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Evolucin desde un amplificador bsico a un amplificador operacional y su utilizacin como amplificador de potencia de audio
El diseo anterior se puede mejorar notablemente empleando en la primera etapa un par diferencial
Notar que la eficiencia es muy baja debido a la polarizacin de la tercera etapa por medio de una resistencia (R7)
Se mejora el rendimiento incorporando un carga activa para la tercera etapa, de manera de llevar el rendimiento cerca del mximo posible para la clase A
VI
VBE4 = 0,7V VCC-
VO
VI
VO
VI
El diodo tiene menor inercia trmica que el termistor y su deriva trmica es similar a la del transistor
El transistor permite reemplazar a varios diodos con el circuito multiplicador de Vbe y tiene las misma deriva trmica que la juntura base emisor de los transistores de salida
Especificaciones
Potencia de salida = 50W sobre 8 ohm a 1KHz con THD 0,01% Potencia de salida = 80W sobre 4 ohm a 1KHz con THD 0,02% Distorsin armnica total = 0,01% de 20 Hz a 20KHz a 1W/8ohm Distorsin por intermodulacin = 0,01 % a 1W/8ohm Distorsin por intermodulacin transitoria (TIM)= rara vez especificado Ancho de banda = 10 Hz a 100 KHz a 1W/8ohm Ancho de banda de potencia = 10 Hz a 50 KHz a 50W/8ohm Sobreimpulso de la tensin de salida = rara vez especificado Factor de amortiguamiento = 200 Impedancia de entrada = 50 Kohm Tensin de offset a la salida = 20mV entre 20 y 50 C de temp. amb. Consumo sin seal = 5W Proteccin contra cortocircuito a la salida Proteccin contra tensin continua a la salida