Dossier

MA TRIAUX POUR LA CONVERSION DE LNERGIE LECTRIQUE

OUR contribuer au dveloppement de systmes de conversion plus performants via une meilleure connaissance et une meilleure utilisation des matriaux constitutifs un GT a t cr, voici plus de deux ans, au sein dEcrin-lectronique de puissance / Conversion de lnergie. Il va de soi que cet objectif est loin davoir t atteint dans un aussi court dlai mais certains points trs intressants ont dores et dj pu tre abords. Deux grandes familles de matriaux, autres que les semiconducteurs ont t envisages : les matriaux magntiques et les matriaux dilectriques.

Dilectriques et systmes disolation

Comme on le sait, aucun systme ou dispositif de llectronique de puissance ou de llectrotechnique ne saurait fonctionner sans que des isolants ou des dilectriques ne soient utiliss. En lectronique de puissance, on rencontre ces matriaux soit dans les composants passifs, pour lesquels il sagit plutt dexploiter les proprits dilectriques de la matire, soit en tant quisolation, comme cest le cas des substrats mtalliques isols ou des encapsulations. En lectrotechnique cest principalement la fonction isolation de parties portes des potentiels diffrents qui est recherche. Quel que soit le domaine, laug-

mentation des contraintes tension, temprature, puissance pousse au dveloppement de nouvelles topologies et / ou structures de conversion, de nouveaux challenges technologiques, de nouveaux procds de mise en uvre, et par suite de nouveaux matriaux tout en garantissant une fiabilit, une processabilit et un cot au moins aussi bons que ceux des technologies actuelles. Or, force est de constater que trs peu dinformations sont disponibles concernant les mthodes de mise en uvre des matriaux et de leur comportement long terme sous ce type de contraintes. Ceci est particulirement vrai pour les dilectriques sous haute temprature et sous trs fort champ lectrique (surtout lorsque celui-ci nest pas sinusodal). Il est ainsi clairement ressorti de nos discussions que dans le cas des dispositifs de llectronique de puissance, et pour un certain nombre dapplications, dautres matriaux semi-conducteurs que le silicium puissent tre utiliss dans un futur proche, particulirement les matriaux grand gap tels que SiC, les composs III-N, le diamant, etc. Ces matriaux ne trouvent leur spcificit que dans les limites ultimes dans lesquelles on peut les pousser : tension, temprature, frquence. Une telle dmarche nest pas sans rpercussion pour les matriaux qui nous concernent : il faut en effet envisager un environnement qui soit

spcifique ces nouveaux composants, permettant leur fonctionnement optimal. Concernant la haute temprature, la fonctionnalit de matriaux isolants dans une gamme de temprature dpassant 200 C (la gamme intressante d'tude pouvant stendre dans certains cas jusqu' 400 C !) est un problme nouveau tudier. La ralisation de dispositifs utilisant ce type de composants passe par lutilisation de substrats isolants qui doivent prsenter, en plus de leurs excellentes proprits mcaniques, deux proprits importantes : une trs bonne conductivit thermique et une excellente tenue dilectrique. Compte tenu des puissances extraire, et pour le premier paramtre un niveau de lordre du kW/cm2 est un objectif envisageable moyen terme. Les matriaux de substrat devront donc avoir, soit des proprits exceptionnelles, soit tre utiliss dans des structures dun nouveau type. Actuellement, et pour les matriaux envisags, les conductivits thermiques varient entre 10 et 200 W/m.K (voire de plusieurs centaines de W/mK pour le diamant synthtique) et un champ de rupture de l'ordre de 10 kV/mm. Dautres matriaux et / ou de nouvelles structures devront vraisemblablement tre recherchs. Nous avons rsum dans le tableau 1 les principales grandeurs relatives ces matriaux et les valeurs fournies par la littrature.

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La revue trimestrielle du rseau Ecrin - n62 - janvier 2006

Matriaux pour la conversion de lnergie lectrique

MATERIAL

DIELECTRIC STRENGTH en kV/mm

RESISTIVITY ? .m

C.T.E 10-6.K -1

THERMAL CONDUCVITY W/m.K

180 (@ 25C)

SiC Diamond (CVD) Borum Nitride (BN) Silicon Nitride (Si 3N4) AlN Alumina Bromellite (BeO) Periclase (MgO) Silicon Oxide SiO2 Cordierite ( =1,8g/m) (2MgO 2Al 2O35SiO2) Mullite (3Al 2O32SiO2)

300 (40) 61- 388 12 25 16 9,5-13,8 8,5 -11 25-40 10-18 7,8

105 1014 (@ 25C)

1,7x 1011(@ 25C) 2,3x 108(@ 480C)

