UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHO UFMA CENTRO DE CINCIAS EXATAS E TECNOLOGIA CCET DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA DE ELETRICIDADE - DEE LABORATRIO DE ELETRONICA

CA I ELDIO ARIMATIA FERREIRA - MATRCULA: 2010025061

GERADOR DENTE DE SERRA UTILIZANDO TJB E UJT

RELATRIO TCNICO

So Luis - MA 2013

GERADOR DENTE DE SERRA UTILIZANDO TJB E UJT

RELATRIO TCNICO Relatrio apresentado para a obteno da nota parcial relativa disciplina Laboratrio de Eletrnica I ministrada pelo professor Jos Roberto Quezada no perodo letivo de frias 2012.

So Luis - MA 2013

SUMRIO
1. 2. a. b. c. 3. 4. INTRODUO ................................................................................................................... 1 FUNDAMENTAO TERICA ..................................................................................... 2 Transistor de Unijuno (UJT) ...................................................................................... 2 Oscilador de relaxao .................................................................................................... 4 Transistor de bipolar de juno (TJB) .......................................................................... 6 VISO GERAL DO PROJETO ........................................................................................ 9 DIAGRAMA DE BLOCOS DO CIRCUITO PROJETADO .......................................... 9

5. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL E PRJEO DO OSCILADOR DE RELAXAO ........................................................................................................................... 10 6. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL E PORJEO DA FONTE CONSTANTE DE CORRENTE........................................................................................................................ 15 7. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL PARA A MONTAGEM FINAL DO GERADOR DENTE DE SERRA............................................................................................. 17 8. 9. RESULTADOS OBTIDOS E CONCLUSO ................................................................ 18 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ............................................................................ 19

ANEXO I - DATASHEET DO TRANSISTOR DE UNIJUNO 2N2646 ......................... 20 ANEXO 2 DATASHEET DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO B369 ................ 24

1. INTRODUO O relatrio apresentado a seguir referente ao projeto de um gerador de onda dente de serra, da disciplina de laboratrio de eletrnica 1. A implementao do projeto ocorreu no software de simulao Multsim 12.0, desenvolvido pela empresa National Instruments. O projeto baseia-se no funcionamento de dois elementos caractersticos o transistor de unijuno (UJT) e o transistor bipolar de juno (TJB), que juntos contriburam com suas caractersticas para a obteno dos resultados esperados do projeto. O circuito de um gerador dente de serra, pode ser visto como um circuito derivado de um oscilador de relaxao, com a incluso do transistor bipolar de juno para tornar constante a corrente que chega ao capacitor do oscilador, fazendo com que a tenso sobre o mesmo varie linearmente com o tempo, gerando assim a forma de onda dente de serra triangular.

2. FUNDAMENTAO TERICA a. Transistor de Unijuno (UJT) O transistor de unijuno um dispositivo semicondutor tri-polo, que como o seu prprio nome diz constitudo por apenas uma juno PN. O UJT possui a forma estrutural de um transistor comum, porm, suas caractersticas eltricas so completamente diferentes.

Figura 1 Construo bsica do (UJT)

O transistor de unijuno fisicamente constitudo por uma barra de material semicondutor do tipo N (levemente dopado), na qual existe uma ilha de material semicondutor tipo P. Na barra semicondutora do tipo N existem dois terminais externos, denominados B1 (base 1) e B2 (base 2), tais terminais no formam nenhuma juno semicondutora, portanto, entres estes, na prtica, existe apenas uma elevada resistncia formada pelo material semicondutor tipo N fracamente dopado. O material semicondutor tipo P constitui, por fim, o terceiro polo do UJT que denominado de emissor (E). O circuito equivalente do UJT formado por dois resistores, sendo uma varivel e um fixo e um nico diodo e pode ser observado na figura 2.

