ndice

Unidad 1 Introduccin al tablero de circuitos..........................................................................1 Ejercicio 1 Identificacin del transistor de potencia y el tiristor .............................................3 Ejercicio 2 Perspectiva general de los bloques de circuitos.....................................................7 Unidad 2 Bloques de los circuitos de carga e impulsin..........................................................9 Ejercicio 1 Familiarizacin con el bloque de circuitos de impulsin ....................................13 Ejercicio 2 Familiarizacin con el bloque de circuitos de carga............................................15 Unidad 3 Operacin de los transistores de potencia y tiristores gto ....................................19 Ejercicio 1 Operaciones de los transistores bipolares de potencia.........................................23 Ejercicio 2 Operaciones bsicas de los MOSFET y los IGBT...............................................25 Ejercicio 3 Operaciones bsicas de los tiristores GTO ..........................................................27 Unidad 4 Principios de los circuitos de conmutacin de potencia........................................29 Ejercicio 1 - Tiempo de conmutacin y cada de voltaje de conduccin..................................33 Ejercicio 2 Potencia de conmutacin en una carga inductiva ................................................35 Ejercicio 3 Tiempo de recuperacin del diodo de rueda libre ...............................................39 Ejercicio 4 Prdidas en los conmutadores de potencia electrnicos ......................................43 Unidad 5 Transistor bipolar y conmutadores tiristores gto..................................................47 Ejercicio 1 El transistor de potencia bipolar ..........................................................................53 Ejercicio 2 El transistor de potencia Darlington ....................................................................55 Ejercicio 3 El tiristor GTO .....................................................................................................59 Unidad 6 El mosfet de potencia y los igbt ...............................................................................61 Ejercicio 1 El MOSFET de potencia......................................................................................67 Ejercicio 2 El IGBT ...............................................................................................................69 Ejercicio 3 El IGBT ultrarrpido............................................................................................73 Apndice A Seguridad ........................................................................................................... A-1

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Unidad 1 Introduccin al tablero de circuitos

UNIDAD 1 INTRODUCCIN AL TABLERO DE CIRCUITOS

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al final de esta unidad, usted ser capaz de localizar e identificar los principales componentes del tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO utilizando la informacin presentada en los ejercicios. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD En electrnica de potencia, se encuentran diferentes tipos de conmutadores electrnicos. En una primera categora, las seales de excitacin pueden utilizarse solamente para activar (o bloqueo inverso) los semiconductores de conmutacin (por ejemplo: tiristor y TRIAC). Estos semiconductores se pueden estudiar utilizando el tablero de circuitos Tiristor y circuitos de control de potencia, modelo 91011. Una segunda categora incluye los semiconductores de potencia conocidos como dispositivos autoconmutados, ya que pueden ser encendidos o apagados por seales de control. En esta categora se encuentran los transistores de potencia: NPN bipolar, Darlington, MOSFET e IGBT (Transistor bipolar de compuerta aislada). Se encuentra tambin el Tiristor GTO que se utiliza principalmente en aplicaciones de alta potencia. En los siguientes ejercicios estudiaremos los fundamentos bsicos de los transistores de potencia y tiristores GTO y daremos un vistazo general del tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO. NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS IGBT - Transistor bipolar de compuerta aislada - una combinacin de transistores bipolares y un MOSFET. tiristor GTO - un semiconductor que acta como un tiristor, pero que puede ser apagado aplicando un gran impulso negativo en su compuerta. tiempo de conmutacin - el tiempo que le toma a un conmutador electrnico para activar o interrumpir el flujo de corriente en un circuito (encender o apagar el circuito de alimentacin). circuito de impulsin - un circuito de amplificacin diseado para suministrar una seal de control de alta corriente hacia un conmutador electrnico.

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Ejercicio 1 Identificacin del transistor de potencia y el tiristor

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al terminar este ejercicio, usted ser capaz de localizar e identificar cada tipo de transistor de potencia y el tiristor GTO en su bloque de circuito correspondiente. Verificar la informacin presentada en este ejercicio por medio de observaciones. DISCUSIN DEL EJERCICIO Este ejercicio presenta los semiconductores de potencia de encendido y apagado controlado (autoconmutados) ms ampliamente utilizados en la industria: el transistor bipolar, transistor Darlington, transistor MOSFET, IGBT y el tiristor GTO. El transistor de potencia bipolar fue, durante mucho tiempo, el conmutador ms utilizado en la mayora de las aplicaciones de potencia. En conduccin, puede conmutar corrientes hasta de 400 A y soportar voltajes de 1000 V cuando est apagado. Observe que el transistor bipolar PNP prcticamente no se usa en electrnica de potencia ya que no funciona con potencia muy alta y adems su fabricacin es ms difcil que la del transistor NPN. En este documento se estudiar solamente el transistor bipolar NPN. Para obtener una ganancia mayor del transistor bipolar, se deben combinar dos transistores en un ensamblaje tipo Darlington. Para obtener conmutadores ms fciles de controlar, los fabricantes aumentarn an ms la ganancia utilizando tres transistores bipolares en un ensamble Darlington. Sin embargo, este nuevo dispositivo tiene una velocidad de conmutacin muy limitada. Para mejorar el tiempo de conmutacin, los fabricantes agregan diodos y resistencias. Esta configuracin permite obtener un estuche de tres transistores bipolares con una ganancia hFE total de 750, que puede soportar 400 A en conduccin y 1000 V cuando est apagado. El transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) permite el control de potencia media. Puede conmutar una corriente de 70 A y soportar un voltaje de 500 V a frecuencias que superan los 20 kHz con la seal de control de una compuerta lgica. Observe que el transistor MOSFET de canal P prcticamente no se usa en electrnica de potencia ya que no funciona con potencia alta y su fabricacin es ms difcil que la del transistor de canal N. Solamente el transistor MOSFET de canal N ser estudiado en este documento. El semiconductor autoconmutado ms comnmente utilizado actualmente es el IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Este transistor es un ensamblaje de transistores de efecto de campo y transistores bipolares. Esto da un transistor capaz de conmutar corrientes hasta de 500 A y voltajes de 1200 V utilizando solamente la potencia de una compuerta lgica. Adems, con una potencia comparable, los IGBT son menos costosos que los transistores MOSFET y Darlington.

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Los IGBT pueden proveerse con o sin diodo entre el colector y el emisor. Para encender y apagar los conmutadores del semiconductor mediante potencia alta, debe usarse el tiristor GTO. Por ejemplo, un GTO puede conmutar una corriente de 850 A y soportar un voltaje de 4500 V. El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO est dividido en 8 bloques de circuitos. Cinco de ellos contienen transistores de potencia y uno contiene un tiristor GTO. El bloque de circuitos Circuito de impulsin y el bloque de circuitos CARGA (Z) completan el tablero de circuitos.

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Ejercicio 2 Perspectiva general de los bloques de circuitos

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al completar este ejercicio, ser capaz de describir las funciones bsicas del tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO. Utilizando un multmetro, estudiar los diferentes circuitos en el tablero de circuitos. DISCUSIN DEL EJERCICIO El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO est dividido en ocho bloques de circuito incluyendo los bloques de circuitos Circuito de impulsin y CARGA (Z). El bloque de circuitos Circuito de impulsin se usa para proporcionar las seales de control para los diferentes conmutadores electrnicos. Puede conectarse a un generador de onda cuadrada a travs de dos terminales localizados en ambos lados del smbolo del GEN. El bloque de circuitos CARGA (Z) puede ser modificado para la realizacin de configuraciones de carga tpica. En cada uno de los seis bloques de circuitos de conmutadores electrnicos, hay una fuente de alimentacin de +15 V que alimenta los circuitos. Los tres bloques de circuitos MOSFET, IGBT e IGBT ultrarrpido son similares excepto el transistor Q1 que difiere en cada uno de los casos. En cada uno de los tres bloques de circuitos, hay una resistencia R1 colocada entre el smbolo DR y la compuerta del transistor, y una resistencia R2 la cual se utiliza para medir la corriente que fluye a travs del conmutador electrnico. Hay tambin un diodo zener rpido, llamado "supresor de voltaje" que est diseado para recortar el pico de voltaje del transitorio y un interruptor de botn que permite desactivar temporalmente el diodo con fines de prueba. Se presentan dos tipos diferentes de IGBT en el tablero de circuitos. El primer tipo de IGBT, utilizado en aplicaciones generales (accionamiento de motor, fuente de alimentacin de emergencia, etc.), tiene un voltaje de encendido dbil. El segundo tipo, el IGBT ultrarrpido, ofrece un tiempo de conmutacin ms corto pero tiene la desventaja de tener un voltaje ms elevado en estado activo. El segundo tipo de IGBT ser usado en aplicaciones de alta frecuencia. Los bloques de circuitos Transistor bipolar, Transistor Darlington y Tiristor GTO son muy similares excepto por el conmutador electrnico Q1 que es especfico para cada bloque de circuitos.

