SENSORES E ACTUADORES INTELIGENTES

MESTRADO EM ENGENHARIA ELECTRNICA

RESUMOS









Francisco Andr Corra Alegria
1. INTRODUO

1.1. DEFINIO DE SENSOR E ATUADOR
Transdutor qualquer dispositivo que converte uma forma de energia em outra.
Ex: Barra de ferro sujeita temperatura que por sua vez influncia a sua dimenso.

Sensor Um sensor um dispositivo que quando exposto a um fenmeno fsico
(temperatura, deslocamento, fora, etc) produz um sinal de sada proporcional
(eltrico, mecnico, magntico, etc).
Ex: sensor de temperatura.
Exemplo de Sensor que Transdutor Um dispositivo que produz uma tenso
eltrica contnua proporcional temperatura que o rodeia.

Atuador Um atuador um dispositivo que recebe um comando (sinal eltrico) e
produz uma alterao na Natureza (uma fora, movimento, calor, etc)
Ex: motores, aquecedores, lmpadas, etc
Exemplo de Atuador que Transdutor Um dispositivo que roda um veio com uma
velocidade proporcional ao valor da tenso do sinal eltrico que lhe aplicado.


PERGUNTA 1: De que forma que os sensores e atuadores interagem com o
Universo que nos rodeia e em que que essa interao beneficia o ser Humano?
Os sensores criam sinais eltricos que contm informao sobre os fenmenos fsicos e
qumicos que ocorrem no Universo. Os atuadores alteram aspetos do Universo, como
por exemplo a temperatura ou a posio de um corpo, a partir de sinais eltricos que
lhes so aplicados.
O Homem consegue assim recolher informao sobre o mundo que o rodeia e us-la no
s para melhor perceber como o Universo funciona, elaborando teorias e modelos
matemticos, mas tambm criando engenhos com o objetivo de melhorar a qualidade de
vida.

Composio tpica de um sensor integrado:



Sensor - responsvel por produzir um sinal eltrico proporcional a uma dada
grandeza a medir.
Condicionamento de Sinal Altera o sinal de forma a melhorar a sua qualidade
(amplificao, filtragem, linearizao, etc).
Conversor Analgico/Digital Converte o sinal analgico num formato digital
fazendo a sua quantificao com o objetivo de tornar possvel de ser armazenada e
processada por um computador a informao contida no sinal eltrico.
Interface responsvel pelo envio do resultado da converso para o exterior
(computador, sensor, atuador, etc).

Composio tpica de um sensor inteligente:



Contm um elemento capaz de processar informao. Isso permite ao sensor realizar
operaes mais complexas. Estes sensores podem ter capacidade de auto-diagnstico,
auto-calibrao e auto-adaptao. Tambm possuem memria de armazenamento de
dados para posterior transmisso, permitindo a auto-identificao do sensor. Por fim um
sensor inteligente capaz tambm de transmitir a informao recolhida usando uma
interface digital de comunicao com ou sem fios.

Composio tpica de um sensor inteligente capaz de ser integrado numa rede sem
fios:










1.2. CLASSIFICAO DE SENSORES E ATUADORES
1.2.1 EM RELAO ENERGIA
Dois tipos de Sensores:
Sensor Modulante ou Ativo Os sensores ativos funcionam alterando um dado
parmetro de um circuito eltrico recebendo energia de fora, a partir de uma bateria ou
gerador de sinal por exemplo. Ex: Extensmetros.
Vantagem/desvantagens: Permitem um ganho de sinal da entrada para a sada. Por sua
vez necessitam de uma fonte externa de energia e da instalao respetiva.

Sensor Auto-Gerador ou Passivo Os sensores passivos produzem um sinal eltrico
sem a necessidade de serem alimentados eletricamente. A energia que usam para criar o
sinal de sada vem do prprio fenmeno fsico que esto a medir. Ex: Termopar.
Vantagens/desvantagens: Tm a vantagem de no necessitar de alimentao embora
os sinais de sada sejam normalmente fracos, precisando muitas vezes de amplificao.

