Tema4 0708

Microondas 3 ITT-ST
Tema 4: Circuitos resonantes de microondas
Pablo Luis Lpez Esp
Circuitos resonantes de microondas.

Circuitos resonantes de microondas
Circuitos RLC de parmetros concentrados Circuito resonante serie. Circuito resonante paralelo. Acoplamiento de circuitos resonantes. Circuitos resonantes con lneas de transmisin. Lneas terminadas en cortocircuito. Lneas terminadas en circuito abierto. Circuitos resonantes con guas de onda: cavidades. Cavidades en gua rectangular. Cavidades en gua cilndrica.
Circuitos resonantes con materiales dielctricos. Otros circuitos en lnea microstrip y stripline.
Microondas ITT-ST
Tema 4
Circuitos RLC de parmetros concentrados.

Circuito RLC serie
Impedancia de entrada al circuito:
Z IN = R + j L +
1 j C
En funcin de la potencia disipada y las energas medias
almacenadas:
Z IN =
PD + 2 j (WM WE ) I 2
2
Microondas ITT-ST
Tema 4
Circuitos RLC de parmetros concentrados (II).

En resonancia ambas energas son iguales.
0 =
1 LC
Se define el factor de calidad como:
Q =
WM + WE W W = 2 0 M = 2 0 E PD PD PD 2 RQ
Q=
0 L
R
1 0CR
En funcin de este factor, la impedancia puede ponerse como:
Z IN = R + j
= R + j 2 L
Q=
f0 BW
Tema 4
Microondas ITT-ST
Circuitos RLC de parmetros concentrados (III).

Circuito RLC paralelo:
Impedancia de entrada al circuito:
Z IN
1 1 = + + j C R j L
La pulsacin de resonancia tiene idntica expresin que en el
caso serie:
0 =
Microondas ITT-ST
1 LC
Tema 4
Circuitos RLC de parmetros concentrados (IV).

En resonancia, el factor de calidad se expresa como:
Q=
R = 0 RC 0 L
A partir de este valor, la impedancia de entrada ser:
Z IN
5
R 1 = + 2 jC = R 1 + j 2Q
Microondas ITT-ST
Tema 4
Factor de calidad total. Acoplamiento.

Cuando el circuito resonante se conecta a una carga, la
resistencia del circuito aumenta y por tanto, el factor de calidad cambia:
QT =
0 L
RT
0 L
R + RL
1 R R + L 0 L 0 L
1 1 1 + QU QL
Se define el coeficiente de acoplamiento como:
g = 1 Acoplamiento crtico. g < 1 Infra-acoplamiento (undercoupling) g > 1 Sobreacoplamiento (overcoupling)
g=
QT QL
Microondas ITT-ST
Tema 4
Mejora del acoplamiento (I)

Ceq C1 2C0 C1
Q0 >>1 C1 >> C0
ZD =
Y0 B j 2 0 2 Y02 + B02 Y0 + B0 Y0 B j 2 0 2 Y02 + B02 Y0 + B0

C1
Z I = jX L1 jX 1 + Ceq =
1 1 2 >>1 1 2 Q0 1 2Q02 + + C1 C0 C1 C0 (1 + Q02 ) Req Q02 R0
C0 >>C1
Microondas ITT-ST
Tema 4
Mejora del acoplamiento (II)

C Req = R0 1 + 1 C2
2
Ceq =
C1C2 C1 + C2
n Req = R0 n1
Microondas ITT-ST
Tema 4
Circuitos resonantes con lneas de transmisin.

Una lnea de transmisin terminada en cortocircuito o circuito
abierto se comporta como un circuito resonante si su longitud es igual a cuarto o media longitud de onda.
Impedancia de entrada a una lnea cargada:
Z IN = Z C
Z L + Z C tgh d Z C + Z L tgh d
tgh ( x ) + j tg ( y ) 1 + j tgh ( x )tg ( y )
Tema 4
Propiedades de la tangente hiperblica:
tgh ( x + jy ) =
Microondas ITT-ST
Lnea cortocircuitada.
Lnea terminada en cortocircuito:
Z IN = Z C tgh d
Considerando media longitud de onda y alrededor de la
frecuencia de resonancia ( = 0 + ):
10
d=
vP 0
d =
d
vP
= +
0
Tema 4
Microondas ITT-ST
Lnea cortocircuitada (II).