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Unidad 2 Bloques de los circuitos de carga e impulsin

UNIDAD 2 BLOQUES DE LOS CIRCUITOS DE CARGA E IMPULSIN

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al final de esta unidad, usted ser capaz de utilizar los bloques de circuitos Circuito de impulsin y Carga (Z). FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO est constituido de seis conmutadores semiconductores autoconmutados, un bloque de circuitos Circuito de impulsin y un bloque de circuitos Carga (Z).

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Unidad 2 Bloques de los circuitos de carga e impulsin

El bloque de circuitos Circuito de impulsin puede configurarse segn las necesidades. Es utilizado para suministrar las seales de control necesarias para estudiar cualquiera de los seis conmutadores semiconductores. El bloque de circuitos Carga (Z) tambin puede configurarse para diferentes necesidades. Permite el estudio de los diferentes circuitos de conmutacin semiconductores incluidos en el tablero de circuitos. NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS impulsor de transistor optoacoplado - circuito que incluye un optoacoplador que permite aislamiento elctrico al conectar la entrada a la salida usando una fuente de luz y un detector, y un circuito manejador. aislamiento elctrico - indica que no hay conduccin elctrica entre dos secciones de un circuito. diodo de rueda libre - un diodo utilizado para evitar la sobretensin en un circuito inductivo permitiendo que el flujo de corriente contine cuando un conmutador electrnico est apagado. tiempo de recuperacin inversa - el tiempo que le toma al diodo para recuperar su capacidad de bloqueo cuando la corriente se invierte. EQUIPO REQUERIDO Unidad base de F.A.C.E.T. Tablero de circuitos TRANSISTORES DE POTENCIA Y TIRISTOR GTO Fuente de alimentacin (15 Vcc @ 1A) Multmetro Osciloscopio de doble trazo, 40 MHz (Lab-Volt 797 o equivalente) Generador de onda cuadrada

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Unidad 2 Bloques de los circuitos de carga e impulsin

Ejercicio 1 Familiarizacin con el bloque de circuitos de impulsin

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al terminar este ejercicio, usted ser capaz de utilizar y configurar el bloque de circuitos Circuito de impulsin para suministrar la seal de control apropiada a un circuito de conmutacin semiconductor. DISCUSIN DEL EJERCICIO El bloque de circuitos Circuito de impulsin incluye un impulsor de transistor optoacoplado (el circuito integrado), una fuente de alimentacin variable de 0 a +10 V y otra de 0 a -10 V. La salida del Circuito de impulsin est localizada entre el terminal A y el comn. Utilizando puentes, el bloque de circuitos Circuito de impulsin puede configurarse para suministrar un voltaje que vara de 0 a +10 V o de 0 a -10 V. Puede suministrar tambin una seal cuadrada de 0/+15 V o de -15/+15 V. Un impulsor de transistor optoacoplado es un circuito utilizado para suministrar la seal de control necesaria para operar adecuadamente el semiconductor de potencia, garantizando un aislamiento elctricoentre la seccin de potencia y el circuito de impulsin. En circuitos de alta potencia, que operan generalmente con niveles altos de voltaje, el aislamiento elctrico es muy importante para evitar daos en el circuito de impulsin causados por el alto voltaje. La utilizacin del impulsor de transistor optoacoplado tambin permite el control de numerosos dispositivos con el mismo circuito de impulsin. Para obtener una seal de control de onda cuadrada en la salida del impulsor de transistor optoacoplado, debe conectarse un generador de onda cuadrada en la entrada del circuito de impulsin (GEN).

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Unidad 2 Bloques de los circuitos de carga e impulsin

Ejercicio 2 Familiarizacin con el bloque de circuitos de carga

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al terminar este ejercicio, ser capaz de utilizar los diferentes componentes del bloque de circuitos Carga (Z). Tambin ser capaz de configurar la carga para obtener, ya sea una resistencia pura o una carga inductiva resistiva utilizada con o sin diodo de rueda libre. DISCUSIN DEL EJERCICIO En el bloque de circuito CARGA (Z), hay dos resistencias de carga, una resistencia para medidas de corriente, un inductor y tres diodos de rueda libre. La resistencia R3, utilizada para medidas de corriente, tiene un valor de 1 y se adiciona siempre a las otras resistencias en el circuito de carga. Las resistencias R1 y R2 tienen ambas un valor resistivo de 10. Pueden estar configuradas de tres maneras diferentes. La resistencia R1 puede utilizarse sola, para obtener una carga de 11 (10 + 1). Con R1 en paralelo con R2, se obtiene una carga de 6 (5 + 1). Finalmente, utilizando R1 y R2 en serie, se obtiene una carga total de 21 (20 + 1). El inductor L1 siempre est presente en el circuito de carga. Sin embargo, puede cortocircuitarse con un puente. Los tres diodos CR1, CR2 y CR3 tienen una funcin bien especfica. Estos tres diodos son de diferentes tecnologas y debera utilizarse solamente uno de ellos a la vez. Un puente correctamente colocado permite seleccionar uno de estos tres diodos. El diodo seleccionado se utilizar como un diodo de rueda libre y proveer una va alternativa para la corriente inductiva cuando el conmutador semiconductor se apague. De hecho, todos los conmutadores semiconductores que se encuentran en el tablero de circuitos tienen la capacidad de detener el flujo de corriente que pasa a travs de ellos. Dado que la carga puede ser inductiva y que un corte de alimentacin en un circuito inductivo crea una sobre tensin daina para los semiconductores, debera buscarse una manera de eliminarlos. El diodo de rueda libre provee otra va para la corriente inductiva y de esta manera, se evita la sobretensin. El diodo CR1 es un diodo de tecnologa para uso general y es denominado como "de uso general". Este diodo no est optimizado para tener un tiempo de recuperacin inversa rpido (trr). El diodo CR2 est optimizado para proveer un tiempo de recuperacin inversa considerado Rpido y el diodo CR3 est optimizado para proveer un tiempo de recuperacin inversa Ultrarrpido. Una vez que el bloque de circuitos CARGA (Z) ha sido configurado, puede conectarse a cualquiera de los cinco bloques de circuitos de transistores de potencia o al bloque de circuitos Tiristor GTO.

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Unidad 2 Bloques de los circuitos de carga e impulsin

Los dos terminales de salida del bloque de circuitos CARGA (Z) estn identificados con las letras B y C. Como se observ anteriormente, estas letras se utilizan como guas para las conexiones con los bloques de circuitos conmutador semiconductor.

Transistores de potencia y tiristor GTO - Unidad 3 - Operacin de los transistores de potencia y tiristores GTO

UNIDAD 3 OPERACIN DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA Y

TIRISTORES GTO

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al final de esta unidad, usted ser capaz de encender y apagar los diferentes transistores de potencia y el tiristor GTO. Ser capaz de conmutar los diferentes tipos de semiconductores utilizando un circuito simple que comprende una fuente CC y una carga resistiva pura. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

TIRISTOR

TRIAC

En el volumen 91011 F.A.C.E.T. se ha visto que el tiristor (SCR) y el TRIAC pueden encenderse utilizando una seal de control, pero que esta misma seal de control no puede utilizarse para apagarlos. Estos semiconductores se apagan cuando la corriente baja a 0 A. Por ejemplo, si se utiliza un tiristor o un TRIAC con una fuente de alimentacin CC, la corriente jams bajar a 0 A, y por lo tanto, el tiristor o el TRIAC se quedarn siempre encendidos.

Sin embargo, si usted utiliza cualquiera de los semiconductores de potencia del tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO, es posible apagarlos con una seal de control aunque se hayan utilizado con una fuente de alimentacin CC.

