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UNIVERSIDADE DE SO PAULO

INSTITUTO DE FSICA DE SO CARLOS





PROPRIEDADES ELTRICAS E PTICAS DE JUNES
P-I-N DE MATERIAIS SEMICONDUTORES III-V SOBRE
SUBSTRATOS DE GaAs ORIENTADOS NAS DIREES
[311]A e [211]A



Rodrigo Marques de Oliveira








ORIENTADOR: Prof. Dr. Euclydes Marega Junior


SO CARLOS
2003
Dissertao apresentada ao Instituto de
Fsica de So Carlos, da Universidade
de So Paulo, para obteno do ttulo de
Mestre em Cincias: Fsica Aplicada
Oliveira, Rodrigo Marques de
Propriedades eltricas e pticas de junes p-i-n de ma-
teriais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados
nas direes [311]A e [211]A/ Rodrigo Marques de Oliveira.
So Carlos, 2003.
90 p.

Dissertao (Mestrado) Instituto de Fsica de So
Carlos, 2003.

Orientador: Prof. Dr. Euclydes Marega Junior

1. Dispositivos semicondutores. 2. Junes p-i-n. 3.
Heteroestrutura GaAs/AlGaAs. l. Ttulo


ii


























Dedico esta dissertao minha famlia
e aos meus amigos, por todo carinho e
apoio.


iii


AGRADECIMENTOS
Ao Prof. Dr. Euclydes Marega Junior pela orientao e amizade.
Aos meus pais Anides e Neli e aos meus irmos Evandro e Fabrcio pela vibra-
o, amor, carinho e apoio incondicionais.
pequena ngela e sua me Rosngela pelas alegrias e doces lies de vida.
Aos tcnicos e grandes amigos Haroldo Arakaki e Carlos A. de Souza pelo valio-
so trabalho e assistncia nos laboratrios, bem como o bate-papo nos cafezinhos.
Ao casal de amigos Csar Bof e Din pelo aprendizado, amizade e boas risadas.
s secretrias e bibliotecrias do IFSC pelo rpido e eficiente servio prestado.
Aos amigos Luis, Srgio e Marcus Vincius pela pacincia e ensinamentos.
Aos amigos Edivaldo, Mauricio Foschini, Milene e Carla Eiras pela amizade, piz-
zas e forrs.
Aos amigos Anderson, Cntia, Fanny pela tolerncia, amizade e, principalmente,
por serem a semente deste sonho, apoiando-o incondicionalmente.
s amigas Kelin, Marisa, Ana Carolina, Ana Paula e Amanda pela gostosa ami-
zade, palavras de apoio, corridas e sentimentos compartilhados.
Aos tios, tias, primos e primas pelos calorosos aplausos e carinho; em particular
tia Graa, tio Carlos e primos Vanessa e Vincius pela torcida sempre to de perto.
pequena Guidoval MG, terra natal, pelo calor humano e lies de humildade
e hospitalidade.
Aos brasileiros pelas contribuies diretas ou indiretas dada a pesquisa, permitin-
do avanos tecnolgicos e engrandecimento do nosso pas, Brasil.
agncia de fomento pesquisa, Capes, pelo suporte financeiro.
A Deus pela sade, equilbrio e o dom de fazer as pessoas sorrirem.



iv


SUMRIO

Lista de Figuras .................................................................................................... vi
Lista de Tabelas ..................................................................................................viii
Lista de Smbolos . ................................................................................................ix
Resumo.................................................................................................................. xi
Abstract ................................................................................................................xii
1. Captulo : Introduo.................................................................................. 13
2. Captulo: Propriedades bsicas de Junes pn e diodos emissores de luz .... 17
2.1 Potencial da Juno ............................................................................... 17
2.2 Largura da Regio de Depleo............................................................. 19
2.3 Fluxo de Corrente Numa Juno pn Polarizada Diretamente.................. 20
2.4 Fluxo de Corrente Numa Juno pn Polarizada Inversamente................ 21
2.5 Desvios a Partir do Diodo Ideal ............................................................. 22
2.6 Tunelamento ......................................................................................... 23
2.7 Recombinao de portadores em junes emisso de luz. ................... 24
2.7.1 Recombinao Banda-Banda ..................................................... 25
2.7.2 Recombinao e Gerao de Portadores em W........................... 26
2.7.3 Perdas hmicas .......................................................................... 28
2.8 Diodo Emissor de Luz (LED)................................................................ 29
2.8.1 Injeo de Portadores e Recombinao ...................................... 30
2.8.2 Dependncia da Emisso com a Temperatura............................. 32
2.8.3 Escolha do Material ................................................................... 33
2.9 Diodos p-i-n.......................................................................................... 34


v


3. Captulo: Fabricao e Caracterizao de Junes p-i-n............................... 38
3.1 Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE) ................................................ 38
3.2 Processamento dos filmes epitaxiais ..................................................... 41
3.2.1 Limpeza das amostras................................................................ 41
3.2.2 Fotolitografia ............................................................................. 42
3.2.3 Ataque Qumico......................................................................... 44
3.2.4 Difuso de Contatos................................................................... 45
3.2.5 Sistemas para caracterizao eltrica e ptica............................. 46
4. Captulo: Propriedades Eltricas e pticas de filmes de GaAs:Si nos planos
(311)A e (211)A..................................................................................................... 50
4.1 O Carter Anftero do Si....................................................................... 50
4.2 Propriedades Eltricas ........................................................................... 55
4.3 Propriedades pticas ............................................................................. 57
5. Captulo: Junes p-i-n obtidas a partir de filmes de GaAs nos planos (311)A
e (211)A.... ............................................................................................................ 65
5.1 Proposta para o dispositivo.................................................................... 65
5.2 Junes a base de GaAs......................................................................... 67
5.2.1 Junes de GaAs com heteroestruturas na camada intrnseca ..... 73
5.3 Junes a base de AlGaAs ..................................................................... 79
6. Captulo: Concluses e Consideraes Finais .............................................. 85
7. Referncias Bibliogrficas........................................................................... 87





vi


LISTA DE FIGURAS

Figura 2.1 : Formao de uma juno pn e surgimento do campo eltrico
r
........... 17
Figura 2.2: Juno pn polarizada diretamente.......................................................... 20
Figura 2.3: Juno pn polarizada inversamente ....................................................... 22
Figura 2.4: Curva I-V caracterstica de uma juno pn. A linha contnua (...) .......... 23
Figura 2.5: Na figura, a corrente est normalizada com a corrente de saturao(...) . 28
Figura 2.6 : Variao do gap de ligas de materiais semicondutores ......................... 30
Figura 2.7: Gap entre bandas para o Al
x
Ga
1-x
As e GaAs
1-x
P
x
para vrias (...) ......... 31
Figura 2.8: Esquema de um diodo p-i-n e o campo eltrico atravs da regio i ........ 35
Figura 3.1: Ilustrao das clulas de efuso na mquina de MBE convencional....... 39
Figura 3.2: Amostra com fotoresiste depositado nas reas circulares (...) ................ 45
Figura 3.3: Caracterstica IxV como funo da temperatura para contatos (...)......... 47
Figura 3.4: Esquema da montagem experimental utilizada em (...). ........................ 48
Figura 4.1 (a) Relao da densidade de portadores com a temperatura (...)............. 51
Figura 4.2: Dependncia da concentrao de portadores livres e do tipo (...) ........... 52
Figura 4.3: Mobilidade de buracos plotados, temperatura ambiente, como (...). .... 53
Figura 4.4 a)Superfcie de uma estrutura zinc-blend usando configurao (...)........ 54
Figura 4.5 Concentraes de portadores livres em camadas de GaAs:Si (...) ........... 56
Figura 4.6 Espectros normalizados de Fotoluminescncia de amostras (...) ............ 58
Figura 4.7 Espectros normalizados de Fotoluminescncia de amostras (...) ............. 58
Figura 4.8 Espectros normalizados de PL de amostras de GaAs(211)A tipo p (...)... 60
Figura 4.9 Espectros normalizados de PL de filmes de GaAs:Si (211)A tipo n. (...). 61
Figura 4.10 Relaes superficiais geomtricas entre as superfcies (111)A (...) ....... 62


vii


Figura 5.1 : Esquema do dispositivo proposto. ........................................................ 65
Figura 5.2: Esquema das estruturas p-i-n crescidas.................................................. 68
Figura 5.3 Curvas IxV para diodos p-i-n crescidos nos planos (311)A (...) ............. 69
Figura 5.4 Espectro de eletroluminescncia obtido a temperatura ambiente (...) ...... 69
Figura 5.5 Curvas caractersticas de diodos p-i-n com diferentes espessuras (...) .... 71
Figura 5.6 Detalhe das curvas da figura anterior para baixas tenses aplicadas (...). 71
Figura 5.7 Curva IxV para uma estrutura p-i-n processada a partir de GaAs (...). .... 73
Figura 5.8 Estrutura para o diodo p-i-n com poos qunticos de In
0.2
Ga
0.8
As .......... 74
Figura 5.9 Curvas IxV para estruturas p-i-n com e sem poos de InGaAs. (...) ........ 75
Figura 5.10 Comparao entre os espectros de EL para dispositivos p-i-n (...)........ 76
Figura 5.11 - Espectros de EL como funo da temperatura. ................................... 76
Figura 5.12 Espectros de EL a temperatura de 8K como funo da densidade (...)... 77
Figura 5.13 Comparao entre os espectros de EL e Pl a temperatura de 8K. .......... 78
Figura 5.14 Comparao entre os espectros de EL e Pl a temperatura de 8K. .......... 79
Figura 5.15 Dependncia da concentrao de portado no Al
0.15
Ga
0.85
As (...) ........... 80
Figura 5.16 Estruturas para dispositivos p-i-n com AlGaAs. ................................... 81
Figura 5.17 Estrutura para dispositivo p-i-n com uma super-rede na camada (...) .... 81
Figura 5.18 Curvas de IxV para dispositivos p-i-n a base de AlGaAs. (...).............. 83
Figura 5.19 Espectro de EL para o dispositivos p-i-n a base de Al
0.15
Ga
0.85
As. ...... 83
Figura 5.20 Espectro de EL para o dispositivos p-i-n a base de Al
0.15
Ga
0.85
As. ...... 84




viii


LISTA DE TABELAS

Tabela 1 Diferentes combinaes entre ligas e dopantes e seu pico de emisso ....... 34



ix


LISTA DE SMBOLOS

A rea da seo reta.
B
r
Coeficiente de recombinao banda-banda.
D
e(p)
Coeficiente de difuso para eltrons e buracos.
D Coeficiente de difuso de dopantes.
Drift Relativo movimentao de arrastamento.
Dif. Relativo movimentao de difuso.
E
g
Energia do gap.
Ga
As
Anti-stio de Glio
h Constante de Planck.
I Corrente (Ampre).
I
o
Corrente de saturao reversa numa juno pn.
J Densidade de corrente (A/cm
2
).
k Constante de Boltzmann.
n Concentrao de eltrons na banda de conduo.
L
h(e)
Comprimentos de difuso dos buracos e eltrons.
N
a(d)
Concentrao de aceitadores e doadores (cm
-3
).
n
n
, n
p
Concentrao eletrnica de equilbrio no material tipo n e tipo p.
n, p Concentrao de eltrons e buracos minoritrios.
n
i
Concentrao intrnseca de eltrons (cm
-3
).
n
o
Densidade de eltrons em equilbrio trmico no semicondutor.
P Potncia residual.
p Concentrao de buracos na banda de valncia.
p
n
, p
p
Concentrao de buracos em equilbrio no material tipo n e tipo p.
p
o
Densidade de buracos em equilbrio trmico no semicondutor.
q Magnitude da carga eltrica.
R
r(nr)
Taxa de recombinao radiativa e no radiativa por unidade de volume.
R
sp
Taxa de recombinao espontnea.
ex
sp
R

Taxa de recombinao espontnea de portadores em excesso.
R
total
Taxa de recombinao total.
T Temperatura (K).


x


V Potencial (Volts) aplicado juno.
V
AS
Vacncia de Arsnio
V
GA
Vacncia de Glio
V
n(p)
Potencial eletrosttico nas regies neutras n e p.
v
th
Velocidade trmica.
V
o
Potencial de contato.
x
po(no)
Penetraes nas regies p e n.
W Largura da regio de depleo.
Coeficiente de absoro.
Fator de idealidade.
n(p) Densidade de portadores em excesso.
Campo eltrico criado pelos portadores na juno.

r
,
o
Permissividade relativa do material e permissividade do espao livre.
Eficincia de recombinao radiativa.
Fluxo do portador no semicondutor.
Mobilidade.
Eficincia de ativao do Silcio.
v Freqncia da onda eletromagntica (s
-1
).

r
Refletividade.

n
Seo reta de captura.
Coeficiente de reflexo ar-semicondutor.

r(nr)
Tempos de vida radiativo e no radiativo.

f
Eficincia do LED.

o
Fluxo foto-incidente.
ngstron.



xi


RESUMO

Neste trabalho foram processados e caracterizados dispositivos emis-
sores de luz (LEDs) baseados em estruturas p-i-n a partir de filmes de GaAs dopa-
dos unicamente com Silcio e crescidos atravs da tcnica de Epitaxia de Feixes Mo-
leculares sobre substratos de GaAs orientados nas superfcies (311)A e (211)A. Nas
superfcies (311)A e (211)A, o Si tem comportamento anftero, ou seja, pode ocupar
tanto o stio do Ga como o do As, o que resulta em filmes com portadores tipo n e p,
respectivamente. As caractersticas eltricas dos filmes dependem das seguintes con-
dies de crescimento: i) razo entre os fluxos de Ga e As; e ii) temperatura do subs-
trato. As tcnicas de caracterizao utilizadas foram fundamentalmente: Fotolumi-
nescncia, IxV (corrente-tenso) e Efeito Hall.
Os dispositivos p-i-n foram processados a partir de tcnicas conven-
cionais de fotolitografia e caracterizados a partir das tcnicas de IxV e Eletrolumi-
nescncia. Os dispositivos estudados foram produzidos a partir de camadas de GaAs
e AlGaAs crescidas nas direes [311]A e [211]A. Os dispositivos obtidos a partir de
filmes dopados de GaAs apresentaram uma boa eficincia de emisso, porm foram
observadas perdas hmicas ocasionadas pela natureza da juno obtida nestes planos,
ocasionada por defeitos, principalmente nos filmes dopados tipo n que so crescidos
em condies extremas de temperatura e presso de Arsnio. Os dispositivos a base
de AlGaAs apresentaram baixa eficincia e altas perdas, relacionadas com a alta
compensao apresentada pelos filmes.
Foram testados tambm dispositivos com heteroestruturas na camada
intrnseca, apresentando resultados satisfatrios.


xii



ABSTRACT

In this work we reported the processing and characterization of light
emitting devices (LED's) based on p-i-n structures obtained from GaAs and AlGaAs
thin films doped only with Silicon and grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)A
and (211)A GaAs surfaces. In these surfaces the Si has an amphoteric behavior, in
other words, it can occupy the Ga and/or As lattice position, which results in films
with n and p doping behavior, respectively. The electric characteristic of the films
depends, basically, of the following growth conditions: i) ratio between the Ga and
As flux; and ii) temperature of the substrate. The characterization of the thin films
was performed using Photoluminescence, IxV and Hall effect technique.
The p-i-n devices were processed using conventional photolithogra-
phy techniques and characterized using IxV and Eletroluminescence techniques.
These devices were processed from GaAs and AlGaAs layers. The processed de-
vices based on GaAs and AlGaAs were grown on [311]A and [211]A GaAs oriented
substrates. The devices based on GaAs films presented a good emission efficiency,
and ohmic losses caused by defects in the films, mainly due to the n type film that
are grown at extreme conditions of temperature and arsenic pressure. The devices the
base of AlGaAs presented low efficiency and high losses, also related with defects in
the films.
They were also tested devices with heterostructures in the intrinsic
layer, presenting satisfactory results.