4 20 (@ 500C) 0,8 (?) 10-12 (//c) 0,6-0,8 (//a) 2,11-3,9 25 (@ 500C) 4,2 6,2 2,4-12 4-10 0,5-20 1,5 25 (@ 800C) 5 25 (@ 800C)

1500 (>300) 28 (//c) (@ 300C) 15 (//a) (@ 300C) 30 (@ 25C) - (@ 127C) 10-33 17 (200-750C) 200 (@ 25C) 25-39 230 (@ 25C) 37,7 (@ 25C) 33 (@ 100C) 2 (@ 25C) 2-3 28 (@ 25C)

>

1011

2x 109- 1011 > 1014 > 1015 (@ 25C) > 1013 (@ 300C) 1.3x 1013(@ 25C) 1016 1014 (@ 25C) 3x 107 (@ 300C) > 1014 (@ 25C) 1010 (@ 300C)

Tableau 1 : Rsum des principales grandeurs caractristiques des substrats isolants.

Paralllement le dveloppement de lintgration hybride et plus particulirement des composants passifs, dont la philosophie gnrale consiste en une mutualisation de lespace disponible vis--vis des nergies dorigine lectrique et magntique, ou tout au moins en une limination des zones de faible nergie volumique conduit loptimisation des proprits des matriaux permettant de dterminer un optimum global de fonctionnement. Dans ce domaine en plein dveloppement, les matriaux de choix sont les cramiques. L'engouement quils suscitent est principalement associ aux possibilits d'obtenir des proprits lectriques souvent remarquables (permittivits leves, champ de rupture correct, bonne conductivit thermique) et d'autre part la possibilit de les utiliser dans des

domaines de frquence ou des gammes de tempratures desquels les polymres sont gnralement exclus. Les travaux concernent donc le contrle de leurs proprits en relation avec leur structure mais aussi des procds de leur mise en forme en vue dune fabrication collective. Enfin un important travail de modlisation des proprits mutuelles est en cours dans de nombreux laboratoires franais. En lectrotechnique, des applications de plus en plus nombreuses ncessitent l'utilisation de matriaux dans des rgimes de tempratures extrmes, que ce soit de manire accidentelle, ou dans le cadre normal de leur fonctionnement. Cest le cas des machines tournantes basse tension, utilises par exemple dans les extracteurs dair des tunnels ou des parkings souterrains qui

doivent non seulement fonctionner la temprature de leur classe (c'est-dire admettre lexistence dun point chaud une temprature gale celle de la classe plus 45C !) mais aussi et surtout pouvoir encore travailler au moins une heure 400C en cas daccident. On imagine sans mal les contraintes en termes de dimensionnement, de dure de vie et de fiabilit quun tel cahier des charges peut induire. De manire gnrale, lvolution de lensemble des proprits (lectriques, mcaniques et physico-chimiques) des isolations organiques pour des tempratures suprieures 200C est encore assez mal connue. Ceci est encore plus vrai lors du couplage de contraintes (lectriques / thermiques). Des travaux dans ce domaine doivent donc tre initis et soutenus.

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Matriaux magntiques doux

Dans les conditions dont nous venons de parler, en particulier quand la temprature est leve, les matriaux magntiques classiques ne sont pas toujours utilisables ou performants. Les attentes dans le secteur des transports peuvent donc tre rsumes en trois points : - augmentation des tempratures de fonctionnement des matriaux magntiques, - amlioration des performances cots constants, - baisse des cots performances constantes. Pour les machines lectriques de petite puissance et de grande srie (lectromnager, automobile), le principal critre reste la simplicit de fabrication, les proprits des matriaux restant secondaires. Cependant, l'lvation de la puissance unitaire commence rendre plus importants les problmes de rendement. Le fer-silicium grain non-orients (FeSi-NO, 3 < Si < 4% de la masse) pourrait permettre de rsoudre ce problme, mais son cot d'achat et de mise en oeuvre ( cause de sa duret) est trop lev. Les fabricants d'aciers magntiques s'orientent aujourd'hui vers la production d'aciers pauvres en Si (~1%) texture cristallographique dans le plan. Des tles de grade M300-50 (3 W/kg 50 Hz 1,5 T - 0,5 mm d'paisseur) peuvent tre produites des prix trs comptitifs. Il est aussi possible de fabriquer des pices magntiques base de poudre de fer, qui grce des liants spciaux, peuvent tre suffisamment compactes pour rduire l'entrefer rparti en conservant l'isolation entre les grains. Comme la permabilit reste limite des valeurs de l'ordre de 500 et que les pertes sont environ 20% suprieures celles de tles

