1.

- Demostrar la expresin de Io para el XTR101, segn lo indica su hoja de datos Veamos la red de resistencias de la parte del amplificador diferencial Como vemos los voltajes en el PIN3 y PIN4 (e 1 y e2 respectivamente) son transmitidos a los pines 5 y 6 gracias a los operacionales A1 y A2

Con lo que tenemos: (e e ) Is = 2 1 Rs Analizamos esa maya y tenemos: I s Rs = I 3 R3 I 4 R4 e2 e1 = I 3 R3 I 4 R4 Del nodo 6 tenemos: I 4 I s + 100 A Ya que la corriente que entra al operacional es despreciable, reemplazando 1.1 tenemos: e e I 4 = 2 1 + 100 A Rs Y reemplazando esta ultima en 1.2 e e e2 e1 = I 3 R3 2 1 + 100 A R4 Rs Despejando nuestra incognita: R (e e ) R I 3 = 2 1 1 + 4 + 100 A 4 R3 Rs R3 Veamos la parte de la fuente de corriente controlada por voltaje Sabemos que por efecto de la realimentacin: V A3 = V+ A3

V A3 = I1 1K + V V+ A3 = I 2 52.6 + V Reemplazamos estas dos ltimas ecuaciones en 1.4 I1 1K = I 2 52.6 Despejamos 1K I2 = I1 = 19 I1 52.6 Debido a: I A3 0 Podemos decir I s + I 3 I1 Como: ' I0 = I1 + I 2 Reemplazamos ' I0 = I1 + 19 I1
' I0 = 20 I1 ' I0 = 20 ( I s + I3 )

Reemplazamos 1.1 y 1.3 en 1.5 ( e2 e1 ) ( e2 e1 ) R4 R4 ' I0 = 20 + 1 + + 100 A R R3 Rs s R3 R4 R4 1 + + 2000 A Rs R3 20 20 R4 R4 ' I0 = ( e2 e1 ) R + R 1 + R + 2000 A R 3 s 3 s Y como: R3 = R4 = 1.25 K eIN = e2 e1
' I0 =

20 ( e2 e1 ) 20 ( e2 e1 ) + Rs R3

 20 20 20 ' I0 = eIN + + + 2000 A Rs 1.25 K Rs 40 ' I0 = eIN + 0.016 + 2mA Rs Y por el aumento de las dos fuentes de corriente: ' I0 = I0 + 2mA 40 I 0 = eIN + 0.016 + 4mA Rs lqqd

2. Estudiar la potencia que consume el transistor externo opcional Para aplicaciones que requieren una precisin moderada, el xtr101 opera con eficacia, y a bajo costo, utilizando su propio transistor interno. Para aplicaciones ms demandantes (alta precisin a alta ganancia) se puede aadir un transistor NPN en paralelo al transistor interno. Este procedimiento mantiene fuera del empaque del xtr101 el calor generado y minimiza la realimentacin trmica a la etapa de entrada. El propsito de este transistor externo es incrementar la precisin, reduciendo los cambios de calor dentro del empaque del xtr101 producidos por los cambios en la corriente de salida desde 4 hasta 20mA Pese a esto, el transistor interno nunca llega a estar completamente apagado. Esto mantiene la estabilidad en frecuencia frente a variaciones de las caractersticas del transistor externo y frente a la capacitancia del cableado. La corriente que comparten los transistores interno y externo depende de dos factores: - Geometra relativa entre las areas de sus emisores - Disipacin relativa entre los empaques (tamao del empaque y conductividad termica) Para mayores resultados el dispositivo externo debe tener una area base-emisor grande y un empaque pequeo. Al momento de encenderse, este transistor externo conducira [0.95(Io-3.3mA)]mA. Sin embrago se calentar ms rapido que el transistor interno e ira consumiendo una porcion mayor de esta corriente a los pocos segundos. Aunque se puede utilizar cualquier transistor NPN de potencia adecuada se recomiendan: -2N2222 en empaque TO-18. Para alimentaciones por encima de 24V, un resistor de 750 a W debe ser conectado en serie con el colector. Esto limitara la disipacin de potencia a 377mW bajo las peores condiciones (20mA).

Presistor = I 2 R = (16mA) 2 (750) = 192mW Ptransistor = I cVCE = (16mA)(23.6V ) = 377.6mW -TIP29B en empaque TO-220. No necesita una resistencia en serie. 3. Analizar los puntos 4,5 y 6 Referidos a: puntos a tener en cuenta al usar el xtr101 3.1 Punto 4: La mxima seal de entrada (eINFS) es 1V con Rs = , y proporcionalmente menor cuando Rs decrece. 40 Io = 4mA + eIN 0.016 + Rs Si Rs = , para que Io=Imx=20mA: 20mA = 4mA + eIN ( 0.016 ) eIN = eINFS =

16mA = 1V 0.016 3.2 Punto 5: Siempre conectar las referencias de corriente (PINES 10 y 11) a la salida (PIN7) a travs de una resistencia apropiada. Si las referencias de corriente no son utilizadas para polarizacin ni para excitacin, deben ser conectadas al PIN7 (salida). Cada referencia debe tener entre 0V y + (Vcc-4V) con respecto al PIN7. 3.3 Punto 6: Siempre escoja RL (incluyendo la resistencia de las lneas) Para que el voltaje entre los pines 7 y 8 (+Vcc) permanezca en el rango de 11.6V a 40V cuando la salida cambie entre 4-20mA, como se muestra en la figura.