13






1. Captulo : Introduo
possvel observar um razovel avano da tecnologia em se tratando
de fontes luminosas nos ltimos 100 anos. Desde o filamento de carbono, passando,
pela comumente empregada lmpada incandescente, lmpadas de vapor de sdio e
enxofre, plasmas; alcanando a tecnologia atual dos diodos emissores de luz (LEDs)
dos mais variados materiais.
Quando produzidos inicialmente por volta do incio dos anos 1960,
1

os LEDs apresentavam eficincia baixa, da ordem de 0,01 lmen/watt. Hoje j al-
canam a ordem de 200 lmens/watt para LEDs brancos. Foi em 1962, que o pri-
meiro LED vermelho foi produzido por Nick Holoniak Jr
2
, a partir da injeo de fs-
foro em arseneto de Glio (GaAs). Sua descoberta apontou a capacidade de se pro-
duzir dispositivos a partir de ligas e que hoje so comumente usados em lasers ver-
melhos de tocadores de DVD, circuitos de alta-freqncia usados em telefones celu-
lares e eficientes clulas solares. Mas rapidamente pesquisadores foram percebendo a
importncia dos LEDs para as demandas da sociedade. E devido a necessidade de
sistemas mais velozes para tratamento de dados, a soluo foi construir fibras pticas
de baixa atenuao. O casamento no perfeito dos LEDs primitivos no agradava a
fsicos e engenheiros. Como resultado, surgiram os primeiros LEDs de Ga-
As/AlGaAs para se explorar ao mximo o potencial dessas fibras.


14


Logo a seguir, por volta de 1970 j haviam surgido as fibras pticas
monomodo, com maior poder de transmisso e menores perdas. Sua construo sus-
citou a construo de LEDs que emitissem em torno de 1,3-1,55m para uma maior
otimizao da transmisso. Desta necessidade, surgiram os LEDs fabricados a partir
de InGaAsP sobre substratos de InP. A partir de ento, a fabricao desses dispositi-
vos no parou mais de crescer, alcanando grandes propores de trabalhos numa
busca pela emisso em vrios comprimentos de onda. Assim surgiram os LEDs a-
marelos e verdes (~1973); vermelho de alto brilho (~1978); azul (~1993); branco a
partir do LED azul combinado com fsforo (~1997) e brancos a partir de absoro de
ultravioleta por fsforo com emisso em branco (~2001). Mais recentemente uma
nova classe de LEDs vem sendo desenvolvida a partir de materiais orgnicos para
uso em displays.
O motivo desse avano correlacionado est no fato de serem os LEDs
dispositivos que apresentam grandes vantagens dentre as quais podemos destacar:
so fontes frias de luz, o que permite sua utilizao em alarmes, sensores,
mostradores;
so dispositivos de pequeno porte e com alta emisso de luz;
maior resistncia a choques mecnicos;
maior tempo de vida til;
reduo de impactos ambientais;
facilidade para sua incorporao em ambientes domsticos e industriais;
usam baixa tenso para operao, o que um grande avano se considerarmos
que o tempo de vida das baterias pode ser um fator limitante.



15


Hoje em dia, relativamente comum, pelo menos nos centros regio-
nais, a presena de vrias aplicaes dos LEDs. Esto presente em corredores de
nibus inter-municipais e estaduais; semforos e sinalizadores no lugar das tradicio-
nais lmpadas incandescentes; iluminao de alerta de ambulncias; sinalizadores de
bicicletas; iluminao de jardins; decorao de fachada de prdios; letreiros lumino-
sos, s pra citar alguns. Estima-se que o comrcio de LEDs tenha movimentado a-
proximadamente 5,4 bilhes de dlares nos EUA em 2001. E a estimativa para 2010
que este valor alcanaria a marca dos U$ 8 bilhes.
A facilidade de manipulao, o tempo de vida til bem maior que as
tradicionais incandescentes e fluorescentes (estima-se que um LED de AlGaAs de-
more aproximadamente 4,5 anos para reduzir seu brilho pela metade
3
) e a segurana
sero pontos fortes para conquistar um mercado cada vez mais exigente.
Dessa forma, os LEDs se revelam como uma boa soluo para poss-
veis problemas ambientais, econmicos e polticos do presente sculo. Estima-se que
aproximadamente 20% de toda a energia produzida no mundo usada para ilumina-
o. Por este motivo, os LEDs so atualmente o centro das atenes da indstria de
iluminao. Haja vista, a eficincia destes dispositivos que, teoricamente podem al-
canar 100%, fator limitante nas tradicionais lmpadas incandescentes e fluorescen-
tes.
Mostramos os diversos aspectos do trabalho realizado ao longo dos
seis captulos desta dissertao. Em primeiro lugar, apresentamos, no captulo 2, uma
reviso dos conceitos bsicos de junes semicondutoras pn, suas propriedades el-
tricas e pticas. Tal reviso nos permite dar a base necessria para o leitor entender
alguns aspectos dos resultados obtidos e servir de referncia para futuros trabalhos.


16


Para nosso estudo, junes p-i-n obtidas a partir de filmes de materiais
III-V crescidos nas direes [311]A e [211]A, foram processadas a partir da metodo-
logia apresentada no captulo 3. No captulo 4 apresentamos um estudo das proprie-
dades eltricas e pticas de filmes de GaAs:Si, utilizados nas junes a base de Ga-
As. As principais caractersticas dos filmes como funo das propriedades de cresci-
mento so analisadas e discutidas. No captulo 5 apresentamos os resultados de estu-
dos em junes p-i-n obtidas a partir de GaAs, AlGaAs e junes cujo meio ativo foi
obtido a partir de heteroestruturas de AlGaAs/GaAs e InGaAs/GaAs. E finalmente
estaremos apresentando as concluses e fazendo as consideraes finais no captulo
6.


17






2. Captulo: Propriedades bsicas de Junes pn e
diodos emissores de luz
Quando unimos dois materiais semicondutores um dopado tipo n e o
outro tipo p alguns fenmenos fsicos ocorrem localmente e que iro definir todas
as propriedades da juno destes materiais. Por este motivo, dedicaremos este captu-
lo ao entendimento das caractersticas e propriedades de junes pn, base para a
construo e funcionamento dos dispositivos propostos neste trabalho.

2.1 Potencial da Juno
No momento da unio dos materiais p e n h uma grande movimenta-
o de portadores devido grande concentrao destes na regio da juno. Porm,
esta corrente de difuso no infinita.
Regio
tipo N
Regio
tipo P
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
- - - -
- - - -
- - - -
- - - -

r

Figura 2.1 : Formao de uma juno pn e surgimento do campo eltrico
r
.

H um momento em que a movimentao cessa devido ao campo el-
trico (
r
), oposto difuso e criado pelos prprios portadores na juno (vide figura
2.1). A presena do campo
r
acelera eltrons e buracos, criando uma corrente opos-


18


ta primeira. Esta corrente chamada de corrente de arrastamento (drift).
No equilbrio temos:
( ) ( )
( ) ( ) .
.
dif J drift J
dif J drift J
n n
p p

( 1 )
A diferena de potencial que surge na regio de transio W cha-
mada de potencial de contato (V
o
) e dada por:
p n o
V V V , ( 2 )
onde adotamos potencial igual a zero fora da regio W.
Se partirmos da condio de equilbrio, ou seja, que as correntes de
difuso e arrastamento se cancelam no equilbrio:
( ) ( ) ( )
( )
0
1
]
1


dx
x dp
D x x p q x J
p p p
( 3 )
podemos mostrar que:
kT
o
qV
e
n
n
p
p
p
n
n
p
, ( 4 )
ou de forma mais explcita;

,
_

p
n
o
n
n
q
kT
V ln ( 5)
A partir da equao ( 4 ) podemos ainda encontrar duas equaes que
expressam a relao entre a concentrao de cargas e o potencial contato, quais se-
jam;
) exp(
kT
qV
n n
o
n p

( 6 )
) exp(
kT
qV
p p
o
p n

( 7 )


19


2.2 Largura da Regio de Depleo
Muito poucos portadores permanecem dentro da regio de depleo,
devido existncia do campo . Portanto, se desprezarmos os portadores dentro da
regio W, a densidade de carga do lado n ser q vezes a concentrao de ons doa-
dores N
d
,e a densidade de cargas negativas do lado p ser q vezes a concentrao
de aceitadores N
a
. Como o nmero de cargas do lado p igual ao nmero de cargas
do lado n, para uma seo reta de rea A, o nmero de cargas dentro da juno pode
ser calculado por:
d no a po
N qAx N qAx , ( 8 )
onde x
po
e x
no
so as respectivas penetraes nas regies tipo p e n respectivamente.
A soma de x
po
e x
no
fornece a largura da regio de transio W.
A resoluo da equao de Poisson na regio de depleo bastante
trabalhosa. Contudo, podemos obter uma boa aproximao se considerarmos que o
nmero de cargas mveis (n e p) bastante pequeno, quando comparados com o n-
mero de doadores e aceitadores. Por isso, podemos reescrever a equao de Poisson
para esta situao:
( ) n p N N
q
dx
d
A D
o r
+

, ( 9 )
considerando a aproximao acima e separando-a para dois intervalos da regio de
transio como mostrada na equao a seguir:
0
0


x x
qN
dx
d
x x
qN
dx
d
p
o r
A
N
o r
D

( 10 )


20
Se resolvermos ambas equaes acima para (x) encontraremos:
( ) ( ) x x
K
qN
x
p
o s
A
+

para 0 x x
p
( 11 )
( ) ( ) x x
K
qN
x
n
o s
D

para
n
x x 0 ( 12 )
Finalmente, a partir da equao (11) e da equao (12) avaliadas para
x=0 obtemos:
p A n D
x N x N , ( 13 )
onde podemos notar a dependncia da profundidade de x
n
e x
p
com a concentrao
das impurezas.
Usando o fato de que o campo eltrico
r
o gradiente do potencial
em qualquer ponto mais a condio imposta por (13), obtemos a relao da largura
da regio de depleo com o potencial V
o
:
2
1
2
1
]
1

,
_

d a
d a o o r
N N
N N
q
V
W

( 14 )

2.3 Fluxo de Corrente Numa Juno pn Polarizada Diretamente
Se aplicarmos uma tenso nos extremos de uma juno pn a condio
de equilbrio ser rompida e teremos um fluxo de corrente. Dizemos que o dispositi-
vo est polarizado diretamente quando a parte p da juno est conectada ao terminal
positivo da fonte de tenso.


Figura 2.2: Juno pn polarizada diretamente.


21
Quando aplicamos uma tenso V numa juno pn, temos o abaixa-
mento da altura da barreira de potencial (V
o
- V) conforme a figura 2.2.
Com isso, os eltrons conseguem vencer a barreira mais facilmente e
a corrente de difuso supera a corrente de arrastamento. A tenso aplicada injeta
portadores majoritrios atravs da juno e quando alcanam o outro lado, tornam-se
imediatamente minoritrios, resultando num novo valor de concentrao
'
n
p e
'
p
n .
O clculo dessas concentraes muito se assemelha ao das equaes
(6) e (7), ou seja;
)
) (
exp(
'
kT
V V q
n n
o
n p


( 15 )
)
) (
exp(
'
kT
V V q
p p
o
p p

( 16 )
A densidade de corrente pode ser calculada usando-se;
1
]
1


,
_

1 exp
kT
qV
J J
o
( 17 )

,
_

+
p
e
e
n
h
h
O
n
L
D
p
L
D
q J , ( 18 )
onde D
h
e D
e
so os coeficientes de difuso e L
h
e L
e
os comprimentos de difuso
dos buracos e eltrons respectivamente e k a constante de Boltzmann.

2.4 Fluxo de Corrente Numa Juno pn Polarizada Inversamente
Neste caso, a fonte de tenso ligada de forma inversa anterior. Isso
leva a um acrscimo na altura da barreira de potencial (V
o
+ V), reduzindo a corrente
de difuso (vide figura 2.3). A corrente dominante , portanto, a corrente arrasta-
mento, indo no sentido oposto ao convencional, ou seja, do lado n para o lado p.


22

Figura 2.3: Juno pn polarizada inversamente

Os portadores minoritrios so levados atravs da regio de depleo
devido tenso aplicada. As mesmas equaes usadas no item anterior so vlidas
aqui, derivando-se das mesmas relaes tenso-corrente com o cuidado de usarmos o
sinal negativo para V na equao (17) neste caso.

