Manual de Prácticas de Laboratorio de Circuitos de Alta Frecuencia

Laboratorio de Circuitos de Alta Frecuencia
Manual de Practicas
G. Aldabaldetreku, J. M. Matas, A. Arrinda
Indice general
1. Analizador de Espectros: Fundamentos y Medidas 7
1.1. Conectores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. Analizador de Espectros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.1. Principios de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.2. Panel de control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.3. Guion de la Pr actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2. Medida de Parametros de Transmision en Lneas Microstrip 16
2.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2. Instrumentos y Componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3. Desarrollo de la Practica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3. Medida de Frecuencia y Longitud de Onda 19
3.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.2. Equipos y Componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.3.1. Medida de frecuencia con el analizador de espectros . . 23
3.3.2. Medida de la longitud de onda con la lnea ranurada . 24
3.3.3. Repeticion con el generador PM7002X . . . . . . . . . 24
4. Medida de Parametros S con Analizador de Redes 25
4.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
5. Introduccion a la Herramienta de Dise no ADS 29
5.1. Introduccion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.1.1. Conceptos basicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.1.2. Ejecucion de la aplicacion Advanced Design System . . 30
5.1.3. Directorios y cheros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.1.4. Simulacion de circuitos microstrip. Herramienta LineCalc 31
INDICE GENERAL 2
5.2. Anexos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
5.3. Guion de la Practica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
6. Medidas Absolutas de Potencia y Medida del COE 32
6.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
6.2. Equipos y Componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
6.2.1. Equipos ya utilizados y descritos en anteriores practicas 33
6.2.2. Equipos nuevos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
6.3. Medida de Potencias Absolutas . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
6.4.1. Medidas absolutas de potencias . . . . . . . . . . . . . 37
6.4.2. Medida del COE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
7. Medida de Circuitos Activos 43
7.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
7.2.1. Equipos ya utilizados y descritos en anteriores practicas 44
7.2.2. Equipos nuevos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
7.3. Medida de las distorsiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
7.3.1. Norma DIN 45004B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
7.3.2. Punto de compresion de 1 dB . . . . . . . . . . . . . . 47
7.3.3. Punto de intercepcion de intermodulacion de tercer orden 48
8. Desarrollo de un Filtro con ADS 54
8.1. Proceso de Dise no de Circuitos de Microondas . . . . . . . . . 55
8.2. Discontinuidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
8.3. Optimizacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
8.4. Layout . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8.5. Sustratos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8.6. Elementos Particulares y Consideraciones Practicas . . . . . . 60
8.7.1. Filtro paso bajo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
8.7.2. Filtro paso banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
8.7.3. Realizacion fsica del ltro . . . . . . . . . . . . . . . . 65
9. Dise no y Simulacion de una Red de Adaptacion con ADS 76
9.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.2.1. Calculo teorico de las longitudes y anchuras . . . . . . 78
9.2.2. Implementacion del circuito teorico en ADS . . . . . . 81
INDICE GENERAL 3
9.2.3. Calculo de las longitudes y anchuras asistido por Line-
Calc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
9.2.4. Ajuste de las longitudes mediante Tuning . . . . . . . 83
9.2.5. Optimizacion del circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
9.2.6. Generacion del layout del circuito optimizado . . . . . 84
9.2.7. Analisis de la inuencia de lneas de 50 . . . . . . . . 85
9.3. Listado de Redes de Adaptacion . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
Indice de cuadros
8.1. Atributos de los componentes del ltro paso bajo . . . . . . . 68
8.2. Atributos de variables, goals y optim correspondientes al ltro
paso bajo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
8.3. Atributos de los componentes del ltro paso banda . . . . . . 72
8.4. Atributos de variables, goals y optim correspondientes al ltro
paso banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
9.1. Atributos de los componentes del esquematico correspondiente
a la red de adaptacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
9.2. Atributos de variables, goals y optim correspondientes a la red
de adaptacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
Indice de guras
1.1. Analizador de espectros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2. Medidas mas usuales en un analizador de espectros . . . . . . 10
1.3. Diagrama de bloques general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.4. Panel de control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.5. Espectro de una se nal de TV analogica . . . . . . . . . . . . . 12
1.6. Espectros de se nales de TV digital . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.7. Espectros de se nales FM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3.1. Fuente de alimentacion PM 7815 . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.2. Oscilador Gunn PM 7015X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.3. Aislador de ferrita PM 7045X . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.4. Diodo modulador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.5. Atenuador de precision PM 7101X . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.6. Lnea ranurada PM 7142X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.7. Medidor de COE PM 7832 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.8. Montaje de la practica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
4.1. Planos de referencia para los parametros S . . . . . . . . . . . 27
6.1. Adaptador PM 7151X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
6.2. Atenuador variable PM 7110X . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
6.3. Acoplador direccional PM 7241X . . . . . . . . . . . . . . . . 35
6.4. Antena de bocina PM 7320X/01 . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
6.5. Montaje para la medida de las perdidas de insercion . . . . . . 38
6.6. Montaje para el calibrado del atenuador . . . . . . . . . . . . 38
6.7. Montaje para la medida del acoplamiento . . . . . . . . . . . . 39
6.8. Montaje para la medida de las perdidas de retorno . . . . . . . 40
6.9. Montaje para la medida del COE . . . . . . . . . . . . . . . . 40
6.10. Metodo del nivel constante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.1. Norma DIN 45004B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
7.2. Medida del punto de compresion de 1 dB . . . . . . . . . . . . 47
INDICE DE FIGURAS 6
7.3. Medida del punto de intercepcion de intermodulacion de tercer
orden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
7.4. Representacion esquematica de un mezclador . . . . . . . . . . 50
8.1. Proceso de dise no de un circuito de microondas . . . . . . . . 56
8.2. Caracterstica de transmision del ltro paso bajo . . . . . . . . 63
8.3. Layout del ltro paso bajo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
8.4. Caracterstica de transmision del ltro paso banda . . . . . . . 65
8.5. Layout del ltro paso banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
8.6. Dise no inicial del ltro paso bajo . . . . . . . . . . . . . . . . 67
8.7. Dise no con optimizacion del ltro paso bajo . . . . . . . . . . 69
8.8. Dise no inicial del ltro paso banda . . . . . . . . . . . . . . . 71
8.9. Dise no con optimizacion del ltro paso banda . . . . . . . . . 73
8.10. Proceso de fabricacion de circuitos impresos . . . . . . . . . . 75
9.1. Red de adaptacion de dos stubs paralelo en circuito abierto . . 78
9.2. Dise no inicial de la red de adaptacion . . . . . . . . . . . . . . 81
9.3. Caracterstica de reexion de la red de adaptacion . . . . . . . 83
9.4. Dise no con optimizacion de la red de adaptacion . . . . . . . . 84
9.5. Layout de la red de adaptacion optimizada . . . . . . . . . . . 84
Practica 1
Analizador de Espectros:
Fundamentos y Medidas
Analizador de Espectros: Fundamentos y Medidas 8
1.1. Conectores
La mayora de los cables coaxiales y los conectores presentan una impe-
dancia caracterstica de 50 excepto para sistemas de television en los cuales
la impedancia caracterstica es de 75 . Los requisitos que han de cumplir
los conectores para coaxiales son bajo COE, alta repetibilidad despues de un
ciclo de conexion/desconexion, y resistencia mecanica. Muchos conectores se
utilizan en parejas, con un terminal macho y un terminal hembra. A con-
tinuacion se nombran las caractersticas de los conectores mas com unmente
utilizados en aplicaciones de RF y microondas.
Conector tipo N. Este conector fue desarrollado en 1942 en los labo-
ratorios Bell. El conector macho y el hembra se enroscan formando un
conjunto. El diametro exterior del conector hembra es de aproximada-
mente 0,625 pulgadas, por lo que es un conector relativamente grande.
La frecuencia de trabajo maxima recomendada para estos conectores
va de 11 GHz a 18 GHz, dependiendo del tama no del cable. El COE
para un par de conectores hembramacho es generalmente menor de
1,07.
Conector tipo SMA. La necesidad de un conector menor y mas li-
gero llevo al desarrollo del conector subminiatura SMA a principios
de la decada de los 60. El diametro exterior del conector hembra es
de aproximadamente 0,250 pulgadas. Puede ser utilizado a frecuencias
de hasta 25 GHz, y una reciente modicacion, llamada conector K,
puede ser utilizada hasta a 40 GHz. El conector SMA es utilizado nor-
malmente con cable rgido o semirgido con teon como dielectrico. Es
posiblemente el conector de microondas mas utilizado hoy en da.
Conector SSMA. El conector SSMA (scaled SMA) es similar al SMA
en cuanto al dise no, pero menor en tama no. El diametro exterior del
conector hembra es de aproximadamente 0,192 pulgadas, y la frecuencia
maxima de trabajo es de aproximadamente 38 GHz.
Conector APC7. Este es un conector de precision que puede propor-
cionar repetidamente un COE menor que 1,04 a frecuencias de hasta
18 GHz. Los conectores son sin sexo, pero al conectarlos se logra po-
ner en contacto tanto los conductores internos como los conductores
externos de ambos conectores.
Conector BNC. El Baby N Connector se utiliza generalmente para
frecuencias de RF e IF.
1.2. Analizador de Espectros
1.2.1. Principios de funcionamiento
En el proceso de dise no, fabricacion o a la hora de reparar dispositivos
o sistemas electricos, es necesario disponer de una herramienta que ayude a
analizar las se nales electricas que atraviesan o se transmiten por dicho siste-
ma o dispositivo. Analizando las caractersticas de la se nal que atraviesa un
dispositivo/sistema, podemos determinar su rendimiento, dar con los fallos,
etc.
Como se miden estas se nales electricas?
Figura 1.1: Analizador de espectros
Necesitamos un receptor pasivo, en el sentido de que no afecte a la se nal,
que simplemente visualice dicha se nal de forma que facilite su analisis. Este
instrumento se llama Analizador de Espectros.
Las medidas mas usuales realizadas en un analizador de espectros son:
modulacion, distorsion y ruido.
Medir la calidad de modulacion es muy importante para asegurar que el
sistema funciona correctamente y que la informacion se transmite correcta-
mente. Por otro lado, la medida de la distorsion es de suma importancia en
los sistemas de comunicaciones tanto en el receptor como en el transmisor.
Y es que una distorsion armonica excesiva en la salida del transmisor puede
interferir con otras bandas de comunicacion. Finalmente, el ruido es uno de
los parametros que mas nos interesan medir, puesto que cualquier tipo de
dispositivo activo siempre genera ruido. Tests como la gura de ruido o la
relacion se nal a ruido (SNR) son de vital importancia a la hora de caracte-
rizar el rendimiento de un dispositivo y/o su contribucion al ruido total del
sistema.
