Ciencia e ingeniera de materiales: campo interdisciplinario que tiene como propsito desarrollar nuevos materiales y mejorar aquellos ya existentes,

con un relacin del conocimiento de la microestructura, composicin sntesis y procesamiento de materiales. Composicin.- indica la constitucin qumica de un material Estructura.- es una representacin del arreglo atmico visto con distinto grado de detalle Sntesis.- indica la manera de crear o fabricar materiales a partir de elementos naturales o hechos por el hombre Procesamiento.-es la conformacin de los materiales en elementos con utilidad

Clasificacin de los materiales en Ingeniera 1. Metales y aleaciones: tienen buena conductividad elctrica y trmica, una resistencia alta, tambin tienen alta rigidez, ductilidad o conformabilidad y resistencia al impacto y choques trmicos. Son tiles en aplicaciones estructurales o de carga. Hablando de aleaciones, estas proporcionan mejora en alguna propiedad particularmente deseable 2. Cermicos, vidrios y vitroceramicos: son materiales cristalinos inorgnicos, tienen baja conductividad trmica y elctrica, son usados como aislantes. son fuertes y duros pero a su vez son frgiles y quebradizos; por su porosidad tienen un punto de fusin alto y son usados en aplicaciones de carga, sustratos que albergan chips, sensores, actuadores, capacitores comunicaciones inalmbricas, bujas, inductores y aislantes. Hablando del vidrio, es un material amorfo se tratan trmicamente (templar) o moldear y nuclear (formar) pequeos cristales dentro de ellos con un proceso trmico especial y producen vitroceramicos. 3. Polmeros: son materiales orgnicos comunes, se producen por polimerizacin ejemplos son el caucho, hule, plsticos y adhesivos; tienen baja conductividad elctrica y trmica y no son adecuados a temperaturas elevadas. Hay 2 tipos de polmeros: polmeros termoplsticos que se conforman de cadenas moleculares largas, no estn conectados de manera rgida (tienen buena ductilidad y conformabilidad) y los polmeros termoestables que se conforman de cadenas moleculares fuertemente enlazadas con red tridimensional presentan buena resistencia pero son muy frgiles. 4. Semiconductores ejemplos son el silicio y el germanio, tienen aplicaciones electrnicas y en comunicaciones, son frgiles y tienen una conductividad elctrica controlable (diodos, transistores) 5. Materiales compuestos: es la unin de 2 o ms materiales lo cual proporciona propiedades nicas, ejemplos son el concreto, fibra de vidrios; son materiales ligeros, fuertes dctiles y resistentes a altas temperaturas. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES Estructura: Disposicin de los electrones que afecta el comportamiento fsico Se toma como modelos que los materiales se forman por tomos que son esferas slidas, y los tomos de diferentes qumicamente son representados por esferas de diferente tamao Tienen 2 posibilidades de enlazamiento. Los materiales no tienen ningn orden o tienen un orden de corto alcance (materiales amorfos) y aquellos de ordenamiento de largo alcance son alcalinos. -Una estructura cristalina es una estructura que muestra tomos con orden de corto y largo alcance. El arreglo atmico se extiende por todo el material formando casi un patrn repetitivo de tomos. Se describe el tamao, forma y organizacin dentro de la red

-La red es un conjunto de puntos (puntos de red) organizados siguiendo un patrn peridico y es el lugar geomtrico donde se ubica el tomo -Una celda unitaria es la subdivisin de la red cristalina que sigue conservando las caractersticas generales en toda la red (Red de Bravais) son tridimensionales porque sus arreglos tambin lo son -El parmetro de red describe el tamao y la forma de la celda unitaria, incluyen dimensiones de los costados y los ngulos entre sus costados Tipos de Celdas Unitarias, Sistemas cristalinos Cubica: son tres estructuras (cubica simple, cubica centrada en las caras y cubica centrada en el cuerpo) sus ejes con iguales a=b=c y su volumen es de a^3 Tetragonal: dos estructuras (tetragonal simple y tetragonal centrada en el cuerpo) ejes a=bc angulos de 90 y volumen de a^2c Hexagonal: estructura con ejes a=bc dos angulos de 90 y uno de 120 volumen= 0.866a^2c Ortorrmbica: 4 estructuras (ortorrmbica simple, ortorrmbica centrada en el cuerpo, ortorrmbica centrada en las caras y ortorrmbica centrada en las bases) ejes abc angulos de 90 y volumen de abc Rombodrica: estructura con ejes a=b=c angulos iguales y diferentes de 90 con volumen de Monoclnica: 2 estructuras (monoclnica simple y monoclnica centrada en bases) con ejes abc, dos angulos de 90 y otro diferente de 90 con volumen de abc sen Triclinica: estructura con ejes abc ninguno Angulo igual y distinto de 90 El nmero de tomos por celda unitaria, se refiere a que cada celda unitaria est definida por un nmero especfico de puntos de red, es el promedio de puntos de red asociados a una celda unitaria (producto del No. De tomos/punto de red) (nmero de puntos de red existentes/celda unitaria) SC=1 tomo/celda unitaria BCC= 2 tomos/celda unitaria FCC= 4 tomos/celda unitaria

