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Prctica # 5: El Diodo
Pablo Hidalgo phidalgom@est.ups.edu.ec Universidad Politecnica Salesiana
ResumenEn esta prctica analizamos funcin de transferencia que se tiene con diferentes circuitos y conocemos el desfase de la curva caracterstica del diodo por la temperatura que se le calienta el ctodo variando la curva hasta quemarse totalmente viendo la polaridad del diodo haber si conduce o no conduce Voltaje ya que esto se daria en diodo de silicio , en los circuitos con el diodo zenner se ve la polaridad indirecta par tomar el volatje zenner .
circuito electrnico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio.
I. I NTRODUCCIN En la prctica siguiente se e tiene diferentes circuitos los cuales se analiza las funciones de transferencia de cada uno de los circuitos y se lo verica en el osciloscopio y la curva caracterstica del diodo cambia segn la temperatura que se encuentre expuesta el diodoy nos damos cuenta de la curva caracterisitica de los circuitos con polarizacion directa e indirecta . II. O BJETIVO G ENERAL Obtain diode characteristic curve III. O BJETIVO E SPECIFICO
Figure 1.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera de potencial. Esta barrera o unin se la rompe aplicndole la energa de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.7 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Obtain diode characteristic curve on the oscilloscope silicon. varying the temperature al least three temperature values.Explain what happened. Get the Zener diode characteristic cuerve by doing the same process as mentioned above and explain what happened. Check Vo and get the transfer function of the following circuits wiyh diodes. When necesary congure entry Vp > E IV. M ATERIALES
Lista de Materiales Osciloscopio Generador de Funciones Proto Board 2 Sondas Diodos de Silicio Diodos Zenner (5V, 3V ) Resistencias 1K Fuente de Alimentacion Continua Table I M ATERIALES
P RINCIPIO DE F UNCIONAMIENTO DEL D IODO El semiconductor tipo N tiene electrones libres por el (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres por la (ausencia o falta de electrones). Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones uyen a travs del material P mas all de los lmites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al lado del material N y los huecos uyen a travs del material N. En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente . El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:
Polaraizacin Directa V. M ARCO T EORICO D IODO El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar, prcticamente en cualquier Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la echa (la del diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.
Figure 2.
Polaraizacin Inversa
Figure 5. Curva Caracteristica del Diodo
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la echa (la echa del diodo), o se del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto.
De donde: Corriente mxima (Imax ):: Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que depende de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, vara sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ):: Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco. Depende de la temperatura del material, y se admite que se duplica por cada incremento de 10 de la temperatura. Tensin de ruptura (Vr ): : Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, del orden de 5 V, el diodo comienza a conducir tambin en polarizacin inversa. Los diodos tienen muchas aplicaciones, pero una de la ms comunes y en la que centramos el estudio, es el proceso de conversin de corriente alterna (C.A.) a corriente continua (C.C.) a este tipo de proceso lo llamamos raticacin. Por esta razn el diodo es muy utilizado como recticador. VI. D ESARROLLO DE LA P RCTICA C IRCUITO 1
Figure 3.
Figure 4.
Figure 6.
Circuito 1
F ORMA DE ONDA
T EMPERATURA 66C
Figure 11.
Circuito 2
Figure 8.
T EMPERATURA 30C
Figure 12. Forma de Onda del Circuito 2
Figure 9.
Figure 13.
C IRCUITO 3
Figure 14.
Circuito 3
Figure 18.
C IRCUITO 5
Figure 16.
Figure 20.
Circuito 5
C IRCUITO 4
Figure 17.
Cicuito 4
Figure 21.
C IRCUITO 7
Circuito 7
C IRCUITO 6
Figure 23.
Circuito 6
Figure 27.
Figure 24.
C IRCUITO 8
Figure 25.
Figure 29.
Cicuito 8
Figure 30.
Figure 34.
Figure 35.
Cicuito 1
Figure 31.
F ORMA DE ONDA
C IRCUITO 9
Figure 32.
Circuito 9
Figure 36.
T EMPERATURA AMBIENTE
Figure 33.
Figure 37.
T EMPERATURA 30C
R EFERENCES
[1] http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina3.htm [2] http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo [3] Libro: Electrnica de Boylestad Tema: Materiales Semiconductores
T EMPERATURA 66C
Figure 40.
Figure 39.
VII. A NALISIS DE LA P RCTICA Al tener los resultados medidos es decir las formas de onda del circuito de entrada y salida y la funcion de transferencia de cada uno de los circuitos comparando con las simulaciones son casi iguales en donde solo varia las formas de onda del voltaje de salida , explicando la funcion de transferencia del circuito que se varia la temperatura esto se reeja lo cual el diodo va a conducir de manera mas rapida a manera de que se va elevando su temperatura, explicando lo del diodo zenner esto signica que el voltaje del diodo va a ser el de ruptura en polariacin indirecta y en polarizacin directa 0.7 voltios. VIII. C ONCLUSIONES
Figure 41.
Con esta prctica conocemos la funcin de transferencia que se puede tener con las diferentes condiciones de los diodos en los circuitos. Se puede calcula la funcin de transferencia que puede tener cada circuito y poder vericarlo con el osciloscopio. This practice teaches us graphs that can have the diode as the temperature according to the data required to apply them in different areas of our career. Si el voltaje de ingreso de un circuito que contenga diodos es menor que el voltaje del diodo (0.7v) el voltaje de salida del circuito siempre va a ser 0. En los diodos cuando esta en polarizacion directa el conductor del diodo de silcio va a ser de 0.7v y cuando el diodo este en polariozacion inversa no va a conducir corriente va a ser circuito abierto.
C IRUITO 2
Figure 42.
C IRUITO 4
Figure 43.
Figure 46.
C IRUITO 3
Figure 44.
Forma de Onda del Circuito 3 Figure 47. Simulacin de la Funcin de Transferencia del circuito 4
C IRUITO 5
Figure 45.
Figure 48.
C IRUITO 7
Figure 49.
Figure 52.
C IRUITO 6
Figure 50.
Forma de Onda del Circuito 6 Figure 53. Simulacin de la Funcin de Transferencia del Circuito 7
C IRUITO 8
Figure 51.
Figure 54.
10
C IRUITO 10
Figure 58.
Figure 55.
C IRUITO 9
Figure 59.
Figure 56.
Figure 57.