Puesto que la tangente es una funcin peridica:
tg ( d ) = tg + = tg 0 0 0
Considerando bajas prdidas, la impedancia de entrada puede
aproximarse como:
11
Z IN = Z C
0 ZC d + j 0 1 + j d 0
Tema 4
d + j
Microondas ITT-ST
Lnea cortocircuitada (III).

Comparando esta expresin con la del circuito resonante serie
de parmetros concentrados:
R = Z C d
L=
ZC 2 0
C=
2 Z C 0
El factor de calidad del circuito resonante es:
12
Q=
0 L
R
2
Tema 4
Microondas ITT-ST
Lnea cortocircuitada (IV).

Si se considera una lnea de longitud d = /4 y alrededor de la
d=
vp 2 0
d =
2 0
Aprovechando relaciones trigonomtricas:
13
cotg ( d ) = cotg + = tg 2 0 2 2 0 2 0
Microondas ITT-ST
Tema 4
Lnea cortocircuitada (V).

Considerando bajas prdidas, la impedancia de entrada a la
lnea es:
Z IN
2 0 ZC = ZC d + j d + j 2 0 2 0 1 + j d
Comparando con el circuito resonante paralelo de parmetros
concentrados:
14
R=
ZC d
C=
4 0 Z C
L=
4ZC
Q=
R = 0 L 2
Tema 4
Microondas ITT-ST
Lnea en circuito abierto.

Lnea terminada en circuito abierto:
Impedancia de entrada a la lnea:
15
Z IN = Z C cotgh d
Microondas ITT-ST Tema 4
Lnea en circuito abierto (II).

Considerando media longitud de onda y alrededor de la
1 + j d Z IN = Z C
0 ZC d + j d + j 0 0
Comparando con el circuito resonante paralelo de parmetros
concentrados:
16
R=
ZC d
C=
2 0 Z C
L=
2ZC
Q=
R = 0 L 2
Tema 4
Microondas ITT-ST
Lnea en circuito abierto (III).

Si se considera una lnea de longitud d = /4 y alrededor de la
frecuencia de resonancia ( = 0 + ), siguiendo los pasos descritos anteriormente, los elementos del circuito resonante serie de parmetros concentrados equivalente son:
R = Z C d
L=
ZC 4 0 0 L
R
C=
4 0 Z C
17
Q=
2
Tema 4
Microondas ITT-ST
Circuitos resonantes en gua de onda.

Se construyen mediante tramos de gua de onda terminados en
cortocircuito.
La potencia se disipa en las paredes metlicas y en el
dielctrico que rellena la cavidad. La energa se almacena en los campos elctricos y magnticos confinados. Pueden solucionarse planteando la ecuacin de onda sujeta a las condiciones de contorno de la cavidad o, de manera ms sencilla, a partir de las soluciones de los modos TE o TM de los distintos tipos de gua.
18
Microondas ITT-ST
Tema 4
Cavidades en guas rectangulares.

Expresin del campo elctrico en la cavidad:
G G + j z + j m ,n z + A e m ,n Et ( x, y, z ) = e ( x, y ) A e
G G Et ( x, y , z ) = 2 jA+ e ( x, y )sen ( m , n z )
19
Para que se anule en z = 0 ambas amplitudes deben ser iguales
Microondas ITT-ST
Tema 4
10
Cavidades en guas rectangulares (II).

Para que se anule en z = d
m ,n d = l
l = 1, 2, 3...
Nmero de ondas de la cavidad y frecuencias de resonancia
k m , n ,l
m n A = + + a b d
2 2
f m , n ,A =
ckm ,n ,A 2 r r
20
El modo fundamental de la cavidad es el TE101
Microondas ITT-ST
Tema 4
Cavidades en guas rectangulares (III).

21
Microondas ITT-ST
Tema 4
11
Cavidades en guas rectangulares (IV).

Representacin de la amplitud del campo elctrico dentro de la
cavidad:
22
Microondas ITT-ST
Tema 4
Cavidades en guas rectangulares (V).