Os sensores podem ser:
Simples Estes sensores simples utilizam uma nica transformao de energia. Ex:
Termstor.
Complexos Os sensores complexos utilizam mais do que uma transformao de
energia. Ex: Fibras ticas.

1.2.2. EM TERMOS DE CONDICIONAMENTO DE SINAL
PERGUNTA 2: Quais as funes possveis do Circuito de Condicionamento de Sinal
utilizado num sensor?
O condicionamento do sinal altera o sinal produzido pelo elemento sensor de forma a
melhorar a sua qualidade tendo em conta o fim em vista.
O condicionamento de sinal pode consistir em:
- Amplificao do sinal
- Filtragem do sinal
- Converso de um sinal de corrente num sinal de tenso e vice-versa
- Linearizao da relao entre a grandeza medida e a tenso de sada
- Minimizao da influncia indesejvel de outras grandezas
- Isolamento galvnico entre o objeto da medida e o circuito eletrnico.

1.3. FOLHAS DE ESPECIFICAO
Tpicas caratersticas importantes:
- Funo de Transferncia Especifica a relao funcional entre grandeza fsica
de entrada e o sinal eltrico de sada.
- Sensibilidade Especifica quo grande a variao do sinal de sada
relativamente a uma variao do sinal de entrada (varia no s com a funo de
transferncia mas tambm com outros parmetros).
PERGUNTA 3: Qual a sensibilidade do fotododo para uma radiao com um
comprimento de onda de 1050 nm.

Para um comprimento de onda de 1050 nm l-se um valor aproximado de 0,5. Esse
valor o valor de sensibilidade em ralao ao seu valor mximo que se pode encontrar
na tabela, nomeadamente no parmetro Absolute Spectral Sensitivity. O valor tpico
desse parmetro 0,55 A/W.
A sensibilidade do fotododo para um comprimento de onda de 1050 nm portanto
metade do valor mximo, ou seja, 0,275 A/W.

- Alcance a gama de valores da grandeza de entrada que pode ser convertida
num sinal eltrico.
- Exatido o erro mximo que o fabricante admite que o sensor tenha.
PERGUNTA 4: Quais os melhores sensores de humidade apresentados?

Os modelos CHS-UPS e CHS-UPR tm uma exatido (accuracy) de 3% o que melhor
do que os 5% dos outros modelos. A exatido traduz quo perto est a leitura do sensor
do real valor da grandeza medida. Quando menor, melhor.
A resposta portanto: os modelos CHS-UPS e CHS-UPR.
- Histerese quando o sensor no apresenta a mesma sada para um dado valor
de grandeza medida.
- No-Linearidade a maior diferena entre a funo de transferncia e uma
reta ideal a dividir pelo alcance (exprime-se em %).
- Rudo O rudo est normalmente distribudo por vrias frequncias. Muitas
fontes de rudo produzem um espetro branco. Isso quer dizer que o rudo
distribui-se igualmente por todas as frequncias. O rudo de tenso exprime-se
em V/Raiz(Hz).
- Resoluo Mnima variao detetvel da grandeza a medir. Ela depende da
quantidade de rudo presente por exemplo.
- Largura de Banda
- Repetibilidade O erro de repetibilidade traduz a incapacidade do sensor de
produzir a mesma sada quando estimulado por uma grandeza com o mesmo
valor nas mesmas condies de medida.
- Zona Morta uma gama de valores da grandeza medida para a qual a sada
do sensor varia pouco em relao ao resto da gama de medida.
- Saturao quando a certa altura a tenso de sada deixa de seguir uma reta
logartmica e passa a uma reta quase constante.


PERGUNTA 5: Tendo em conta as especificaes fornecidas para o fotododo
BPV10NF da Vishay Semiconductors calcule o valor da relao sinal rudo se este
for inserido num circuito com uma largura de banda de 10 kHz e a potncia da
radiao incidente monocromtica ( = 950 nm) for 3 W. Considere que o
fotododo est polarizado inversamente com 20 V.