Direcciones compactas: son las direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los tomos estn en contacto continuo. Es la relacin entre el radio y el parmetro de red En estructuras simples, sirven para calcular la relacin entre el tamao del tomo y el tamao de la celda unitaria, incluyendo el nmero de radios atmicos. CS= 2r BCC= 4r/(3^1/2) los tomos tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo con longitud de (30^1/2) hay dos radios atmicos desde el centro del tomo y un radio atmico desde cada uno de los vrtices en la diagonal del cuerpo FCC= 4r/ (2^1/2) los tomos se tocan a lo largo de la diagonal de la cara del cubo longitud: (20^1/2). Hay 4 radios atmicos a lo largo de esta longitud, dos del tomo centrado en la cara y uno desde cada vrtice. Numero de coordinacin: es el nmero de tomos que tocan a otro en particular, es el nmero de tomos vecinos ms cercanos (indica que tan estrecho y eficazmente estn empaquetados los tomos Fraccin de empaquetamiento: es la fraccin de espacio ocupada por tomos suponiendo que los tomos son esferas solidas FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO= [(nmero de tomos/celda) (volumen de cada tomo)]/volumen de la celda unitaria La densidad es una propiedad de las estructuras cristalinas y se puede calcular mediante

DENSIDAD (p)= [(tomos/celda) (masa atmica de cada tomo)]/ (volumen de la celda unitaria) (nmero de Avogadro)

PUNTOS DIRECCIONES Y PLANOS EN LA CELDA UNITARIA Se usa un sistema de coordenadas dextrgiro, la distancia se mide en funcin del nmero de parmetros de red que habr de moverse en coordenadas x,y,z para pasar desde el origen hasta el punto den cuestin. Los ndices Miller es la notacin abreviada de las direcciones La distancia de repeticin es la distancia entre puntos de la red a lo largo de la direccin Densidad lineal: Nmero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una direccin Fraccin de empacamiento: fraccin verdaderamente cubierta por tomos =densidad lineal (direccin compacta) Densidad Planar= nmero de tomos por unidad de superficie cuyo centro esta sobre el plano, la fraccin de empaquetamiento es el rea sobre dicho plano cubierta por tomos= tomos por cara/ rea de la cara. Un material anisotropico es aquel el cual el valor de sus propiedades depende de la direccin cristalogrfica en donde se mide el material. Un material isotrpico es aquel el cual los valores de sus propiedades son idnticos en todas direcciones Los sitios intersticiales son huecos entre los tomos de la red en los cuales se pueden colocar tomos ms pequeos, el tomo colocado toca a dos o ms tomos de la red y tiene el mismo nmero de coordinacin de los tomos que toca IMPERFECCIONES Los defectos puntuales con interrupciones localizadas en arreglos atmicos o inicos que de no ser por estos los materiales serian perfectos en una estructura cristalina. 1. Defecto por vacancia es producida cuando falta un tomo o ion en su sitio normal de la estructura cristalina, esto ayuda a que aumente el desorden normal o entropa del material, pero aumenta la estabilidad termodinmica del cristalino, todo material tiene defecto por vacancia 2. Defectos intersticiales: se inserta un tomo o ion adicional en la estructura cristalina en una posicin desocupada. Los tomos intersticiales son menores que los tomos de la estructura pero mayores que los sitios intersticiales que los ocupan. La regin cristalina se comprime y distorsiona 3. Defecto sustitucional: un tomo o ion es sustituido con un tipo distinto de tomos, los tomos sustitucionales ocupan el sitio normal en la red pero pueden ser mayores que los otros tomos o menores 4. Defecto de Frenkel: es una par de vacancia intersticial que se forma cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial y deja una vacancia (materiales inicos)