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Transistores de potencia y tiristor GTO - Unidad 3 - Operacin de los transistores de potencia y tiristores GTO

La posibilidad de poder controlar el apagado de un conmutador electrnico es algo muy til en la creacin de una gran cantidad de convertidores autoconmutados.

REGIN DE SATURACIN

En electrnica de potencia, el transistor se utiliza como un conmutador controlable. El transistor de potencia estar ya sea en la regin de saturacin (SATURATION REGION) (voltaje bajo a travs de sus terminales y una corriente elevada que circula, es decir que hay relativamente poca disipacin de potencia)

REGIN DE CORTE

o en la regin de corte (CUTOFF REGION) (voltaje alto a travs de sus terminales y corriente muy baja que circula, es decir que hay una disipacin de potencia despreciable).

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REGIN LINEAL

No obstante, el transistor de potencia debera operar en su regin lineal (LINEAR REGION) a fin de evitar un flujo de corriente elevado a travs del dispositivo adems del voltaje elevado en sus terminales. Este modo de operacin provoca una enorme disipacin de potencia en el transistor causando generalmente la destruccin del dispositivo. Esta ltima consideracin se aplica a todos los conmutadores semiconductores utilizados en electrnica de potencia. NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS ganancia del transistor bipolar - la ganancia del transistor bipolar se define utilizando un transistor en su regin lineal. En este modo de operacin, la intensidad de corriente del colector es el resultado de la multiplicacin de la corriente de base por la ganancia del transistor bipolar. Cuando el transistor est en la regin de saturacin (encendido) o de corte (apagado), esta relacin no es vlida. umbral de voltaje de compuerta - es el voltaje de compuerta hacia la fuente (de compuerta hacia el emisor) ms bajo, en el cual el MOSFET (el IGBT) comienza a conducir. CMOS - tipo de transistor utilizado principalmente en compuertas lgicas que tienen la particularidad de consumir poca corriente y operar a un nivel lgico de 15 V. compuerta lgica - circuito hecho de transistores utilizados como conmutadores que permiten la ejecucin de una o varias funciones de lgicas booleanas. corriente de retencin - la corriente mnima necesaria para mantener la conduccin en un tiristor GTO, en un tiristor o en un TRIAC, cuando la corriente no circula en el puente. EQUIPO REQUERIDO Unidad base de F.A.C.E.T. Tablero de circuitos TRANSISTORES DE POTENCIA Y TIRISTOR GTO Fuente de alimentacin (15 Vcc @ 1A) Multmetro Osciloscopio de doble trazo, 40 MHz (Lab-Volt 797 o equivalente)

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Ejercicio 1 Operaciones de los transistores bipolares de potencia

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al terminar este ejercicio, usted ser capaz de encender y apagar los transistores bipolar y Darlington utilizando la fuente de alimentacin de 0 a +10 V. DISCUSIN DEL EJERCICIO Los transistores bipolar y Darlington funcionan en la regin de saturacin cuando una corriente IB suficientemente alta circula desde la base hacia el emisor. Esta corriente IB debera ser ms alta que la corriente IC que circula entre el colector y el emisor, dividida por la ganancia del transistor bipolar (hFE). Por ejemplo, un transistor que tiene una ganancia hFE de 20 y una corriente IC de 100 A, debera tener una corriente IB mayor que 5 A para estar en saturacin. Si el transistor tiene que soportar una sobrecarga de 200 A, debe suministrarse una corriente de base de ms de 10 A. As, el circuito de impulsin sera suficientemente potente. Si se utiliza un voltaje de operacin de 10 V, la fuente de alimentacin debe suministrar 100 W o ms. Finalmente, para apagar un transistor bipolar o un Darlington, la corriente IB tiene que interrumpirse.

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Ejercicio 2 Operaciones bsicas de los MOSFET y los IGBT

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al completar este ejercicio, usted ser capaz de encender y apagar el MOSFET de potencia y los dos IGBT que se encuentran en el tablero de circuitos, utilizando la fuente de alimentacin de 0 a +10 V. DISCUSIN DEL EJERCICIO Los MOSFET de potencia y los IGBT son los semiconductores de potencia autoconmutados ms fciles de controlar. Para encenderlos, se debe aplicar un voltaje de compuerta (medido con respecto a la fuente para el MOSFET y con el emisor para el IGBT) mayor que el umbral de voltaje de compuerta (VGS(th) para el MOSFET y VGE(th) para IGBT) y menor que el voltaje mximo del dispositivo. Normalmente, un voltaje de 10 a 15 voltios sera adecuado para encender la mayora de los MOSFET y los IGBT. Para apagar estos mismos dispositivos, es necesario un voltaje de compuerta menor que VGS(th) ( VGE(th)) pero no mayor que el voltaje negativo mximo. Normalmente, se aplica cero voltios para encender los MOSFET y los IGBT. La conexin entre la compuerta y la fuente (el emisor en el caso del IGBT) puede considerarse como un simple capacitor que debe cargarse para encender el transistor y descargarse para apagarlo. Este voltaje puede ser suministrado por una compuerta lgica CMOS simple. Se ha visto en la primera unidad, que el MOSFET de potencia puede controlar corrientes hasta de 70 A en conduccin y soportar 500 V en apagado, mientras que un IGBT funciona con corrientes hasta de 500 A y puede soportar 1200 V. Es verdaderamente fascinante poder controlar semejante potencia con la baja potencia suministrada por la compuerta lgica. No obstante, para obtener tiempos cortos de conmutacin, el MOSFET y el IGBT tienen que estar controlados con un circuito de impulsin destinado para este propsito. Estos circuitos estn optimizados para aplicar rpidamente el voltaje de compuerta apropiado para encender el transistor y restituir rpidamente el voltaje de compuerta a 0 V para apagarlo.

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Ejercicio 3 Operaciones bsicas de los tiristores GTO

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al completar este ejercicio, usted ser capaz de encender y apagar el tiristor GTO utilizando la fuente de alimentacin positiva de 0 a 10 V y la fuente de alimentacin negativa de 0 a -10 V. DISCUSIN DEL EJERCICIO Como se observ anteriormente, el tiristor GTO es un conmutador controlable que puede utilizarse con el nivel de potencia ms alto. Considerando este hecho, es importante conocer claramente su funcionamiento. Para encender un tiristor GTO, un impulso de corriente positiva debera circular desde la compuerta hacia el ctodo (IG). Una corriente comenzar a circular desde el nodo al ctodo (IA), de la misma manera que sucede con el diodo y el tiristor. Para apagar el tiristor GTO, debe aplicarse a la compuerta un impulso de corriente negativa. No es necesario mantener el flujo de corriente de compuerta para que el tiristor GTO se quede encendido. Sin embargo, si la corriente IA que circula desde al nodo hacia el ctodo, baja ms all de cierto umbral (corriente de retencin), el GTO se apagar. Para evitar esta situacin, que puede causar complicaciones en un circuito de potencia, la corriente de compuerta debe mantenerse durante todo el periodo que el tiristor GTO tenga que estar encendido. En la mayora de circuitos de electrnica de potencia, no se puede aplicar tensiones inversas elevadas al conmutador electrnico. Muchos transistores pudieran resultar daados por causa de un voltaje inverso mayor que 15 V. El tiristor GTO es el nico conmutador electrnico controlable capaz de soportar una tensin inversa tan alta como la tensin directa. Por ejemplo, algunos tiristores GTO que soportan una tensin directa de 1000 V pueden tambin soportar una tensin de inversin de 1000 V.

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Unidad 4 Principios de los circuitos de conmutacin de potencia

UNIDAD 4 PRINCIPIOS DE LOS CIRCUITOS DE CONMUTACIN DE

POTENCIA

OBJETIVO DE LA UNIDAD En esta unidad, se estudiar el comportamiento de la corriente y el voltaje a travs de un transistor bipolar en conduccin y en conmutacin. Usted aprender cul es la funcin del diodo de rueda libre y cmo seleccionar el tipo de diodo conveniente para esta funcin. Finalmente aprender cmo ocurren las prdidas de potencia en un transistor bipolar. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD Los conmutadores de electrnica de potencia autoconmutados pueden utilizarse en numerosas topologas de convertidores de potencia. El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO no est diseado para el estudio de varias topologas de convertidores, sino ms bien para poder observar las diferentes caractersticas del transistor de potencia y el tiristor GTO utilizado en un interruptor reductor simple. A pesar de que los principios de funcionamiento de los convertidores de potencia no es el objetivo de este curso, se dar una breve explicacin sobre el funcionamiento del interruptor reductor para que se comprenda de mejor manera lo que es la conmutacin de potencia.

