1
2
R R
R V
V V V
O
BE Z O
+
+ +
Al final tenemos
[ ]
1
]
1

+ +
2
1
2
1
R
R
V V V
BE Z O
esta ltima demuestra como es
posible variar la tensin de salida
Vo simplemente variado la relacin
de
2
1
R
R
.
ejemplo: proyectar un estabilizador
de tal modo de dar una tensin de
salida variable de (8 a 24) V y una
corriente mxima de salida de
1Amperio segn fig. 8
Procedimiento:
10
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1. se escoge la tensin de
ingreso:
V V V V
OMAX IN
30 29 24 2 . 1 2 . 1
2. Se elige el transistor Q1
W
I V V P
L out in Q
22 1 ) 8 30 (
) (
max min max 1


Se escoge Q1 por ejemplo de
2N3055 con un hFE=30
mA
h
I
I I
FE
C
B c
34
30
1
min
1
1 2


W mA
I V V P
C out in Q
75 . 0 34 ) 8 30 (
) (
2 min max 2


3. Seleccionando el transistor
Q2 como el BC141; con un
hFE de 90, PD=1W, IC=1A
mA
m
h
I
I
FE
C
B
38 . 0
90
34
min 2
2
2

4. Se elige el diodo zener de


6.8V imponiendo una
corriente de 10mA .
mA I e mA I
I I I
C RZ
C RZ Z
8 2
;
3
3

+
Encontrando RZ

680 600
2
8 . 6 8
min
mA
I
V V
R
RZ
z out
Z
5. Seleccionando el transistor
Q3
:
W mA I V P
V V V V
C CE Q
Z in CE
18 . 0 8 2 . 23
3 . 23 8 . 6 30
3 3
max



escogeremos el transistor
BC141
mA I I I
K
mA
I
V V V V
R
B C
BE BE out in
B
38 . 8 38 . 0 8
47 . 2
38 . 8
7 . 0 65 . 0 8 30
2 3
2 1
+ +

6. Clculo del divisor de salida


mA I I
A
mA
h
I
I
B V
FE
C
B
9 . 8 89 100 100
89
90
8
3
min 3
3
3

K
m I
V
R
V
O
V
7 . 2
9 . 8
24
max


898
9 . 8
8
9 . 8
2
2
m m
V
R
I R V
P
V P
11
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V V
V V V
Z BE P
8 45 . 7 8 . 6 65 . 0
3
+
+
Se utilizar un trimer de 1K
como R
2


+
300 5 . 1
800 , 1 900 700 , 2
1
2 1
R K R
R R R R
P
V p
( )

,
_

+
+ +
2
1
3 1 min
1
R R
R
V V V
p
BE Z out


( ) V
m
38 . 8
8 . 1
300
1 65 . 0 8 . 6

,
_

+ +
Retocando R
1
a un valor inferior.
( )

,
_

+
+ +
2
1
max
1 65 . 0 8 . 6
R R
R
V
p
o
V 35 . 22
900
1500 300
1 45 . 7

,
_

+
+
Retocar el trimer R
2
para obtener
24V.
La desventaja de los alimentadores
con transistores es la limitacin de
la corriente cuando se sobrecargue
o se cortocircuiten las terminales
de salida; debido a que el transistor
debe disipar una potencia muchas
veces mayor que la nominal,
destruyndose as el transistor.
Poner un fusible no es la solucin
ideal pues la constante de tiempo
trmica del fusible es mucho ms
grande que la del transistor.
Es necesario por lo tanto un
sistema de proteccin electrnica
que proteja al transistor serie y que
retorne a su norma1
funcionamiento una vez eliminada
la sobrecarga o cortocircuito.
Entre las protecciones ms
utilizadas tenemos:
Proteccin con limitacin de
corriente.
Limitacin de corriente con
FOLDBACK.
Proteccin de tipo shut-down
PROTECCIN CON LIMITACIN
DE CORRIENTE.
12
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La figura 1 presenta la
caracterstica de regulacin e
intervencin de la limitacin de la
corriente.
Un sistema de proteccin con
limitacin de corriente es el de la
figura 2, en donde el sistema esta
formado por dos o ms diodos en
serie (D
1
, D
2
) y una resistencia Rp
en serie a la carga con valores del
dcimo de ohm a varios ohmios.
Los diodos D1 y D2 no conducen en
rgimen de normal funcionamiento,
pasando a conduccin para un
cierto valor de cada de tensin de
RP provocada por la corriente de la
carga I
L
(condicin de sobrecarga o
cortocircuito). Los diodos
provocan una menor conduccin de
corriente a travs de la base de Q
2

mismo que controla la corriente de
base de Q
1
hacindolo conducir
menos, limitando as la corriente
I
L
.
La corriente mxima I
Lmax
de
intervencin esta dada por la
siguiente relacin:
P
BE j
L
R
V V
I

