Fundação Universidade Federal de Rondônia

Igor Esmite Barroso de Carvalho, 201021026;

Prof. Msc. Ciro Egoavil;
Disciplina de Eletrônica II;

Simulações de Circuitos Eletrônicos Utilizando o Software

Multisim 11.0

Porto Velho

Maio de 2013
Introdução

Este pequeno guia tem por objetivo esclarecer a aplicação prática dos
dispositivos estudados na disciplina de eletrônica I na Universidade Federal de
Rondônia. Por ser prático, os cálculos mais complicados serão deixadas para
desenvolvimento do leitor, focando exclusivamente nos conceitos usados pelos
usuários mundo afora e das simulações no programa Multisim 11.0 como forma extra
de difusão do conhecimento eletrônico.

Para acompanhar os conceitos, recomenda-se utilizar como base bibliográfica

os livros do Boylestad e Malvino, de onde os circuitos simulados foram extraídos.

O assunto abordado começa nos conteúdos iniciais de semicondutores, os

diodos. Aprofunda-se nas aplicações, nos circuitos grampeadores, abrangendo os
transistores e o modelo de amplificação.
Simulações de Circuitos

T1: Diodos.

Agora na introdução de dispositivos eletrônicos, o primeiro elemento dessa vasta

cadeira chama-se diodo, e é o mais simples dos dispositivos semicondutores. Porém, exercem
um papel fundamental em sistemas eletrônicos e possui características bastante semelhantes
de uma simples chave.

A função básica de um diodo é conduzir corrente no sentido definido pela seta no

símbolo e agir como um circuito aberto para qualquer tentativa de estabelecer corrente no
sentido oposto.

Entretanto, essa ideia apresentada representa o modelo ideal, não apresentando

perdas ôhmicas e por efeito joule do dispositivo.

Das definições práticas do dispositivo, chama-se “polarização direta” quando a tensão

aplicada ao anodo é maior do que o do catodo; “polarização reversa” quando o potencial é
maior no catodo do que no anodo. O diodo só conduz no estado de polarização direta,
comportando-se como um curto circuito.

Quando adentramos nos moldes reais do dispositivo, o diodo começa somente a

conduzir a partir dos 0,7 V no diodo de silício e 0,3 V no
composto de germânio; ambos em polarização direta. Nas
bibliografias citadas, verifica-se uma curva exponencial do
valor de corrente pelo dispositivo pós limite inferior da tensão
de saturação (0,3 ou 0,7 V) no gráfico da tensão versus
corrente.

Quando a análise de malha é realizada num circuito

contendo um diodo, deve-se levar em conta que o dispositivo de silício provoca uma queda de
tensão de 0,7 V. Como exemplo, simulando o seguinte circuito
D1 XMM1

1N4001GP

V1
10 V R1
10Ω

GND

temos que o valor sobre o resistor não é simétrico à fonte. Sabendo-se que 10-0,7 = 9,3 que é
diferente do resultado acima descrito, deve-se ter em mente que o diodo também apresenta
uma resistência interna, que também provoca uma queda de tensão.
T2: Diodo Zener.

Quando o diodo está polarizado reversamente, idealmente não deveria circular

corrente nenhuma pelo dispositivo. Entretanto, uma pequena corrente passa pelo
diodo nessas condições e são conhecidas como corrente de saturação reversa.

Conforme a tensão reversa aumenta através do diodo, aumenta-se, nas

estruturas internas, choques das estruturas das moléculas estáveis, resultando em um
processo de ionização pela qual o elétron de valência absorvem energia suficiente para
deixar o átomo de origem. Esses portadores adicionais podem então ajudar no
processo de ionização até que se estabeleça uma alta corrente de avalanche e que se
determine a região de ruptura por avalanche, também conhecido como ‘região zener’.

Para o modelo 1N4001GP, simulando a variação de tensão reversa para

descobrimento da região de ruptura zener, temos o seguinte circuito no multisim.

XMM1
V1 D1
10 V 1N4001GP

GND

XMM1
V1 D1
40 V 1N4001GP

GND

XMM1
V1 D1
45 V 1N4001GP

GND

XMM1
V1 D1
49 V 1N4001GP

GND
 XMM1
V1 D1
50 V 1N4001GP

GND

o que demonstra que a tensão de ruptura zener do diodo é de 50 V.

Alterando-se os níveis de dopagem, consegue-se reduzir ou aumentar os níveis de

tensão de ruptura zener. Dessa forma são obtidos os diodos zeners, que trabalham na região
de ruptura zener, representados pela simbologia

em que o maior potencial deve ser conectado ao catodo (polarização reversa).