2.5 Desvios a Partir do Diodo Ideal
Um dos principais mecanismos que ocorrem nos diodos e que verifi-
camos muito freqentemente nos laboratrios o chamado efeito de ruptura (Break-
down), que ocorre sempre que tenses reversas de grande valor so aplicadas s jun-
es.
Este efeito pode se manifestar sob duas formas. Uma delas, efeito ava-
lanche, ocorre quando portadores adquirem energias razoveis devido ao campo el-
trico na regio de depleo e chocam-se com tomos da rede produzindo pares el-
tron-buraco. Esses pares produzidos tambm se chocam com outros tomos ionizan-
do-os e assim por diante, produzindo um efeito avalanche. Este tipo de mecanismo
acontece com mais freqncia em junes levemente dopadas.
A outra forma o chamado efeito Zener e devido ao tunelamento
quntico. So comuns em junes fortemente dopadas, onde a camada de depleo
estreita e o campo eltrico alto. A proximidade entre os estados preenchidos da ban-


23
I
V
da de valncia do lado p e dos estados vazios da banda de conduo do lado n leva ao
tunelamento dos eltrons do lado p para o lado n.
Um segundo desvio pode ser causado pela gerao e recombinao de
portadores dentro da regio W. A recombinao leva a um aumento da corrente na
direo direta j que os pares recombinantes devero ser substitudos pelo circuito
alimentador.
Por causa desses fatores, comum expressarmos a relao I-V para
junes pn na forma:
1
]
1

,
_

1 exp
kT
qV
J J
o

( 19 )
onde chamado de fator de idealidade e pode variar entre 1 e 2 dependendo da
temperatura e do semicondutor.





Figura 2.4: Curva I-V caracterstica de uma juno pn. A linha contnua representa um
diodo ideal com uma corrente de saturao; a tracejada apresenta o caso real, onde podemos notar o
aumento abrupto da corrente a partir de uma certa tenso reversa.

2.6 Tunelamento
Trata-se de um mecanismo de passagem de eltrons pela barreira for-
mada pela juno. Em LEDs este mecanismo ocorre mais entre nveis profundos
prximos regio de depleo ou da banda de conduo do lado n para a banda de
valncia do lado p no caso de substratos altamente dopados.


24
O mecanismo de tunelamento depende exponencialmente da largura
da regio de depleo e, portanto, para larguras menores que 50 pode ser de grande
significncia.
4

Em dispositivos altamente dopados, o nvel de Fermi fica dentro das
bandas de valncia e de conduo, o que favorece o tunelamento de eltrons de esta-
dos ocupados da banda de conduo para estados vazios da banda de valncia.

2.7 Recombinao de portadores em junes emisso de luz.
Sabemos que eltrons e buracos so criados e aniquilados, seja por in-
jeo ou excitao ptica, de modo a manter na maioria das vezes um nvel de quase
equilbrio (n = p). Essa relao garante a neutralidade geral. O decaimento dos
portadores em excesso, geralmente segue uma lei exponencial com o tempo padro e
o tempo de vida (
r
) do portador em excesso. Para dispositivos opto-eletrnicos, o
tempo de vida determina a sua eficincia.
Os processos no-radiativos ocorrem mais na superfcie ou em defei-
tos e armadilhas no bulk. Tais processos reduzem a eficincia dos processos radiati-
vos. Portanto, o tempo de vida resultante uma combinao de:
nr r

1 1 1
+ , ( 20 )
onde
r
e
nr
so os tempos de vida radiativo e no radiativo, respectivamente.
Existem trs mecanismos bsicos pelos quais a eficincia de um LED
pode ficar comprometida: a) a quantidade de luz transmitida depende do coeficiente
de absoro do material; b) quando a luz passa do material semicondutor para o ar,
por exemplo, parte da luz refletida devido diferena dos ndices de refrao e c) a
reflexo interna total caso a luz atinja a superfcie com um ngulo acima do ngulo


25
crtico. A eficincia quntica interna ou eficincia de recombinao radiativa defi-
nida como:
nr r
r
r
R R
R
+
; ( 21 )
ou:
nr
r
r

1
1
, considerando o decaimento exponencial.

2.7.1 Recombinao Banda-Banda
Neste tipo de recombinao, um eltron da banda de conduo, perde
energia da ordem do gap, e cai sobre uma vacncia na banda de valncia, anulando
um par eltron-buraco. A energia emitida na verdade, emitida na forma de ftons e
a recombinao chamada de radiativa. Em transies banda-banda para semicondu-
tores de gap indireto, a transio ocorre s custas de absoro ou emisso de fnons
para haver a conservao do momento. A probabilidade de ocorrer uma transio di-
reta em um semicondutor de gap indireto muito baixa.
A informao que podemos obter para este tipo de recombinao pode
ser tirada sobre o coeficiente de recombinao B
r
.
a partir dele tambm que chegaremos equao do tempo de vida
radiativo (
r
). A taxa de recombinao espontnea de portadores, sem conservao de
momento, dada por:
np B R
r sp
, ( 22 )
onde B
r
(cm
3
/s) o coeficiente de recombinao banda-banda.
Se quisermos escrever a equao (22) em termos da densidade de
portadores no equilbrio e em excesso:


26
( ) n p n p p n p n B R
o o o o r sp
+ + + ( 23 )
E portanto, na verdade:
ex
sp
o
sp sp
R R R + , ( 24 )
onde
o
sp
R corresponde ao primeiro termo da equao (23).
A taxa de recombinao para portadores em excesso pode ser calcula-
da por:
r
ex
sp
n
R

, ( 25 )
de onde podemos tirar, com n = p :
( ) n p n B
o o r
r
+ +

1
( 26 )
e

n B
r
r

1
; para n >> n
o
,p
o
; ( 27 )
A equao (27) vlida no intervalo de 10
17
< n 10
18
. Para valo-
res acima de 10
18

r

o
, ou:
( )
o o r
r
p n B +

1
; para n < n
o
,p
o
( 28 )

2.7.2 Recombinao e Gerao de Portadores em W
Quando a juno est polarizada diretamente, h um excesso de por-
tadores de ambos tipos na regio de transio. Se W no for muito menor que o
comprimento de difuso do portador, poderemos ter a ocorrncia de recombinao
dentro desta regio, sendo este um dos motivos como j apresentado da insero
do fator de idealidade na equao (19).


27
Podemos escrever a relao entre as correntes de recombinao na re-
gio neutra e regio de transio como:
kt
qv
i
KT
qV
i
KT
qV
i
transio
neutra
e n
e n
e n
I
I
2
2
2
( 29 )
Podemos observar pela equao (29), que para pequenos valores de n
i
(baixas temperaturas) e para baixa voltagem, a corrente de recombinao na regio
de transio a dominante.
Analogamente, a corrente reversa pode ser afetada pela gerao de
portadores na regio de transio e sua saturao devido gerao trmica de pares
eltron-buraco dentro do comprimento de difuso, em cada lado da juno. Os porta-
dores minoritrios gerados so conduzidos para o outro lado da juno pelo campo
eltrico.
Se W for pequeno comparado ao comprimento de difuso, a gerao
de pares eltron-buraco na regio de transio, no ser expressiva se comparada
com a gerao na regio neutra. No entanto pode aparecer uma corrente devido ge-
rao de portadores por emisso de centros recombinantes. A gerao mais impor-
tante para materiais que tenham um gap maior. Nesses materiais, a gerao banda-
banda ocorre em bem menor escala.
A cada eltron excitado termicamente da banda de captura para a ban-
da de conduo, um outro eltron tambm excitado passa a ocupar o nvel do primei-
ro, deixando um buraco na banda de valncia. Claramente, a corrente de gerao de-
pender da natureza dos centros recombinantes e da temperatura para excitao tr-
mica.




28
a) b)
2.7.3 Perdas hmicas
Quando temos dispositivos altamente dopados, a resistividade nas re-
gies neutras da juno baixa. Contudo, para uma baixa dopagem ou mesmo para
contatos grandes - se comparado ao tamanho do diodo -, alguns efeitos hmicos po-
dem se manifestar.
Contudo, bastante complicado representar perdas hmicas apenas
colocando um resistor em paralelo com a juno. Isso porque nos casos supracitados,
temos a formao de uma queda de tenso nas regies neutras da juno ou nos con-
tatos externos. O problema est no fato de no podermos tratar precisamente o valor
dessa queda de tenso j que ela depende da corrente, controlada pela tenso na jun-
o. A condutividade em cada uma das regies neutras aumenta com o aumento da
injeo de portadores. A geometria e a dopagem do dispositivo so mecanismos vli-
dos e comumente empregados para se contornar tais problemas.
5

A figura 2.5 ilustra situaes tpicas de problemas em junes pn,
permitindo uma viso da relao entre o comportamento da corrente e tenso aplica-
da.






Figura 2.5: Na figura, a corrente est normalizada com a corrente de saturao I
o
. a) A
caracterstica ideal numa polarizao direta mostrada para n=1 e continuada pela linha pontilhada. b)
A curva pontilhada mostra o comportamento ideal. Devido gerao na regio de depleo, observa-
mos o comportamento mostrado pela linha cheia.



29
2.8 Diodo Emissor de Luz (LED)
O carbeto de Silcio foi o primeiro material no qual foi observada a
emisso de luz fria. Tal observao ocorreu em meados do sculo passado e s em
1951
6
, mostraram que a luz era emitida de uma regio identificada como uma juno
pn. Poucos anos mais tarde, outras ligas como GaAs, GaP
7
, InP e GaSb passaram a
integrar a lista dos materiais emissores de luz. A partir da, o avano neste ramo da
opto-eletrnica ganhou fora, e em meados dos anos 1970, j estava agregado a pro-
dutos de consumo em massa. Contudo, os LEDs ainda consumiam muita energia o
que era um agravante dadas as limitaes das baterias dos aparelhos. Foi a que sur-
giram os displays de cristal lquido (LCDs), que consumiam menos energia eltrica
e pareciam dar fim a era dos LEDs. Mas eles detm uma peculiaridade que os
LCDs no oferecem: fornecem mais luz desde que a potncia consumida no seja
um limitante.
Por isso os LEDs so to amplamente difundidos nos dias de hoje.
Letreiros luminosos de publicidade, painis de aparelhos eletrnicos, brinquedos,
controles remotos sem nos esquecer da sua importncia nos sistemas de comunicao
em conjunto com fibras pticas.
Atualmente existem LEDs de vrias cores venda no mercado. Cada
qual com sua constituio prpria; material adequadamente escolhido para a emisso
no comprimento de onda desejado.
A seguir, apresentamos uma figura de vrias ligas e sua corresponden-
te energia de gap.





30









Figura 2.6 : Variao do gap de ligas de materiais semicondutores

2.8.1 Injeo de Portadores e Recombinao
Mais simples do que o laser, o LED um dispositivo eletrnico de
baixa potncia luminosa, espectro incoerente e largo e de resposta lenta. Seu funcio-
namento baseia-se na injeo de buracos e eltrons nas regies n e p respectivamen-
te. Em materiais de gap direto, a recombinao banda-banda leva emisso de luz
(tambm chamada de emisso radiativa). Ao contrrio, nos materiais de gap indireto
uma boa parte da energia dissipada via fnons e absorvida pela prpria estrutura
cristalina do material. No entanto, materiais de gap indireto podem apresentar uma
eficincia radiativa razovel se dopados adequadamente com uma impureza
8
. Outros
dispositivos so construdos usando-se ligas de AlGaAs ou InGaAsP, por possurem
uma rede cristalina muito prximas s do GaAs e do InP respectivamente.
As ligas de AlGaAs e GaAsP apresentam gap direto ou indireto de-
pendendo da porcentagem dos constituintes na liga
8
como mostrado na Figura 2.7.


31
Geralmente, podemos considerar a energia de emisso como sendo a
energia do gap do material, ou:
h E
g
( 30 )
O LED sempre projetado de modo que a recombinao ocorra na
camada mais externa. O contrrio poder levar a uma reabsoro dos ftons dentro
do prprio material.
A corrente de injeo obedece mesma relao que a obtida para a
juno pn (17):
1
]
1

1 ) exp(
KT
qV
I I
o
( 31 )

,
_

+
e
p e
h
n h
o
L
n D
L
p D
q I , ( 32 )
onde A a rea da juno, D
h
e D
e
so os coeficientes de difuso de buracos e el-
trons respectivamente, L
h
e L
e
os comprimentos de difuso, p
n
a concentrao de bu-
racos do lado n e n
p
a concentrao de eltrons do lado p.









Figura 2.7: Gap entre bandas para o Al
x
Ga
1-x
As e GaAs
1-x
P
x
para vrias composi-
es da liga.


32
Uma outra corrente existente ligada recombinao e que leva este
nome - dos portadores na juno pode ser escrita da forma:

W
r r
dx qR J
0
( 33 )
onde R
r0
a taxa de recombinao dependente do mecanismo e o vetor unitrio x
v

perpendicular ao plano da juno.
Um mecanismo de recombinao claro nos LEDs a recombinao
banda a banda. Contudo, muitas vezes, o mecanismo de recombinao entre nveis
dentro do gap se sobressaem. Esses nveis so devidos a impurezas qumicas e defei-
tos cristalinos. Uma expresso para R
r
para este tipo de recombinao foi apontada
por Hall
9
e Shockley e Read
10
:
( ) ( )
1 1
2
p p n n
n pn
R
nr nr
i
nr
+ + +


, ( 34 )
onde
nr
o tempo de vida do portador no radiativo, dado por:

,
_

t th n
nr
N v

1
, ( 35 )
onde v
th
a velocidade trmica dada por ( ) * / 8 m kT , N
t
o nmero de centros de
recombinao e
n
a seo reta de captura, representando quo prximo um eltron
deve estar prximo do centro para ser capturado.

2.8.2 Dependncia da Emisso com a Temperatura
A temperatura da juno afeta sua eficincia, saturando a intensidade
emitida devido, principalmente a dois fenmenos: escoamento dos portadores injeta-
dos na regio ativa e processos Auger de dissipao de energia que contribuem para
recombinao no-radiativa. O gap entre as bandas tambm se altera medida que a


33
temperatura aumenta, dirigindo-se para altos comprimentos de onda. No GaAs esta
mudana ocorre a uma taxa aproximada de 3,5 /K.
Com o aquecimento possvel que uma parte dos portadores saia dos
limites da regio ativa, configurando uma corrente de escoamento. Nessa corrente
no ocorre recombinao e portanto no temos a emisso de ftons. H alguns meca-
nismos para se reduzir esta corrente e dentre eles podemos citar o aumento da largura
da regio ativa e o uso de uma corrente pulsada. Obviamente, tais mecanismos no
podero ser aplicados em todas as situaes.
J para processos Auger, teremos um espalhamento onde eltrons ou
buracos, aps colises, podero sair a altas velocidades, sem a emisso de ftons.
O efeito total de ambos mecanismos citados acima pode alterar a efi-
cincia do LED para:
( )
1
0
T
T
f f
e

( 36 )
onde T
1
uma temperatura que depende do tipo do material e formato do dispositivo.
Para GaAs, este valor est entre 300 e 350K aproximadamente.