O fabricante especifica a potncia equivalente de rudo (noise equivalent power) do
fotodiodo como sendo 310
-14
W/\Hz. Isso significa que o sinal produzido pelo
fotodiodo vem acrescido de rudo gerado internamente do dispositivo que equivalente
a ter-se rudo na radiao incidente com um valor eficaz de 0,03 pW se a largura de
banda fosse 1 Hz. Como a largura de banda 10 kHz o valor eficaz de rudo 100 vezes
maior (raiz quadrada de 10000), ou seja, 3 pW.
Como o sinal tem uma potncia de 3 W a relao sinal rudo

6
12
3 10
20log 120 dB
3 10
SNR

| |
= =
|

\ .
.

2. MICRO E NANO-TECNOLOGIA

2.1. INTRODUO

Este captulo aborda a tecnologia usada para fabricar dispositivos de muito pequenas
dimenses, que so usadas como sensores ou atuadores. No geral tem-se dispositivos
mais simples e que consomem menos energia.
Vantagens dos Micro-Nano Sensores:
Aumento da rapidez de resposta;
Diminuio da influncia da temperatura;
Menores gastos em produo e gastos levando a benefcios custo/desempenho;
Construo de cadeias de sensores idnticos, aumentando o seu tempo de vida e
diminuindo a probabilidade de falhas;

2.2. FABRICAO

2.2.1 INTRODUO
Os MEMS so fabricados combinando tcnicas usadas tipicamente para criar circuitos
integrados, como a litografia, deposio e etching e tcnicas especificas de
micromaquinao como a micromaquinao em bloco e superficial.
Litografia: a criao de padres num material. Ou seja a integrao do sensor e da
sua eletrnica especifica no mesmo local.
Micromaquinao em Bloco (Bulk Micromachining): Os dispositivos so
construdos atravs de um bloco de Silcio que removido seletivamente atravs da
litografia e o uso de mscaras com os padres necessrios.
Micromaquinao Superficial (Surface Micromachinning): Os dispositivos so
construdos pela deposio sucessiva de camadas de material em cima do substrato. A
cada uma das camadas dada a forma desejada utilizando a litografia. H camadas que
so totalmente removidas deixando suspensas as camadas superiores.

2.2.2 UTILIZAO DO SILCIO
A utilizao do silcio para a fabricao muito usual devido a:
- Uso generalizado na indstria dos circuitos integrados eletrnicos;
- Baixo custo;
- Propriedades eltricas bem estudadas e de fcil controlo.

PERGUNTA 6: Em que consiste a deposio qumica por vapor de polisilcio num
substrato de silcio?
A deposio qumica por vapor uma tcnica usada para depositar um material sobre
um substrato slido.
1) O substrato colocado num forno a alta temperatura (entre 600C e 650C).
2) Nesse forno introduzido na forma gasosa o material (silano) a depositar dando
origem substncia desejada (slicio e hidrognio).
3) Deposita-se essa substncia (slicio) a um ritmo constante sobre o substrato.
4) A espessura da camada controlada pelo tempo que este permanece no forno, e
o hidrognio extrado do forno.

2.2.3 CRIAO DE UMA CAMADA DE DIXIDO DE SILCIO POR OXIDAO
TRMICA
Existem duas formas de criar uma camada de dixido de silcio sobre um substrato de
silcio:

Oxidao trmica: O silcio do prprio substrato alterado para formar dixido de
silcio.

Deposio qumica a vapor: O dixido de silcio criado em forma gasosa dentro do
forno e depositado sobre o substrato que se mantm inalterado. Este caso, tem a
vantagem de ser mais rpida e necessitar de uma temperatura mais baixa. Por outro lado,
tem a desvantagem de produzir hidrognio como subproduto.

3. BASEADOS NO CAMPO ELTRICO

3.1. CONCEITO DE CAPACIDADE
A Capacidade (C) a relao entre a carga em cada placa (q) e a diferena de potencial
que existe entre elas (V).



O valor da capacidade de um condensador depende das suas dimenses e forma.
Em que A a rea, e d a distncia entre placas.

A relao entre a distncia entre placas e a capacidade no linear, ento:
- Se a tenso produzida pelo sensor for proporcional capacidade ento o sensor no
linear.
-Se o sensor for baseado na medida da impedncia do condensador ento o sensor
linear.