Utilizando o exemplo de um diodor zener 1N4740A, de 10 V, simulando no Multisim,

temos

D1
XMM1
1N4740A
V1 R1
50 V 10Ω

GND

demonstrando que o diodo causa uma queda aproximada de 10 V no circuito. Os erros

aparecem devida a presença de uma pequena resistência do diodo.

T3: Aplicação dos Diodos.

Os diodos, por conduzirem apenas em uma direção, tem uma área de aplicação vasta.
Podem ser utilizados como grampeadores, filtros, etc. Para o exemplo a seguir, montando-se
um circuito grampeador, queremos somente a componente positiva de um sinal alternado.
Temos que Vp = 10 V, 10 Hz
 XSC1
XFG1
D1 Ext T rig
+
_
1N4001GP A B
+ _ + _
R1
10Ω

GND

verificando que o diodo só conduz quando somente a tensão é positiva no anodo. Assim, a
tensão tem somente o semi-ciclo positivo sobre o resistor.

Este tipo de circuito também pode ser considerado como um retificador de meia onda,
onde somente meia onda é capturada com o objetivo de transformar a tensão de corrente
alternada para contínua. Buscando-se nivelar a tensão, podemos colocar um capacitor em
paralelo com a carga para minimizar a ondulação. Dessa forma, ajustando os parâmetros para
uma onda senoidal de 60 Hz e 10 Vp e um capacitor de 20 mF como exemplo para o circuito,
temos

XSC1
XFG1
D1 Ext T rig
+
_
1N4001GP C1 A B
_ _
20mF R1
+ +

10Ω

GND
demonstrando uma ondulação da tensão sobre a carga. Isto é um sistema instável, com ruídos,
em que outras configurações podem ser utilizadas para resolver este problema.

Outro sistema que utiliza diodos e que é bastente eficiente são os retificadores de
onda completa, em que a configuração dos diodos determinam semiciclos de corrente
‘completos’ sobre a carga, dobrando a frequência e energia média fornecida. A figura abaixo
demonstra a configuração em diodos arranjadas em forma de “retificador de onda completa”
e o tipo de onda sobre a carga.
XSC1
D4 D1
Ext T rig
+
1N4001GP 1N4001GP
XFG1 _
A B
+ _ + _

R1

10Ω

D3 D2

1N4001GP 1N4001GP

GND

Utilizando capacitores como filtro, temos a seguinte configuração.

 D4 D1
XSC1
1N4001GP 1N4001GP
C1 Ext T rig
+

XFG1 _
2200µF A
_
B
_
+ +

R1

1kΩ
D3 D2

1N4001GP 1N4001GP

GND

Notamos que a ondulação Ripple dimunui de acordo com esta configuração, já que o
intervalo de pulsos reduz e a frequência e energia dissipada aumentam. A desvantagem desse
circuito é apenas a queda de tensão de 1,4 V provocada na saída, devido à circulação de
corrente em dois diodos em série.

T4: Transistor de Junção Bipolar – TBJ

Um transistor é um dispositivo de três regiões dopadas, conforme mostra a figura

abaixo (e também seu símblo correspondente). A região inferior é chamada de emissor, a
região do meio é a base e a região superior é o coletor. Em um transistor real, a região da base
é muito mais estreita comparada com as regiões do coletor e do emissor. O transistor da figura
abaixo é um dispositivo npn, porque existe uma região p entre duas regiões n.

Sem adentrar muito nas leis físicas do dispositivo, quando alimenta-se positivamente o
coletor, e a base, as corretes que circulam são descritos na figura acima. Aplicando-se a lei de
kirchoff.

IE = IC + IB

Em que a corrente do coletor é função da corrente de base: IC = B . IB, onde B é o

ganho de corrente do dispositivo. Da figura, a junção pn do dispositivo opera como se fosse
um diodo polarizado, provocando uma queda de tensão de 0,7 V, informação importante para
solução de cálculos que determinam a corrente de base.

Como exemplo, utilizaremos o seguinte circuito simulado utilizando o diodo 2N4424

para determinar o Ganho (B) do dispostivo. Temos as seguintes informações

VCC
10V

XMM1
R3
470Ω

R1
330kΩ Q1

2N4424

utilizando a lei de ohm, a corrente no coletor é

e
Como B = IC / IB, B= 343.

Outro assunto muito discutido no mundo dos transistores é o ponto de operação de

um transistor. Dois extremos existem: ou ele está em corte, ou está saturado.

Um diodo é dito em corte, quando nenhuma corrente flui pelo coletor; saturado,
quando a queda de tensão provocada entre o coletor e o emissor do transistor é 0V. Dess a
forma, é possível utilizar o transistor como uma chave e ligar um led, por exemplo.