max
( ) ( )
max
2 1 2 1
L
BE BE j j
P
I
V V V V
P
+ +

Donde: Vj = Tensin de disparo del
diodo.
VBE = Tensin entre base-emisor
Un circuito anlogo al anterior es el
de la figura 3 en donde se han
substituido los diodos por el
transistor Q3.
13
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Cuando la cada de tensin
provocada por la IL a los bornes de
la RP supera el valor de disparo de
la tensin base-emisor del
transistor Q3 (0.6 a 0.7 para el Si,
a 0.2 para el Ge), ste entra en
conduccin y deriva hacia la carga
una parte de MIB2 de la corriente
de base de Q2 que hace conducir
menos a Q1 que a su vez limita la IL
a la carga.
El clculo de la RP se sigue
mediante la expresin:
max
3
L
BE
I
V
RP
Suponiendo el Q3 de silicio, VBE3 =
0.7V y se desea una limitacin de
corriente ILmax = 2A el valor de RP
ser:
35 . 0
2
7 . 0
P
R
y deber disipar una potencia:
W
I R P
L P RP
5 . 1 4 35 . 0
2
max


Otro circuito de proteccin de
limitacin es el de figura 4, donde
el transistor Q3 debe tener
caractersticas iguales a Q1, la
resistencia R1 debe ser adecuada
de modo que sature al transistor
Q3.
La resistencia RP debe hacer entrar
en conduccin al diodo D1 que
derivar parte de la corriente de IB3
hacindolo conducir menos
limitando la corriente IL.
El valor de Rp ser:
max
3 1
L
BE j
P
I
V V
R

LIMITACIN DE CORRIENTE CON


FOLDBACK
El sistema de proteccin con
FOLDBACK que presenta su
caracterstica en la figura 5, se
observa que disminuye la corriente
suministrada conforme disminuye
la tensin de salida Vo.
14
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En el caso de un cortocircuito neto,
la tensin de salida va a cero y la
corriente no se mantiene al valor
ILmax, como en el sistema a simple
limitacin, sino que llega a un valor
ICC notablemente inferior a ILmax.
Un circuito que realiza esta
proteccin se muestra en la figura
6. El transistor Q3 est colocado
como en la figura 3, pero la base
esta polarizada adems de la RP
con un divisor R1 R2.
Analizamos el comportamiento de
este circuito con la hiptesis,
siempre legal de que la tensin
VBE3 se mantenga constante. Se
tiene entonces:

1 3 R RP BE
V V V
constante
Si la tensin Vout de salida,
disminuye por una sobrecarga,
disminuye tambin la cada de
tensin VR1 proporcional a Vout.
De la expresin anterior siendo VBE
= constante entonces la tensin en
VRP debe tambin disminuir para
mantener dicha relacin:
Siendo:
VRP =RP x IL que disminuya VRP
debe bajar la corriente IL
Se puede entonces observar que
una vez iniciada la limitacin o
intervencin de la proteccin por
un exceso de la corriente absorbida
por la carga, al disminuir la tensin
de salida Vout
contemporneamente decrece la
corriente IL , para Vout = O se
tiene:
max L CC L
I I I
15
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donde ILmax es el valor de corriente
cuando inicia 1a limitacin.
A continuacin las frmulas tiles
para proyectar el circuito de
proteccin anterior.
CC
L
BE
out
CC
out
P
I
I
V
V
I
V
R
max
3
1

,
_

P CC
BE
R I
V
R R
R

+
3
2 1
2
+ K a R R 30 10
2 1
Para tensiones Vo , muy bajas las
relaciones de foldback
CC
L
I
I
max
no
debe ser mayor de 2:1 3:1.
PROTECCIN DE TIPO SHUT-
DOWN
Esta proteccin se diferencia de las
anteriores porque en caso de
sobrecarga, la etapa estabi1izadora
queda completamente inactiva y
para volver a su correcto
funcionamiento puede hacerse
accionando un comando externo de
RESET y no simplemente
removiendo la causa del
cortocircuito.
La figura 7 muestra un circuito con
esta proteccin en la cual la
resistencia RP, se coloca entre el
gate y el ctodo de un SCR
(rectificador de silicio controlado).
Cuando hay una sobrecarga entra a
funcionar el SCR polarizando
directamente el diodo D1 , no
conductivo en funcionamiento
normal, anula la polarizacin del
transistor DRIVER-Q2 el corte de
este transistor pone en OFF al
transistor serie Q1.
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INTECAP-CG1
ELECTRONICA INDUSTRIAL
La intervencin de la proteccin, se
nota al encender un diodo LED o
una lmpara comn, mantendr
nula la tensin de salida.
El estabilizador podr restablecerse
nicamente accionando el pulsador
P que pondr en OFF al SCR y
desbloquea el estabilizador.
Teniendo en cuenta que el
encendido del SCR se tiene para
tensiones comprendidas entre 0.5V
a 1 V se calcula la RP con la
siguiente expresin:
max L
GT
P
I
V
R

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