1 Teste de Electrnica I 06 de Maio de 2011 Cotao Classificao

2 Semestre 2010/2011 Durao: 1h30m 1a 2,0 1b 1,5 1c 1,5 1d 2,0 2a 1,0

Curso________________________ Nome 2b 2,0 2c 2,0 2d 2,0 3a 2,5 3b 2,5

Nmero ________ _ 3c 1,0 Final 20

1. A figura 1a representa um transistor NMOS de reforo a funcionar numa montagem de fonte-comum. A tenso de entrada vI varia entre 0 e 2 volt. a) Determine o valor da resistncia de dreno RD de modo a que quando vI = 2V o transistor esteja no limiar trodo / saturao. Sol: VGD = Vt = vI - (VDD K (vI - Vt)2 (1 + (vI - Vt)) RD RD = 258 b) Supondo que aplica entrada uma tenso vI a variar com uma forma triangular como se representa na figura 1b, esboce o andamento da tenso de sada v0, nas condies da alnea anterior. Sol: azul-escuro na figura VDD VDD VDD = 5 V
RD vI T vO

K = 10 mA / V2 Vt = 0,8 V = 0,02 V-1

Vt vO(vI=2V)=1,2V

1b Figura 1 1a c) Para polarizar o transistor a meio em corrente entre a saturao e o corte calcule o valor das duas resistncias RG1 e RG2 de um divisor de tenso a colocar na porta. O paralelo destas resistncias RG1//RG2 deve ser igual a 100k. Sol: IDQ = 7,37 mA vI = 1,633 V RG1 = 306 k e RG2 = 148,5 k. d) Se excitar o circuito que obteve na alea anterior com um gerador de sinal fraco com uma resistncia interna de 1k determine o ganho de tenso incremental Gv = vo / vi. Sol: gm = 8,59 mS, ro = 7,2 k, Gv = -2,12.
+VCC RB3 iC2 vin RC vOUT TJB2 RB1 TJB1 RB2 -VCC RE CE

2. Considere o circuito representado na figura 2, em que VCC=3V, RC=1k, RE=1k, RB1=130k, RB2=50k. O transistor caracterizado por: VCEsat = 0,2V, =150 e VBEon=0,6V. a) Explique a funo de TJB1 e TJB2 no circuito amplificador. Sol:
TJB1 fonte de corrente DC de polarizao de TJB2 que amplificador em emissor comum. b) Calcule o valor da corrente de repouso IC2. Sol: IC2 IC1 = 1,1 mA.

Fig 2

c) Dimensione a resistncia RB3 para que se tenha em repouso vOUT = 0. Verifique que os TJBs ficam na zona activa. Sol: impossvel porque vOUT = VCC RC IC1 e IC1 independente de RB3. d) Sabendo que o gerador a colocar na entrada tem uma impedncia de 1k, obtenha uma estimativa do valor do polo introduzido pelo condensador CE = 1 F. Despreze o efeito dos demais condensadores do circuito. Jusrtifique esta aproximao.

Sol: fP = 5,3 kHz (Req CE praticamente s a impedncia vista para o emissor do TJB2 porque muito mais pequena que todas as outras ((r + Rg) / ) e o plo ento o maior (dominante) logo os outros condensadores j so equivalentes a um CC.

3. O circuito da figura 3a representa uma seco de um filtro de 2 ordem. a) Calcule a funo de transferncia Vo/Vi(s) do circuito da figura 3a. Qual o tipo de resposta na frequncia? Sol:
s2LC/(s2LC+sL/R+1) passa alto (2 zeros na origem)

R1 Zi

C1
+ -

- + R2 R3 R4

b) Sabendo que se pretende uma resposta de aplanamento mximo e uma frequncia de corte a -3dB de 100kHz dimensione C e R para L=10mH. Trace o diagramna dos polos da funo de transferncia no plano complexo +j. Sol: Q=0,707 e wo = 2fo R= 4,44 k e C = 253.3 pF. Plos - 444,3 j 444,3 k rad s-1

Figura 3a

Figura 3b

c) Supondo que na figura 3b todas as resistncias so de 10k dimensione o condensador C1 por forma a simular a bobina do filtro da figura 3a. Qual o interesse prtico deste circuito? Sol: Zi = R1 R2 R4 C1 s / R3 C1 = 100 pF.
JCF

Formulrio sobre os transstores MOS:

i D = k n 2( v GS - VTn ) v DS - v 2 DS

2 i D = k p 2( v SG - VTp ) v SD - v SD

iD = iDS = kn (vGS-VTn)2 (1+vDS)

kn,p = kn,p (W/L)

iD = iDS = kp (vSG-|VTp|)2 (1+vSD)

k n ,p =

1 W C 2 n ,p ox L

[AV -2 ]

Formulrio sobre os transstores bipolares:

iB = (IS/) (exp(vBE/nVT)-1) iC = iB

Aproximaes:
n2 AButt() = 10 log (1 + | | ) ACheb(>>1) 20 log ( 2 n-1 n ) com

= / p

Filter Order Chebyshev 1 2 3 4 5

Butterworth sP=1 s+1 s2 + 1.41s + 1 s3 + 2.00s2 + 2.00s + 1 s4 + 2.61s3 + 3.41s2 + 2.61s + 1 s5 + 3.24s4 + 5.24s3 + 5.24s2 + 3.24s + 1

1.00s + 1 1.41s2 + 0.911s + 1 3.98s3 + 2.38s2 + 3.70s + 1 5.65s4 + 3.29s3 + 6.60s2 + 2.29s + 1 15.9s5 + 9.11s4 + 22.5s3 + 8.71s2 + 6.48s + 1