El interruptor reductor (BUCK CHOPPER) es el equivalente en CC del transformador reductor de CA. Puede convertir un voltaje CC elevado a un voltaje CC bajo, manteniendo siempre un excelente rendimiento.

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Unidad 4 Principios de los circuitos de conmutacin de potencia

Por ejemplo, un transformador puede utilizarse para convertir una alimentacin de 120 Vca @ 1A a una alimentacin de 12 Vca @ 10 A. De la misma manera, un interruptor reductor puede utilizarse para convertir una alimentacin de 120 Vcc @ 1A a una alimentacin de 12 Vcc @ 10A.

Adems, el interruptor reductor tiene un cociente de transformacin que puede controlarse electrnicamente. De esta manera, un cociente de transformacin de 10:1 puede ser cambiado a un cociente de 2:1 y suministrar una alimentacin de 60 Vcc @ 2 A. Se obtiene entonces una fuente de alimentacin variable de 0 a 120 Vcc variable que puede controlarse automticamente. El cociente de transformacin del interruptor reductor est relacionado directamente con el porcentaje de tiempo durante el cual el conmutador electrnico est conduciendo (ciclo til). En otras palabras, el voltaje de salida del reductor es igual al voltaje de entrada multiplicado por el porcentaje de veces que el conmutador conduce.

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En los siguientes ejercicios, se utilizar un ciclo til de 50 % (2:1), suministrando un voltaje de salida de 7.5 V, es decir la mitad del voltaje de entrada de 15 V. NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS ciclo til - porcentaje de tiempo en el que un conmutador electrnico est en conduccin. tiempo de retardo de encendido - el intervalo de tiempo entre la aplicacin de un impulso de entrada que enciende el transistor y el comienzo de encendido del transistor. tiempo de subida de corriente - el tiempo necesario para que la corriente suba desde el 10% hasta el 90% de su amplitud mxima al encenderse el transistor. tiempo de retardo de apagado - el intervalo de tiempo entre la aplicacin de un impulso de entrada que apaga el transistor y el comienzo de apagado del transistor. tiempo de cada de corriente - el tiempo necesario para que la corriente disminuya desde el 90% hasta el 10% de su amplitud mxima al apagarse el transistor. interruptor reductor - topologa del circuito que incluye un diodo y un conmutador electrnico auto-conmutado. El circuito permite la conversin de un voltaje CC fijo en su entrada a un voltaje CC variable en su salida. El voltaje de salida se puede extender desde 0 V hasta el voltaje de entrada por completo.

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Ejercicio 1 - Tiempo de conmutacin y cada de voltaje de conduccin

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al terminar este ejercicio, ser capaz de describir el comportamiento de un transistor bipolar cuando se enciende o se apaga y durante la conduccin. DISCUSIN DEL EJERCICIO Para visualizar lo que sucede en un dispositivo electrnico de conmutacin, se estudiar un circuito constituido por un transistor bipolar, una resistencia de carga y una fuente de alimentacin CC fija. Para simplificar el estudio, la carga resistiva, la fuente de alimentacin y el cable de conexin no sern considerados como inductivos. Sin embargo, es importante considerar que en la prctica, estos componentes son inductivos y tienen una influencia en el comportamiento del circuito. Los conmutadores electrnicos utilizados en electrnica de potencia no presentan un comportamiento ideal. El tiempo de respuesta despus de la aplicacin de un impulso de encendido o de apagado no es inmediato. Cuando se aplica una corriente de base para encender un transistor y no hay flujo de corriente en el transistor ni en la resistencia de carga, el transistor no responde antes de cierto tiempo. Este intervalo de tiempo se llama tiempo de retardo de encendido (td(ENCENDIDO)). El transistor comenzar entonces a conducir progresivamente durante unos microsegundos. La corriente aumentar en la carga y en el transistor hasta un valor igual a VCC/R. El intervalo de tiempo durante el cual aumenta la corriente a una mxima amplitud se le llama tiempo de subida de corriente tr. Mientras la intensidad IC aumenta en el colector del transistor, el voltaje (VCE) a travs del transistor VCC disminuir a un voltaje en estado de encendido VCE(ENCENDIDO) bajo, como se muestra en la figura. El voltaje que pasa por el transistor puede calcularse con la siguiente ecuacin: VCE = VCC - RIC Si se interrumpe el flujo de la corriente de base, el transistor no responder antes de cierto tiempo llamado tiempo de retardo de apagado (td(APAGADO)). ste dejar entonces de transmitir y la corriente IC que circula disminuye progresivamente por algunos microsegundos hasta parar completamente. La figura tambin muestra que el voltaje VCE aumenta progresivamente durante el tiempo de retardo de encendido (tf). Ajuste los controles del osciloscopio para observar

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Ejercicio 2 Potencia de conmutacin en una carga inductiva

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al terminar este ejercicio, ser capaz de conmutar la corriente en una carga inductiva y comprender cul es la funcin del diodo de rueda libre. DISCUSIN DEL EJERCICIO Se ha visto en los ejercicios anteriores cmo se conmuta la corriente en una carga resistiva pura. Sin embargo, por diferentes razones, las cargas resistivas puras se utilizan raramente en electrnica de potencia. Generalmente las resistencias de alta potencia son inductivas. Por lo regular se localizan lejos del circuito de impulsin y por lo tanto, necesitan cables largos de conexin que son tambin inductivos. Adems, las interrupciones bruscas de corriente en una carga crean grandes emisiones electromagnticas indeseables. Es conveniente filtrar la corriente con un inductor de filtrado colocado en serie con la resistencia de carga. Sabiendo que no es posible interrumpir la corriente en un inductor sin producir una sobretensin, es necesario comprender cmo conmutar una carga inductiva evitando este problema. Cuando un transistor que conmuta una carga inductiva comienza a conducir, la corriente IC aumenta exponencialmente, como se muestra en la figura, y el voltaje VCE disminuye en unos cuantos microsegundos. La subida de corriente es ms lenta que en el caso de una carga resistiva puesto que el inductor resiste variaciones de corriente rpidas. Note que an se observa un voltaje bajo a travs del transistor cuando est en conduccin (VCE(ENCENDIDO)). Si el transistor deja de conducir, la corriente IC disminuye y esta cada rpida de corriente provocar una sobretensin a travs del transistor. Esta sobretensin es causada por la energa guardada en el inductor la cual tiene que ser liberada al detener el paso de corriente. El valor del inductor y el flujo de corriente a travs de l antes del apagado del transistor determinan la cantidad de energa guardada en el inductor. Entre mayor es la energa, mayor es el impulso de tensin progresivo. La amplitud de esta sobretensin est en funcin de la velocidad de corte de corriente del transistor. Mientras ms rpida es la interrupcin de corriente del transistor, ms alta ser la sobretensin. Esta sobretensin puede destruir el transistor. En el tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO, se han puesto circuitos de proteccin para reducir las sobretensiones y evitar daos en el transistor. Para conmutar una carga inductiva evitando sobretensiones, simplemente se tiene que colocar un diodo en paralelo con la carga.

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Unidad 4 Principios de los circuitos de conmutacin de potencia

En esta nueva configuracin del circuito, cuando el transistor se apaga e interrumpe la corriente de carga (IL), sta puede fluir ahora a travs del diodo (ID), llamado diodo de rueda libre. No hay entonces corte de corriente en el inductor y por lo tanto, no hay sobretensin. Observe el comportamiento de las corrientes en el transistor (IC), en la carga (IL) y en el diodo (ID), y tambin del voltaje VCE cuando el transistor se apaga. El voltaje VCE aumenta rpidamente a un voltaje de VCC + 0.7 V. Al alcanzar este voltaje, el diodo comienza a conducir. Entonces se transfiere el flujo de corriente del transistor hasta el diodo. Luego uno observa la intensidad cero en el transistor (IC) y la intensidad a plena carga en el diodo (ID). Es importante observar que el voltaje a travs de la carga es aproximadamente VCC cuando conduce el transistor. La intensidad IL aumenta entonces en la carga. Cuando se apaga el transistor, el voltaje a travs de la carga es igual al voltaje en estado de encendido del diodo, y de esta manera, la intensidad IL disminuye en la carga. Uno puede observar que la intensidad de carga oscila entre IMX e IMN. Como se explic anteriormente, es conveniente filtrar esta corriente. Para disminuir la amplitud de oscilacin de corriente, se puede aumentar ya sea la frecuencia de conmutacin o el valor del inductor. Sin embargo, si se aumenta el valor del inductor, as ser el valor del circuito. Se ver tambin en el prximo ejercicio que, si se aumenta la frecuencia de conmutacin del transistor, ste puede entonces sobrecalentarse.