Figura 1.2: Medidas mas usuales en un analizador de espectros
En la gura 1.3 se muestra el diagrama de bloques correspondiente a un
analizador de espectros.
Figura 1.3: Diagrama de bloques general
Los componentes principales en un analizador de espectros son el ate-
nuador de entrada RF, el mezclador, el amplicador IF (Intermediate Fre-
quency), el ltro IF, el detector, el ltro de vdeo, el oscilador local, el gene-
rador de barrido, y el display LCD. Sin embargo, no entraremos a describir
con detalle cada uno de los bloques.
Como funciona el analizador de espectros?
La se nal a analizar se conecta a la entrada del analizador. Esta se nal se
combina con el OL (oscilador local) a traves del mezclador para convertirla
en una se nal de IF. Estas se nales son enviadas al ltro IF, cuya salida es
detectada, indicando la presencia de una se nal a la frecuencia sintonizada
del analizador. El voltaje de salida del detector se indica en el eje vertical
(amplitud) del display LCD. El generador de barrido es el que proporciona la
sincronizacion entre el eje horizontal (frecuencia) y la sintonizacion del OL.
Como resultado, se tiene la visualizacion de amplitud vs. frecuencia de los
componentes espectrales de cada se nal de entrada.
1.2.2. Panel de control
Antes de empezar a utilizarlo, es importante conocer que es lo que pode-
mos controlar en el analizador a traves de las teclas del panel frontal.
Figura 1.4: Panel de control
Las tres hardkeys fundamentales en cualquier analizador de espectros son:
frecuencia (frequency), amplitud (amplitude) y extension (span). El span es
una forma sencilla de indicar al analizador cuanto de grande es la ventana
en frecuencia con la que queremos visualizar la se nal.
Otras funciones de control importantes permiten jar el ancho de banda
de resolucion, el tiempo de barrido, la atenuacion de entrada y el ancho de
banda de vdeo. Los analizadores modernos disponen tanto de hardkeys como
de softkeys. Las softkeys nos permiten acceder a diferentes funcionalidades
bajo una hardkey. La mayora de los analizadores permiten introducir valores
tanto a traves de un teclado numerico como utilizando un mando de control
(knob).
1.3. Guion de la Practica
1. En primer lugar aprenderemos a crimpar conectores. Escogeremos un
cable de 50 de longitud variable (1, 2 o 5 metros) y crimparemos los
conectores en ambos extremos.
La explicacion practica sobre como se procede al crimpado se reali-
zara en la misma clase.
2. A continuacion, comenzaremos a manejar el analizador de espectros.
En el laboratorio disponemos de tres analizadores de espectros diferen-
tes: HP8591A (9 KHz 1,8 GHz), HP8593E (9 KHz 22 GHz) y
HP8591E (9 KHz 1,8 GHz), este ultimo cedido por Ericsson.
Por otro lado, tenemos 2 antenas YagiUda para recepcion de se nales
de television en la banda UHF y un dipolo mediaonda para recepcion
de se nales de radio FM en la banda VHF.
En esta seccion vamos a detectar y caracterizar se nales de TV (tanto
analogicas como digitales) y se nales de radio FM.
La gura 1.5 muestra la forma que tiene una se nal de TV analogica en
el analizador de espectros.
Figura 1.5: Espectro de una se nal de TV analogica
En la gura se distinguen las portadoras de vdeo (al comienzo, con
la mayor potencia) y de sonido (el segundo pico comenzando por la
derecha) y la subportadora de color entre ambas portadoras.
El espectro de una se nal de TV digital viene dado por la gura 1.6a.
Por otro lado, la gura 1.6b muestra un canal de TV analogico (en el
canal C 65) y cuatro canales de TV digitales (canales C 66 a C 69). En
esta gura pueden apreciarse las diferencias que existen entre ambos
tipos de se nales, como es la ausencia de portadoras y la potencia semi
plana dentro del ancho de banda ocupado de las se nales digitales.
(a) Espectro de una se nal de TV di-
gital
(b) Espectro de se nales de TV entre los ca-
nales C 65 y C 69
Figura 1.6: Espectros de se nales de TV digital
Para las se nales analogicas se pide encontrar y caracterizar al menos 2
canales de TV de la forma siguiente:
Encontrar las se nales de TV haciendo uso de FREQUENCY y
SPAN del Analizador de Espectros.
Calcular la separacion en frecuencia entre las portadoras.
Una vez seleccionado el canal, identicar las portadoras. Haciendo
uso de los MARKERS, apuntar las potencias en dBm y calcular
la diferencia relativa entre las portadoras vdeo y audio utilizando
la funcionalidad MARKER.
Calcular la relacion S/N. Analizar los efectos observados en las
se nales cuando se cambia el ancho de banda de resolucion del
Para la medida de potencias en se nales digitales, el procedimiento a
seguir es el siguiente:
Determinar el ancho de banda del canal (7,61 MHz).
Seleccionar el ancho de banda de resolucion RES BW entre el 1/20
y el 1/100 del ancho de banda del canal (300 KHz, por ejemplo).
Utilizar un SPAN ligeramente mayor que el ancho de banda del
canal a caracterizar (8 MHz, por ejemplo).
Centrar el MARKER en la mitad del espectro del canal a carac-
terizar.
(a) Espectro de la banda de se nales FM (b) Espectro de una se nal FM
Figura 1.7: Espectros de se nales FM
Reducir el ancho de banda de vdeo hasta eliminar el ruido en la
traza de la se nal.
Activar el promediador de vdeo VIDEO AVERAGE ON.
Calcular la potencia en dBm.
Aplicar un factor de correccion de ancho de banda como el mos-
trado en la ecuacion siguiente:
BandwidthCorrectionFactor = 10 log
_
3 dBBandwidth
RBW
_
Total Power = Measured Power+BandwidthCorrectionFactor
En cuanto a las se nales FM, la gura 1.7a muestra la banda de fre-
cuencias correspondientes a las emisoras FM comerciales, mientras que
en la gura 1.7b tenemos un ejemplo de se nal FM.
Para las se nales FM se pide:
Caracterizar al menos 3 emisoras FM (potencia media y frecuen-
cia). Para tal proposito, reducir el ancho de banda de vdeo hasta
eliminar el ruido en la traza de la se nal y activar el promediador
de vdeo VIDEO AVERAGE ON.
Analizar las diferencias entre se nales DAB (digitales) y analogicas
convencionales.
3. En la ultima parte de la practica utilizaremos un generador de se nales
RF.
En el laboratorio disponemos de tres generadores de se nales RF di-
ferentes: HP8657A (100 KHz 1040 MHz), HP8657B (100 KHz
2060 MHz) y FLUKE6062A (100 KHz 2100 MHz).
Se procedera a unir mediante un cable RG58 el generador de se nales
RF con el analizador de espectros. A continuacion, se pide:
Generar una se nal AM a la frecuencia portadora de 1025 KHz y
analizar sus propiedades espectrales (midiendo el ancho de banda,
la potencia de la portadora y la profundidad de modulacion).
Generar una se nal FM a la frecuencia portadora de 103,5 MHz,
analizar sus propiedades espectrales y compararla con las se nales
obtenidas con el dipolo mediaonda.
4. Si al nalizar la practica a un sobra tiempo, conectar entre el generador
de se nales RF y el analizador de espectros un atenuador variable. Ac-
tuar sobre el atenuador observando en el analizador de espectros como
la se nal detectada se degrada y su potencia disminuye.
Practica 2
Medida de Parametros de
Transmision en Lneas
Microstrip con Analizador de
Espectros
Medida de Parametros de Transmision en Lneas Microstrip 17
2.1. Objetivos
Familizarizarse con funcionamiento del analizador de espectros.
Medir parametros de transmision en algunos de los dispositivos pasivos
del banco microstrip.
2.2. Instrumentos y Componentes
Banco de Microondas en tecnologa Microstrip 2 4 GHz. Esta com-
puesto por los siguientes componentes:
Acopladores direccionales 10 dB y 20 dB.
Acoplador hbrido 3 dB / 90
Branchline.
Ratrace.
Atenuadores 3, 6 y 10 dB.
Divisor de potencia Wilkinson.
Filtro paso bajo.
Filtro paso banda.
Tres analizadores de espectros a elegir:
HP8591A (9 KHz 1,8 GHz).
HP8593E (9 KHz 22 GHz).
HP8591E (9 KHz 1,8 GHz).
Tres generadores de se nales RF a elegir:
HP8657A (100 KHz 1040 MHz).
HP8657B (100 KHz 2060 MHz).
FLUKE6062A (100 KHz 2100 MHz).
2.3. Desarrollo de la Practica
Funcionamiento del analizador de espectros: El funcionamien-
to basico del analizador de espectros ya fue explicada en la primera
practica. No se debe introducir tensiones continuas a ninguno de los
analizadores de espectros.
Medida de Parametros de Transmision en Lneas Microstrip 18
Medida de parametros de transmision de atenuadores, acopla-
dores direccionales, acopladores hbridos, divisor de potencia, etc. El
proceso para medir consiste en:
1. Localizacion de cables, transiciones y conectores para la medida.
2. Medir en el analizador de espectros la potencia emitida por el
generador de se nales RF y calcular la atenuacion introducida por
los cables.
3. Medir en el analizador de espectros la potencia que pasa a traves
del dispositivo a caracterizar. En caso de que se trate de un dispo-
sitivo con varias puertas de entrada/salida, numerar las puertas y
medir las potencias recibidas en cada una de ellas.
4. Calcular la diferencia entre las potencias detectadas y representar
gracamente la atenuacion en funcion de la frecuencia. Hacer una
tabla con los valores numericos.
5. Trabajar tanto con escala logartmica como con escala lineal en el
Practica 3
Medida de Frecuencia y
Longitud de Onda. Diodo gunn.
Generador de Barrido
Medida de Frecuencia y Longitud de Onda 20
3.1. Objetivos
Toma de contacto y familiarizacion con los equipos y componentes que
constituyen el banco de trabajo.
Realizacion de medidas de frecuencia y de longitud de onda de varias
se nales de microondas, mediante diversos metodos.
Aplicacion practica de los conocimientos teoricos adquiridos en las asig-
naturas de Microondas y Circuitos de Alta Frecuencia.
3.2. Equipos y Componentes
Fuente de alimentacion PM 7815. Esta dise nada para alimentar a un
oscilador Gunn con la necesaria potencia continua. Tambien esta equi-
pado con una salida de una se nal de l KHz que puede usarse como
portadora para una posterior modulacion.