2.8.3 Escolha do Material
A escolha do material a ser usado importante porque o comprimento
de onda da luz emitida depender do gap deste material. E tambm da sua proprieda-
de de aceitar dopantes para se construir um diodo de juno pn. Outra peculiaridade
no menos importante a forma como ele ser dopado, o que pode originar uma re-
absoro provocando perda de eficincia do dispositivo como mostrado no item
(2.7). O fim a que se destinar o dispositivo, influenciar diretamente na escolha dos


34
materiais para sua construo. Isso porque, alm da cor, fatores como perda e distor-
o so importantes, por exemplo, para comunicao por fibra tica.
Na tabela 1 apresentamos de forma sucinta os materiais mais comuns
usados na fabricao de LEDs
11,12
.
Tabela 1 : Diferentes combinaes entre ligas e dopantes e seu pico de emisso
Material Dopante Intervalo ou Pico
de emisso (nm)
Cor
GaAs Si 910-1020 Infravermelho
Al
x
Ga
1-x
As
(0<x< 0,3)
Si 879-890 Infravermelho
GaP Zn, O 700 Vermelho


GaAs
0,6
P
0,4
650 Vermelho
GaAs
0,35
P
0,65
N 632 Alaranjado
Ga
0,6
Al
0,4
As Zn 650 Vermelho
GaP N, N 590 Amarelo
AlInGaP 570 Amarelo
*

GaP N 555 Verde
Zn
0,9
Cd
0,1
Se 489 Azul
*

SiC 470 Azul
(
*
indica diodo com dupla heteroestrutura)
A partir de 1997, LEDs brancos comearam a ser fabricados a partir
de LEDs azuis cobertos com uma fina pelcula de fsforo, com uma excelente aceita-
o no mercado
13
.

2.9 Diodos p-i-n
O diodo p-i-n um dispositivo na qual uma regio no dopada ou le-
vemente dopada (regio - i) inserida entre as regies n e p. A incorporao de uma
camada intrnseca (i) durante o crescimento, aumenta consideravelmente a eficincia
do dispositivo. Na Figura 2.8 ilustramos a estrutura de um diodo p-i-n e o campo el-
trico atravs da regio i.



35







Figura 2.8: Esquema de um diodo p-i-n e o campo eltrico atravs da regio i

A regio no dopada i possui uma grande resistncia e quase no pos-
sui portadores livres. Por isso, uma das suas aplicaes que merece destaque o seu
uso com polarizao inversa, funcionando como foto-detector j que uma pequena
voltagem aplicada juno, j suficiente para promover a movimentao e conse-
qente deteco dos pares eltron-buraco gerados pelos ftons incidentes.
A seguir faremos algumas consideraes que so fundamentais para a
eficincia e durabilidade de um diodo p-i-n, principalmente quanto sua funo co-
mo foto-detector.
Uma potncia luminosa incidente P
i
reduzida para um valor (P
i
)
ao entrar no material. o coeficiente de reflexo ar-semicondutor.
Para qualquer profundidade (x) no semicondutor, a potncia residual
ser dada por:
( ) ( ) x P x P
i
exp 1 ) ( , ( 37 )
onde o coeficiente de absoro.
A luz que absorvida nas vrias partes do dispositivo produz pares de
eltron-buraco. Esses portadores so acelerados pelo campo eltrico ( ) E
r
devido a
+
+
+
+
-
-
-
-
-
+
P I N
|E|
x
V


36
polarizao inversa originando uma corrente arrastamento. Como so gerados por
meio de ftons incidentes, esses portadores so ditos fotogerados. A magnitude desta
corrente depende da eficincia quntica do dispositivo.
A corrente total percorrendo a juno aquela dada por:
. diff drift
J J J
r r r
+ ( 38 )
Se desconsiderarmos a reabsoro dentro da camada p e a gerao
trmica, dando exclusividade fotogerao, podemos escrever que a taxa de gerao
dos pares eltron-buraco :
x
o Quant
e


.
; ( 39 )
ou seja,
( )
x r inc
Quant
e
A h
P

1
.
, ( 40 )
onde
o
o fluxo foto-incidente superfcie do dispositivo;
r
a refletividade na su-
perfcie e A a rea da juno.
Assim a foto-excitao pode ser detectada pelo acrscimo da corrente
inversa, arrastamento. Quanto maior a largura da camada de depleo W, maior a
formao de pares eltron-buraco. Contudo, isso implica tambm, uma perda na ve-
locidade de resposta do dispositivo, j que os portadores tero um tempo de trnsito
maior pela regio W.
As correntes arrastamento e de difuso podem ser calculadas usan-
do-se:
( )
l
o drift
e q J


1 ( 41 )
h
h
O
l
h
h
o diff
L
D
qp e
L
L
q J
+

1
( 42 )
com
h h h
D L .


37
Podemos ento reescrever a equao (38) como:
h
h
O
h
l
o
L
D
qp
L
e
q J

,
_

1
1 ( 43 )
E a eficincia quntica finalmente pode ser encontrada:
( )

,
_

h
l
r
inc
Quant
L
e
A h P
q J

1
1 1
.
( 44 )
Pela equao (44) podemos verificar que a eficincia do dispositivo
pode ser aumentada quanto menor for o coeficiente de reflexo no topo da superfcie.
Contudo, um outro fator deve tambm ser analisado sempre que desejarmos construir
um diodo p-i-n: o aumento do tamanho de W aumenta a rea a ser percorrida pelos
portadores, o que reduz a velocidade de resposta do dispositivo.



38




3. Captulo: Fabricao e Caracterizao de Jun-
es p-i-n
Neste captulo faremos uma breve descrio das tcnicas utilizadas
para a fabricao e caracterizao das junes p-i-n utilizadas neste trabalho. feita
uma introduo da tcnica de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE), mtodos de
fabricao e por fim as tcnicas de caracterizao.

3.1 Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE)
A tcnica de MBE uma tcnica de crescimento epitaxial de filmes
atravs de feixes moleculares ou atmicos, com a ligao de seus elementos constitu-
intes sobre substratos semicondutores mantidos em condies especiais de tempera-
tura e ultra alto vcuo (UHV) (~10
-9
Pa)
14,15
, sendo considerada uma das melhores
tcnicas de crescimento.
Tcnicas de ultra alto vcuo so empregadas para facilitar a evapora-
o dos elementos constituintes do filme a ser depositado, alm de significar a redu-
o de impurezas indesejadas que possam comprometer a qualidade das camadas
crescidas.
Na Figura 3.1 ilustramos o esquema de um sistema de MBE para
compostos III-V a partir de clulas de efuso slidas.




39











Figura 3.1: Ilustrao das clulas de efuso na mquina de MBE convencional

Conforme se v na ilustrao, elementos como Glio (Ga), Arsnio
(As), ndio (I) e Alumnio (Al) so evaporados e seus feixes dirigidos para o substra-
to, onde ocorre a deposio. Um obturador permite abrir o fechar as clulas de efuso
quando necessrio, permitindo iniciar ou cessar o crescimento rapidamente, alterar a
composio ou a dopagem do filme.
Elementos como Silcio (Si) e Berlio (Be) so usados como impure-
zas de dopagem e, portanto, incorporadas s camadas enquanto crescidas sem ne-
nhum tensionamento comprometedor da estrutura cristalina. O substrato aquecido
para fornecer energia suficiente para difuso e incorporao das espcies evaporadas.
Para o GaAs, essa temperatura da ordem de 500 a 600 C.
Duas das principais e especficas vantagens desta tcnica o fato de
se crescer camadas com preciso atmica e se poder crescer camadas diferentes uma


40
a uma, devido baixa velocidade de crescimento (~0,283nm/s equivalente a uma
monocamada/s)
16
. Este controle garante o crescimento de camadas com grande per-
feio cristalina, a baixa temperatura de crescimento (T
s
600C para GaAs).
Gnther
17
foi o primeiro a descrever o crescimento de compostos III-
V, mantendo-se altas presses de elementos do grupo V enquanto evaporava-se outro
composto do grupo III sobre um substrato, estando cada um em uma temperatura di-
ferente para evitar reaes e condensaes indesejadas. Seu crescimento, contudo foi
sobre substratos de vidro, portanto policristalinos. Uma dcada depois, Pankey; Da-
vey
18
cresceram camadas monocristalinas de GaAs.
As prprias mquinas de MBE trazem instrumentos que permitem a-
valiar o processo de crescimento e a estrutura cristalina produzida. A tcnica de
RHEED (reflection high-energy electron diffraction) freqentemente usada.
O detalhamento desta tcnica foge do objetivo deste trabalho. A se-
guir fornecemos duas outras referncias bastante completas para aqueles que quise-
rem fazer um aprofundamento da tcnica
19,20
.
Nossas amostras foram crescidas no laboratrio de crescimento epita-
xial (sala classe 10000), por MBE, numa mquina MECA 2000, com caracterizao,
in situ, via RHEED (30 KV).
Para o crescimento de filmes sobre substratos de GaAs orientados nos
planos (311) e (211) necessrio saber com preciso a temperatura do substrato e a
razo entre os fluxos ou taxas de crescimento dos materiais III/V que chegam at
substrato durante o processo de crescimento. A temperatura foi calibrada a partir da
temperatura em que ocorre a desoxidao do xido nativo (580 C) sobre o substrato
de GaAs. O fluxo de material geralmente determinado atravs de um medidor in-
terno de fluxo do sistema. Como no sistema utilizado para o crescimento das amos-


41
tras no h um medidor de fluxo interno, a razo foi previamente calibrada a partir de
oscilaes RHEED, de tal forma que estes dois parmetros foram bem estabelecidos
para todas as amostras processadas.

3.2 Processamento dos filmes epitaxiais
Aps o crescimento epitaxial dos filmes, iniciamos o processamento
para a obteno dos dispositivos p-i-n. Inicialmente os substratos so cortados meca-
nicamente em amostras de aproximadamente 20x20 mm, onde feito um polimento
mecnico da parte inferior, para a retirada do ndio utilizado para a fixao da amos-
tra durante o crescimento epitaxial e a diminuio da espessura total do substrato.
Aps o polimento a amostra limpa e inicia-se o processo de fotogravao e delimi-
tao da regio dos LEDs.

3.2.1 Limpeza das amostras
Chamamos de limpeza da amostra a ao de remover materiais inde-
sejados da nossa amostra antes do processo seguinte. No nosso caso a contaminao
provocada pelo processo de polimento. Os resduos podem gerar efeitos indeseja-
dos e incontrolveis no dispositivo, comprometendo sua eficincia. Os resduos po-
dem ser trazidos de processos anteriores da fabricao ou adquiridos da prpria vizi-
nhana. Por isso, a limpeza do laboratrio um fator de grande importncia. As salas
limpas geralmente so classificadas pelo nmero de partculas presentes no ar. Nos-
sa sala limpa classificada como classe 1000, isto , apresenta 1000 ou menos part-
culas de 0,5 m dimetro por p cbico de ar. equipada com capela especial para
ataque qumico, spinner, foto-alinhadora e fluxo laminar classe 100 para processa-
mentos mais crticos. A qualidade da limpeza da sala mantida atravs de equipa-


42
mentos de filtragem do ar, tcnicas de limpeza e tratamento de resduos e uso de rou-
pas adequadas de proteo individual.
Em nosso trabalho usamos tcnicas de limpeza tripla das amostras, fa-
zendo o uso de solventes para remoo de resduos orgnicos. Os solventes usados
foram: acetona, tricloro-etileno e lcool isoproplico. Todos eles, com alto grau de
pureza e qualidade para anlise (PA). Com isso, conseguimos remover das amostras
partculas de gordura, leos, bem como resduos orgnicos como o prprio fotoresis-
te.
Aps o polimento mecnico, o procedimento de limpeza consiste pri-
meiramente de um banho em acetona fervente por cinco minutos. A seguir, as amos-
tras so submetidas a um banho de trs minutos em tricloro-etileno, mergulho em
lcool isoproplico, seguido de uma lavagem em gua deionizada (DI) por aproxima-
damente dois minutos. A secagem feita com um jato de nitrognio seco ultra-
limpo. Se aps o procedimento descrito forem observados resduos, o procedimento
deve ser repetido.

3.2.2 Fotolitografia
Aps a limpeza das amostras, esta passa para a etapa de fotogravao,
ou fotolitografia. A litografia o processo de transferncia e fixao de formas geo-
mtricas da mscara para a superfcie da amostra. Dependendo do dispositivo a ser
construdo, a litografia poder ser empregada mais de uma vez. As mscaras so usa-
das para definir as reas dos contatos e para a definio das regies a serem atacadas.
Para facilitar a transferncia de um padro desejado para a amostra,
precisamos fazer uso dos resistes. Os resistes so substncias qumicas sensveis
energia. Este mtodo, porm, apresenta alguns inconvenientes para definio das


43
bordas devido ao fenmeno de difrao da luz entre mscara e amostra
21
. O fotore-
siste que usamos no processamento o AZ- 5214 (Hoescht). Trata-se de um fotore-
siste com pico de absoro em 360nm, ou seja, compatvel com o sistema de ilumi-
nao ultravioleta (comprimento de onda do ultravioleta) que temos em nosso labora-
trio. O AZ-5214 um fotoresiste do tipo positivo, isto , as partes expostas luz
sero removidas com o uso de um revelador, AZ400K. O resiste positivo fornece me-
lhor acabamento de borda e maior resoluo em relao ao resiste negativo. O pro-
cesso de fotogravao inicia-se com a deposio de uma camada de fotoresiste sobre
a amostra atravs da utilizao do mtodo de spincoating. Este procedimento feito
colocando-se um pouco de resiste sobre a amostra e a seguir colocando-a para girar
no spinner Karl Suss (SUSS SM 240). A espessura desta pelcula depende da visco-
sidade do resiste e da velocidade do spinner. Para obter-se um filme homogneo com
espessura da ordem de 1 m, foi utilizada uma velocidade de 4000 rpm, pelo perodo
de 40 segundos. A seguir, a amostra foi aquecida a uma temperatura de 110C por
aproximadamente dois minutos num prato quente. Com este procedimento, conse-
guimos promover a secagem e o endurecimento do resiste, atravs da evaporao de
solventes ainda presentes no filme e gua adsorvida superfcie.
O padro transferido para a amostra, usando-se do fato de fotoresiste
ser sensvel luz ultravioleta. Uma mscara que definir o desenho do nosso disposi-
tivo colocada sobre a amostra e selecionar qual regio ser ou no exposta luz
ultravioleta. A exposio luz, muda a estrutura qumica do fotoresiste, deixando-o
vulnervel ao do revelador. Aps o primeiro passo da litografia, podemos repetir
o processo usando outra mscara, precisamente alinhada com o padro da primeira,
para construirmos detalhes do dispositivo impossveis de se criar usando-se apenas
uma etapa. No nosso caso utilizamos uma mscara com apenas um nvel, composta


44
basicamente com estruturas (mesas) circulares de dimetros: 800, 1000 e 1200 m.
Utilizamos uma foto-alinhadora Karl Suss MJB3.
Aps a exposio (o tempo de exposio foi calibrado com a dosagem
do fotoresiste fornecido pelo fabricante) a amostra foi submetida a um banho em so-
luo de 25% de AZ400K para revelao do padro.
Aps a revelao, a amostra foi lavada novamente em gua deioniza-
da e seca a 100 C durante 3 minutos num prato quente.