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Unidad 4 Principios de los circuitos de conmutacin de potencia

Ejercicio 3 Tiempo de recuperacin del diodo de rueda libre

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al terminar este ejercicio, ser capaz de describir el comportamiento del diodo de rueda libre durante la conmutacin del transistor. Conocer las diferentes tecnologas de diodos utilizadas en electrnica de potencia y comprender los criterios que se toman en cuenta para seleccionar el tipo de diodo ms conveniente para una aplicacin. DISCUSIN DEL EJERCICIO Se ha visto en los ejercicios anteriores, que la utilizacin de un diodo de rueda libre es esencial cuando se trabaja con una carga inductiva. Tambin se ha explicado que, en alta potencia, casi todas las cargas se pueden considerar como inductivas debido a la propiedad inductiva de los cables de conexin largos. Es importante comprender claramente el funcionamiento del diodo de rueda libre para asegurar una correcta seleccin del tipo de diodo adecuado. En la electrnica convencional, se ha visto que el diodo es una unin de semiconductor de tipo P y tipo N. La unin tipo P se conecta a un terminal llamado nodo y la unin tipo N se conecta a un segundo terminal llamado ctodo. Cuando el voltaje del nodo es mayor que el voltaje del ctodo, la corriente circula del nodo hacia el ctodo. Cuando el voltaje del nodo es menor que el voltaje del ctodo, el diodo se apaga y no permite el flujo de corriente. En la electrnica de potencia, esta interpretacin simplificada del comportamiento del diodo no explica completamente el funcionamiento del circuito. Para encender el diodo, la explicacin considerada anteriormente es siempre vlida. Sin embargo, la condicin necesaria para bloquear el diodo ya no es una funcin del voltaje sino ms bien una funcin de la corriente. En electrnica de potencia, el diodo se considera bloqueado despus de que la corriente ha sido invertida durante un tiempo considerable. Al tiempo necesario para que el diodo restablezca su capacidad de bloqueo despus de la inversin de corriente se le llama "tiempo de recuperacin inversa" (trr). Esta figura muestra cmo la corriente y el voltaje se desarrollan al apagar el diodo. La intensidad es negativa por un tiempo trr y el voltaje (VAK(ENCENDIDO)) permanece positivo, igual que el voltaje en estado encendido directo, durante todo este tiempo. Cuando el diodo restablece su capacidad de bloqueo, despus de un tiempo trr, el voltaje se invierte a travs del diodo. La amplitud del pico de corriente negativa en el diodo puede llegar a ser muy elevada y causar el sobrecalentamiento del transistor de conmutacin. De hecho, al utilizar el diodo como un diodo de rueda libre en una configuracin de interruptor reductor, el pico de corriente inversa se agrega a la corriente de carga que debe soportar el transistor.

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Observe esta figura de un interruptor reductor constituido por un transistor, un diodo de rueda libre, una carga inductiva y una fuente de alimentacin CC. Suponiendo que el circuito se ha hecho funcionar durante un cierto tiempo y que la corriente de carga tiene alguna ondulacin. En el momento preciso antes del apagado del transistor, la corriente est circulando a travs del diodo de rueda libre. Esta figura muestra la evolucin de las corrientes y voltajes en el diodo y el transistor, al apagar el transistor. Se puede ver claramente que el pico de corriente inversa en el diodo tiene el aspecto de un muy grande pico de corriente en el transistor. Adems, el pico de corriente en el transistor ocurre cuando el transistor soporta el voltaje total suministrado a travs de sus terminales. La potencia disipada por el transistor, que resulta de la multiplicacin de la corriente y el voltaje, ser entonces muy grande en cada punto de conmutacin. Si se utiliza el diodo que tiene un trr largo, el pico de corriente ser mayor y durar ms. El tiempo de recuperacin inversa es principalmente una funcin de la tecnologa utilizada en la fabricacin del diodo.

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Ejercicio 4 Prdidas en los conmutadores de potencia electrnicos

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al final de este ejercicio, usted ser capaz de describir la manera como ocurren las prdidas de potencia en un transistor bipolar cuando est conmutando y tambin cuando est simplemente en conduccin. Conocer tambin cul es la influencia de la frecuencia de conmutacin sobre las prdidas. DISCUSIN DEL EJERCICIO Se ha visto en los ejercicios anteriores que el transistor no es un conmutador ideal y que la conmutacin no es instantnea. Desafortunadamente, este comportamiento no ideal causa prdidas de potencia que pueden provocar un sobrecalentamiento del transistor. La potencia disipada en un transistor es principalmente, el resultado de la multiplicacin del voltaje VCE a travs de sus terminales por la corriente IC que fluye a travs del colector. La potencia disipada en el transistor cuando est conduciendo es el resultado de la multiplicacin del bajo voltaje en estado encendido (VCE(ENCENDIDO)) (generalmente de 1 a 5 V) por la corriente IC. A ste tipo de prdida se le conoce como prdida de conduccin. Suponiendo que se tiene un voltaje VCE(ENCENDIDO) de 1 V y una corriente IC de 10 A. Durante la conduccin, se obtendr una disipacin de potencia de 10 W. Mientras el transistor se est apagando, la corriente disminuye por un tiempo tf y el voltaje aumenta. Esto da como resultado una variacin de la disipacin de potencia en el transistor durante el tiempo tf. Por ejemplo, con un voltaje VCE de 50 V cuando se apaga el transistor y una corriente de 10 A cuando se enciende, se obtiene en el punto medio, una disipacin mxima de potencia de aproximadamente 125 W (25V x 5A). Cuando se apaga el transistor, no hay una disipacin de potencia significativa puesto que la corriente del colector es despreciable. Al encender el transistor, se puede observar tambin otra variacin en la disipacin de potencia puesto que la corriente sube por un tiempo tr mientras que, el voltaje a travs del transistor cae a VCE(ENCENDIDO). De la misma manera que en el apagado, se puede observar una disipacin mxima de potencia de aproximadamente 125 W. Sin embargo, puesto que el tiempo de subida tr es menor que el tiempo de cada tf, habr menos disipacin de potencia en el encendido que en el apagado. A las prdidas de potencia que ocurren durante el encendido y apagado del transistor se les conoce como prdidas de conmutacin. En el caso de un diodo de rueda libre real, se debe considerar el tiempo de recuperacin inversa del diodo al encender el transistor. Durante el retardo suplementario, un pico de corriente a travs del transistor ocurre en el momento mismo que tiene que soportar el voltaje total suministrado en sus terminales. Una cantidad excedente de potencia de disipacin debe entonces incluirse en las prdidas de conmutacin.

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Unidad 4 Principios de los circuitos de conmutacin de potencia

Mientras ms lentos sean los tiempos de conmutacin (tf y tr largo), mayor ser la disipacin de potencia y as tambin, las prdidas de conmutacin. Adems, mientras ms largo sea el tiempo de recuperacin inversa del diodo, ms larga ser tambin la disipacin de potencia. Es necesario tener conmutadores electrnicos de conmutacin rpida, as como diodos de rueda libre con un tiempo de recuperacin inversa corto, si se desean minimizar las prdidas de potencia en un circuito de potencia electrnico. La frecuencia de operacin de los interruptores electrnicos afecta tambin las prdidas de potencia. En baja frecuencia, las prdidas de conduccin contribuyen principalmente en las prdidas del transistor. Inversamente, en alta frecuencia, las prdidas de conmutacin son la principal fuente de las prdidas.