Figura 3.1: Fuente de alimentacion PM 7815
Oscilador Gunn PM 7015X. Consiste en una cavidad de alto Q con un
diodo Gunn en su interior, y un cortocircuito variable que determina la
frecuencia de oscilacion, siempre dentro de la banda X (8,5 10,5 GHz).
El diodo Gunn tiene una zona de resistencia dinamica negativa, por lo
que oscila.
Oscilador de barrido PM 7022X. Genera se nales de microondas de fre-
cuencia variable. Permite realizar un barrido de frecuencias entre dos
lmites de forma automatica.
Aislador de ferrita PM 7045X. Permite el paso de potencia de microon-
das en un sentido casi sin atenuacion y lo impide en el sentido contrario.
Trabaja en el rango de frecuencias comprendido entre 8,5 y 9,6 GHz. Se
Figura 3.2: Oscilador Gunn PM 7015X
Figura 3.3: Aislador de ferrita PM 7045X
basa en la deformacion no recproca que experimenta el campo electrico
causada por una barra de ferrita magnetizada.
Diodo modulador. Permite modular una se nal de microondas con otra
de frecuencia mas manejable para los equipos de medicion. En nuestro
caso, la se nal portadora sera la de 1KHz obtenida a partir de la fuente
de alimentacion.
Figura 3.4: Diodo modulador
Atenuador de precision PM 7101X. Es un atenuador resistivo rotatorio
que funciona entre 8,2 y 12,4 GHz y tiene un rango de atenuacion de
0 a 60 dB.
Lnea ranurada PM 7142X. Consiste en una gua ranurada con un diodo
detector movil a lo largo de la misma y una escala calibrada en milme-
Figura 3.5: Atenuador de precision PM 7101X
tros. El diodo permite tomar una muestra de la se nal que se propaga
por el interior de la gua. La gua es rectangular de dimensiones 22,86
x 10,16 mm.
Figura 3.6: Lnea ranurada PM 7142X
Medidor de COE PM 7832. Esta sintonizado a 1 KHz y tiene una
ganancia variable de hasta 60 dB en pasos discretos de 10 dB.
Figura 3.7: Medidor de COE PM 7832
Analizador de espectros. Permite visualizar el espectro de la se nal in-
troducida, en el rango de frecuencias y con la resolucion deseadas. Re-
presenta frecuencia en el eje de abcisas y nivel de potencia en el eje de
ordenadas.
En la gura 3.8 se muestra el esquema general de la practica. La fuente
de potencia excita el diodo Gunn, apareciendo as una se nal de microondas.
El aislador impide que reexiones que se puedan producir en las siguientes
etapas puedan da nar el generador de microondas. El diodo modulador es ne-
cesario cuando se utilice el medidor de COE, puesto que este solo responde
a se nales de frecuencia l KHz. Tras el atenuador y la lnea ranurada exis-
tira un cortocircuito, excepto cuando queramos realizar alguna medida con
el analizador de espectros.
Figura 3.8: Montaje de la practica
3.3.1. Medida de frecuencia con el analizador de es-
pectros
A continuacion de la lnea ranurada conectaremos una transicion de gua
rectangular a coaxial a partir de la cual llevaremos la se nal al analizador
de espectros con un cable coaxial. Como en este caso no haremos uso del
medidor de COE no sera necesario modular la se nal.
Solo queda ajustar la visualizacion (margen de frecuencias y resolucion)
del analizador de espectros: se observara un pulso en la frecuencia correspon-
diente a la se nal.
3.3.2. Medida de la longitud de onda con la lnea ra-
nurada
La realizacion de esta medida se basa en que en una onda estacionaria la
distancia entre mnimos o entre maximos es equivalente a la mitad de la lon-
gitud de onda de la se nal en la gua. Para obtener dicha onda estacionaria a
continuacion de la lnea ranurada conectamos un cortocircuito. Por lo tanto,
realizaremos la medida de la distancia entre dos mnimos por ser estos mas
abruptos que los maximos. Esta medida la realizaremos en una gua ranu-
rada cuya salida se conecta al medidor de COE. Variando la posicion de la
punta de prueba obtenemos en el medidor de COE dos mnimos consecuti-
vos y ayudandonos de la escala milimetrica de la gua ranurada hallamos la
distancia entre ellos.
Debido al uso del medidor de COE tendremos que modular la se nal.
Una vez obtenida la longitud de onda en la gua ranurada
g
, la longitud
de onda en el vaco
0
se obtiene a partir de la ecuacion 3.1.
0
=
1
_
(1/
g
)
2
+ (1/2a)
2
, (3.1)
siendo a x b las dimensiones de la gua (a = 2b).
As, la frecuencia f viene dada por la ecuacion 3.2.
f =
c
0
= c
_
(1/
g
)
2
+ (1/2a)
2
(3.2)
3.3.3. Repeticion con el generador PM7002X
Se repetiran las medidas de frecuencia y de longitud de onda anteriores
(apartados 3.3.1 y 3.3.2) usando el mencionado generador.
Practica 4
Medida de Parametros S con
Analizador de Redes
Medida de Parametros S con Analizador de Redes 26
4.1. Objetivos
Aprender el funcionamiento basico del analizador de redes.
Comprender la necesidad de la calibracion del analizador de redes y ser
capaz de realizar la calibracion.
Medir algunos de los dispositivos pasivos del banco microstrip.
Banco de Microondas en tecnologa Microstrip 2 4 GHz. Esta com-
puesto por los siguientes componentes:
Branchline.
Ratrace.
Divisor de potencia Wilkinson.
Filtro paso bajo.
Filtro paso banda.
Analizador de redes HP8753C.
S Parameter Test Set HP85047A.
Kit de calibracion del analizador de redes.
Manuales del analizador de redes.
Funcionamiento del analizador de redes: El analizador de redes es
un equipo caro y delicado, por lo que debe tratarse con cuidado. Dispo-
ne de teclas y men us en pantalla. La explicacion detallada de cada una
de las funciones aparece en los manuales. No se debe introducir tensio-
nes continuas al analizador de redes. Puede funcionar hasta 3 GHz o
hasta 6 GHz.
Medida de parametros S en modulo y fase: El analizador de redes
tiene dos puertos numerados 1 y 2. Colocando un dispositivo entre estas
dos puertas permite medir los parametros S
11
, S
21
, S
22
y S
12
en modulo
y fase. El resto de las puertas del dispositivos deben estar adaptadas
(denicion de parametros S). Los resultados pueden guardarse en el
analizador para comparar resultados de distintos parametros, como por
ejemplo el desfase entre dos puertas de salida de un acoplador.
Calibracion del analizador de redes: El analizador de redes mide
la respuesta entre los dos puertos del mismo. Por tanto, la medida
obtenida sera distinta cuando utilicemos distintos cables, transiciones,
etc. para medir un dispositivo. La calibracion consiste en establecer los
planos de referencia a partir de los cuales queremos que se realice la
medida de parametros S. El analizador mide la atenuacion y desfase
de los cables y conectores a utilizar en la medida, y con estos valores
corrige la medida que realiza presentando al usuario los parametros
S del dispositivo. Durante el proceso de calibracion, el analizador pide
que se conecten sucesivamente en una y otra puerta al nal de los cables
utilizados para las medidas un cortocircuito, un circuito abierto, una
carga adaptada, etc..
Figura 4.1: Planos de referencia para los parametros S
Medida de parametros S de atenuadores, acopladores direccionales,
acopladores hbridos, divisor de potencia, ltros, etc. El proceso para
medir consiste en:
1. Localizacion de cables, transiciones y conectores para la medida.
2. Calibracion del analizador con los cables y transiciones.
3. Comprobacion de la calibracion: representacion de circuito abier-
to, cortocircuito y carga 50 en la carta de Smith.
4. Medida de parametros S.
En esta primera practica se mediran los parametros S de algunos de
los circuitos pasivos en tecnologa microstrip.
Practica 5
Introduccion a la Herramienta
de Dise no ADS Advanced
Design System
Introduccion a la Herramienta de Dise no ADS 30
5.1. Introduccion
5.1.1. Conceptos basicos
Se entiende por simulacion el analisis del comportamiento de un circui-
to. El simulador Advanced Design System de Agilent Technologies permite
realizar: simulaciones DC, simulaciones AC, calculo de parametros S, repre-
sentacion sobre la carta de Smith, calculo de la gura de ruido, analisis de
intermodulaciones, etc.. A continuacion se explican brevemente los primeros
pasos a seguir para realizar una simulacion.
Proyecto. Al entrar en el entorno ADS para simular un circuito, el
primer paso a llevar a cabo es la creacion de un nuevo proyecto New
Project. Al crear dicho proyecto se generan automaticamente cinco car-
petas donde se guardan el dise no del circuito a simular, los resultados,
los datos, etc..
Esquematico. Para realizar la simulacion es necesario crear un esquema-
tico en el que se dene el circuito. En el mismo, se dene tambien el tipo
de simulacion a realizar as como el rango de frecuencias. El esquematico
es un chero de extension .dsn que se guarda dentro de la carpeta
networks. Los resultados de la simulacion se guardan en forma de chero
dataset de extension .ds que se guarda automaticamente dentro de la
carpeta data. El nombre de dataset asociado con una simulacion ha de
indicarse antes de simular entrando en la opcion simulate/simulation
set up. Para ver los resultados de la simulacion es necesario abrir en el
men u window una ventana data display. En estas paginas de display
se insertan gracas, listados, etc. con los datos del dataset indicado en
cada momento.
5.1.2. Ejecucion de la aplicacion Advanced Design Sys-
tem
Para ejecutar el programa es preciso buscar a partir del men u de Inicio
de Windows el acceso directo al ejecutable: Inicio/Programas/Advanced
Design System 1.3/Advanced Design System.
5.1.3. Directorios y cheros
En c:/usr/LabCAF crear un directorio con el nombre del grupo. Guardar
en dicho directorio todos los cheros del grupo.
Introduccion a la Herramienta de Dise no ADS 31
5.1.4. Simulacion de circuitos microstrip. Herramienta
LineCalc
La herramienta LineCalc, una de las ADS tools (Inicio/Programas/Ad-
vanced Design System 1.3/ADS Tools/LineCalc), permite la sntesis y el
analisis de diversos tipos de lneas de transmision. En esta practica utiliza-
remos esta herramienta para la sntesis de lneas microstrip evitando as el
tener que acceder a gracas y tablas. La utilizacion de LineCalc sera el paso
previo a la simulacion ADS.
Sntesis. Se denomina sntesis al proceso mediante el cual la herramien-
ta proporciona los valores de anchura y longitud de lnea microstrip
necesarios para lograr una determinada impedancia y una determinada
longitud electrica (l = 2l/). Logicamente, es necesario introducir
los datos del substrato (
r
, H, etc.) y la frecuencia de trabajo.