A constante dieltrica de um material depende da temperatura e da frequncia de
funcionamento. Idealmente, para se fazer um condensador bom que a constante
dieltrica no varie muito com a frequncia.

Polarizao Dieltrica Quando as molculas tendem a alinhar-se da direo do
dieltrico.

Bom Condensador:
Constante Dieltrica e geometria devem ser estveis;
No devem variar com a temperatura, presso, humidade, etc.

Construo de Sensores: Procura-se maus condensadores, ou seja, para que a sua
capacidade no varie muito com o parmetro fsico que se est a medir.

3.2. SENSOR DE DESLOCAMENTO CAPACITIVO (EX: 17, 18, 19)
Vantagens do Sensor de Deslocamento Capacitivo:
No existe atrito.
No h histerese.
Boa estabilidade e reprodutibilidade.
Excelente resoluo.
Desvantagens do Sensor de Deslocamento Capacitivo:
Valor da capacidade em geral pequeno.
Erro de transduo.

3.3. SENSOR DE ACELERAO CAPACITIVO
Vantagens do Sensor de Acelerao Capacitivo:
Possibilidade de se medir baixas aceleraes (menos de 2g);
Funcionar para baixas frequncias (at DC) de acelerao;
Ser capaz de aguentar grandes choques (tipicamente mais de 5000g).
Desvantagens do Sensor de Acelerao Capacitivo:
No funcionar com altas frequncias de acelerao;
Um grande atraso de fase;
Elevado nvel de rudo quando comparado com um sensor de acelerao
piezoeltrico.

3.4. ALTIFALANTE ELECTROESTTICO
Definio de Altifalante: um atuador que tem a funo de transformar um sinal
eltrico em ondas sonoras. Ou seja, o inverso de um microfone. Tem como vantagem
a sua excelente resposta em frequncia e como desvantagens, produzir sons de baixa
frequncia e a sua sensibilidade humidade relativa.

3.5. CONCEITO DE RESISTNCIA ELTRICA
Efeito de Joule A coliso dos eletres com os tomos aumentam a agitao destes e
consequentemente aumentam a temperatura do material provocando uma libertao de
calor.
Lei de Ohm:

Resistividade: sendo o Campo Eltrico (E) e a Densidade de Corrente (j).

Condutividade: o inverso da resistividade.

Resistncia Eltrica: , sendo a Seco (A) e o comprimento (L).


3.6. SENSORES DE DESLOCAMENTO POTENCIOMTRICOS
Visto que a resistncia de um condutor depende linearmente do seu comprimento:
ento pode-se fazer um sensor que na prtica o que se faz ter um condutor de
comprimento fixo e um cursor que se desloca ao longo desse condutor.
Os cursores utilizados so feitos de um material que seja resistente ao desgaste pela
frico. Este material pode ser ligas de metais preciosos, ligas de cobre temperado,
ferro-bronze, etc.
Vantagens dos Sensores Potenciomtricos:
Econmicos;
Robustos;
Leves e pequenos.
Desvantagens dos Sensores Potenciomtricos:
Carga mecnica devido frico;
Baixa velocidade;
Aquecimento do potencimetro devido frico.

3.7. DEPENDNCIA DA RESISTIVIDADE COM A TEMPERATURA E HUMIDADE
A resistividade de um material devida coliso dos eletres com a estrutura do
material e com os outros eletres. A resistividade de um material depende da
temperatura. Essa relao em geral no linear, no entanto, para uma pequena gama de
temperaturas pode-se considerar linear:

Se a temperatura aumenta:
A estrutura do material comea a vibrar, a probabilidade de um eletro colidir com a
estrutura aumenta, e da aumenta a resistividade.
PERGUNTA 7: Descreva um dos fenmenos fsicos responsvel pela diminuio da
resistncia eltrica dos materiais semicondutores.
Com o aumento da Temperatura aumenta o nmero de eletres disponveis dentro
do material ento a resistividade diminui (pois h um aumento da corrente).

3.8. H