5. Defecto de Schottky: (materiales inicos) se presentan dnde debe falta un nmero estequimetrico de aniones y cationes en el cristal si se quiere conservar la neutralidad elctrica( materiales cermicos) DISLOCACIONES: son imperfecciones lineales en un cristal 1. Dislocacin de tornillo, se ilustra haciendo un corte parcial en un cristal perfecto torciendo el cristal en una distancia atmica 2. Dislocacin de borde o artista: se ilustra haciendo un corte parcial en un cristal perfecto abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de tomos 3. Dislocaciones mixtas: tienen componentes de borde y de tornillo con una regin de transicin entre ellas con el vector de Burgers igual para todas las porciones de dislocacin mixta 4. Deslizamiento: proceso por el cual se mueve una dislocacin y hace que se deforme un material metlico DEFECTOS SUPERFICIALES: son los lmites o los planos que separan a un material en regiones, cada regin tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientacin 1. Lmites de grano: (cermicos y metlicos) un grano es una porcin del material dentro de la cual el arreglo de los tomos es casi idntico, pero la orientacin del arreglo de tomos o estructura cristalina es distinta, los separa una zona angosta donde los tomos no tienen las distancias correctas (zona de compresin). La metalografa es el procesos de preparar una muestra de metal y observar su microestructura 2. Lmites de macla(gemelacion): es un plano a travs del cual hay una desorientacin especial de imagen especular de la estructura cristalina, se producen cuando una fuerza cortante que acta a lo largo del lmite de macla, hace que los tomos se desplacen de su posicin, se presenta en metales y cermicos 3. Lmites de fase: Los lmites de fase aparecen en materiales polifsicos donde aparece un cambio radical en sus caractersticas. En los materiales ferromagnticos, los lmites que separan regiones que tienen diferentes direcciones de magnetizacin se denominan paredes de dominio. Los defectos por volumen abarcan poros, grietas e inclusiones.

IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS: desempean un papel importante en la determinacin de las propiedades mecnicas, elctricas, pticas y magnticas de materiales Efecto sobre las propiedades mecnicas a travs del control del proceso de deslizamiento: toda imperfeccin aumenta la energa interna en el lugar de la imperfeccin, cerca de los tomos estn muy comprimidos y cercanos entre s (compresin) o muy apartados (tensin) .en los materiales los defectos como dislocaciones, defectos puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las dislocaciones. Hay 3 mecanismos de endurecimiento o reforzamiento. Endurecimiento por deformacin: (aumenta la resistencia de un material por medio de la deformacin), al aumentar la cantidad de dislocaciones, sigue aumentando la resistencia del material, porque al aumentar la densidad de dislocaciones se producen obstculos al movimiento de las dislocaciones. Un tratamiento recocido consiste en reducir la densidad de dislocaciones

calentando un material a temperaturas altas durante un largo tiempo y se usa para impartir ductilidad a metlicos Endurecimiento por solucin solida: cuando la estructura cristalina del material anfitrin asimila los tomos o iones de un compuesto husped se forma una solucin solida; es cuando se introducen en forma intencional tomos sustitucionales o intersticiales Endurecimiento por tamao de grano: aumento o disminucin de la cantidad de granos Movimientos de los tomos.

La difusin indica el flujo neto de cualquier especie electrones, tomos, vacancias etc, y depende del gradiente inicial de concentraciones y de la temperatura Caractersticas: Los tomos poseen energa trmica Debido a esta energa, los tomos vibran en su posicin de equilibrio La vibracin puede causar que los tomos salten a una vacancia cercana La difusin es controlada por la temperatura El movimiento de los tomos aumenta al incrementarse la temperatura El movimiento de los tomos se describe por medio de la ecuacin de Arrhenius. Rapidez= La energa que el tomo necesita para dejar su posicin hasta la vacancia que est controlada por la temperatura absoluta en Kelvin Un tomo para saltar de un tmulo y alejar el siguiente punto de equilibrio necesita energa adicional. Mecanismos de Difusion. Autodifusion: sucede en materiales cristalinos con vacancias, los tomos se mueven de una posicin en la red a otra. Difusin de vacancias: cuando un tomo deja su sitio de red y llena una vacancia cercana, se crea una nueva vacancia, lo que forma flujos de tomos y vacancias a contracorriente. La cantidad de vacancias aumenta con la temperatura y ayuda a determinar el grado de autodifusion y tambin la difusin de tomos sustitucionales. Difusin intersticial: en la estructura cristalina hay un tomo o ion intersticial pequeo que se mueven de un sitio intersticial a otro, no requiere vacancias, porque hay muchos ms sitios intersticiales que vacancias y se difunde con mayor rapidez