Analisis. Se denomina analisis al proceso inverso a la sntesis mediante
el cual la herramienta proporciona los valores de impedancia y una
longitud electrica que presenta una tira microstrip de una determinada
anchura y longitud indicadas. Logicamente, es necesario introducir los
datos del substrato (
r
, H, etc.) as como la frecuencia de trabajo.
5.2. Anexos
Se incluyen como anexos dos guiones de practicas o tutoriales para el
aprendizaje del funcionamiento basico del software ADS:
Tutorial for Automated Design System (ADS).
Lab 1: ADS Basics and Circuit Simulation Fundamentals.
Se incluye tambien una presentacion acerca de la simulacion de circuitos
en tecnologa microstrip utilizando el software ADS:
Microstrip Design Using HP Advanced Design System (ADS).
Para familiarizarse con el software ADS seguiremos los pasos indicados
en los dos tutoriales utilizando tanto el software ADS como el Line Calc.
Practica 6
Medidas Absolutas de Potencia
y Medida del COE
(Sesiones 1 y 2)
Medidas Absolutas de Potencia y Medida del COE 33
6.1. Objetivos
Aprender a utilizar los equipos necesarios para realizar medidas de
potencia, tales como:
El acoplador direccional y su utilizacion en mediciones de ree-
xion.
El termistor y el medidor de potencia, al medir potencias absolu-
tas.
Medidor de COE.
Calcular el COE mediante 3 metodos diferentes:
Metodo directo.
Metodo de los 3 dB.
Metodo del nivel constante.
6.2. Equipos y Componentes
6.2.1. Equipos ya utilizados y descritos en anteriores
practicas
Fuente de alimentacion PM 7815.
Oscilador Gunn PM 7015X.
Oscilador de barrido PM 7022X.
Aislador de ferrita PM 7045X.
Atenuador de precision PM 7101X.
Gua ranurada PM 7142X.
Diodo modulador.
Medidor de COE PM 7832.
6.2.2. Equipos nuevos
Adaptador PM 7151X. Se usa para eliminar reexiones indeseadas en
una gua, o para introducir una reexion deseada. Es una seccion de
gua rectangular ranurada, con una sonda que se introduce en la gua,
y que tambien es movil longitudinalmente. La sonda representa una
impedancia reactiva practicamente pura.
Figura 6.1: Adaptador PM 7151X
Soporte del Termistor PM 7201X. Es sintonizable con un cortocircuito
variable y dos sintonizadores () ajustables. El elemento absorbente
de potencia, el termistor, esta situado en el centro de la gua. Se utiliza
en combinacion con el medidor de potencia PM 7841.
Medidor de potencia PM 7841. Puente bolometrico. La potencia de la
se nal de microondas calienta un termistor, que es un semiconductor
cuya resistencia depende de la temperatura. El medidor de potencia
detecta el cambio de resistencia del termistor por medio de un puente
de Wheatstone en el que una de las cuatro resistencias es el pro-
pio termistor. Antes de aplicar la se nal de microondas, el medidor de
potencia genera una potencia de baja frecuencia (15 KHz) que se en-
carga de compensar los cambios en la resistencia del termistor: cuando
se aplica potencia de microondas, la potencia de baja frecuencia dis-
minuye automaticamente para mantener el puente compensado. Esta
disminucion se reeja en el medidor. Esta calibrado en mW y en dBm,
con cuatro diferentes escalas. El ajuste a cero necesario cada vez que
se cambia de escala se realiza con dos botones, uno de ajuste no y
otro de ajuste grueso.
Atenuador variable PM 7110X. La atenuacion se consigue moviendo
una lamina vertical resistiva, que se desplaza horizontalmente, de forma
que cuando se encuentra en el centro la atenuacion es maxima, y esta
sera mnima cuando la lamina se sit ua en un extremo, puesto que se
transmite el modo TE
10
.
Figura 6.2: Atenuador variable PM 7110X
Acoplador direccional PM 7241X. Consiste en la union de dos seccio-
nes de gua rectangular acopladas mediante m ultiples perforaciones. El
factor de acoplamiento nominal es de 10 dB.
Figura 6.3: Acoplador direccional PM 7241X
Terminacion adaptada PM 7220X. Se utiliza para adaptar una gua,
presentando un COE muy bajo.
Detector PM 7197X. Es un detector de bajo coeciente de onda esta-
cionaria y con alta sensibilidad. En su interior se encuentra un diodo
PM 7725, que da una corriente continua proporcional a la potencia de
la se nal de microondas incidente. Su rango de frecuencias de trabajo
esta entre 8,2 y 12,4 GHz.
Antena de bocina PM 7320X/01. Esta antena tiene una separacion
entre paredes que aumenta de forma exponencial, a modo de cornete,
lo cual da una adaptacion optima entre la gua y el espacio libre.
Figura 6.4: Antena de bocina PM 7320X/01
6.3. Medida de Potencias Absolutas
El termistor y el medidor de potencia requieren una serie de ajustes pre-
vios:
1. El termistor se tiene que calentar con la potencia de baja frecuencia del
medidor (habra que esperar unos cinco minutos aproximadamente).
2. Cada vez que se cambia el montaje hay que adaptar el termistor para
eliminar reexiones y as detectar un maximo de potencia absorbida.
Se sigue el siguiente procedimiento:
a) Ajustar el cortocircuito variable hasta obtener un maximo de po-
tencia en el medidor.
b) Adaptar con los dos sintonizadores () variables.
3. Cada vez que se cambie de escala o al empezar las mediciones, desco-
nectando el generador de microondas ajustaremos el cero de la escala
en el medidor de potencia.
En bajas frecuencias es facil medir la tension y la intensidad, y a partir
de estas magnitudes calcular la potencia. Sin embargo, en frecuencias de
microondas, al ser estos conceptos mas abstractos, es necesario medir la
potencia disipada por calentamiento. En realidad, existen tres metodos para
medir potencias absolutas en frecuencias de microondas:
1. Metodo calorimetrico, en el que se mide la variacion de la temperatura
en una carga adaptada sobre la que incide la potencia a medir. Se usa
para potencias mayores que 1 W.
2. Metodo termoelectrico, en el que se mide la diferencia de potencial
creada en un termopar al incidir una potencia de microondas en uno
de sus extremos. Se usa para potencias menores que 1 mW.
3. Metodo bolometrico. Se transforma la potencia incidente en una varia-
cion de la resistencia de un elemento conductor o semiconductor intro-
ducido en la gua, denominado bolometro. Esta variacion es debida al
calentamiento del elemento. Es el metodo que utilizaremos nosotros. Se
usa para potencias del orden de 1 mW.
Existen dos tipos de bolometros: el barretter (un hilo de platino con un
coeciente positivo de temperatura) y el termistor (un semiconductor
de coeciente negativo).
Para que las medidas sean validas deben cumplirse las siguientes con-
diciones:
No debe haber perdidas. El bolometro esta adaptado y la potencia
incidente se disipa en el termistor.
El ancho de banda de la se nal debe ser menor que el maximo que
admite el termistor.
No hay radiacion, lo que se consigue si es mayor que 10 veces la
longitud del bolometro.
6.4.1. Medidas absolutas de potencias
Medida de perdidas de insercion
Mediremos las perdidas de insercion del adaptador PM 7151X con
la sonda situada en la mitad del recorrido e introducida 9 mm en
la gua, con el montaje que aparece en la gura 6.5. En dicho montaje,
mediremos la potencia con y sin adaptador. Si llamamos a estos dos valores
P
c
y P
s
respectivamente, las perdidas de insercion vendran dadas por la
ecuacion 6.1:
IL(dB) = 10 log
_
P
s
P
c
_
(6.1)
Este metodo sirve para medir las perdidas de insercion de cualquier ele-
mento. En este caso el elemento es el adaptador PM 7151X con la sonda
situada en la mitad del recorrido e introducida 9 mm en la gua.
Figura 6.5: Montaje para la medida de las perdidas de insercion
Calibrado del atenuador PM 7110X
El montaje utilizado para el calibrado del atenuador PM 7110X es el que
aparece en la gura 6.6. Se debe comparar la curva del fabricante (mostrada
en la etiqueta sobre el atenuador) con la obtenida experimentalmente.
Figura 6.6: Montaje para el calibrado del atenuador
Medida del acoplamiento de un acoplador direccional
Para realizar esta medida se utiliza el montaje de la gura 6.7. Reali-
zaremos las medidas de potencia en ambas puertas de salida del acoplador
direccional, terminando siempre en una carga adaptada la puerta que no
esta conectada al bolometro. Se obtienen as las potencias directa y acoplada
P
d
y P
a
. Tambien sabemos que la potencia que se introduce por la entrada es
aproximadamente: P
ent
= P
d
+P
a
. Por lo tanto el acoplamiento vendra dado
por la ecuacion 6.2:
C (dB) = 10 log
_
P
ent
P
a
_
= 10 log
_
P
d
+P
a
P
a
_
(6.2)
Figura 6.7: Montaje para la medida del acoplamiento
Medida de las perdidas de retorno
Para la medida de las perdidas de retorno del adaptador PM 7151X
con la sonda situada en la mitad del recorrido e introducida 9
mm en la gua se realiza el montaje de la gura 6.8. En el, el acoplador
direccional esta colocado de manera que el lado con una sola puerta se conecta
al adaptador desadaptado (es decir, al reves). Mediremos la potencia que
incide en el adaptador y la que se reeja en el mismo. Este metodo es generico
para medir las perdidas de retorno de cualquier elemento.
Por lo tanto, lo que medimos es la potencia P
3
que sale por la puerta aco-
plada, y sabiendo el acoplamiento del acoplador direccional, calculamos la
potencia P
2
que se reeja del adaptador desadaptado. La potencia incidente
P
1
se debe medir previamente antes de colocar el adaptador desadaptado.
Con los valores obtenidos, las perdidas de retorno vienen dadas por la ecua-
cion 6.3:
RL(dB) = 10 log
_
P
2
P
1
_
(6.3)
Figura 6.8: Montaje para la medida de las perdidas de retorno
6.4.2. Medida del COE
Mediremos el COE del conjunto formado por el adaptador sintonizable
y la antena de bocina, usando el montaje de la gura 6.9 y siguiendo los
tres metodos detallados tras la misma. Colocaremos la sonda en la mitad del
recorrido horizontal por la ranura y provocaremos diferentes desadaptaciones
variando la profundidad de penetracion de la sonda. As, lograremos distintos
valores del coeciente de onda estacionaria.