4. Analizar el voltaje en modo comn (CMV) y el rechazo en modo comn (CMR) El STR101 esta diseado para operara con un voltaje de 5V en modo comn El error causado por los 5V de modo comn (CMV) ya que el CMR es finito, est ya incluido en las especificaciones de precisin. El XTR101 funcionara apropiadamente con cualquiera de sus entradas operando en el rango de 4-6V con respecto al pin7 (recordar que eINFS=1V). Si las entradas estn polarizadas a otro CMV, distinto de 5V, entonces un trmino de error de offset de entrada es: CMV 5 CMRR Donde CMRR (dB):Common Mode Rejection Ratio 5. Analizar la tcnica de compensacin de junta fra (cold junction compensation) as como la indicacin de fallo de una termocupla Para la primera parte de la pregunta analizaremos el ejemplo 2 de la hoja de datos Dado un proceso con limites de temperatura (T1) de 0C y +1000C, configure el XTR101 para medir la temperatura con una termocupla tipo j que produce un cambio de 58mV para un cambio de 1000C. Use un diodo semiconductor para compensacin de junta fria para hacer la medida relativa a 0C Esto se logra dando un voltaje de compensacin (VR6) igual al normalmente producido por la termocupla con su junta fria (T2) expuesta al ambiente. En un ambiente tpico de 25C, este voltaje es 1.28mV (obtenido de las tablas estndar de termocuplas con la junta de referencia, T2, a 0C). Transmita 4mA para Ti=0C y 20mA para T1=1000C. Nota eIN=e2-e1 indica que T1 es relativa a T2

Calculo de Rs La escala total de entrada es 58mV 40 Rs = I o A 0.016 eINFS V 40 Rs = = 153.93 16mA 0.016 58mV Seleccionamos R4: R4 se escoge para hacer que la salida sea 4mA a TTC =0C (VTC=-1.28mV) y TD=25C (VD=0.6V) VTC ser -1.28mV cuando TTC=0C y la junta de referencia est a 25 C e1 dbe ser calculada para la condicion de TD=25C para hacer eIN=0V VD 25C = 600mV R6 51 e125C = 600mV = 600mV = 14.9mV 2000 + 51 R6 + R5 eIN = e2 e1 = VTC + V4 e1 Con eIN=0 y VTC=-1.28mV V4 = e1 VTC V4 = 17.9mV ( 1.28mV ) = 16.18mV Ahora utilizando una sola de las fuentes de corriente (1mA) 1mA( R4 ) = V4 1mA( R4 ) = 16.18mV R4 = 16.18 Compensacin por juntura fria:

Hemos utilizado los valores para R5 y R6, los cuales salen de: El voltaje en el diodo tiene la siguiente forma: KT I VD = ln D q I SAT Tpicamente a T2=25C VD=0.6V VD = 2mV / C Tambien, usualmente T R5 y R6 forman un divisor de voltaje para el voltaje del diodo VD. Los valores del VD divisor se seleccionan de manera que el gradiente iguale el gradiente de la T termocupla a la temperatura de referencia. Esto se hace para cuando la temperatura de la juntura fra cambie, tambin cambie el voltaje de compensacin del diodo en la misma magnitud en la que cambia el voltaje de la juntura fra. A 25C sta es aproximadamente 52V/C (obtenida de tablas estndar de termocuplas). Entonces: V mV R6 52 =2 C C R5 + R6 R5 se escoge 2K para que sea mucho ms grande que la resistencia del diodo. Resolviendo para R6, resulta mV 2 2 K + R6 = C R6 V 52 C 2000 2K = 1R6 52 2K = R6 2000 1 52 R6 = 53.38 Indicacin de quemado de termocuplas: En aplicaciones de control de procesos es deseable detectar cuando una termocupla se ha quemado. Esto se logra, tpicamente, forzando al transmisor de corriente hacia cualquiera de sus lmites cuando la impedancia de la termocupla se dispara a un valor muy alto.

Se analizan algunas configuraciones a continuacin: Los circuitos de las figuras poseen indicacin de quemado de termocupla, que lleva la salida a su limite inferior (3.8mA) cuando la termocupla presenta una altsima impedancia Cuando la impedancia de la termocupla se hace muy alta (abierta) la corriente de polarizacin fluyendo hacia la entrada diferencial positiva (gran impedancia) causa que Io tome su limite inferior de su rango (3.8mA)

La siguiente figura posee una indicacin de quemado de termocupla que lleva la corriente de salida Io a su limite superior dentro de su rango (25mA) cuando la termocupla presenta una altsima impedancia (abierta)

6. Analizar el ancho de banda del dispositivo Cuando sea posible, se recomienda un filtrado pasa bajas. Este puede llevarse a cabo mediante dos tcnicas: -C2 conectado entre los pines 3 y 4 (entradas diferenciales) reducir el ancho de banda con una frecuencia de corte dada por: 15.9 fo = ( R1 + R2 + R3 + R4 ) ( C2 + 3 pF ) Este mtodo tiene la desventaja de que fco varia con R1, R2, R3 y R4; y puede requerir valores grandes para R3 y R4 (R3 debe ser igual a R4) -El otro mtodo, usando C1, usa valores pequeos de capacitancia y no es una funcin de los resistores de entrada. Est, sin embrago, sujeto a distorsin no lineal causada por limites en el slew rate. Esto no es, normalmente un problema con las seales lentas asociadas con la mayora de transductores de control de procesos.

7. Se respondi en la parte 5