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Unidad 5 Transistor bipolar y conmutadores tiristores GTO

UNIDAD 5 TRANSISTOR BIPOLAR Y CONMUTADORES TIRISTORES

GTO

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al final de esta unidad, ser capaz de describir la operacin de conmutacin del transistor bipolar, el transistor Darlington y el tiristor GTO y conocer tambin cmo mejorar los tiempos de conmutacin. Conocer cul es la funcin del circuito de aceleracin y los efectos que ejerce sobre la seal de impulsin cuando se modifican los componentes de este circuito. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Cuando se considera el encendido de un conmutador electrnico, es importante darse cuenta que mientras ms intensa sea la seal de impulsin, ms rpido se encender el conmutador y ms rpido la corriente de carga alcanzar su valor mximo. Existe tambin una reduccin del tiempo de conmutacin cuando se utiliza una corriente ms intensa como seal de control. La figura muestra para una carga resistiva, los tiempos de conmutacin del transistor bipolar cuando se aplican dos intensidades de corriente diferentes. Mientras ms alta sea la corriente de base, ms rpido ser el encendido. Sin embargo, si se mantiene una corriente de control alta durante la conduccin, se producir una gran disipacin de potencia en el circuito de impulsin. Es ventajoso tener una corriente de control intensa cuando el conmutador se enciende, pero no durante la conduccin.

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Unidad 5 Transistor bipolar y conmutadores tiristores GTO

La adicin de un circuito RC en la base (la compuerta para el tiristor GTO) del conmutador permite la formacin de picos de corriente positiva que acelerarn el encendido sin ocasionar una gran disipacin de potencia durante la fase de conduccin.

Este mismo circuito RC tambin produce picos de corriente negativa cuando se interrumpe la seal de control y de esa manera, se mejora el tiempo de conmutacin de apagado. Si se aumenta la intensidad de este pico de corriente negativa, el apagado ser mucho ms rpido. Una manera de obtener esta corriente negativa ms alta es utilizando una fuente de control bipolar en lugar de una unipolar.

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Unidad 5 Transistor bipolar y conmutadores tiristores GTO

Con un voltaje diferencial (VDR) de +15 V a -15 V, el circuito RC producir un pico de corriente negativa ms alto. El resultado ser un tiempo de conmutacin de apagado ms corto.

El circuito de aceleracin puede modificarse para obtener un valor diferente de corriente de impulsin.

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Por ejemplo, si se disminuye la resistencia del circuito RC, los picos de corriente sern ms altos.

Si se aumenta la capacitancia de este mismo circuito RC, los picos sern ms altos.

Finalmente, si se aumenta la resistencia que limita la corriente de impulsin, la corriente ser ms baja.

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Ejercicio 1 El transistor de potencia bipolar

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al completar este ejercicio, ser capaz de identificar las diferentes maneras de mejorar la conmutacin del transistor bipolar. Conocer la funcin de varios componentes de circuito que ayudan a la conmutacin. Ser capaz de describir la relacin entre la intensidad de la corriente de base IB y la capacidad de sobrecarga del transistor bipolar. DISCUSIN DEL EJERCICIO Como se ha visto en los ejercicios anteriores, el Transistor bipolar se puede encender o apagar aplicando o interrumpiendo la corriente en su base. Este cambio de estado no sucede inmediatamente y depende principalmente de la intensidad y la forma de la corriente de base (IB). La adicin de un circuito RC en la base de un Transistor bipolar permite que se genere un pico de corriente positiva o negativa que ayudar a acelerar el encendido y apagado sin causar una gran disipacin de potencia durante la fase de conduccin. Con una fuente de control bipolar, en lugar de una unipolar, se obtendrn impulsos de corriente negativa ms altos. Este aumento en los picos de corriente negativa da como resultado tiempos de conmutacin de apagado ms rpidos. Se ha visto, en electrnica de potencia, que un transistor bipolar se mantiene en conduccin al aplicar una corriente de base suficientemente amplia para obtener la saturacin. Sin embargo, si se aumenta demasiado la corriente de base, se necesitar una fuente de alimentacin ms potente para el circuito de aceleracin y se producirn grandes prdidas en la base del transistor. Es recomendable tener una corriente de base lo ms baja posible, pero que sea capaz de mantener el transistor en saturacin a travs de toda la gama de corriente de carga IC. Para permitir que el transistor resista la sobrecarga, la gama de corriente IC debe fluctuar entre 0 A y aproximadamente dos a cinco veces el valor de la corriente nominal. Por lo tanto, es necesario proveer un circuito de aceleracin capaz de entregar una corriente de base IB de por lo menos dos a cinco veces lo necesario para obtener la corriente de carga nominal.

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Ejercicio 2 El transistor de potencia Darlington

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al final de este ejercicio, ser capaz de identificar algunas maneras de mejorar la conmutacin del transistor Darlington. Tambin ser capaz de describir los efectos de la corriente de base en la capacidad de sobrecarga del transistor Darlington. DISCUSIN DEL EJERCICIO La ventaja principal que ofrece el Transistor Darlington en electrnica de potencia es su ganancia de corriente, la cual es ms elevada que la del transistor bipolar. Esta ganancia elevada se obtiene colocando en cascada dos o ms transistores bipolares en una configuracin Darlington. La ganancia de corriente en este tipo de configuracin es aproximadamente igual al producto de la ganancia de corriente de los transistores en el circuito. El Darlington presentado en esta figura tiene una ganancia total alrededor de 1000, la cual es el producto de las ganancias del transistor Q1 y el transistor Q2. La pequea ganancia del primer transistor (20) ha aumentado por un factor de 50. Por lo tanto, se requerir de una corriente de impulsin ms baja IB para obtener la misma corriente de carga IC, tanto como un circuito de impulsin menos potente. Sin embargo, la configuracin Darlington tiene tambin efectos negativos ocasionados por la disposicin en cascada de varios transistores bipolares. Uno de ellos es el aumento significativo de la corriente de fugas. Un transistor bipolar sin corriente en su base se encuentra en estado de apagado, y por lo tanto est abierto entre el colector y el emisor. A pesar de este estado de apagado, logra circular una corriente baja desde el colector hacia el emisor. A sta se le llama corriente de fugas ICEO. En el caso de un transistor bipolar simple, esta corriente de fugas es despreciable. Pero en el caso del transistor Darlington, el hecho de tener dos o varios transistores en cascada permite que esta corriente baja se amplifique significativamente. Este defecto se puede corregir agregando resistencias entre las bases y los emisores. stas son conocidas como resistencias puente de base-emisor. Obsrvese que la adicin de estas resistencias reduce en parte la ganancia de corriente total. La resistencia puente de base-emisor del transistor Q2 es la que ms influye en la prdida de ganancia. Otro efecto negativo de la configuracin Darlington es el aumento del voltaje en estado de encendido (VCE(ENCENDIDO)). En un Darlington, el voltaje total del colector-emisor VCE es la suma del voltaje del colector-emisor VCE1 del primer transistor Q1 y el voltaje de la base-emisor VBE2 del segundo transistor Q2. El voltaje en estado de encendido que resulta es entonces ms alto que el del transistor bipolar.

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Finalmente, uno de los problemas mayores de esta configuracin es la necesidad de aplicar un impulso de corriente negativa fuerte a cada uno de los transistores que forman el Darlington para acelerar su apagado. Para aplicar impulsos negativos en el segundo transistor (Q2), se debe conectar un diodo entre la base y el emisor del transistor Q1. De esta manera, cada transistor aprovechar los impulsos de corriente negativa y el tiempo de conmutacin de apagado del Darlington se reducir significativamente.