Figura 2 Circuito equivalente do transistor de unijuno (UJT)

Consideramos a resistncia RB1 como varivel na figura 2, j que o seu valor variar com a corrente no emissor IE, Para um transistor de unijuno representativo RB1 pode variar de 5k a 50k para uma variao de IE de 0 a 50A. A resistncia formada pelas bases B1 e B2 a resistncia RBB, quando a corrente no emissor for igual a zero IE = 0. O valor de RBB tipicamente est na faixa de 4 k a 10 k. RBB = (RB1 + RB2) |IE = 0 [1]

A posio da haste de alumnio mostrada na figura 1 determina os valores relativos de RB1 e RB2 quando a corrente no emissor IE for igual a zero. O valor de tenso sobre RB1 com a corrente no emissor igual a zero (IE = 0) determinada por divisor de tenso da seguinte forma:

[2] A letra grega (eta) chamada de relao de equilbrio intrnseca do dispositivo, e dada pela seguinte forma:

[3] Para tenses aplicadas no emissor VE maiores que VRB1 = VBB, pela queda de tenso direta do diodo, o valor de pode variar de 0.35 a 0.7, o diodo conduzir, passando a se comportar como um curto-circuito e ento IE comea a fluir atravs de RB1. A seguir temos a equao para a tenso de disparo do emissor (VP). [4]

Figura 3 Curva caracterstica de um transistor de unijuno (UJT)

Na curva caracterstica da figura 3, observamos claramente que para potencias no emissor a esquerda do ponto de pico, o valor de IE nunca ser maior do que IE0, valor esse medido em microampres, esta regio, como indicado na figura 3, chamada de regio de corte. Quando passar a conduzir com VE = VP, o potencial no emissor VE diminuir com o aumento de IE, isto est de acordo com a diminuio que o ocorre na resistncia RB1 pelo aumento da corrente no emissor. Portanto o UJT possui uma regio de resistncia negativa que estvel o suficiente para ser usado com muita segurana em vrias aplicaes. Quando o ponto de vale atingido, qualquer aumento em IE posterior a essa situao coloca o UJT na sua regio de saturao. Nesta regio, suas caractersticas aproximam-se de um diodo semicondutor.

b.

Oscilador de relaxao

O oscilador de relaxao um circuito multivibrador em que a frequncia controlada pela carga ou descarga de um capacitor atravs de um resistor. Abaixo temos a figura do circuito oscilador de relaxao projetado.

Figura 4 Circuito bsico de um oscilador de relaxao

O resistor RT e o capacito CT so os componentes que determinam o perodo da oscilao.

O capacitor CT carregado atravs do resistor RT pela fonte Vcc, no perodo em que a tenso do capacitor menor do que a tenso de compensao (Vp = Tenso de pico), o emissor do transistor apresenta uma impedncia de entrada altssima, comportando-se como um circuito aberto. Quando a tenso no emissor, atravs do capacitor supera o valor de Vp o circuito de unijuno dispara, descarregando o capacitor, e depois disso outro ciclo de carregamento se inicia. Na figura 5, que se segue, podemos observar claramente as formas de ondas obtidas do circuito a da figura 4.

Figura 5 Formas de onda obtidas do circuito do oscilador da figura 4

c. Transistor de bipolar de juno (TJB) O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais, formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n". O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de transistor pnp.

Figura 6 Estrutura bsica de um transistor bipolar de juno com equivalentes com diodo.

A figura 5 ilustra a estrutura bsica de um transistor, representando um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C respectivamente). Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de juno mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos. Para que um transistor funcione na sua regio ativa necessrio polarizar corretamente as suas junes, da seguinte forma: - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno bipolar, seja ele npn ou pnp. As figuras 7 e 8 abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de transistores.

Figura 7 - Transistor npn com polarizao direta entre base e emissor e polarizao reversa entre coletor e base.

Figura 8 - Transistor pnp com polarizao direta entre base e emissor e polarizao reversa entre coletor e base

o Caractersticas de um TJB funcionando na sua regio ativa A seguir na figura 9 temos a configurao equivalente de um transistor um funcionando na sua regio ativa, tal configurao de fundamental importncia, pois a partir dela que o nosso circuito se tornar um gerador dente de serra.

Figura 9 - Esquema equivalente de um transstor na zona ativa

Equaes obtidas do circuito. ou HFE o ganho de corrente Corrente no emissor: = + = + = ( + )

= ( + 1) = ( + 1)

( + ) =

Todas essas equaes so validas apenas quando o transistor est funcionando na sua regio ativa. d. Gerador dente de serra

Uma onda da tenso dente de serra tem a forma indicada na figura 10. A elevao da tenso e linear e com tempo de subida (Ts), normalmente chamado de tempo de trao muito maior que o tempo de descida (Td), em geral denominado tempo de retrao.

Figura 10 Onda da tenso dente de serra.