Figura 6.9: Montaje para la medida del COE
Metodo directo
Con este metodo mediremos el COE de una carga aproximadamente adap-
tada, tal como la antena de bocina cuando se saca completamente la sonda
en el adaptador (a 0 mm), y el COE de una carga que presenta una peque na
desadaptacion, tal como la obtenida introduciendo la sonda 5 mm.
El medidor de COE PM 7832 mide el inverso del valor absoluto del campo
electrico seg un la ecuaci on 6.4:
Lectura =
k
(6.4)
donde k es un valor que depende del factor de ganancia del medidor de
COE.
Para poder utilizar el medidor de COE sera necesario modular la se nal
con otra de frecuencia 1 KHz. El metodo es muy simple. Tan solo tenemos
que movernos a lo largo de la gua ranurada hasta encontrar un maximo. En
ese momento se calibra el medidor de COE poniendolo a 1 (a 0 en la escala
en dB). A continuacion, nos movemos de nuevo hasta un mnimo y la lectura
del medidor sera directamente el COE.
COE =
|E
MAX
|
|E
MIN
|
=
k
|E
MIN
|
k
|E
MAX
|
=
Lectura
1
(6.5)
Para una mayor precision, cuando el COE es menor de 1.3 podemos usar
la escala expandida (boton rojo).
Metodo de los 3 dB
Con este metodo mediremos el COE de una carga que presenta una gran
desadaptacion, tal como la obtenida introduciendo la sonda 9 mm.
El metodo se basa en encontrar un mnimo en la gua ranurada y medir
la distancia entre los dos puntos a ambos lados del mnimo cuyo modulo
del campo electrico sea el doble que el del mnimo, para lo que usaremos
el medidor de COE. Es muy importante determinar el mnimo con gran
exactitud. Para ello, tomaremos pares de valores a ambos lados del mnimo
con el mismo nivel de tension, y obtendremos la posicion exacta del mnimo
calculando la media de todos los puntos mnimos que se calcularan por
simetra con cada par de valores por separado. Una vez conocido el mnimo,
se halla la distancia d entre los dos puntos citados anteriormente y se aplica
un calculo aproximado como los dos que se proponen en las ecuaciones 6.6
y 6.7:
COE =
1
sin
_
d
_ (6.6)
COE =
1 +
_
1/ sin
_
d
__
2
(6.7)
Calcular el error cometido al aplicar estas expresiones para distintos va-
lores de COE.
Metodo del nivel constante
Este metodo requiere hacer uso del atenuador variable. Lo primero que
haremos sera localizar un maximo. En este punto introduciremos una atenua-
cion importante A
1
, y anotaremos tanto dicha atenuacion como el valor que
marca el medidor de COE, que usaremos como nivel de referencia. A conti-
nuacion localizaremos un mnimo y procederemos a disminuir la atenuacion
hasta que el valor medido coincida con el de referencia, lo cual ocurrira para
una atenuacion A
2
. La diferencia de atenuaciones en dB nos da el COE en
dB:
COE (dB) = A
1
A
2
(6.8)
Con este metodo mediremos el COE para una peque na desadaptacion, co-
mo la obtenida introduciendo la sonda 5 mm, y para una gran desadaptacion,
como la obtenida introduciendo la sonda 9 mm.
Figura 6.10: Metodo del nivel constante
Practica 7
Medida de Circuitos Activos
(Sesiones 1 y 2)
Medida de Circuitos Activos 44
7.1. Objetivos
Medir parametros de algunos de los dispositivos activos del banco mi-
crostrip, tales como:
distorsiones,
productos de intermodulacion,
ganancias,
estabilidad en frecuencia,
anchuras espectrales,
consumos, etc..
Precauciones a tomar con alimentaciones continuas y equipamiento de
RF. Cuidado con las tensiones continuas y los niveles de RF!!
7.2.1. Equipos ya utilizados y descritos en anteriores
practicas
Banco de Microondas en tecnologa Microstrip 2 4 GHz:
Branchline.
Ratrace.
Filtro paso bajo.
Filtro paso banda.
Analizador de redes HP8753C.
S Parameter Test Set HP85047A.
Kit de calibracion del analizador de redes.
Manuales del analizador de redes.
Cables y transiciones.
7.2.2. Equipos nuevos
Banco de Microondas en tecnologa Microstrip 2 4 GHz:
Oscilador jo.
VCO, oscilador sintonizable controlado por tension.
Mezclador.
Amplicador.
Fuente de alimentacion continua.
Fuente doble de alimentacion continua HP6622A.
Analizador de espectros HP8593E (9 KHz 22 GHz).
Tres generadores de se nales RF:
HP8657A (100 KHz 1040 MHz).
HP8657B (100 KHz 2060 MHz).
FLUKE6062A (100 KHz 2100 MHz).
7.3. Medida de las distorsiones
Para entender lo que signica el concepto de distorsion, es necesario re-
visar las diferencias existentes entre el comportamiento lineal y el comporta-
miento nolineal de los dispositivos.
Aquellos dispositivos que se comportan de forma lineal modican unica-
mente la amplitud y la fase de las se nales de entrada, de modo que toda
sinusoide presente a la entrada tambien aparecera a la salida a la misma
frecuencia; no se generan nuevas componentes frecuenciales. Los dispositivos
nolineales pueden desplazar frecuencialmente las se nales de entrada (por
ejemplo, los mezcladores) y/o crear nuevas componentes frecuenciales en for-
ma de armonicos o productos de intermodulacion.
Ahora bien, muchos de los dispositivos que se comportan de forma li-
neal para la mayora de las condiciones de entrada, pueden presentar un
comportamiento nolineal si las se nales introducidas exceden cierto nivel de
potencia. Esto ocurre tanto con dispositivos pasivos (ltros, etc.) como con
dispositivos activos (amplicadores, etc.).
Existen tres tipos de distorsion:
1. Distorsion de amplitud. Se produce cuando la caracterstica de
transferencia de amplitud con la frecuencia del dispositivo no es cons-
tante.
2. Distorsion de fase. Se genera cuando la caracterstica de transfe-
rencia del dispositivo en fase es tal, que las diferentes componentes
frecuenciales de la se nal sufren retardos de fase distintos.
3. Distorsion no lineal. Un dispositivo que produce distorsion nolineal
tiene una caracterstica de transferencia de la forma:
V
out
(t) = a
0
+a
1
V
in
(t) +a
2
V
2
in
(t) +a
3
V
3
in
(t) +. . . (7.1)
Dentro de los diversos tipos de la distorsion nolineal, cabe destacar los
siguientes:
a) Distorsion armonica: Se produce cuando alimentando a la entrada de
un dispositivo una se nal que es una portadora pura de frecuencia f
1
, se
obtienen a la salida ademas de la se nal en f
1
, unas se nales interferentes
en 2f
1
, 3f
1
, . . .
b) Distorsion de intermodulacion: Cuando una se nal de entrada no es una
portadora pura, sino que son varias portadoras (f
1
, f
2
, . . .) y se intro-
ducen en un dispositivo nolineal, la se nal de salida estara compuesta
por las se nales de entrada (f
1
, f
2
, . . .) y otras producto de la combina-
cion lineal de dichas frecuencias y sus armonicos, es decir, f
1
f
2
, 2f
1
,
2f
1
f
2
, 2f
2
f
1
, 3f
1
, etc., donde Nf
n
son componentes armonicas y
Nf
n
Mf
m
. . . son productos de intermodulacion.
Las distorsiones limitan el nivel maximo de utilizacion (entrada o salida)
de los dispositivos.
Existen muchos metodos de medida:
7.3.1. Norma DIN 45004B
Un metodo muy utilizado para caracterizar el nivel de salida de los am-
plicadores de banda ancha de las lneas de distribucion de CATV es el DIN
45004B, com unmente conocido como relacion de modulacion cruzada, pe-
ro que no es mas que una medida de los productos de intermodulacion de
tercer orden. En este metodo se introducen a la entrada del dispositivo tres
portadoras sin modular como se indica en la gura 7.1.
Figura 7.1: Norma DIN 45004B
El nivel de salida especicado seg un la norma DIN 45004B es aquel para
el cual la distancia entre la portadora de mayor nivel y los productos de
intermodulacion de tercer orden es de 60 dB.
7.3.2. Punto de compresion de 1 dB
El punto de compresi on de 1 dB es una gura de merito utilizada para
caracterizar el comportamiento nolineal de un amplicador. El punto de
compresion de 1 dB de un amplicador es la potencia de entrada requerida
para reducir la ganancia (ganancia de transductancia G
T
) a 1 dB debajo de
su valor nominal para peque na se nal.
La gura 7.2 indica la medida del punto de compresion de 1 dB.
Figura 7.2: Medida del punto de compresion de 1 dB
7.3.3. Punto de intercepcion de intermodulacion de
tercer orden
Para caracterizar la respuesta de un amplicador a se nales moduladas,
se utiliza el punto de intercepcion de intermodulacion de tercer orden y la
relaci on de intermodulacion.
IMR =
P
IM
P
d
(7.2)
siendo P
d
la potencia de las componentes frecuenciales deseadas y P
IM
la potencia de las respuestas esp ureas cerca de la frecuencia fundamental
debido a nolinealidades de tercer orden. La ecuacion 7.2 es solo valida para
potencias de entrada muy por debajo del punto de compresion de 1 dB.
La gura 7.3 indica la medida del punto de intercepcion de intermodula-
cion de tercer orden.
Figura 7.3: Medida del punto de intercepcion de intermodulacion de tercer
orden
Oscilador jo. El oscilador jo es un dispositivo activo que consta
de un transistor de dos emisores. Dispone de un regulador que permite
variar la tension de polarizacion del transistor.
1. Conectar al oscilador jo la fuente de alimentacion a 30V (com-
probar el consumo en W).
2. Medir la frecuencia de oscilacion en GHz y el nivel de potencia
en dBm.
3. Comprobar la estabilidad de la misma (utilizar para ello la funcion
TRACE / MAX HOLD A en el analizador de espectros) y medir
la anchura espectral en kHz (mediante la funcion MEAS / USER
/ N DB PTS del analizador de espectros).
4. Medir las frecuencias del primer y segundo armonicos en GHz,
apuntando tambien los niveles de potencias detectados en dBm.
VCO, oscilador sintonizable controlado por tension. El VCO
es un dispositivo en base a transistores que, en funcion de la tension
continua con el que se alimente, genera una frecuencia de oscilacion
determinada. Dispone de dos ajustes: un ajuste grueso, para seleccionar
la tension de alimentacion en pasos grandes, y un ajuste no, que sirve
para obtener una mayor precision y que permite ajustar la tension
dividida entre 100. La suma de los valores de ambos ajustes es la tension
total que controla el oscilador.