3.2.3 Ataque Qumico
Uma vez transferido o padro, devemos efetuar o ataque qumico para
a definio da regio do dispositivo. No nosso trabalho utilizamos o ataque qumico
a partir de solues qumicas, denominado ataque molhado. O resultado ser a for-
mao de regies (mesas) que daro forma e funcionalidade ao dispositivo, elimi-
nando efeitos de tamanho que possam ocorrer.
Antes do incio do processo de ataque qumico, a amostra mergu-
lhada numa soluo de HCl:H
2
O (1:1) por cinco minutos, para que seja removido a
camada de xido de GaAs, que pode atrapalhar na determinao precisa da profundi-
dade de ataque desejada. Como utilizamos substratos semi-isolantes, a regio dopada
que fica na parte de baixo (para ns a regio p) deve ser alcanada para que seja feita
um juno que estabelecer o contato eltrico com a fonte externa. O ataque qumico
foi feito a partir da soluo de H
2
SO
4
:H
2
O
2
:H
2
0 (1:8:40). O perxido de hidrognio
(H
2
O
2
) atua como agente oxidante e o H
2
SO
4
reage com o xido de Ga e As forma-
dos. Tal soluo nos fornece uma taxa de ataque de 1,2 m/min. a 20C (calibrada
com um medidor de espessura) para amostras de GaAs (311)A.


45
3.2.4 Difuso de Contatos
Aps a realizao do ataque qumico, a amostra passa pelo processo
de limpeza descrito em 3.2.1, para a remoo de resduos de fotoresiste.
Os contatos, tanto na regio n como na regio p sero feitos atravs da
difuso de ndio (I). Estudos anteriores mostraram que o ndio comporta-se muito
bem, formando contatos de baixa resistncia e estveis temperatura ambiente. J os
eletrodos de contato devero apresentar boa adeso, baixa resistividade e estabilidade
trmica
22
.
Em nosso trabalho, usamos pequenas esferas de ndio para fazer o
contato, com dimetros menores que 1 mm. Estas so colocadas nas duas regies do
dispositivo e ento levadas para o processamento de difuso trmica.






Figura 3.2: Amostra com fotoresiste depositado nas reas circulares (esquerda). E com
os contatos j difundidos (direita).

As amostras, uma a uma, foram ento levadas ao forno de tratamento
trmico rpido (RTA) construdo no prprio laboratrio, automatizado, onde foi a-
quecida a 350C por 40 segundos para difuso sob fluxo de N
2
.

p
n
n
p
n
n


46
3.2.5 Sistemas para caracterizao eltrica e ptica
Para a determinao do tipo de portadores dos filmes de GaAs:Si
crescidos nas superfcies [311]A e [211]A, e sob diferentes condies de crescimen-
to, pequenos pedaos das amostras foram cortados em forma aproximada de quadra-
do (5x5mm).
Nos quatros cantos destas amostras foram colocados pequenas por-
es de ndio. Para a formao dos contatos por difuso, a amostra tratada a 350
o
C
por 40 segundos no forno de tratamento trmico rpido. Durante todo o processo de
aquecimento e esfriamento das amostras, estas permanecem num fluxo contnuo de
Nitrognio seco (atmosfera de N
2
).
Visando conhecer as caractersticas do contato formado e tambm das
propriedades eltricas dos dispositivos, medidas de corrente-tenso IxV foram reali-
zadas a partir de um traador de Curvas 370-A Sony/Tectronicx. A Figura 3.3 mos-
tra uma curva caracterstica de um contato formado num filme de GaAs:Si com uma
concentrao de buracos de 9x10
17
cm
-3
. O comportamento linear das curvas indica
que os contatos formados pelo mtodo de difuso so hmicos dentro do intervalo de
corrente utilizado. Contatos hmicos foram obtidos tanto para amostras tipo p como
tipo n a partir da metodologia descrita em 3.2.4.
Para determinar o tipo de portadores presente nas amostras crescidas,
foi utilizado o efeito Hall pelo mtodo de Van der Pauw. As amostras estudadas fo-
ram fixadas numa vareta, a qual foi colocada entre os plos de um eletro-im que
utilizado para produzir o campo magntico. Como fonte de corrente e medidor das
voltagens foi utilizado um equipamento da MMR (Modelo H-50), especfico para este
trabalho. A fonte utilizada para produzir o campo magntico da Tectrol TCA
120-12.


47








Figura 3.3: Caracterstica IxV como funo da temperatura para contatos de ndio for-
mados por difuso sobre uma camada de GaAs:Si crescida na superfcie GaAs[311]A.

A corrente e o campo magntico foram invertidos na forma usual para
minimizar a influncia nos resultados dos efeitos de magneto-resistncia, termoel-
trico e outros efeitos galvano-magntico. O campo magntico utilizado foi de 0.37 T,
medido no mesmo lugar onde fica a amostra no eletro-im.
O estudo das propriedades pticas das amostras de GaAs tipo p e n
foi realizado atravs das tcnicas de fotoluminescncia e eletroluminescncia, foram
realizadas de acordo com o esquema proposto na figura 3.4.
A seguir segue a relao dos equipamentos utilizados na montagem:
- Laser de Argnio Coherent Innova 90 , multilinhas(488-514nm)-
100mW
- Monocromador monocromador modelo SPEX 500M com as se-
guintes caractersticas:
Distncia focal 0,5 metros;
Espectro 0 1500 nm;
Disperso 1,6 nm/mm;
-1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0 1,5
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
T=300K

I

(
m
A
)
V (V)


48
Figura 3.4: Esquema da montagem experimental utilizada em fotoluminescncia e ele-
troluminescncia..

Preciso +/- 0,1 nm.
- Criostato LEYBOLD modelo RGD-210, compressor LEYBOLD-
mod.RW-3- 8K. Bomba de vcuo turbo da BALZERS modelo TCP 121- at 10
-6

Torr.
- Fotomultiplicadora Hamamatsu.
- Chopper STANFORD RESEARCH SYSTEMS modelo SR540, e du-
rante a medida foi ajustado para 40 Hz.
Para aquisio dos dados foi utilizado um microcomputador Pentium
100MHz o qual controla o andamento do motor de passo do monocromador atravs
de uma porta serial RS232C. O microcomputador tambm se comunica com o lock-
in por uma porta do mesmo tipo; o lock-in da EG&G PARC modelo 5209.
Nas medidas de PL e EL as amostras e os dispositivos so colados
com tinta prata condutora em um suporte que parafusado ao dedo frio e ento


49
introduzido no criostato. Estando as amostras dentro do criostato, feito vcuo na
cmara da amostra at +/- 10
-4
Torr, o que evita a umidade dentro da cmara, com-
prometendo a medida. A temperatura da amostra obtida por meio de um sensor (di-
odo) prximo ao suporte em que as amostras esto coladas. A leitura feita por um
controlador de temperatura digital da LakeShore modelo 320, que permite a insero
e caracterizao de aproximadamente 6 amostras simultaneamente para a fotolumi-
nescncia e apenas um dispositivo processado por vez para a Eletroluminescncia.
Para as medidas de Eletroluminescncia o espelho S2 retirado.



50




4. Captulo: Propriedades Eltricas e pticas de
filmes de GaAs:Si nos planos (311)A e (211)A
O objetivo deste captulo apresentar os resultados das caracteriza-
es pticas e eltricas dos filmes de GaAs:Si utilizados na composio dos LEDs.
Foram utilizadas nestas caracterizaes, as tcnicas de efeito Hall e fotoluminescn-
cia. Na parte inicial feita uma introduo sobre o carter anfotrico dos elementos
do grupo IV, particularmente do Silcio. Tal apresentao faz-se necessria j que as
amostras utilizadas neste trabalho foram dopadas unicamente com Si.

4.1 O Carter Anftero do Si
Medidas de efeito Hall tm indicado que o comportamento anfotrico
dos elementos do grupo IV so afetados pelas reaes de superfcie associadas com a
orientao do substrato
23
. Neste grupo, o Si e Ge so os elementos mais usados. O
Si, incorpora-se como doador no crescimento por MBE em substratos orientados na
direo [100]
24
; enquanto o Ge pode ser incorporado como dopante tipo p ou n na
mesma orientao [100], dependendo da razo V/III, quando crescido por MBE.
25

Os pesquisadores tm trabalhado para obter amostras de alta conduti-
vidade e camadas tipo-p bastante estveis que possam ser usadas na construo de
dispositivos de alto desempenho com camadas n-p-n.
Para este fim, o Be e o C j tm sido utilizados.
26,27
Porm, esses dois
elementos trazem alguns problemas: i) o Be por induzir instabilidades durante o


51
crescimento
28
e na operao dos dispositivos; ii) o C por ter raio atmico maior que o
do As e Ga e provocar tenses cristalinas indesejveis quando incorporados rede do
GaAs. O Si o elemento mais amplamente usado como dopante tipo-n no crescimen-
to de GaAs por MBE
29
. Porm, tem sido cada vez maior o seu uso como dopante
aceitador
30
. Os motivos para isso so, entre eles, porque seu raio atmico compar-
vel ao do Ga e As, diferentemente do Be e C; menos anfotrico que o Ge
31
; alm de
possuir uma constante de difuso (a 500) menor que a desses dois elementos
28
. O
uso do Si ainda reduz o nmero de clulas de efuso na mquina de MBE com a van-
tagem de ele ser um elemento no txico.
A dependncia da mudana do tipo de conduo de tipo-n para tipo-p
com a temperatura de crescimento foi mostrada por Agawa et al. para filmes de
GaAs:Si crescidos no plano (311)A (vide figura 4.1).










Figura 4.1 (a) Relao da densidade de portadores com a temperatura de crescimento e
(b) mobilidade em amostas de GaAs dopadas uniformemente e do tipo com camadas crescidas em
substrato (311)A GaAs.



52
A temperatura crtica para a mudana do tipo de conduo de
430C . A mudana brusca da concentrao dos portadores, para filmes homog-
neos, atribuda a um efeito de auto-compensao favorecida pela configurao de
ligaes na superfcie. Para dopagens do tipo , a razo V/III utilizada deve ser mai-
or, o que sugere que os tomos de Si preferem ocupar stios do Ga. Tal mudana
brusca no tipo de conduo ainda no est claramente explicada, embora tenha sido
sugerido por Ntzel et al.
32
que possa estar relacionado dependncia da morfologia
da superfcie (311)A com a temperatura. Mais recentemente, Ohachi et al.
33,34
mos-
trou que a morfologia da superfcie, o espectro PL e o comportamento de dopagem
do Si em amostras crescidas por MBE sobre GaAs(n11)A (n=1-4) dependem forte-
mente da presso de vapor de As (vide figura 4.2) e da orientao do substrato.

Figura 4.2: Dependncia da concentrao de portadores livres e do tipo de dopante com
a presso de Arsnio em superfcies (211)A e (311)A do GaAs dopado com Silcio. As linhas so so-
mente guias
35

Ntzel comparou amostras de GaAs:Si (311)A tipo-p com amostras
(100) GaAs dopadas, tambm tipo-p, com Be e C. O resultado mostra a alta qualida-
de cristalina do GaAs:Si (311)A, conforme mostra a figura 4.3.


53










Para entender o comportamento anftero dos elementos do grupo IV,
na superfcies de GaAs (311)A e (211)A, precisamos considerar as ligaes penden-
tes da superfcie para as diferentes orientaes. Na figura 4.4 apresentamos um es-
quema das diferentes direes de crescimento para uma estrutura cristalina do tipo
zinc-blend.
A identificao cristalogrfica das duas superfcies diferentes uma
questo de conveno, por exemplo o lado A pode ser especificado como superfcie
(111) e o lado B como superfcie ( ) 1 1 0 , ou vice-versa. No entanto, a maioria dos
trabalhos no tem adotado essa conveno para GaAs ou de fato para nenhum com-
posto III-V. A maior parte dos autores utiliza a face (311)A ou face (311)B como sis-
tema de identificao adequado, onde A tomo do grupo III e B tomo do grupo
V, apesar de que essa conveno uma utilizao incorreta dos smbolos cristalogr-
ficos.

Figura 4.3: Mobilidade de buracos plotados, temperatura ambiente, como funo da densidade
de buracos para uma amostra GaAs:Si (311)A. Outros trabalhos j publicados na literatura tambm so apre-
sentados para comparao.


54












Figura 4.4 a)Superfcie de uma estrutura zinc-blend usando configurao de dupla co-
ordenada b) destaque para o plano (311).

A estrutura do plano (311)A mostra componentes presentes na geome-
tria das ligaes da (100) e (111)A. Podemos notar que a superfcie (311)A apresen-
ta igual nmero de ligaes pendentes das orientaes (100) e (111)A. Ou seja, apre-
senta uma seqncia alternada de tomos de As, com uma ligao pendente e tomos
de Ga com duas ligaes pendentes, conforme destacado na Figura 4.4. A direo
(311)B apresenta geometria semelhante, com os tomos de Ga e As trocados. Essa
geometria busca a minimizao da energia entre as ligaes covalentes que esto na
superfcie do cristal
36
. Durante o crescimento por MBE, na condio de fluxo de As
fixo, os tomos de Ga podem ligar-se superfcie sem mudana no nmero de liga-
es pendentes. Um novo tomo de As , ento, incorporado; disponibilizando no-
vamente duas outras ligaes para um outro tomo de Ga.