FeSi, il est indispensable d'adapter la conception des systmes en tirant parti de l'isotropie magntique dans les trois dimensions et de la possibilit d'augmenter le facteur foisonnement global (jusqu' prs de 80% alors qu'il est difficile de dpasser 40% avec les tles). Pour les machines et les transformateurs embarqus et / ou haute temprature, il existe aujourd'hui des alternatives aux dispendieux alliages Fe49Co49V2. En effet, le contrle de texture cristallographique a permis d'amliorer notablement la permabilit de l'alliage Fe 82Co 18 de sorte qu'il devient concurrent du prcdent sur le plan des proprits tout en tant beaucoup moins cher l'achat (moins de Co) et la mise en oeuvre (moins dur). En lectronique de puissance, les matriaux magntiques nanocristallins deviennent incontournables dans les convertisseurs dcoupage ds que la puissance excde 10 kW ou que la temprature dpasse 120C. Il est aujourd'hui possible avec ces matriaux de faire des composants, inductances ou transformateurs, de grande puissance. La temprature de fonctionnement peut dpasser 200C sans altration des performances alors que les ferrites de puissance sont gnralement pratiquement paramagntiques. Si la frquence de fonctionnement est infrieure 100 kHz, il est possible de gagner sur le volume ou les pertes du composant par rapport un ferrite de puissance (facteur 2 5). En revanche, ces composants ne sont pas bien adapts l'intgration de puissance car ils sont constitus de rubans enrouls. Pour les convertisseurs haute frquence (> 1MHz), une nouvelle famille de ferrite (NiZnCu) pourrait supplanter prochainement les MnZn

haute frquence : en plus de ces pertes trs faibles lies une trs grande rsistivit, ils sont facilement intgrables car leur temprature de frittage (900C) est compatible avec la srigraphie de conducteurs en argent. Nous voyons donc que le panorama des matriaux magntiques doux est relativement large et que de nouveaux produits ont encore vu le jour rcemment pour mieux rpondre aux contraintes de l'lectrotechnique et de l'lectronique de puissance de demain. Il est certain qu'en fonction de la demande ces produits vont encore voluer car il reste des marges de progrs : - En matire de temprature, les ferrites de puissance pourront probablement dpasser 160C et les nanocristallins 350C voire 500C si la stabilit structurale est garantie. - En matire de frquence, les ferrites NiZnCu se dvelopperont pour les alimentations dcoupage si la tendance travailler au-del du MHz se confirme. - En matire d'induction, les tles faible taux de cobalt (18%) peuvent progresser et, terme, rejoindre les FeCo49V2 classiques. Ces nouveaux matriaux, s'ils apportent en gnral de meilleures performances (voir tableau 2), cotent nettement plus cher que ceux qu'ils devront remplacer. C'est pourquoi certains matriaux comme les amorphes ne se sont pas autant dvelopps qu'ils l'auraient mrit. Cependant, avec la trs forte augmentation du prix du ptrole (et par rebond de l'nergie en gnral) devrait prochainement favoriser l'mergence des matriaux hautes performances.

En conclusion, un travail important reste faire. Il concerne tout dabord ltat de l'art des contraintes actuelles, de ce qu'elles

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Js (T) FeSi NO FeSi HiB Fe bas Si FeCo49V2 FeCo18 Poudre de Fe Nanocristallin MnZn puissance MnZn HF NiZnCu 2,12 2,12 2,17 2,38 2,30 2,10 1,25 0,55 0,55 0,34

B (T)

800 A/m max 50 Hz Pertes (W/kg) 1,40 1,90 9 000 50 000 2,3 0,8 3 2,00 1,80 0,50 1,25 0,50 0,40 0,30 70 000 7 500 500 800 000 5 000 4 000 1 000 14 14 36 55 20 2

conditions

1,5 T 50 Hz

0,2 T 50 kHz 25 mT 1,5 MHz

Tableau 2 : Polarisation saturation (Js), induction 800 A/m, permabilit maximale et pertes pour trois classes d'applications (meilleures valeurs pour une famille de matriaux).

pourraient tre demain, de l'adquation des matriaux actuels ces contraintes et des verrous technologiques lever dans le futur. Paralllement, les couplages temprature / frquence devront aussi tre tudis. Cest en ce sens que doivent se poursuivre les travaux dans ce domaine car de la matrise des proprits de ces matriaux et de leur volution sous

contraintes dpend fortement le dveloppement des applications futures.

Thierry Lebey Laboratoire de Gnie lectrique de Toulouse et Frdric Mazaleyrat Satie, ENS de Cachan

En complment de ce dossier vous trouverez une synthse documentaire ralise par lInist cette adresse : http://www.inist.fr/ecrin

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