1. Conectar al VCO la fuente de alimentacion a 30V (comprobar el
consumo en W).
2. Conectar a continuacion la salida 1 de la fuente de alimentacion
HP6622A a la entrada de ajuste grueso, y la salida 2 a la entrada
de ajuste no. La salida del VCO se conectara al analizador de
espectros.
3. Comprobar que a partir de 1,2 V se obtiene una se nal por encima
de 2 GHz (para ello, variar unicamente el ajuste grueso).
4. Construir sendas curvas en las que se muestren tanto la frecuen-
cia de oscilacion en GHz como la potencia de salida en dBm en
funcion de la tension continua de alimentacion en V .
5. Comprobar el funcionamiento del ajuste no. Para ello, ajustar la
salida 1 de la fuente de alimentacion a 10 V y la salida 2 a 1 V
(este valor dividido entre 100 es igual a 0,01 V que sumados a los
10 V introducidos en el ajuste grueso, da un total de 10,01 V ).
Incrementar el ajuste no de Voltio en Voltio hasta llegar a 10 V
en la salida 2, y dibujar una curva que muestre la frecuencia de
oscilacion en GHz dentro de la escala comprendida entre 10,01 V
y 10,1 V .
6. Comprobar la estabilidad en frecuencia del dispositivo y medir la
anchura espectral cuando la tension de control es de 10,1 V .
7. Medir la frecuencia fundamental as como las frecuencias del pri-
mer y segundo armonicos en GHz, apuntando tambien las po-
tencias detectadas en dBm. Seleccionar para ello una tension de
control de 10,1 V (utilizando tanto el ajuste grueso como el ajuste
no).
8. Introducir una se nal alterna de 30 MHz mediante el generador de
se nales RF la entrada del ajuste no, manteniendo la tension de
la salida 1 de la fuente de alimentacion en 10 V . Comprobar en el
analizador de espectros como se consigue una modulacion FM.
9. Activar el interruptor del VCO y averiguar que es lo que ocurre
con la frecuencia de oscilacion.
10. Variar los dos potenciometros del VCO y averiguar lo que ocurre
con la tension DC. Si el comportamiento es parecido a lo que se
obtiene a partir de la variacion del ajuste no, podemos prescindir
de este ultimo y utilizar unicamente los potenciometros?
11. Finalmente, comprobar el funcionamiento del VCO con tensiones
de ajuste diferentes a las consideradas en los pasos anteriores.
Mezclador. Un mezclador se puede representar mediante el esquema
mostrado en la gura 7.4:
Figura 7.4: Representacion esquematica de un mezclador
siendo,
OL = oscilador local, FI = frecuencia intermedia, y RF = se nal de
radiofrecuencia.
Un mezclador esta gobernado por las siguientes relaciones:
_
f
OL
f
RF
= f
FI
,
f
RF
f
OL
= f
FI
.
(7.3)
Si se introducen distintas se nales por los terminales de FI y OL, en el
terminal de RF se obtiene:
_
f
RF
= f
OL
f
FI
,
f
RF
= f
OL
+f
FI
.
(7.4)
1. Utilizando una se nal de FI de 50 MHz y 10 dBm, y una se nal de
OL de 2 GHz y 10 dBm, comprobar que las se nales que aparecen
en el analizador de espectros cumplen las relaciones descritas en
(7.4). Medir los niveles para la se nal de RF en dBm.
2. Analizar (en el analizador de redes) el aislamiento para la se nales
de OL e IF (que no se ltran por completo). Extender el analisis
para el primer armonico de la se nal de OL.
3. Comprobar el funcionamiento del mezclador para diferentes fre-
cuencias f
FI
y f
OL
.
Amplicador. El amplicador consta de dos etapas amplicadoras en
base a transistores y etapas adaptadoras.
1. Tras calibrar el analizador de redes entre 30 MHz y 3 GHz, ajus-
tar, si es necesario, el valor del nivel de referencia. Por ejemplo,
si la ganancia del amplicador fuera en torno a los 28 dB, ten-
dramos que ajustar el nivel de referencia en 10 dBm, puesto
que la potencia maxima permitida en el analizador es de 26 dBm.
De lo contrario, da naramos el analizador de redes. Antes de me-
dir, comprobar que no hay componente continua ni a la entrada
RF ni a la salida RF del amplicador.
Obtener la curva de ganancia nominal y calcular, a partir de
dos valores extremos de la curva, la pendiente de la ganancia en
dB/GHz y la alinealidad A en dB.
2. A continuacion, introducir una se nal RF a la frecuencia de 2 GHz
a la entrada del amplicador y conectar la salida del amplicador
al analizador de espectros.
Realizar una serie de medidas para diferentes potencias de entrada
a 2 GHz, observando la potencia detectada en dBm tanto a la fre-
cuencia fundamental como a sus armonicos (primero y segundo).
Apuntar los valores en una tabla.
3. Medir el punto de compresion de 1 dB.
a) Seleccionar una frecuencia de 1 GHz y una potencia de 20
dBm en el generador de se nales RF. Centrar la frecuencia del
analizador de espectros a 1 GHz con un Span de 100 MHz.
Reducir el nivel de referencia a 30 dB para proteger el analiza-
dor de espectros de se nales con niveles excesivos de potencia.
b) Antes de conectar el amplicador entre el generador de se nales
RF y el analizador de espectros, habra que tener en cuenta la
atenuacion introducida por los cables.
c) Con el amplicador conectado, incrementar la potencia del
generador de se nales RF en pasos de 1 dB y anotar la potencia
registrada por el analizador de espectros.
d) Corregir la potencia detectada en funcion de las perdidas in-
troducidas por los cables.
e) Calcular la ganancia de transductancia (G
T
) del amplicador
en funcion de la potencia de entrada (teniendo en cuenta las
perdidas de los cables) y representar gracamente los resulta-
dos.
f ) Utilizando estos datos, calcular la potencia de entrada que
produce una ganancia que se encuentra 1 dB por debajo aque-
lla obtenida para se nales de baja potencia. Este es el punto
de compresion de 1 dB y se suele especicar como P
1dB
. En
caso necesario, interpolar los datos para estimar el valor de
forma mas precisa.
4. Medir el punto de intercepci on de intermodulacion de tercer or-
den.
a) Conectar las salidas de 2 generadores de se nales RF a traves
de un combinador al amplicador y la salida de este al anali-
zador de espectros (habra que tener en cuenta la atenuacion
introducida por los cables).
b) Seleccionar la frecuencia del generador 1 a 999,9 MHz y la del
generador 2 a 1000,1 MHz, con la misma potencia de salida
20 dBm en ambos generadores.
c) Centrar la frecuencia del analizador de espectros a 1 GHz con
un Span de 600 kHz con el n de incluir tanto las anteriores
componentes frecuenciales as como las respuestas inducidas
por el comportamiento nolineal del amplicador. Reducir el
nivel de referencia a 30 dB para proteger el analizador de es-
pectros de se nales con niveles excesivos de potencia.
d) Para potencias de entrada que varen dentro del margen de
20 dBm a 10 dBm en pasos de 1 dB, calcular la potencia de
salida de las componentes fundamentales P
d
y la de los pro-
ductos de intermodulacion P
IM
. Ambos generadores han de
mantenerse a la misma potencia y la magnitud de cualquie-
ra de las dos componentes fundamentales puede considerarse
como P
d
.
e) Corregir la potencia detectada en funcion de las perdidas in-
troducidas por los cables.
f ) Representar gracamente los resultados.
g) Calcular la relacion de intermodulacion IMR para cada nivel
de potencia.
Practica 8
Desarrollo de un Filtro con la
Herramienta de Dise no ADS
(Sesiones 1 y 2)
Desarrollo de un Filtro con ADS 55
8.1. Proceso de Dise no de Circuitos de Mi-
croondas
Los paquetes software para analisis y optimizacion de circuitos de RF y
microondas son una herramienta muy util para los dise nadores de circuitos.
Existen varios programas comerciales con capacidad para analizar circuitos
de RF y microondas compuestos de lneas de transmision, componentes de
parametros concentrados (bobinas, resistencias y condensadores), dispositi-
vos activos, lneas acopladas, guaondas y otros componentes. Aunque estos
programas pueden ser r apidos, potentes y precisos, no pueden servir como
sustituto de un dise nador experimentado con un alto conocimiento del dise no
de RF.
El proceso de dise no habitualmente comienza con las especicaciones u
objetivos para el dise no del circuito. Basandose en la experiencia y dise nos
previos, el dise nador desarrolla un dise no inicial, incluyendo las especica-
ciones de los componentes y un primer layout (distribucion de componentes
en la placa) aproximado. Una vez realizado este primer dise no, se utiliza la
herramienta software para analizar el circuito, empleando datos que reejan
el comportamiento de cada uno de los componentes e incluyendo efectos ta-
les como discontinuidades y perdidas. El programa de dise no y simulacion
puede ser utilizado para optimizar el dise no ajustando algunos parametros
del circuito para lograr un comportamiento optimo. Si no se logra alcanzar
las especicaciones, el dise no debe ser revisado. El analisis mediante el soft-
ware tambien puede ser utilizado para estudiar el efecto de las tolerancias y
errores de los componentes, para mejorar la abilidad y robustez del circuito.
Cuando nalmente el dise no cumple las especicaciones previas, se constru-
ye un prototipo y se toman las medidas necesarias sobre el mismo. Si los
resultados medidos satisfacen las especicaciones, el proceso de dise no se ha
completado. En caso contrario, sera necesario revisar el dise no y repetir el
proceso.
Sin herramientas de dise no software, el proceso de dise no requerira la
construccion y medida de un prototipo en cada iteracion, lo cual resultara
costoso y largo. Por tanto, podemos decir que las herramientas software de
dise no disminuyen el tiempo empleado y el coste del dise no, al mismo tiempo
que mejoran su calidad.
Sin embargo, las tecnicas de dise no asistido por ordenador presentan al-
gunas limitaciones. Es importante tener en cuenta que los modelos software
son solo una aproximacion del circuito real y que es imposible considerar
todos los efectos inevitables de los componentes: tolerancias de fabricacion,
rugosidades de las supercies, acoplamientos no deseados, modos de ordenes
superiores y discontinuidades. Estas limitaciones son mas patentes a frecuen-
cias por encima de 10 GHz.
En la gura 8.1 se ha representado de forma esquematica los pasos a
seguir en el proceso de dise no de un circuito de microondas.