Pode-se obter uma forma de onda dente de serra de vrios modos, todos eles baseados na maneira como o capacitor se comporta enquanto est se carregando. Se o capacitor se carrega por meio de uma resistncia, a tenso cresce exponencialmente, pois a corrente de carga sobre o capacitor no e constante. Se a carga e feita por uma corrente constante, a tenso varia linearmente com o tempo.
A tenso no capacitor de acordo com o tempo quando um capacitor e carregado por uma corrente constante: pode ser observado nas representaes matemticas a seguir.

1 =

Para a equao acima para o capacitor conduzir corrente a tenso deve variar com o tempo, temos ento o grfico a seguir:

Figura 11 - Grfico da inclinao da carga de uma capacitor para V constante.

3. VISO GERAL DO PROJETO Basicamente o projeto dividido em dois blocos, o principal baseado em um circuito oscilador de relao e o outro baseado em um circuito com um transistor de juno bipolar, que far com que seja injetada uma corrente constante em cima do capacitor do oscilador de relaxao, fazendo com que o grfico da carga do capacitor tenha crescimento linear. 4. DIAGRAMA DE BLOCOS DO CIRCUITO PROJETADO

Figura 10 Diagrama de blocos do circuito projetado.

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5. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL E PRJEO DO OSCILADOR DE RELAXAO Para construo do oscilador de relaxao, foi feito primeiramente a escolha do datasheet do transistor de unijuno que ser usado. O transistor 2N2646 foi o escolhido, o datasheet completo do mesmo pode ser conferido em anexo. Posterior a escolha do UJT 2N2646, foi definida o valor da fonte de corrente continua que alimenta o circuito, o escolhido foi Vcc = 18 Volts, tambm foi definida qual seria a queda de tenso sobre as bases do transistor, neste caso sobre RBB, a queda de tenso definida foi VBB = 15 Volts. Com tais valores definidos foi calculado ento o valor de disparo do transistor como se segue abaixo. Clculo do valor da tenso disparo do UJT (Vp) = + = + = 0.6515 + 0.7 = . Com esses valores em mos foi feita a montagem inicial do circuito oscilador de relaxao, que pode ser observado na figura 13.

Figura 13 Circuito do oscilador de relaxao projetado com as especificao do transistor de unijuno

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Partimos agora para o clculo da faixa em que se encontra o meu resistor RT, de acordo com a fundamentao terica O valor de RT deve ser escolhido de forma assegurar que a reta de carga do circuito intercepte a curva caracterstica do UJT na regio direita do ponto de pico, porm a esquerda do ponto de vale. Uma equao para RT que assegurar o disparo do UJT pode ser estabelecida se considerarmos o ponto de pico em IRT = IP e VE = VP. Ento: Assim a faixa de valores para o resistor RT est entre: < < Clculo do valor de RT

Das especificaes tcnicas do TJU 2N2646, encontradas em anexo, e dos valores j calculados, temos: V = Vcc = 18 Volts Vp (Calculado) = 10.45 Volts Vv = 2.2 Volts Iv = 4 mA Ip = 5 A < < 18 2.2 18 10.45 < < 3 410 5106 . < < O valor de RT escolhido para o circuito projetado, de acordo com a tabela de resistores comercias, foi de RT = 10 .

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Com a queda de tenso sobre o TJU estabelecida como sendo de VBB = 15 volts, foi feita a medida no multsim da resistncia interbase RBB do dispositivo.

Figura 14 Valor da resistncia interbase RBB medido no multsim.

Com os valores de VBB = 15 volts e RBB = 6,128 k estabeleo os valores de R1 e R2 que obedea esses parmetros. Clculo do valor de R1 e R2.

VBB = 15 Volts RBB = 6.128 Aplicando a regra do divisor de tenso: = ( + 1 + 2 ) = + 1 + 2 = + 1 + 2 + =

+ =

. . +

Para proteger o dispositivo UJT de acordo com suas especificaes em anexo e para atender as necessidades do projeto, foram escolhidos os seguintes valores comerciais de resistores, R1 = 180 e R2 = 820.

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O ltimo passo do projeto do oscilador de relaxao foi a determinao do capacitor CT, com base na frequncia de oscilao que eu desejava. Especificamos que o oscilador de relaxao oscile em uma frequncia de 100 Hz, para o clculo do capacitor CT, com base nos parmetros j calculados, utilizamos a seguinte equao: [ ]

Clculo do valor de CT

Com os valores conhecidos: fosc = 100Hz RT = 10 k n = 0.65 Calcula-se o valor de CT para a frequncia desejada: = [ ] [ O valor do capacitor comercial escolhido foi de 1 F, tal capacitor resulta em uma frequncia de oscilao de: = [ ] [ [ . ] . ] . ] .