55
Para compostos semicondutores III-V, o tomo do grupo III da borda
no degrau na superfcie (n11)A, tem uma afinidade muito baixa para impurezas e pa-
ra incorporao de defeitos, pois sua ligao pendente est desocupada. No entanto,
se o tomo da borda no degrau fosse um tomo do grupo V na superfcie (n11)B, tal
como As, os dois eltrons de valncia no ligados estaro como um nico par e tor-
nar-se-o muito reativos. Este par tem uma alta afinidade a certas impurezas e defei-
tos.

4.2 Propriedades Eltricas
As propriedades eltricas, concentrao e o tipo de portador dos fil-
mes de GaAs:Si crescidos nos planos (311)A e (211)A e utilizados nos dispositivos
p-i-n, foram obtidas, com relao aos parmetros utilizados no crescimento, atravs
da tcnica de efeito Hall, pelo mtodo de Van der Pauw. O procedimento est descri-
to no item 3.2.5 do captulo anterior.
A corrente e o campo magntico foram invertidos, para minimizar a
influncia nos resultados dos efeitos de magneto-resistncia, termoeltrico e outros
efeitos galvano-magnticos. O estudo apresentado a seguir foi realizado temperatu-
ra ambiente.
Um resumo das concentraes de portadores livres, obtidas a partir
das medidas do efeito Hall, so apresentadas como funo da temperatura de cresci-
mento (T
s
) e da razo de fluxo para os materiais V/III na figura 4.5. As razes de flu-
xo e a temperatura foram estipuladas e obtidas durante o processo de crescimento
epitaxial.
O tipo de portadores dos filmes obtidos nos planos GaAs(311)A, do-
pados com Si tendem a ser p para baixa razo do fluxo V/III e alta temperatura de


56
375 400 425 450 475 500 525 550 575 600 625 650
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
390 420 450 480 510 540 570 600 630
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
(a)
(311)A

3.0
4.5
10.5
12.5
Temperatura (
o
C)
T=300K
(b)
(211)A

3.0
3.8
6.3
9.0
12.5
C
o
n
c
e
n
t
r
a

o

(
x

1
0
1
8

c
m
-
3

)

crescimento. A mudana na condutividade de p para n foi observada para temperatu-
ras menores que 550
o
C e quando a razo de fluxo V/III aumentada.











Figura 4.5 Concentraes de portadores livres em camadas de GaAs:Si crescidas sobre
as superfcies (a) GaAs(311)A, (b) (211)A, como funo da temperatura de crescimento e da razo de
fluxo V/III. Valores positivos e negativos das concentraes indicam portadores tipo p e tipo n respec-
tivamente. Os pontos experimentais esto unidos por linhas para facilitar o seguimento pelos olhos.

Para as duas orientaes, o tipo de portador muda de p para n com o
aumento da razo do fluxo V/III e para um valor fixo de temperatura de crescimento.
Os resultados experimentais indicam que ocorre uma transio para uma razo maior
de fluxo V/III na superfcie (211)A em relao com a superfcie (311)A.
Outra caracterstica importante a eficincia de ativao do Silcio .
Em nossa discusso seguinte consideraremos trs nveis para : alta (70% - 100%),
mdia (10% - 70%) e baixa (<10%). Para mdia ou baixa, as amostras so com-
pensadas ou altamente resistivas, respectivamente. No caso da superfcie (311)A,
quando a razo de fluxo V/III 3.0, atinge-se uma eficincia alta para temperaturas


57
de crescimento maiores que ~580
o
C. Para uma razo de 4.5 obtm-se esse nvel so-
mente para valores de T
s
maiores que ~610
o
C, chegando-se at 100% para 650
o
C.
medida que T
s
comea a diminuir para um valor constante da razo, comea tam-
bm a decrescer nas amostras produto do efeito de auto-compensao. Para uma ra-
zo de fluxo igual 3.0, em nosso caso, no foi possvel produzir amostras tipo n.
Contudo, para uma razo de 4.5 e T
s
~530
o
C ocorre uma inverso do tipo de porta-
dores de p para n. Para esse valor da razo, a medida que T
s
continua diminuindo,
comea a aumentar at alcanar um valor de 100%. Assim, com relao aos parme-
tros de crescimento as amostras podem ter um tipo de portador bem definido e tam-
bm podem ser auto-compensadas ou altamente resistivas. Uma destas trs regies
pode ser atingida tambm para um valor fixo de temperatura, aumentado ou diminu-
indo a razo de fluxo V/III.
Os resultados experimentais indicam, como j havia sido reportado na
literatura, que filmes de GaAs:Si crescidos nos planos (311)A e (211)A, podem ser
dopados unicamente com Si, apresentando portadores do tipo p e tipo n, a partir dos
parmetros utilizados no crescimento.

4.3 Propriedades pticas
A tcnica de PL foi utilizada para determinar as propriedades pticas
dos filmes de GaAs:Si. As figuras 4.6 e 4.7 mostram espectros de fotoluminescncia
das amostras tipo p e n para filmes de GaAs:Si nas superfcies GaAs(311)A e Ga-
As(211)A, respectivamente.





58
1.38 1.40 1.42 1.44 1.46 1.48 1.50 1.52 1.54 1.56
(A
o
, X)
(e-A)
BB
T
s
= 530
o
C
V/III = 7.4
tipo n
I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a

d
a

F
L

(
u
.

a
.
)
Energia (eV)
V
As
BB
V/III = 3.0
T
s
= 580
o
C
tipo p
(311)A
1.38 1.40 1.42 1.44 1.46 1.48 1.50 1.52 1.54 1.56
(e-A)
M
BB
T
s
= 530
o
C
V/III = 13.2
tipo n
I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a

d
a

F
L

(
u
.

a
.
)
Energia (eV)
V
As
BB
T
s
= 620
o
C
V/III = 4.0
tipo p
(211)A









Figura 4.6 Espectros normalizados de Fotoluminescncia de amostras de GaAs(311)A
obtidos a uma temperatura de 25 K. Cada espectro tem o tipo de condutividade e a temperatura de
crescimento e a razo de fluxo V/III usada durante o crescimento das amostras. As etiquetas nos es-
pectros referem-se a diferentes processos de recombinao e significam: BB banda a banda, V
As

vacncia de Arsnio, (A
o
, X) emisso de aceitador neutro para xciton ligado e (e-A) emisso de doa-
dos para aceitador.











Figura 4.7 Espectros normalizados de Fotoluminescncia de amostras de GaAs(211)A
obtidos a uma temperatura de 25 K. Cada espectro tem o tipo de condutividade e a temperatura de
crescimento e a razo de fluxo V/III usada durante o crescimento das amostras. As etiquetas nos es-
pectros referem-se a diferentes processos de recombinao e significam: BB banda a banda, V
As
va-
cncia de Arsnio e M pico de Mahan.


59
Para as amostras tipo p, crescidas a uma baixa razo de fluxo V/III e a
alta temperatura de crescimento, possvel observar nas figuras (4.6) e (4.7) um pico
de PL de maior intensidade em torno de 1.485 eV. Esse pico associado recombi-
nao banda a banda (BB) (e-h) de um gs de buraco (h) com eltrons (e) na banda
de conduo
37
. Em torno de 1.45 eV existe tambm um pico de menor intensidade
que associado recombinao de um eltron ligado a uma vacncia de Arsnio
com um buraco ligado a um nvel aceitador de Si
As
38
. A existncia de vacncias de
Arsnio (V
As
) esperada devido baixa presso de Arsnio e alta temperatura do
substrato, utilizada durante o crescimento dessas amostras.
Para as amostras tipo n (~1.0 x 10
18
cm
3
) crescidas a uma alta razo
de fluxo V/III, os espectros mostram um pico largo em torno de 1.49 eV e 1.51 eV
para as superfcies (311)A e (211)A respectivamente. Tais picos de PL correspondem
a transies banda a banda
34
ou transies entre buracos ligados a um nvel aceitador
de eltrons na banda de conduo
39
. A cauda observada para baixa energia est asso-
ciada principalmente transio doador-aceitador (=carbono) (e-A) e ao efeito da
cauda da banda (band-tailing effect). A possibilidade da presena de ligao entre
esses picos e defeitos pontuais sugerida pela largura de linha dos picos. Para altas
energias, um ombro observado para a orientao (211)A. Esse ombro chamado
de pico de Mahan e um incremento da transio luminosa na energia de Fermi de-
vido correlao eltron-buraco. Assim, esse ombro causado por xcitons de
Mahan, os quais so estados quasi-ligados, formados por eltrons e buracos na ener-
gia de Fermi.
40,41,42
No caso da superfcie (311)A, um pico de PL bem definido ob-
servado para uma energia de 1.513 eV. Tal pico associado emisso de aceitadores
neutros para xcitons ligados (A
o
, X).
43



60
1.32 1.34 1.36 1.38 1.40 1.42 1.44 1.46 1.48 1.50 1.52 1.54
V
As
V
As
T
s
= 620
o
C
C B A
(211)A
Tipo p
V/III
2.8 (A) (1.00)
6.6 (B) (0.66)
9.2 (C) (0.10)
I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a

d
a

F
L

(
u
.

a
.
)
Energia (eV)
Outras informaes foram obtidas a partir das medidas de PL a baixa
temperatura. As figuras 4.8 e 4.9 mostram espectros normalizados de PL para a su-
perfcie (211)A, como funo da temperatura de crescimento e da razo de fluxo
V/III, respectivamente.









Figura 4.8 Espectros normalizados de PL de amostras de GaAs(211)A tipo p. As amos-
tras foram crescidas a uma temperatura de 620
o
C. Os espectros identificados com A, B e C corres-
pondem s razes de fluxo V/III de 2.8, 6.6 e 9.4, respectivamente. Os valores que esto do lado das
letras indicam a concentrao de portadores livres (em unidades de 10
18
cm
3
).

O comportamento das propriedades pticas das amostras para as dife-
rentes condies de crescimento pode ser explicado atravs da seguinte reao de
defeitos:
As Ga As
Ga V V + ( 45 )
Na equao (45) uma vacncia de As transforma-se num par de defei-
tos de anti-stio de Glio (Ga
As
) e de vacncia de Ga (V
Ga
) com um simples salto de
um tomo de Ga
44
. Devido ao fato de esses defeitos estarem carregados, a reao
conduzida pela posio do nvel de Fermi. Se um simples salto de um tomo de Ga
favorecido nas amostras tipo n, ele vai mudar um doador profundo (V
As
) num par de


61
aceitadores profundos (V
Ga
e Ga
As
). Tambm o aumento da presso de As desloca
reao para o lado esquerdo.
1.32 1.34 1.36 1.38 1.40 1.42 1.44 1.46 1.48 1.50 1.52 1.54 1.56
M
BB
(e-A)
Ga
AS
/V
Ga
B A
V/III = 13.2
(211)A Tipo n
T
s
(
o
C)
530 (A) (1.00)
620 (B) (0.25)
I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

n
o
r
n
a
l
i
z
a
d
a

d
a

F
L

(
u
.

a
.
)
Energia (eV)

Figura 4.9 Espectros normalizados de PL de filmes de GaAs:Si (211)A tipo n. As amos-
tras foram crescidas com uma razo de fluxo V/III de ~13.2 para diferentes temperaturas. Os valores
que esto ao lado das letras indicam a concentrao de portadores livres (em unidades de 10
18
cm
3
)

Durante o crescimento dos filmes de GaAs:Si, o stio da rede, onde o
Silcio incorpora, ser determinado pelo balano entre as intensidades da ligao Si-
Ga e Si-As, a energia superficial disponvel para dissociar as molculas de As
4
em
As atmico e pela cobertura superficial de As.
23
Alm disso, as superfcies (211)A e
(311)A so compostas de degraus com orientaes [111]A e [100]. A superfcie
(211)A tem dois tomos nos degraus (111)A e um tomo nos degraus (100), enquan-
to a superfcie (311)A tem um tomo por degrau. Na superfcie (100), cada tomo de
Ga ou As tem duas ligaes com o substrato. A figura 4.10 mostra as relaes super-
ficiais geomtricas entre as superfcies (111)A e (100) para a estrutura cristalina
zinc-blende, utilizando a configurao de coordenadas no plano.


62
Figura 4.10 Relaes superficiais geomtricas entre as superfcies (111)A e (100) para a
estrutura cristalina Zinc Blende, utilizando a configurao geomtrica em duas dimenses.
36


Durante o crescimento os stios de As disponveis na superfcie (111)
tm uma baixa densidade de cargas de valncia (ligaes simples pendentes), isto ,
uma baixa energia disponvel para dissociar as molculas de As
4
que esto chegan-
do superfcie.
36
Como uma conseqncia do anterior, para baixas presses de As
favorecida a formao de V
As
e a incorporao de Si nos stios de As, onde ele se
comporta como um aceitador. Os espectros de PL mostram ambos efeitos da dopa-
gem tipo p e a emisso devido V
As
(vide figura 4.9). O aumento da presso de As
durante o crescimento vai provocando um aumento do recobrimento da superfcie
com As e, conseqentemente, a incorporao de As se torna maior. O anterior con-
duz a uma diminuio da concentrao das vacncias de As e de acordo com a equa-
o (45), uma grande densidade de vacncias de Ga vai se formar. O Silcio vai pre-
encher as vacncias tanto de As como de Ga, deixando na superfcie um grande n-


63
mero de defeitos anti-stios de Ga. Assim, as amostras vo tornando-se compensadas.
Os espectros de PL so dominados principalmente pela emisso de defeitos profun-
dos do tipo Ga
As
, enquanto a emisso banda a banda no observada.
Para um aumento adicional da presso de As, um nmero desprezvel
de V
As
vai se formar e a equao (45) completamente dirigida para o lado esquerdo,
havendo nesta situao uma grande densidade de vacncias de Ga e defeitos de anti-
stios na superfcie. O Silcio incorpora principalmente nos stios de Ga, onde ele se
comporta como um doador. Assim, a dopagem com Si muda do tipo p para o tipo n e
a compensao das amostras diminui.
Outra caracterstica observada nos espectros est relacionada com a
dependncia da posio dos picos de PL com as condies de crescimento. Para as
amostras tipo p, a posio dos picos se desloca para baixa energia com o aumento da
razo fluxo V/III (a uma temperatura de crescimento constante (620
o
C)). Alm dis-
so, um alargamento dos picos induzido pela flutuao dos potenciais locais e pela
maior presena de defeitos para essas condies de crescimento (vide figura 4.8). No
caso das amostras tipo n (vide figura 4.9), o aumento da temperatura do substrato
para um valor fixo da razo do fluxo V/III (= 13.2) provoca um deslocamento da po-
sio do pico para baixa energia e um alargamento do pico de PL. Para as amostras
tipo p, o pico em torno de 1.45 eV associado emisso ligada vacncias de Ars-
nio (V
As
). J esse pico atribudo emisso ligada anti-stios de Glio (Ga
As
) ou
vacncias de Glio (V
Ga
) para as amostras tipo n. Observe que em ambos casos o
deslocamento da posio do pico de PL para baixa energia est ligado uma diminu-
io da concentrao de portadores livres. Na figura 4.8, um aumento da razo do
fluxo V/III ou diminuio da temperatura (a partir da amostra C), provoca uma mu-
dana do tipo de condutividade de p para n. Para a amostra B na figura 4.9, um au-


64
mento adicional da temperatura ou diminuio da razo do fluxo V/III induz uma
mudana da condutividade de tipo n para tipo p. Para a superfcie (311)A foi obser-
vado um comportamento similar nas caractersticas pticas das amostras tipo p e n,
obtidas atravs das medidas de PL.