Factor de calidad de la cavidad. Energas elctrica y magntica.
WE =
1 2 WM = ( H x H + H z H ) dV = E 2 + 2 2 2 = WE 4 V 16 ZTE k a
* x * z 2 0
Ey E* y dV =
abd
16
E02
abd
Potencia disipada en los conductores.
Pc =
RS 2
Paredes
H t dS =
2
23
RS E02 2 A 2 ab bd A 2 a d + 2+ + a 8 2 d 2 2d 2a
RS =
Microondas ITT-ST
0 2
Tema 4
12
Cavidades en guas rectangulares (VI).

Potencia disipada en el dielctrico:

2 abd " E0 1 G G " 2 Pd = J EdV = E dV = 2 V 2 V 8
Factores de calidad
QC =
2 0WE PC 2 0WE ' 1 = = PD " tg
QT =
1 1 1 + QD QC
24
QD =
Microondas ITT-ST
Tema 4
Cavidades en guas rectangulares (VII).

25
Microondas ITT-ST
Tema 4
13
Cavidades en guas cilndricas.

Cavidad cilndrica:
Para que se cumpla la condicin
de contorno en z=0
G G Et ( x, y , z ) = 2 jA+ e ( x, y )sen ( m , n z )
26
Microondas ITT-ST
Tema 4
Cavidades en guas cilndricas (II).

Constantes de propagacin modos TE y TM
n,m
p' = k n ,m a
2
n,m
p = k n,m a
2
Condicin de resonancia:
m ,n d = A
A = 1, 2, 3...
Frecuencias de resonancia modos TE
27
f n ,m ,A =
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c 2 r r
p 'n , m A + a d
Tema 4
14
Cavidades en guas cilndricas (III).

Frecuencias de resonancia modos TM
f n , m ,A =
c 2 r r
pn ,m A + a d
El modo fundamental es el TE111. El primer modo TM es el
TM110 Para la construccin de frecuencmetros se emplea el modo TE011 por su mayor factor de calidad.
28
Microondas ITT-ST
Tema 4
Cavidades en guas cilndricas (IV).

Carta de modos
29
Microondas ITT-ST
Tema 4
15
Cavidades en guas cilndricas (V).

Energa elctrica almacenada:
W = 2WE =
2
z =0
=0 r =0
(E
+ E
) d d dz
W = 2WE =
k 2 2 a 4 H 02 d
8 ( p 'n , m )
2
2 n 2 J p' 1 n ( n ,m ) ' p , n m
Potencia disipada en los conductores:
30
PC =
RS ad H 02 J n2 ( p 'n,m ) 2 2
2 2 2 2 1 + an + a 1 n 2 p' p' 2 p' ( n,m ) n,m ( n,m )
Microondas ITT-ST
Tema 4
Cavidades en guas cilndricas (VI).

Potencia disipada en el dielctrico:
PD = PD =
2 1 G G* '' J E dV = E + E 2 V 2 V
) dV
'' k 2 2 a 4 H 02 d
8 ( p 'n , m )
2
2 n 2 J p' 1 n ( n ,m ) p ' n,m
Factor de calidad. QC decrece segn la raz de f
31
QC =
0W
PC
2 W ' 1 QD = 0 E = = " tg PD
QT =
1 1 1 + QD QC
Tema 4
Microondas ITT-ST
16
Cavidades en guas cilndricas (VII).

32
Microondas ITT-ST
Tema 4
Excitacin de cavidades
33
Microondas ITT-ST
Tema 4
17
Frecuencmetros de cavidad
34
Frecuencmetro con una cavidad cilndrica ajustable donde se excita el modo TM011
Microondas ITT-ST
Tema 4
Resonadores dielctricos.
Consisten en un pequeo disco o un cubo fabricados en un
35
material dielctrico de alta permitividad. Si la constante relativa es alta se asegura un cierto confinamiento de los campos. Se emplean materiales con constante dielctrica entre 10 y 100 como xidos de titanio y bario. Menores tamao, coste y peso que las cavidades metlicas. No existen prdidas en el conductor. Los factores de calidad que se obtienen son de varios miles. El modo de resonancia habitual es el TE01 anlogo al TE011 de las guas cilndricas.
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Tema 4
18
Resonadores dielctricos (II).