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Tal frequncia de oscilao resulta em um perodo de: = 1 1 1 = = 10,4 95.25

Por fim foi realizada a montagem do primeiro bloco do circuito com os valores calculados de cada componente, o circuito final do oscilador de relaxao pode ser observado na figura 15.

Figura 15 Circuito final do oscilador de relaxao com todos os componentes determinados.

Figura 16 Forma de onda observado no osciloscpio do circuito da figura 15

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6. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL E PORJEO DA FONTE CONSTANTE DE CORRENTE Para a construo da fonte de corrente constante com TJB, foi feito o desenho do circuito com o transistor j levando em considerao o resistor RT, tal circuito pode ser observado na figura 17.

Figura 17 Circuito inicial da fonte de corrente

Com esse circuito foi feita a escolha do datasheet do TJB necessrio para nossa aplicao, de acordo com a corrente no emissor do circuito, que pode ser obtida da seguinte forma: = 18 = = 1.8 10 103

Com o valor da corrente IE determinado escolhemos o TJB (pnp) que pode ser utilizado para aplicao. O BC369 foi escolhido, o mesmo possui um valor de corrente mximo suportada no emissor de IE = 0.1 A e que varia de 85 375. O datasheet completo do BC369 pode ser encontrado completo em anexo. Como o valor de VBE, VS e RE so constantes, a corrente no emissor constante e independente do valor de ou da corrente da base, como o valor de IE constante Ic tambm ser, esta ser a corrente necessria no circuito do oscilador de relaxao.

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Clculo do valor de R3 e R4

Os resistores R3 e R4, j que a corrente que passa por eles IE = IC = 1.8 mA, aplicando a lei de Ohm, obtemos: = (3 + 4 ) 3 + 4 = 18 3 + 4 = + = 1.8

Os valores de resistores comerciais utilizado para os resistores so, R3 = 4.3k e R4 = 5.6k. O circuito final projetado da fonte constante de corrente pode ser observado na figura 18.

Figura 18 Circuito projetado da fonte de corrente constante

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7. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL PARA A MONTAGEM FINAL DO GERADOR DENTE DE SERRA Com os dois blocos do circuito gerador dente de serra pronto, a etapa experimental final consiste na unio dos blocos e da verificao dos resultados, na figura 19 temos a configurao final do circuito gerador dente de serra.

Figura 19 Circuito final montado do gerador dente de serra.

Na figura 20, observamos atravs de um osciloscpio a forma de onda dente de serra em cima do capacitor, assim como o perodo de oscilao da onda.

Figura 20 Forma de onda dente de serra obtida do circuito da figura 17.

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8. RESULTADOS OBTIDOS E CONCLUSO Concluo que o circuito projetado obteve um resultado satisfatrio dentro do que foi estabelecido como parmetros iniciais e tambm est atendendo solicitao que foi feita, que gerar uma forma de onda dente de serra. A forma de onda desejada foi obtida atravs de uma oscilador de relaxao combinado com uma fonte de corrente constante, representada por um transistor bipolar de juno. O dado conclusivo do projeto, que de acordo com a frequncia estabelecida para a oscilao do oscilador de relaxao, o meu gerador de onda dente de serra oscila tambm na mesma frequncia, dado que pode ser observado na figura 20 situada na seo 7. Pequenas diferenas podem ser observadas, por exemplo do perodo de oscilao calculado para o medido experimentalmente, tais diferenas podem ser justificados pelo uso aproximado de frmulas matemticas e questes de arredondamento, mas tais diferenas se encontram dentro do limite aceitvel. O circuito projetado pode ser usado em vrias aplicaes, tais como, deflexo do feixe eletrnico no osciloscpio, nos equipamentos de transmisso e recepo em televisores em equipamentos de converso digital para analgico, equipamentos de medio, alm de ser um circuito amplamente utilizado no ramo musical como gerador de tom para instrumentos.

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9. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS [1] BOLEYSTAD, L. Robert; Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos Editora Prentice Hall, 2012 [2] SADIKU, N. Matthew.; Fundamentos de circuitos eltricos Editora Mcgraw-hill Interamericana ,2012.

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ANEXO I - DATASHEET DO TRANSISTOR DE UNIJUNO 2N2646

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ANEXO 2 DATASHEET DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO BC369