Figura 8.1: Proceso de dise no de un circuito de microondas
8.2. Discontinuidades
En dise nos de microondas, siempre existen discontinuidades entre ele-
mentos distribuidos (lneas), elementos discretos, y elementos discretos y
distribuidos. Las discontinuidades mas tpicas son: terminacion en circuito
abierto, terminacion en cortocircuito, codos, cambios de anchura (produci-
dos por cambios de impedancias), uniones en T y uniones en cruz. Estas
discontinuidades llevan asociadas unas reactancias que podemos calicar de
parasitas, ya que no se introducen intencionadamente.
Algunos de los efectos que las discontinuidades provocan en el comporta-
miento del circuito son:
Desplazamiento en frecuencia en dispositivos de banda estrecha.
Degradacion del COE a la entrada y a la salida.
Mayor rizado en la respuesta de transmision de un dispositivo.
El efecto de las discontinuidades es mas crtico a medida que aumenta la
frecuencia. Las discontinuidades deben ser tenidas en cuenta o compensadas
en el proceso de dise no. En la mayora de los casos, las discontinuidades
son basicamente reactancias no deseadas, y en los buenos circuitos se hacen
grandes esfuerzos para reducirlas o compensarlas. Una completa comprension
del dise no de circuitos requiere la caracterizacion de las discontinuidades
presentes en el circuito. Las modicaciones, una vez que el circuito ha sido
fabricado, son costosas y difciles en muchos casos, por lo que es necesario
caracterizar el circuito antes de fabricarlo. Por ello se puede decir que las
discontinuidades juegan un papel importante en el desarrollo de prototipos.
Las discontinuidades normalmente tienen dimensiones mucho menores
que la longitud de onda y se representan, en el proceso de simulacion, por
medio de elementos de parametros concentrados (bobinas, condensadores y
resistencias).
Las discontinuidades en tecnologa microstrip han sido ampliamente estu-
diadas y existen expresiones y circuitos asociados a dichas discontinuidades
microstrip.
En ADS algunas de las discontinuidades microstrip (captulo 15 del ma-
nual Circuit Components) son las siguientes:
MTEE Microstrip TJunction.
MCROSS Microstrip CrossJunction.
MSTEP Microstrip Step in Width.
MCURVE Microstrip Curve Bend 180
< angle < 180
.
MCURVE2 Microstrip Curve Bend 360
< angle < 360
.
MBEND Microstrip Bend (arbitrary angle).
MBEND2 90
Microstrip Bend.
BEND3.
8.3. Optimizacion
Se entiende por optimizacion el proceso en el que, indicando los objetivos
(goals) a alcanzar, el sistema determina mediante diversos calculos el valor
optimo de los parametros que han sido denidos por el usuario con los cuales
se logra un comportamiento optimo del circuito. La optimizacion es necesaria
en la gran mayora de los circuitos y resulta siempre de gran utilidad, aunque
es necesario mantener ciertas precauciones.
El dise no inicial ha de optimizarse poco a poco, sabiendo en todo momen-
to, los cambios que se estan produciendo en el comportamiento del circuito
dise nado. Ha de ser una optimizacion controlada para no llegar a absurdos.
En el dise no denitivo los valores de los componentes discretos (resisten-
cias, condensadores, etc.) han de ser valores comerciales, puesto que no se
fabrican los componentes con todos los valores posibles. El circuito debe si-
mularse con la distribucion con la que se va a dise nar el prototipo, incluyendo
lneas de acceso, codos, etc.. Esta distribucion vendra determinada por las
dimensiones de la placa, la colocacion de los conectores, etc..
La informacion relativa a la optimizacion se encuentra en el captulo 2
del manual Tuning, Optimization and Statistical Design.
El comportamiento deseado del circuito se dene mediante elementos de-
nominados goal (objetivo), en los cuales se indican los lmites maximo y
mnimo aceptables del comportamiento del circuito. Pueden colocarse varios
goals en una misma optimizacion.
Para llevar a cabo una optimizacion, en la pagina de esquematico (design)
deben incluirse:
Al menos, una variable de optimizacion que coincida con un parametro
de alg un elemento del circuito.
Al menos un goal.
Una caja de denicion del tipo de optimizacion optim a realizar.
Un elemento de control de simulacion, SParameter por ejemplo.
Los elementos goal y optim estan la librera de componentes Optim /
Stat / Yield.
Para denir una variable a optimizar debe seguirse el siguiente proceso:
1. Introducir un elemento (lnea microstrip, por ejemplo) en la pagina de
dise no.
2. Realizar un doble click sobre el componente para editar sus parametros.
3. Desde la caja de dialogos del componente, seleccionar el parametro
a variar en la optimizacion en Select Parameters Box, pulsar enton-
ces el boton Optimization / Statistics Setup, que solo aparecera para
parametros optimizables.
En esta caja se dene la variable a optimizar.
Una vez que se ha decidido el dise no denitivo puede ser interesante ana-
lizar que cambios se producen cuando variamos ligeramente algunos valores
(resistencias, bobinas, etc.) o algunas dimensiones de las lneas, para saber
como de crticos son estos valores y dimensiones. Estas variaciones reejan la
simulacion de defectos de fabricacion (perdida de precision en las dimensio-
nes de las lneas) y de las variaciones del valor nominal de los componentes
(tolerancia). Esto es lo que se denomina tuning en ADS.
8.4. Layout
Layout es el nombre con el que se designa a la representacion graca de
la metalizacion de las caras superior e inferior de un circuito microstrip. El
layout se suele obtener con herramientas de CAD propias de la empresa fabri-
cante en la cual se han incluido modelos de la geometra de los componentes
a insertar en los dise nos con sus pads correspondientes.
8.5. Sustratos
En la tabla se presentan las caractersticas de materiales dielectricos me-
didos a temperatura ambiente (20
C) a la frecuencia de 3 GHz. Para la ma-

yora de ellos, la tangente de perdidas es tan peque na que resulta muy difcil
de medir. Los valores de la lista representan valores maximos mas que valores
precisos. Para todos los materiales de la lista, el valor de la permeabilidad
relativa es proximo a 1,
r
1.
Material Permitividad relativa
r
Tangente de perdidas tan
Aire 1,0006 despreciable
Alumina 9,6 0,0001
Vidrio 4 . . . 7 0,001 . . . 0,006
Mica 5,4 0,0003
Poliestireno 2,55 0,0003
Cuarzo 3,8 0,00006
Teon 2,1 0,00015
En el laboratorio emplearemos un sustrato de bra de vidrio de permiti-
vidad relativa
r
= 4,2, permeabilidad magnetica relativa
r
= 1, altura del
sustrato 1,5 mm y espesor de la metalizacion 0,03 mm.
8.6. Elementos Particulares y Consideracio-
nes Practicas en el Dise no de Circuitos
de Microondas en Tecnologa Microstrip
RFchoke. Los RFchoke son bobinas de elevado valor que se utilizan
para bloquear el paso de las se nales de RF a cierta parte de un circuito.
Via (agujero metalizado). En ciertas ocasiones se requiere conectar
una componente de la parte superior de un circuito microstrip a masa.
Para ello se realizan agujeros metalizados. En la parte superior del
circuito los planos que quedan aislados se conectan tambien a masa
mediante agujeros metalizados para lograr un mejor funcionamiento
del circuito.
Stubs serie. En tecnologa microstrip no se implementan lneas en
serie (stubs en serie) por ser irrealizables.
Stubs en paralelo. En tecnologa microstrip los stubs en paralelo
son muy faciles de implementar. Por ello, siempre se transforman los
circuitos con lneas en serie hasta llegar a un circuito equivalente con
lneas en paralelo. Si se trata de stubs en circuito abierto no hay mas
que terminar la lnea; si se trata de stubs en cortocircuito es necesario
perforar la placa y realizar un agujero metalizado que conecte a masa.
Air bridge. Un air bridge es una tira de conductor suspendida en
el aire que pasa sobre otra pista de conductor. En algunos casos se
utilizan resistencias de 0 para cruzar dos pistas sin que se produzca
interconexion entre ellas.
Componentes de parametros concentrados (lumped compo-
nents). Bobinas, resistencias y condensadores pueden ser realizados
a frecuencias elevadas si la longitud de los componentes es peque na
comparada con la longitud de onda de funcionamiento. Como norma
general se suele considerar que estos componentes de parametros con-
centrados son validos siempre y cuando su longitud l cumpla la relacion
l < (/10). Muy a menudo, sin embargo, las caractersticas de un ele-
mento de este tipo estan lejos de las ideales, siendo necesaria la simula-
cion de dichos componentes con una herramienta software en la que se
incluyan los efectos no deseados tales como capacidades o inductancias
parasitas, resonancias esp ureas y perdidas.
Las resistencias se suelen fabricar con nas capas de materiales con
perdidas tales como nicromo (nichrome), nitruro de tantalo (tantalum
nitride) o un material semiconductor dopado. En circuitos monolticos
dichas capas pueden ser depositadas o crecidas, mientras que resisten-
cias chip (SMD) fabricadas con una capa de material con perdidas
depositado sobre un chip ceramico pueden ser jadas mediante solda-
duras en un circuito hbrido. Resulta difcil de obtener valores bajos de
resistencias.
Valores bajos de inductancias pueden ser realizados con una lnea de
transmision de corta longitud. Valores elevados (hasta aproximadamen-
te 10 nH) pueden ser realizados con una inductancia espiral. Valores
mas elevados de inductancia realizados con este tipo de lneas gene-
ralmente incluyen mayores perdidas, y mas capacidades parasitas en
paralelo; esto lleva a una resonancia que limita la frecuencia maxima
de operacion.
Los condensadores pueden ser realizados de diversas maneras. Una lnea
en paralelo puede proporcionar una capacidad en paralelo en el rango
entre 0 y 0,1 pF. Un espacio (gap) o una serie de espacios interdigita-
les en una lnea de transmision pueden producir capacidades serie de
hasta 0,5 pF aproximadamente. Se pueden lograr valores mas elevados
utilizando un sandwich metaldielectricometal tanto en un circuito
monoltico como en forma de chip para circuitos hbridos.
Estos valores que se han indicado son orientativos, y es que el avance
de la tecnologa permite cada da la realizacion de componentes mas
peque nos y precisos.
Para el desarrollo de la practica se han propuesto dos ltros:
a) Filtro paso bajo.
b) Filtro paso banda.
Puesto que cada grupo se divide en dos subgrupos (es decir, se dispone de
dos ordenadores con el software ADS), cada uno de los subgrupos desarro-
llara uno de los dos ltros, de modo que al nal de la practica cada grupo
habra dise nado ambos ltros.