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Ejercicio 3 El tiristor GTO

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al final de este ejercicio, tendr un mejor conocimiento sobre el comportamiento del tiristor GTO. Ser capaz de aplicar la corriente de compuerta necesaria para encender y apagar correctamente el GTO. DISCUSIN DEL EJERCICIO Como se vio anteriormente, el tiristor GTO es un semiconductor autoconmutado que puede encenderse aplicando un impulso de corriente positiva en su compuerta. Como se vio anteriormente, el tiristor GTO es un semiconductor autoconmutado que puede encenderse aplicando un impulso de corriente positiva en su compuerta y apagarse aplicando un impulso de corriente negativa. Adems, es preferible mantener la corriente de compuerta durante el periodo de conduccin para evitar que el tiristor GTO se apague si la corriente IA disminuye ms abajo del umbral de la corriente de retencin. El tiristor GTO posee un voltaje en estado de encendido (VAK(ENCENDIDO)) ms alto que los transistores bipolar y Darlington. Por lo tanto, tiene mayor disipacin de potencia que estos dos transistores durante la conduccin. La amplitud mnima de los impulsos de corriente positiva (IG) necesaria para encender el tiristor GTO es una especificacin fsica propia de cada GTO e independiente de la corriente que controla (IA). Generalmente, una corriente de un amperio es suficiente para encender la mayora de los GTO de potencia. Sin embargo, es diferente en el caso de la amplitud mnima del impulso de corriente negativa puesto que ste depende de la corriente IA que debe interrumpirse. Normalmente, para controlar una corriente IA, se debe inyectar en la compuerta del GTO un impulso de corriente negativa de por lo menos 20 a 25 % de su amplitud mxima. Por ejemplo, para interrumpir una corriente IA de 100 A, el impulso de corriente negativa debe tener una amplitud mnima alrededor de -20 a -25 A. Desafortunadamente, es imposible apagar los tiristores GTO cuando la corriente IA sobrepasa cierto lmite. Aunque se aplique en la compuerta una corriente inversa ms alta, el GTO se mantiene en conduccin. Es entonces necesario instalar un dispositivo de seguridad para interrumpir la corriente en el GTO si sucediera algn problema. El sistema de seguridad proteger el GTO contra la sobre intensidad que pudiera ser causada por un corto-circuito. Existen dos tipos de tiristor GTO: el tipo "bloqueo inverso" y el tipo "corto de nodo". El GTO de tipo "bloqueo inverso" GTO es capaz de bloquear una tensin inversa alta tanto como una tensin directa alta. El GTO de tipo "corto de nodo" GTO no es capaz de bloquear una tensin inversa mayor que 15 V, pero puede conmutar a una frecuencia elevada.

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Unidad 6 El mosfet de potencia y los IGBT

UNIDAD 6 EL MOSFET DE POTENCIA Y LOS IGBT

OBJETIVO DE LA UNIDAD Al final de esta unidad, ser capaz de describir la operacin de conmutacin del MOSFET de potencia, del IGBT y del IGBT ultrarrpido. Conocer tambin como optimizar los tiempos de conmutacin de dichos dispositivos. FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD

Se vio anteriormente que un transistor bipolar es esencialmente un dispositivo controlado por una corriente. Dicha corriente debe circular de la base hacia el emisor para permitir que la corriente del colector fluya. El transistor Darlington y el tiristor GTO son tambin dispositivos controlados por una corriente.

El MOSFET y el IGBT son fundamentalmente diferentes ya que son controlados por un voltaje que se aplica en la compuerta para encenderlos.

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Unidad 6 El mosfet de potencia y los IGBT

La conexin entre la compuerta y la fuente de un MOSFET (emisor en el caso de un IGBT) puede considerarse como un capacitor simple que debe cargarse o descargarse para controlar el encendido o el apagado del dispositivo.

Para el encendido, esta capacitancia de compuerta-fuente CGS (capacitancia de compuertaemisor CGE para el IGBT) debe cargarse utilizando una fuente que suministre un voltaje por encima del voltaje umbral del dispositivo (V(DR) > VGS(th) para el MOSFET o V(DR) > VGE(th) para el IGBT).

Cuando el capacitor est cargado (VGS = V(DR)), el dispositivo se considera encendido y no circula ninguna corriente en la compuerta.

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Para apagar el dispositivo, se debe descargar el capacitor.

Cuando el capacitor est descargado (VGS = 0 V), el dispositivo se considera apagado.

Contrariamente a un transistor bipolar, la ganancia de potencia de un MOSFET o de un IGBT es extremadamente alta. Una gran corriente de carga ID (IC para el IGBT) puede circular a travs de un MOSFET sin que ninguna corriente IG fluya a travs de su compuerta; esto es solamente necesario para mantener la carga en la capacitancia CGS (CGE para el IGBT). La potencia necesaria para controlar un MOSFET o un IGBT es entonces muy pequea y el circuito de impulsin muy simple.

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Unidad 6 El mosfet de potencia y los IGBT

Por lo general, la compuerta de los MOSFET y los IGBT no puede soportar un voltaje de ms de +/- 20 V. Puesto que la compuerta tiene una impedancia casi infinita (capacitancia), existe un riesgo grande de que una simple descarga electrosttica pueda daar seriamente la compuerta de estos dispositivos. Por lo tanto, se debe tener mucho cuidado al manipular, instalar o probar dichos dispositivos en un circuito.

Ya que se puede acceder fcilmente a los componentes del tablero de circuitos, se ha colocado un diodo Zener entre la compuerta y la fuente del MOSFET (el emisor para los IGBT) para limitar los daos que pudiera provocar una sobretensin electrosttica. El interruptor pulsador colocado en serie con el diodo Zener se encuentra ah estrictamente para retirar temporalmente dicho diodo y permitir la verificacin del dispositivo utilizando la funcin prueba de diodo de un multmetro.

Generalmente, el diodo zener se encuentra en los circuitos de alta potencia que utilizan un MOSFET, ya que los grandes y bruscos cambios del voltaje VDS producen, va la capacitancia de drenaje-compuerta CDG, sobretensiones de voltaje entre la compuerta y la fuente. Estas sobretensiones VGS pueden subir por encima del voltaje umbral VGS(th) y encender temporalmente el dispositivo. En algunos casos, las sobretensiones positivas y negativas pueden incluso sobrepasar el lmite de +/- 20 V daando as el dispositivo.

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Por ejemplo, un cambio de 300 V del voltaje de drenaje-fuente VDS puede causar un pico de voltaje de compuerta-fuente (VGS) de aproximadamente 50 V. Este mismo fenmeno existe en el caso del IGBT y tambin requiere de proteccin de compuerta. NUEVOS TRMINOS Y PALABRAS resistencia esttica de drenador-fuente en estado de encendido - la resistencia esttica de drenador-fuente en estado de encendido es la resistencia CC entre el drenador y los terminales de la fuente con un voltaje de compuerta-fuente especfico aplicado para polarizar el dispositivo al estado de encendido. densidades de corriente - es la corriente que fluye a travs de una superficie, dividida por el rea transversal de dicha superficie. Se expresa en amperios por metros cuadrados o de manera ms usual en mltiplos de SI de amperios por milmetros cuadrados. EQUIPO REQUERIDO Unidad base de F.A.C.E.T. Tablero de circuitos TRANSISTORES DE POTENCIA Y TIRISTOR GTO Fuente de alimentacin (15 Vcc @ 1A) Generador de onda cuadrada Osciloscopio de doble trazo, 40 MHz (de Lab-Volt 797 o equivalente)

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Ejercicio 1 El MOSFET de potencia

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al final de este ejercicio, conocer el comportamiento del MOSFET de potencia durante la operacin de conmutacin. Ser capaz de explicar de qu manera se puede mejorar la conmutacin del MOSFET. Tambin comprender por qu se observan ondulaciones en el voltaje de drenador-fuente cuando el transistor se apaga. DISCUSIN DEL EJERCICIO Los tiempos de conmutacin del MOSFET son determinados principalmente por las capacitancias del dispositivo. La estructura de compuerta tiene la capacitancia CDG en el drenador y la CGS en la fuente. El MOSFET tiene tambin una capacitancia CDS entre el drenador y la fuente. Para comprender claramente el comportamiento del MOSFET, es importante comprender el funcionamiento de estas tres capacitancias. Sin embargo, observe que la ficha tcnica del dispositivo normalmente especifica Ciss, Coss y Crss para que estas capacitancias puedan leerse ms fcilmente. Estos valores estn relacionados con las capacitancias de los interelectrodos por las relaciones: Ciss = CDG + CGS (en paralelo) Coss = CDG + CDS (en paralelo) Crss = CDG