65




5. Captulo: Junes p-i-n obtidas a partir de fil-
mes de GaAs nos planos (311)A e (211)A
Neste captulo so apresentados os resultados das propriedades pti-
cas e eltricas dos dispositivos p-i-n fabricadas a partir de filmes de GaAs:Si cresci-
dos nos planos (311)A e (211)A e filmes de AlGaAs:Si crescidos no plano (311)A.

5.1 Proposta para o dispositivo
Usualmente dispositivos semicondutores a base de junes pn so
crescidos por MBE sobre substratos dopados, geralmente do tipo n. Nesta situao
so feitos dois contatos, um no topo do dispositivo (regio p) e outro na parte de trs
do substrato (regio n).
Na nossa proposta, baseada na disponibilidade de substratos semi-
isolantes nos planos (311)A e (211)A, o processamento de um dispositivo p-i-n foi
feito na forma planar, a partir da utilizao de ataque qumico para descobrir a
camada dopada mais interna, conforme o esquema proposto na figura 5.1.




Figura 5.1 : Esquema do dispositivo proposto.

GaAs
n GaAs:Si
p GaAs:Si
i
Substrato GaAs(n11)A
+
-


66
A regio p sempre a mais interna na estrutura devido ao fato de que
suas condies de obteno so prximas da camada buffer intrnseca. Aps a reti-
rada do xido do substrato e da calibrao da temperatura, uma camada de 0,3 m de
GaAs intrnseco crescido com o objetivo de melhorar a qualidade da superfcie do
substrato de GaAs. Aps esta camada, crescida uma camada de 1,0 m de GaAs:Si,
nas condies indicadas no captulo 4, para que o filme tenha portadores do tipo p.
Como vimos anteriormente, as camadas p so obtidas para temperaturas do substrato
maiores que 550
o
C e razes entre os fluxos V/III menores que 4,0. Crescida a cama-
da p, o fluxo de Si interrompido para o crescimento da camada intrnseca (i) da jun-
o, que pode variar de 0,3 a 1,0m. Foram feitos alguns dispositivos nos quais foi
introduzido uma heteroestrutura na regio central da camada i, conforme sero apre-
sentados no decorrer deste captulo. Aps o trmino no crescimento da camada i, as
condies do sistema so preparadas para o crescimento da camada n, abaixando-se a
temperatura do substrato e aumentando-se a razo V/III. No sistema de crescimento
MECA 2000, dispomos de duas clulas de As, que so utilizadas simultaneamente
para o crescimento desta camada, dobrando-se o fluxo de As sobre o substrato. Alm
deste procedimento, a velocidade de crescimento para o elemento III (Ga ou a com-
binao de AlGa) reduzida pela metade. Uma estrutura p-i-n demora de 4,5 a 5,5
horas para ser crescida, dependendo da complexidade das estruturas presentes na re-
gio i.
O procedimento mais crtico no processamento do dispositivo o ata-
que qumico para a definio da camada p. O tempo de ataque calibrado para que
seja descoberta metade da camada p. Para que esta condio seja satisfeita, neces-
srio um processo de calibrao minucioso da razo de ataque da soluo em funo


67
da sua temperatura e da quantidade dos reagentes. Aferies feitas nos dispositivos,
indicam que a profundidade de ataque obtida tem um erro menor que 0,1m.
As camadas de GaAs dopadas da juno foram crescidas sempre com
os mesmos parmetros: 1) camada p - temperatura do substrato 580 C e razo dos
fluxos V/III de 3,0; 2) camada n temperatura do substrato 500 C e razo de fluxos
V/III de 12,5. Para as camadas de AlGaAs dopadas foram utilizados os seguintes pa-
rmetros no crescimento: 1) camada p - temperatura do substrato 620 C e razo dos
fluxos V/III de 3,0; 2) camada n temperatura do substrato 490 C e razo de fluxos
V/III de 12,5. A razo entre os fluxos de 12,5 o limite para o sistema epitaxial
MECA 2000, considerando-se apenas o elemento V na operao atravs de clulas
efusivas. Para aumentar este valor seria necessrio diminuir a taxa de Ga, porm isto
faz com que o tempo total de crescimento aumente consideravelmente, ultrapassando
s 5 horas, sendo que a qualidade do dispositivo obtido no muito superior. Siste-
mas de crescimento epitaxiais equipados com clulas de As do tipo crack-cell possi-
bilitam um incremento maior no fluxo de As, pois este controlado atravs de uma
vlvula. As camadas intrnsecas, para GaAs e AlGaAs, so crescidas nas mesmas
condies de temperatura e fluxo que a camada p. Para as amostras com poos de
In
0.2
Ga
0.8
As, situados na metade da camada intrnseca, a temperatura do substrato
diminuda durante o seu crescimento, voltando ao seu valor anterior aps o cresci-
mento da heteroestrutura.

5.2 Junes base de GaAs
As junes p-i-n base de GaAs foram obtidas a partir das condies
descritas no sub-item anterior sobre as superfcies (311)A e (211)A, a partir do se-


68
guinte esquema representado na figura abaixo. Cada amostra foi crescida separada-
mente.



Figura 5.2: Esquema das estruturas p-i-n crescidas

Os grficos das figuras 5.3 e 5.4, representam respectivamente a curva
IxV e o espectro de eletroluminescncia (EL) para dispositivos p-i-n crescidos nos
planos (311)A e (211)A. As curvas IxV apresentadas na figura 5.3 so caractersticas
para os dispositivos processados. Como caractersticas principais, podemos identifi-
car os seguintes aspectos:
1) Apresentam baixa retificao da corrente para tenses reversas;
2) A dependncia da curva para polarizaes diretas tem uma depen-
dncia linear acentuada para valores de tenso acima de 3V.
Estes dois aspectos apresentados so evidncias de que ocorrem per-
das hmicas na juno. Apesar destas perdas a eficincia da converso de corrente
em luz relativamente alta para tenses diretas aplicadas nos dispositivos (vide figu-
ra 5.4). O espectro de ambos os dispositivos, correspondem a emisses do tipo ban-
da-a-banda na regio do gap do GaAs (em torno de 1,41eV) a temperatura ambiente,
alargado pela presena das impurezas. Outro aspecto a ser ressaltado a resistncia
do dispositivo obtido a partir da superfcie (211)A, maior que a do obtido na superf-
cie (311)A.


i GaAs 1 m
n GaAs:Si 1 m
p GaAs:Si 1 m
buffer GaAs 0,3 m
Substrato GaAs(n11)A


69











Figura 5.3 Curvas IxV para diodos p-i-n crescidos nos planos (311)A e (211)A temperatura
ambiente.











Figura 5.4 Espectro de eletroluminescncia obtido a temperatura ambiente para uma corrente
de 5 mA atravs da juno. No detalhe do espectro est mostrada a EL do dispositivo p-i-n (ponto
branco da foto) obtido na superfcie (311)A, com o auxlio de uma cmara de infravermelho.

-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
-0,03
-0,02
-0,01
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05

C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Voltagem (V)
(311)A
(211)A
1,30 1,35 1,40 1,45 1,50 1,55
0,0000
0,0005
0,0010
0,0015
0,0020
0,0025 T=300K
E
L
(
u
n
i
d
.

a
r
b
i
t
.
)
Energia (eV)
(211)A
(311)A


70
As perdas hmicas que so observadas nas curvas IxV podem estar re-
lacionadas com:
i) rea dos contatos;
ii) defeitos na formao da juno e provenientes dos filmes do-
pados;
iii) defeitos provenientes do processamento;
Para verificarmos as propostas anteriores foram processados alguns
dispositivos com certas caractersticas. Inicialmente foi processado um dispositivo
com uma camada intrnseca de espessura 0,3m. A curva IxV para este dispositivo,
comparada com o dispositivo com camada intrnseca de 1,0 m esta apresentada na
figura 5.5. O grfico da figura 5.6 representa a regio da curva 5.5 para baixas ten-
ses. Observa-se claramente que a aproximao das regies p e n faz com que as
perdas aumentem, mesmo com a diminuio da resistncia do dispositivo (diminui-
o da camada resistiva i), variando-se muito pouco a resistncia do dispositivo para
tenses diretas. O mecanismo de formao de junes pn depende das caractersticas
dos filmes dopados. Nossa proposta para a presena destas perdas o pequeno po-
tencial da barreira que formado na juno e que devido a compensao do filme
dopado tipo n. Como vimos no captulo anterior o espectro de PL das amostras dopa-
das tipo n revela um pico largo em torno da regio de recombinao banda-a-banda,
o que revela a presena de uma srie de emisses provenientes principalmente de de-
feitos no filme. Os defeitos presentes nos filmes tipo n acabam ocasionando junes
com perdas hmicas elevadas.


71
-15 -10 -5 0 5 10 15
-0,04
-0,03
-0,02
-0,01
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05

C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Voltagem (V)
(311)A
i=0,3 m
i=1,0 m

Figura 5.5 Curvas caractersticas de diodos p-i-n com diferentes espessuras para a ca-
mada intrnseca.
-2 -1 0 1 2
-0,004
-0,002
0,000
0,002
0,004
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Voltagem (V)
(311)A
i=0,3m
i=1,0m

Figura 5.6 Detalhe das curvas da figura anterior para baixas tenses aplicadas, mostrando as
perdas apresentadas pelo dispositivo com uma espessura de menor camada intrnseca em comparao
com o dispositivo com a espessura maior.



72
Pelas curvas apresentadas na figura 5.6, percebe-se claramente que h
diferena entre ambas para baixas tenses aplicadas, observando-se perdas maiores
no dispositivo com valor menor para i. Quando menor for camada i mais perdas
sero introduzidas no dispositivo. No mostramos, mas dispositivos sem a presena
da camada i apresenta cursas IxV com caractersticas hmicas.
Outro fator que pode provocar o surgimento das perdas observadas es-
ta relacionado com a metodologia de processamento do dispositivo, incluindo-se a
definio da regio de ataque e a difuso dos contatos sobre as regies p e n. Para
verificarmos se a metodologia empregada no processamento introduz perdas nos dis-
positivos, foi processado um diodo p-i-n a partir da mesma estrutura representada na
figura 5.2 (invertendo-se as camadas p e n), s que crescida sobre um substrato de
GaAs dopado com Si pelo processo de MOCVD (Epitaxia a partir da fase gasosa). A
regio n continua sendo dopada com Si, s que a regio p foi dopada com Carbono.
Neste caso o ataque qumico foi feito at o substrato fosse descoberto (aproximada-
mente 4m). O processamento dos contatos foi o mesmo realizado e descrito no item
3.2.4. O metal ideal para a difuso na regio p seria o Zinco, ou ento uma liga de
ndio-Zinco, porm o ndio tambm pode ser utilizado.
Nota-se que o processamento (contatos e ataque qumico) introduz
perdas nas caractersticas IxV do dispositivo quando o contato n feito na parte defi-
nida da regio n pelo ataque qumico, enquanto que a curva IxV com o contato na
parte de baixo do substrato apresenta um retificao caracterstica de uma juno pn.






73
-3,0 -2,5 -2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
-0,020
-0,015
-0,010
-0,005
0,000
0,005
0,010
0,015
0,020
Contato na parte de cima da regio n
Contato na parte de cima da regio p

C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
V(Volts)

Figura 5.7 Curva IxV para uma estrutura p-i-n processada a partir de GaAs (100) dopa-
do.

Podemos concluir que as perdas geradas pelo processamento do dis-
positivo no so considerveis para explicar o comportamento das curvas IxV para
os dispositivos p-i-n nas superfcies (311)A e (211)A.

5.2.1 Junes de GaAs com heteroestruturas na camada in-
trnseca
O objetivo de se introduzir heteroestruturas no interior da camada ati-
va dos LEDs o de estreitar a linha de emisso e possibilitar o controle do pico de
emisso. A partir da estrutura base proposta na figura 5.2 foram crescidos na metade
da camada intrnseca, poos de In
0.2
Ga
0.8
As de largura 30 e separados por barreiras
de GaAs de 200, num total de 10.
A estrutura do dispositivo esta representada na figura abaixo.



74







Figura 5.8 Estrutura para o diodo p-i-n com poos qunticos de In
0.2
Ga
0.8
As

O In
0.2
Ga
0.8
As tem o gap em torno de 1,3 eV. Estas estruturas possu-
em um pico de emisso fotoluminescente em torno de 1,42eV devido ao confinamen-
to introduzido pela modulao no potencial nos portadores de cargas.
A figura 5.9 traz uma comparao entre as curvas IxV de dois disposi-
tivos p-i-n de GaAs, sendo um com poos de In
0.2
Ga
0.8
As na metade da camada in-
trnseca. Note que a as curvas seguem a mesma tendncia para a polarizao direta,
porm a presena dos poos gera perdas para a polarizao reversa. A eficincia da
emisso pouco alterada pela presena da heteroestrutura. No detalhe da figura 5.9
mostrado a EL do dispositivo registrada por uma cmara de infravermelho (ponto
branco na foto).
m
n

GaAs:Si 1 m
i

GaAs 0,5 m


In
0,2
Ga
0,8
As 0,003 m
GaAs 0,02 m


In
0,2
Ga
0,8
As 0,003
m
i

GaAs 0,5
m
p

GaAs:Si 1 m
10 X
buffer GaAs 0,3 m
Substrato GaAs(n11)A


75
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
-0,02
-0,01
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
C
o
r
r
e
n
t
e
(
A
)
Voltagem (V)
p-i-n GaAs
p-i-n GaAs com poos de 30 de In
0,2
Ga
0,8
As

Figura 5.9 Curvas IxV para estruturas p-i-n com e sem poos de InGaAs. No detalhe pode se
observar a EL da estrutura.