Utilizando o mesmo circuito anteriormente utilizado, como B = 343, vamos determinar

a corrente de base suficiente para saturar o transistor.
Temos que a corrente do coletor quando a tensão VCE VCC
é 0V: 10V

XMM1
R3
470Ω
Como
R1
330kΩ Q1

.
2N4424
A queda de tesão provocada pela junção BE é de 0,7V,
dessa forma temos que para determinar o valor do
resistor da base, fazemos

Simulando no proteus, obtemos o seguinte resultado prático.

VCC
10V

XMM1
R3
470Ω
R1
150kΩ
Q1

2N4424
 Notemos que o resultado prático não foi satisfatório. A tensão de 1 V aparece nos
terminais do coletor do transistor. Explicações nas bibliografias citam que esse erro aparece
devido o ganho (B) varia muito com a corrente, temperatura, deixando impreciso os valores de
cálculo da corrente de saturação.

Mesmo colocando direto a fonte de tensão para os terminais da base, obetmos o

seguinte experimento

VCC
10V

XMM1
R3
470Ω

Q1
XMM2

2N4424

conseguríamos determinar a saturação para o transistor. Entretetanto, por não haver

nenhuma resistência no emissor, a corrente elétrica procura sempre procura o caminho mais
fácil, elevando-se muito a corrente de base, como descrito acima, um valor exorbitante de 910
mA, levando o dispositivo ao término de vida útil muito rapidamente.

Um outro circuito que podemos visualizar é o de polarização de um transistor. Nessa

etapa, vamos comparar a solução matemática de um problema e sua simulação no Multisim.

Seja o circuito, determine a tensão VC do transistor.

VCC
10V
Utilizando o divisor de tensão para determinar a
tensão Vbb.
R2 XMM1
10kΩ R3
3.6kΩ

Q2

Subtraindo 0,7 V, que é a queda de tensão provocada

R4 2N3904
pela juntão BE do transistor
2.2kΩ
R1
1kΩ

Logo, a corrente pelo emissor é:

 Como a corrente no coletor é quase igual à corrente no emissor, podemos calcular a
tensão do coletor para o terra da seguinte forma:

( )( )

portanto, a corrente no coletor-emissor é

Utilizando o mesmos circuito e simulando no proteus, temos que

confirmando a aproximação de nossos cálculos com o simulado aproximado para o caso do

transistor polarizado com divisor de tensão.

T5: Operação com Pequenos Sinais

Para pequenos sinais, existem uma gama de teorias e equações que descrevem o
comportamento da tensão do coletor quando a base é excitada por um sinal variante no
tempo. A ideia, para o caso dos TBJ’s, continua a mesma, já que a variação da amplitude do
sinal na base faz aumentar também uma corrente variante no tempo na base, refletindo-e no
coletor e obtendo-se, assim, as tensões amplificadas. Dado o seguinte circuito amplificador de
emissor comum, vamos apenas comparar as entradas e saídas, deixando as equações do
comportamento físico para pesquisas nas bibliografias existentes. Dessa forma, temos o
seguinte circuito:

VCC
10V

R2
10kΩ R3
3.6kΩ
C2
XSC1

Q2 0.33µF Ext T rig

+
XFG1
R5 _
B
C1 100kΩ +
A
_ + _
2N3904
R4
0.33µF 3kΩ
R1
1kΩ C3
1µF
Obtemos as seguintes curvas de tensão

com o segundo sinal amplificado e atrasado em relação à fonte.

Realizando vários testes empíricos, alterando-se o valor do capacitor de filtro do

gerador de função, temos uma amplificação bem maior do sinal . O circuito abaixo compara a
mudança do valor do capacitor para 1uF, e a resposta do circuito é

VCC
10V

R2
10kΩ R3
3.6kΩ
C2
XSC1

Q2 0.33µF Ext T rig

+
XFG1
R5 _
B
C1 100kΩ +
A
_ + _
2N3904
R4
1µF 2.2kΩ
R1
1kΩ C3
1µF
Conclusão

Vimos que a análise de circuitos utilizando o software Multisim 11.0 torna-se uma
ferramenta extremamente importante para o ensino-aprendizagem. Torna-se um laboratório
virtual para estudantes de engenharia elétrica, eletrônica e áreas afins. Como não
aprofundamos muitos os cálculos, a contribuição que deixamos para os trabalhos futuros será
utilizar mais modelos de circuitos e cálculos teóricos para uma guia completa de comparação,
desenvolvendo a análise e senso crítico do leitor deste material.
Referências Bibliográficas

[1] Boylestad, R. L. and Nashelsky, L.: “Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos”, 8d ed., Pearson Education do Brasil, Ltda.;

[2] Malvino, A. P.: “Eletrônica”, 4d ed., Pearson Education do Brasil, Ltda.