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Ejercicio 2 El IGBT
OBJETIVO DEL EJERCICIO Al final de este ejercicio, conocer el comportamiento del IGBT durante la operacin de conmutacin. Ser capaz de explicar de qu manera puede mejorarse la conmutacin del IGBT. Ser tambin capaz de visualizar la diferencia entre la conmutacin del MOSFET y el IGBT, principalmente en el apagado. DISCUSIN DEL EJERCICIO El IGBT, transistor bipolar de compuerta aislada, es un transistor de conmutacin con un funcionamiento y una estructura similar a la de un transistor de efecto de campo de compuerta aislada, comnmente conocido como MOSFET. As como los MOSFET, los IGBT son dispositivos de voltaje controlado que requieren solamente de un voltaje de compuerta para mantener la conduccin a travs del dispositivo. Los IGBT poseen densidades de corriente ms altas que otros transistores bipolares comparables, mientras que al mismo tiempo, sus exigencias de impulsin de compuerta son menos complicadas que el conocido MOSFET de potencia. Los IGBT son fabricados para altos rangos de voltaje y de corriente extendindose ms all de lo que es normalmente la capacidad de un MOSFET de potencia. Por ejemplo, por el lado de alta potencia, se dispone de dispositivos con rangos de voltaje de 1200 V y rangos de corriente de 600 A. En general, el IGBT ofrece ventajas claras en voltaje alto (>300 V), en corriente alta (1-3 A/mm2 de rea activa) y a velocidad mediana (hasta 10-20 KHz). El smbolo de circuito que se utiliza generalmente para el IGBT se muestra en la figura a). Este smbolo es similar al del transistor bipolar npn con un terminal de compuerta aislado en lugar de la base. El circuito equivalente del IGBT lo representa con mucha precisin el transistor bipolar pnp bipolar, en el cual la corriente de base est controlada por un MOSFET y limitada por una resistencia de base variable. La conductividad de la resistencia de base aumenta (modula) cuando el IGBT se enciende. Es posible mejorar el modelo IGBT, con un circuito equivalente ms complejo. El IGBT est constituido de un transistor bipolar pnp impulsor por un MOSFET de canal n en una configuracin seudo-Darlington. El JFET soporta la mayor parte del voltaje y permite que el MOSFET sea del tipo de bajo voltaje y en consecuencia, que tenga una baja RDS(encendido). Como se aprecia en el circuito equivalente, la cada de voltaje VCE(encendido) a travs del IGBT es la suma de dos componentes: una cada de diodo a travs de la unin p-n y una cada de voltaje a travs del MOSFET de impulsin.

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Unidad 6 El mosfet de potencia y los IGBT

Ya que el IGBT es un dispositivo de compuerta MOS, ste posee tres capacitancias caractersticas Cies, Coes, y Cres. Estas capacitancias estn especificadas en la ficha tcnica ya que son las que se miden ms fcilmente. stas pueden utilizarse para determinar las capacitancias de unin CCG, CGE y CCE del IGBT. Cies = CCG + CGE (en paralelo) Coes = CCG + CCE (en paralelo) Cres = CCG Las velocidades de conmutacin de los IGBT son ms altas que las de los transistores de potencia bipolares. El rendimiento de la conmutacin en encendido es muy similar a la de los MOSFET de potencia, pero los tiempos de apagado son ms largos. Por lo tanto, las frecuencias de conmutacin mximas de los IGBT caen entre las de los transistores de potencia bipolares y los MOSFET. Durante el apagado, la cada de corriente es abrupta, similar a la del MOSFET de potencia. Pero esto es seguido de una larga "cola" durante la cual la decadencia se lleva a cabo relativamente despacio. Normalmente, la cola comienza alrededor del 25% de la corriente en estado de encendido. Durante la cola, el IGBT soporta el voltaje de carga mientras que la corriente de cola fluye. Esto causa un aumento de la prdida de potencia de conmutacin y por lo tanto limita la frecuencia de conmutacin. De la misma manera que para el MOSFET, la seleccin de la serie de resistencia de compuerta RG adecuada, es importante para el IGBT. El valor de la resistencia de compuerta tiene un impacto significativo en el rendimiento dinmico del IGBT. El IGBT se enciende y se apaga al cargar y descargar la capacitancia de compuerta. Una resistencia de compuerta ms pequea cargar o descargar ms rpido la capacitancia de compuerta, reduciendo as, principalmente en el encendido, los tiempos de conmutacin y las prdidas de conmutacin.

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Ejercicio 3 El IGBT ultrarrpido

OBJETIVO DEL EJERCICIO Al final de este ejercicio, conocer cul es el comportamiento del IGBT ultrarrpido durante la conmutacin. Tambin ser capaz de visualizar la diferencia entre la conmutacin del IGBT y IGBT ultrarrpido, principalmente en el apagado. DISCUSIN DEL EJERCICIO Se han creado diferentes familias de IGBT con diferentes frecuencias de cruce, para maximizar la operacin del dispositivo en diferentes aplicaciones. Los IGBT estndar han sido optimizados para cadas de voltaje y prdidas de conduccin y poseen la cada de voltaje ms baja por unidad de densidad de corriente de todos los IGBT. Los IGBT rpidos ofrecen una combinacin de prdidas bajas de conmutacin y conduccin, lo cual coincide con las caractersticas de conmutacin de muchos transistores bipolares populares. Los IGBT ultrarrpidos han sido optimizados para prdidas de conmutacin y tienen las prdidas de conmutacin ms bajas por unidad de densidad de corriente de todos los IGBT. Estos dispositivos poseen velocidades de conmutacin que son comparables a las de los MOSFET de potencia en aplicaciones prcticas. stos pueden operar confortablemente a 50 KHz en conmutacin de onda cuadrada. A voltajes altos (>300 V), los diseadores utilizan los IGBT para reemplazar los MOSFET, con matrices de tamao mucho ms grande, en aplicaciones de conversin de potencia fuera de lnea y para reducir de manera significativa el costo de componentes sin afectar el rendimiento del sistema de potencia global. Debido a la ms alta densidad de corriente utilizable de los IGBT, un IGBT con una matriz dos veces ms pequea puede tratar dos o tres veces ms corriente de lo que hara normalmente el MOSFET tpico. Por ejemplo, a alto voltaje (>300 V) y baja frecuencia (<5 KHz), un IGBT estndar simple (600 V, 31 A@100oC) puede reemplazar seis MOSFET de alta potencia en paralelo incluidos dentro de un mdulo simple (600 V, 30A@100oC). Este IGBT simple reduce el costo de piezas y toma menos espacio en el tablero. Los requerimientos de impulsin de compuerta para los IGBT son similares a los de los MOSFET e incluso, pudieran ser menos complejas debido al tamao ms pequeo de la matriz y a la capacitancia de entrada. La frecuencia de conmutacin mxima de los IGBT est limitada principalmente por la prdida de conmutacin total, principalmente durante la conmutacin de apagado no ideal debido a la cola de corriente. En la aplicacin de una fuente de alimentacin tpica de 80 a 100 KHz, se espera que en el caso de un MOSFET, aproximadamente 75% de las prdidas, sean prdidas de conduccin debido a las RDS(encendido) del dispositivo.

Transistores de potencia y tiristor GTO

Unidad 6 El mosfet de potencia y los IGBT

En el caso de un IGBT ultrarrpido en la misma aplicacin, aproximadamente el 70% de las prdidas seran prdidas de conmutacin, sobre todo durante el apagado. De esta manera, los mejoramientos de las caractersticas de apagado del IGBT tendran un efecto mayor en la reduccin de las prdidas globales. Un nuevo IGBT con una velocidad de conmutacin ms rpida ha sido creado recientemente por la International Rectifier bajo el nombre de WARP Speed IGBT. La alta velocidad de conmutacin de este dispositivo da como resultado principalmente un mejoramiento mayor de sus caractersticas de apagado. Esto comprende una reduccin de los efectos de la cola de corriente y las prdidas de energa de conmutacin totales. Los WARP Speed IGBT han logrado bajar las prdidas Eapagado aproximadamente a la mitad del valor de los IGBT ultrarrpidos. Este mejoramiento aproximado de 50% duplica virtualmente la gama de frecuencia de los IGBT sin ningn impacto significativo sobre las prdidas de potencia. Con una velocidad de conmutacin de hasta 150 KHz, la serie de los IGBT WARP Speed poseen caractersticas de conmutacin que se asemejan mucho a las de los MOSFET de potencia, sin sacrificar las caractersticas de conduccin superiores ni las densidades de corriente utilizables ms altas del IGBT. Los conmutadores de potencia presentados anteriormente pueden resumirse en una tabla comparativa que los presenta dentro de una perspectiva adecuada.