Na figura 5.10 mostramos o espectro de EL do dispositivo, a tempera-
tura ambiente, comparando-o com o dispositivo sem a presena da heteroestrutura.
Neste pode-se ver claramente a presena de um pico torno de 1,3 eV, que devido
recombinao banda-a-banda para o In
0.2
Ga
0.8
As. Nota-se no mesmo espectro um
pico menos intenso em torno de 1,4eV, que relacionado com a recombinao ban-
da-a-banda do GaAs.
Na figura 5.11, apresentamos os espectros de EL do diodo p-i-n com
os poos a temperatura ambiente e a temperatura de 8K. A temperaturas menores es-
pervamos ver a presena da emisso do estado confinado. Na figura 5.12 apresen-
tamos espectros de EL do mesmo dispositivo como funo da corrente. O pico de
emisso em torno de 1,3 eV a 300K tem um deslocamento para altas energia e h o
surgimento de dois picos adicionais a abaixo deste.



76











Figura 5.10 Comparao entre os espectros de EL para dispositivos p-i-n obtidos com uma
corrente de 20 mA a temperatura ambiente.











Figura 5.11 - Espectros de EL como funo da energia.

1,2 1,3 1,4 1,5
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
T=300K
p-i-n GaAs - poo de 30 In
0.2
Ga
0,8
As
p-i-n GaAs

E
L

N
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
Energia (eV)
1,1 1,2 1,3 1,4 1,5
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
T=300K
T=8K
20 mA
E
L

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
Energia (eV)


77









Figura 5.12 Espectros de EL a temperatura de 8K como funo da densidade de corrente no
dispositivo.
No espectro de EL para 50mA observa-se, conforme indicado pela se-
ta a presena de um pico de emisso na regio de 1,4eV que pode corresponder e-
misso do estado confinado dos poos de In
0.2
Ga
0.8
As ou emisso do GaAs caso a
amostra esteja muito quente. Para que nossa afirmao pudesse ser verificada, foi
crescida uma amostra somente com os poos de In
0.2
Ga
0.8
As e realizada PL a baixa
temperatura. Nos grficos da figura 5.13, apresentamos os espectros de PL e EL. O
pico de emisso indicado na figura 5.12 esta na mesma posio que o pico de emis-
so da PL. A emisso atravs do estado fundamental do poo quntico favorecida,
a baixa temperatura, pelo aumento da densidade da corrente atravs do dispositivo.
1,20 1,25 1,30 1,35 1,40 1,45 1,50
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
2,4
2,8
3,2
T=8K
50mA
30mA
20mA
10mA

E
L

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
Energia (eV)


78
1,15 1,20 1,25 1,30 1,35 1,40 1,45 1,50 1,55
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
PL
EL
T=8K


S
i
n
a
l

N
o
r
m
a
l
i
z
a
d
o
Energia

Figura 5.13 Comparao entre os espectros de EL e Pl a temperatura de 8K.

Para correntes maiores, h um deslocamento do pico para energias
mais baixas que pode estar relacionado com o aumento na temperatura do dispositivo
devido a dissipao e uma diminuio da emisso banda-a-banda.
Nos grficos representados na figura 5.14 mostrado um estudo da e-
ficincia (intensidade de emisso como funo da corrente atravs do dispositivo)
para os dispositivos base de GaAs. Nos grficos a intensidade foi normalizada, isto
porque no dispnhamos de um sistema ptico que permitisse a coleta de toda a radi-
ao luminosa emitida. possvel ver que todos os dispositivos saturam entre corren-
tes de 50-70 mA. O dispositivo com a camada intrnseca de 1,0m sem nenhuma he-
teroestrutura no seu interior o que apresentou a maior eficincia. A eficincia de
emisso esta relacionada com as perdas, j que este tambm o que apresenta meno-
res perdas hmicas atravs da juno.


79
0 20 40 60 80 100
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
T=300K

I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

N
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
Corrente (mA)
(p-i-n) GaAs i=0,3m
(p-i-n) GaAs i=1,0m
(p-i-n) GaAs i=1,0m e 10 poos de In
0.2
Ga
0.8
As

Figura 5.14 Intensidade normalizada como funo da corrente.

5.3 Junes a base de AlGaAs
A proposta da incluso do Al no GaAs tem como objetivo, o desloca-
mento do pico de emisso do infravermelho prximo (1,4eV) para a regio visvel do
espectro. O problema a que incorporao do Si no AlGaAs no plano (311)A tem
condies bem diferentes que a do Si no GaAs, principalmente para a camadas do
tipo n. As condies para a obteno de filmes dopados tipo n satisfeita somente
em condies de alta razes de fluxo V/III, condies estas que no favorecem a ob-
teno de filmes de boa qualidade. O crescimento da liga de AlGaAs feito a tempe-
raturas de substrato superiores a 620 C. Para as camadas do tipo n, a temperatura de
crescimento deve estar em torno ou abaixo de 500 C, desfavorvel qualidade cris-
talina da camada. Alm disso, o AlGaAs crescido a temperaturas baixas, apresenta
uma alta quantidade de defeitos profundos responsveis pela captura de portadores


80
livres no filme, tornando a camada altamente compensada. No foi feito um estudo
completo para o AlGaAs, assim como foi feito para o GaAs no captulo 4. Na figura
5.15 mostrado um grfico de concentrao de portadores no Al
0.15
Ga
0.85
As como
funo da temperatura do substrato para uma razo de fluxos fixa.

Figura 5.15 Dependncia da concentrao de portado no Al
0.15
Ga
0.85
As como funo dos pa-
rmetros de crescimento.

Foram processados dispositivos com concentraes de Al de 30% e
15%, de acordo com as estruturas representadas na figura abaixo. Filmes com 30%
de Al tm um comportamento muito similar ao representado do grfico anterior, s
que um pouco mais compensados.



450 480 510 540 570 600 630
-1,0
-0,5
0,0
0,5
1,0
V/III = 3.0
Temperatura
o
C
T=300K
Al
0.15
Ga
0.85
As (311)A

V/III = 12.5
C
o
n
c
e
n
t
r
a

o

(
x

1
0
1
8

c
m
-
3

)



81
m
n Al
0,15
Ga
0,85
As:Si 1
i Al
0,15
Ga
0,85
As 1 m
m
p Al
0,15
Ga
0,85
As:Si 1 m
m
buffer GaAs 0,3 m
Substrato GaAs(n11)A

m
m
m
n Al
0,3
Ga
0,7
As:Si 1 m
i Al
0,3
Ga
0,7
As 1 m
m
p Al
0,3
Ga
0,7
As:Si 1 m
buffer GaAs 0,3 m
Substrato GaAs(n11)A

Figura 5.16 Estruturas para dispositivos p-i-n com AlGaAs.

Alm destas estruturas, foi processado um dispositivo com uma estru-
tura de super-rede de AlGaAs/GaAs de acordo com a estrutura proposta na figura
5.17. A motivao para este dispositivo a mesma que a do dispositivo proposto no
item 5.2.1 (dispositivo p-i-n com poos de InGaAs). Na super-rede, como as barrei-
ras so estreitas, h a formao de uma mini-banda de energia entre os gaps do GaAs
e AlGaAs.
GaAs 0,002
m
n Al
0,15
Ga
0,85
As:Si 1 m
i Al
0,15
Ga
0,85
As 0,5 m
m
p Al
0,15
Ga
0,85
As:Si 1 m
m
i Al
0,15
Ga
0,85
As 0,5 m
m
AlGaAs 0,002 m
GaAs 0,002 m
30 X
buffer GaAs 0,3 m
Substrato GaAs(n11)A

Figura 5.17 Estrutura para dispositivo p-i-n com uma super-rede na camada intrnseca.

O processamento utilizado para estas estruturas foi o mesmo realizado
para as estruturas de GaAs. As curvas IxV para as amostras processadas esto repre-


82
sentadas na figura 5.18. Observa-se pelas curvas que para todos os dispositivos as
perdas hmicas so elevadas, tanto para a polarizao direta, como para a polariza-
o reversa. As curvas tm um carter hmico bastante acentuado. Alm deste fato,
os dispositivos apresentam uma eficincia de emisso duas ordens de grandeza me-
nor que os dispositivos a base de GaAs. Mesmo com a baixa eficincia possvel
observar o sinal de EL a olho nu, j que a emisso para o AlGaAs esta na regio sen-
svel do olho humano. O espectro de EL para o dispositivo p-i-n de Al
0.15
Ga
0.85
As
esta representado na figura 5.19. Como a eficincia baixa o sinal obtido para cor-
rentes elevadas, sendo possvel somente a sua obteno em baixas temperaturas. A
operao dos dispositivos a temperatura ambiente causa um aquecimento intenso e a
conseqente queima deste aps, no mximo, dois minutos de operao nestas condi-
es.
Os sinais de EL para os dispositivos p-i-n de Al
0.15
Ga
0.85
As com a pre-
sena da super-rede na camada intrnseca e o processado com a liga de Al
0.3
Ga
0.7
As
no foram possveis de serem detectveis pelo sistema de caracterizao utilizado,
apesar de poderem ser observados a olho nu.


83
-30 -20 -10 0 10 20 30
-0,08
-0,06
-0,04
-0,02
0,00
0,02
0,04
0,06
0,08

C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Voltagem (V)
p-i-n Al
0.15
Ga
0.85
As
p-i-n Al
0.15
Ga
0.85
As com poo de GaAs 20
p-i-n Al
0.3
Ga
0.7
As

Figura 5.18 Curvas de IxV para dispositivos p-i-n a base de AlGaAs. No detalhe do grfico
podemos observar a emisso EL do dispositivo.

1,5 1,6 1,7 1,8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 T=8K


E
L

N
o
r
m
a
l
i
z
a
d
o
Energia (eV)

Figura 5.19 Espectro de EL para o dispositivos p-i-n a base de Al
0.15
Ga
0.85
As.


84
Foi feita uma comparao entre as eficincias de emisso para os dis-
positivos com a liga de Al
0.15
Ga
0.85
As, mostrada no grfico da figura 5.20.
0 20 40 60 80 100
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
T=300K

I
n
t
e
n
s
i
d
a
d
e

N
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
Corrente (mA)
(p-i-n) Al
0.15
Ga
0.85
As i=1,0m
(p-i-n) Al
0.15
Ga
0.85
As i=1,0m com uma super-rede de
AlGaAs/GaAs

Figura 5.20 Espectro de EL para o dispositivos p-i-n a base de Al
0.15
Ga
0.85
As.

A presena da super-rede na regio intrnseca diminui a eficincia do
dispositivo, comportamento este similar ao do dispositivo com poos de InGaAs.


85




6. Captulo: Concluses e Consideraes Finais
O objetivo principal deste trabalho foi o processamento de dispositi-
vos emissores de luz (LEDs), baseados em estruturas p-i-n obtidas a partir de filmes
de GaAs e AlGaAs, crescidos pela tcnica de epitaxia por feixes moleculares sobre
substratos de GaAs orientados nos planos (311)A e (211)A. Nestes planos, e sob
condies especficas de crescimento, o Si pode assumir tanto o carter de doador
como aceitador.
Na primeira etapa deste trabalho foram feitos estudos sobre as propri-
edades eltricas e pticas de filmes de GaAs:Si, estabelecendo-se as caractersticas
de incorporao do Si com funo das condies de crescimento dos filmes, mais
precisamente da temperatura do substrato e da razo entre os fluxos de materiais
V/III. Sob certas condies de temperatura e razo de fluxos, foram obtidos filmes de
GaAs:Si com concentraes de portadores da ordem de 1x10
18
cm
-3
. Os filmes com
carter n apresentam uma alta compensao devido a dificuldade do Si ativar-se no
stio do Ga nas superfcies (311)A e (211)A. Esta ativao s possvel a baixas
temperaturas de crescimento e altas razes V/III, devido a uma transio na morfolo-
gia das ligaes pendentes na superfcie. Sob estas condies gerada uma quantida-
de grande de defeitos no filme, como pode ser observado pelos largos espectros de
Fotoluminescncia apresentados no captulo 4 deste trabalho. J os filmes com carac-
tersticas p apresentam propriedades satisfatrias.


86
Os dispositivos p-i-n a base de GaAs, processados a partir da metodo-
logia descrita no captulo 3, apresentaram um boa eficincia de emisso ptica. Fo-
ram observadas perdas hmicas atravs das curvas de IxV, em parte relacionadas
com a metodologia de processamento da estrutura e em parte devida prpria natu-
reza da formao da juno nas superfcies (311)A e (211)A. Os dispositivos fabri-
cados com filmes de AlGaAs apresentaram uma eficincia bem baixa, quando com-
parados com os de GaAs. Em parte devido ao prprio fato de se no conseguir cama-
das dopadas de boa qualidade, originando camadas altamente compensadas e conse-
qentemente com uma resistncia muito alta.
Nos dispositivos p-i-n de GaAs foi introduzida uma estrutura de
In
0.20
Ga
0.80
As, sob a forma de mltiplos poos qunticos, com o objetivo de estreitar
a largura da emisso ptica e possibilitar o deslocamento do pico de emisso. Este
fato foi demonstrado e o dispositivo apresentou uma eficincia comparvel com seu
equivalente, sem a heteroestrutura. Foi observado que o espectro de EL deste dispo-
sitivo varia com a corrente aplicada. Parte deste comportamento pode ser explicada
pelo aquecimento do dispositivo. Sob correntes elevadas foi possvel observar um
pico de emisso que foi atribudo emisso do estado fundamental do poo quntico.
A medida da eficincia quntica dos dispositivos foi estimada a partir
de curvas de Intensidade como funo da corrente.
A superfcie (311)A mostrou-se a mais adequada para o crescimento
de estruturas p-i-n utilizando somente o Si como dopante.
O trabalho realizado abre a possibilidade de realizao de novas in-
vestigaes, assim como a determinao de parmetros dos dispositivos tais como:
tempo de vida, novas formas geomtricas e a diminuio do tamanho dos contatos
(utilizando-se metais evaporados e mscaras).


87




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