Geometra de un resonador dielctrico cilndrico.
36
Microondas ITT-ST
Tema 4
Resonadores dielctricos (III).

Despreciando los efectos de borde, la frecuencia de resonancia
se obtiene:
2 = kC k02 = 01 k02 a
tg
L
2
p = k k = k 01 a
2 r 0 2 C 2 r 0
37
Si la constante dielctrica es alta, el factor de calidad es
aproximadamente 1/tg
Microondas ITT-ST
Tema 4
19
Algunas Referencias
Alpuente, J. et al (2001). Lneas de Transmisin y Redes de
Adaptacin en Circuitos de Microondas. Servicio de Publicaciones de la UAH. Pozar, D. M. (1998). Microwave Engineering. John Wiley and Sons. Ramo, S. et al. (1993). Fields and waves in Communication Electronics. John Wiley and Sons. 3 Ed.
38
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20

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Pablo Luis Lpez Esp

Circuitos resonantes de microondas.

Circuitos RLC de parmetros concentrados.

Circuito RLC serie

Impedancia de entrada al circuito:

En funcin de la potencia disipada y las energas medias

Circuitos RLC de parmetros concentrados (II).

En resonancia ambas energas son iguales.

Se define el factor de calidad como:

En funcin de este factor, la impedancia puede ponerse como:

Circuitos RLC de parmetros concentrados (III).

Circuito RLC paralelo:

Impedancia de entrada al circuito:

La pulsacin de resonancia tiene idntica expresin que en el

Circuitos RLC de parmetros concentrados (IV).

En resonancia, el factor de calidad se expresa como:

A partir de este valor, la impedancia de entrada ser:

Factor de calidad total. Acoplamiento.

Cuando el circuito resonante se conecta a una carga, la

resistencia del circuito aumenta y por tanto, el factor de calidad cambia:

Se define el coeficiente de acoplamiento como:

g = 1 Acoplamiento crtico. g < 1 Infra-acoplamiento (undercoupling) g > 1 Sobreacoplamiento (overcoupling)

Mejora del acoplamiento (I)

Y0 B j 2 0 2 Y02 + B02 Y0 + B0 Y0 B j 2 0 2 Y02 + B02 Y0 + B0

1 1  2 >>1 1 2 Q0 1 2Q02 + + C1 C0 C1 C0 (1 + Q02 ) Req  Q02 R0

Mejora del acoplamiento (II)

Circuitos resonantes con lneas de transmisin.

Una lnea de transmisin terminada en cortocircuito o circuito

Propiedades de la tangente hiperblica:

Lnea terminada en cortocircuito:

Considerando media longitud de onda y alrededor de la

Lnea cortocircuitada (II).

Puesto que la tangente es una funcin peridica:

Lnea cortocircuitada (III).

Comparando esta expresin con la del circuito resonante serie

El factor de calidad del circuito resonante es:

Lnea cortocircuitada (IV).

Si se considera una lnea de longitud d = /4 y alrededor de la

Aprovechando relaciones trigonomtricas:

Lnea cortocircuitada (V).

Considerando bajas prdidas, la impedancia de entrada a la

Comparando con el circuito resonante paralelo de parmetros

Lnea en circuito abierto.

Lnea terminada en circuito abierto:

Impedancia de entrada a la lnea:

Lnea en circuito abierto (II).

Considerando media longitud de onda y alrededor de la

Comparando con el circuito resonante paralelo de parmetros

Lnea en circuito abierto (III).

Si se considera una lnea de longitud d = /4 y alrededor de la

Circuitos resonantes en gua de onda.

Se construyen mediante tramos de gua de onda terminados en

Cavidades en guas rectangulares.

Expresin del campo elctrico en la cavidad:

Para que se anule en z = 0 ambas amplitudes deben ser iguales

Cavidades en guas rectangulares (II).

Para que se anule en z = d

Nmero de ondas de la cavidad y frecuencias de resonancia

El modo fundamental de la cavidad es el TE101

Cavidades en guas rectangulares (III).

Cavidades en guas rectangulares (IV).

1 1 2 >>1 1 2 Q0 1 2Q02 + + C1 C0 C1 C0 (1 + Q02 ) Req Q02 R0