8.7.1. Filtro paso bajo
El objetivo es el dise no de un ltro en base a una sucesion de lneas
de diferente impedancia caracterstica que presente un rizado de amplitud
constante inferior a 0,15 dB en la banda de paso (entre 0 Hz y 1,8 GHz) y
que la atenuacion en la banda eliminada sea superior a 15 dB a partir de
2,5 GHz.
1. Dise nar en primer lugar el ltro paso bajo mostrado en la gura 8.6 en
la pagina 67, introduciendo los valores indicados en la tabla 8.1 en la
pagina 68.
Notese como en lugar de denir las dimensiones de cada parametro de
cada componente directamente, se han utilizado variables (la denicion
posterior de estas variables se encuentra en la caja Var Eqn). Esto
se hace as para facilitar mas tarde la denicion de los parametros a
optimizar.
Para las dimensiones indicadas, observar que no se cumplen las especi-
caciones y apuntar las desviaciones producidas (para ello, habra que
simular el dise no inicial y visualizar el parametro S
21
, preferiblemente
en dB).
2. A continuacion, optimizaremos el circuito introduciendo sendos goals
y el elemento optim, tal y como se muestra en la gura 8.7 en la pagi-
na 69. As mismo, indicaremos dentro de la caja Var Eqn las variables
a optimizar. Todos estos datos se encuentran resumidos en la tabla 8.2
en la pagina 70.
Una vez introducidos los nuevos datos, simular el circuito y apuntar
el n umero de iteraciones necesarios para cumplir con el coste o error
permitido (especicado en el elemento optim).
Visualizar el parametro S
21
en dB. El resultado debera ser similar al
mostrado en la gura 8.2, donde la lnea solida de color azul muestra
la respuesta del ltro antes de proceder a la optimizacion del mismo y
la de color rojo muestra el resultado despues de la optimizacion.
Figura 8.2: Caracterstica de transmision del ltro paso bajo
3. Visualizar tambien el parametro S
11
en dB, con el n de caracterizar
las reexiones producidas a la entrada del ltro. Que ocurre con las
se nales que no pasan por el ltro? Es reexivo o disipativo?
4. Actualizar los valores de la optimizacion en el circuito a traves de Si-
mulate / Update Optimization Values.
5. Reemplazar los Terms por Ports y generar el layout del circuito, apun-
tando las dimensiones del mismo. La gura 8.3 muestra el aspecto que
tendra el layout.
8.7.2. Filtro paso banda
El objetivo es el dise no de un ltro en base a lneas acopladas que
presente un rizado de amplitud constante inferior a 0,1 dB en la banda de
paso (entre 2,47 GHz y 2,53 GHz) y que la atenuacion en la banda eliminada
(22,4 GHz y 2,63 GHz) sea superior a 20 dB.
Figura 8.3: Layout del ltro paso bajo
1. Dise nar en primer lugar el ltro paso banda mostrado en la gura 8.8
en la pagina 71, introduciendo los valores indicados en la tabla 8.3 en
la pagina 72.
En esta ocasion tambien se han utilizado variables (en la caja Var Eqn).
As, se facilita la denicion de los parametros a optimizar.
Para las dimensiones indicadas, observar que no se cumplen las especi-
caciones y apuntar las desviaciones producidas (para ello, habra que
simular el dise no inicial y visualizar el parametro S
21
, preferiblemente
en dB).
2. A continuacion, optimizaremos el circuito introduciendo goals y el ele-
mento optim, tal y como se muestra en la gura 8.9 en la pagina 73.
As mismo, indicaremos dentro de la caja Var Eqn las variables a opti-
mizar. Todos estos datos se encuentran resumidos en la tabla 8.4 en la
pagina 74.
Una vez introducidos los nuevos datos, simular el circuito y apuntar
el n umero de iteraciones necesarios para cumplir con el coste o error
permitido (especicado en el elemento optim).
Visualizar el parametro S
21
en dB. El resultado debera ser similar al
mostrado en la gura 8.4, donde la lnea solida de color azul muestra
la respuesta del ltro antes de proceder a la optimizacion del mismo y
la de color rojo muestra el resultado despues de la optimizacion.
3. Visualizar tambien el parametro S
11
en dB, con el n de caracterizar
las reexiones producidas a la entrada del ltro. Que ocurre con las
se nales que no pasan por el ltro? Es reexivo o disipativo?
4. Actualizar los valores de la optimizacion en el circuito a traves de Si-
mulate / Update Optimization Values.
Figura 8.4: Caracterstica de transmision del ltro paso banda
5. Reemplazar los Terms por Ports y generar el layout del circuito, apun-
tando las dimensiones del mismo. La gura 8.5 muestra el aspecto que
tendra el layout.
Figura 8.5: Layout del ltro paso banda
8.7.3. Realizacion fsica del ltro
Una vez desarrollados los ltros se escogera uno de ellos para proceder a
su realizacion fsica.
Para la preparacion de los acidos, se dispone de dos soluciones: 40A,
60B. El bote peque no de Metrotecnia S. L. tiene dos marcas para preparar
las mezclas adecuadamente.
Partiendo de una placa fotosensible positiva de doble cara, los pasos a se-
guir para la fabricacion del circuito impreso son los siguientes (vease tambien
la gura 8.10 en la pagina 75):
a) INSOLADORA Quitar la pegatina que protege una de las caras de
la placa fotosensible positiva y colocar el circuito sobre la mascara,
orientados de forma que la mayor parte posible de las lneas de la
mascara vayan paralelas a los tubos de luz.
Iluminar la placa durante 2 minutos y 45 segundos aproximadamente.
b) REVELADOR Introducir la placa en el revelador hasta que se vea
que solo queda resina en las lneas del circuito.
c) AGUA Sumergir la placa en agua.
d)

ACIDOS Poner el circuito en el acido durante aproximadamente 1
minuto, hasta que desaparezcan las lneas atacadas por el revelador.
e) AGUA Limpiar la placa en agua.
f) ACETONA Secar la placa.
Quitar la pegatina de la cara inferior de la placa y eliminar cuidadosa-
mente la resina de ambas caras con un papel impregnado de acetona.
Finalmente, se caracterizara el circuito construdo utilizando el analizador
de redes HP8753C.
Figura 8.6: Dise no inicial del ltro paso bajo
MLIN
Subst W L
TL1 MSub1 W1 mm L4 mm
MSTEP
Subst W1 W2
Step1 MSub1 W1 mm W2 mm
MSUB (MSub1)
H 1,5 mm
Er 4,2
Mur 1
Cond 1,0E + 50
Hu 1,0E+036 um
T 0,03 mm
TanD 0
Rough 0 um
VAR (VAR1)
W1 3
W2 18
W3 1,1
L1 3
L2 10,4
L3 5
L4 (80 L1 L2
L3 L2 L1)/2
Term
Num Z
Term1 1 50
Term2 2 50
S Param (SP1)
Start 0 GHz
Stop 4 GHz
Step 5 MHz
Cuadro 8.1: Atributos de los componentes del ltro paso bajo mostrado en
la gura 8.6
Figura 8.7: Dise no con optimizacion del ltro paso bajo
Goal (OptimGoal1)
Expr dB(S(2,1))
SimInstanceName SP1
Min 0,15 dB
Max
Weight
RangeVar[1] freq
RangeMin[1] 0 Hz
RangeMax[1] 1,8 GHz
Goal (OptimGoal2)
Expr dB(S(2,1))
SimInstanceName SP1
Min
Max 15 dB
Weight
RangeVar[1] freq
RangeMin[1] 2,5 GHz
RangeMax[1] 4 GHz
VAR (VAR1)
W1 3 opt{1 to 5}
W2 18 opt{15 to 25}
W3 1,1 opt{0,8 to 1,5}
L1 3 opt{3 to 4}
L2 10,4 opt{8 to 12}
L3 5 opt{5,4 to 6}
L4 (80 L1 L2
L3 L2 L1)/2
Optim (Optim1)
OptimType Random
ErrorForm L2
MaxIters 150
P 2
DesiredError 0,000001
StatusLevel 4
SetBestValues yes
Seed
SaveSolns yes
SaveGoals yes
SaveOptimVars yes
UpdateDataset yes
SaveAllIterations no
UseAllOptVars yes
UseAllGoals yes
Cuadro 8.2: Atributos de variables, goals y optim correspondientes a la gu-
ra 8.7
Figura 8.8: Dise no inicial del ltro paso banda
MLIN
Subst W L
TL1 MSub1 Win mm Lin mm
TL2 MSub1 Win mm Linsub mm
TL3 MSub1 Win mm Lvert mm
TL4 MSub1 Win mm Lin mm
MSTEP
Subst W1 W2
Step1 MSub1 Win mm W1 mm
Step5 MSub1 W4 mm Win mm
MCFIL
Subst W S L
CLin1 MSub1 W1 mm S1 mm L mm
MBEND2
Subst W
Bend1 MSub1 Win mm
Bend2 MSub1 Win mm
MSUB (MSub1)
H 1,5 mm
Er 4,2
Mur 1
Cond 1,0E + 50
Hu 1,0E+036 um
T 0,03 mm
TanD 0
Rough 0 um
VAR (VAR1)
W1 1,2
W2 1,3
W3 1,3
W4 1,2
Win 1,4
S1 1,1
S2 4,5
S3 4,5
S4 1,1
L 16,45
Lin (79 4 L)/2,5
Linsub Lin/2
Lvert W1+S1+W2+S2+W3+
S3 +W4 +S4 Win
Term
Num Z
Term1 1 50
Term2 2 50
S Param (SP1)
Start 2 GHz
Stop 3 GHz
Step 1 MHz
Cuadro 8.3: Atributos de los componentes del ltro paso banda mostrado en
la gura 8.8
Figura 8.9: Dise no con optimizacion del ltro paso banda
Goal (OptimGoal1)
Expr dB(S(2,1))
SimInstanceName SP1
Min
Max 20 dB
Weight
RangeVar[1] freq
RangeMin[1] 2000 MHz
RangeMax[1] 2400 MHz
Goal (OptimGoal2)
Expr dB(S(2,1))
SimInstanceName SP1
Min 0,1 dB
Max
Weight
RangeVar[1] freq
Goal (OptimGoal3)
Expr dB(S(2,1))
SimInstanceName SP1
Min
Max 20 dB
Weight
RangeVar[1] freq
VAR (VAR1)
W1 1,2 opt{1,1 to 1,6}
W2 1,3 opt{1,2 to 1,4}
W3 1,3 opt{1,2 to 1,4}
W4 1,2 opt{1,1 to 1,6}
Win 1,4 opt{1,3 to 1,6}
S1 1,1 opt{1,0 to 1,2}
S2 4,5 opt{4,4 to 4,6}
S3 4,5 opt{4,4 to 4,6}
S4 1,1 opt{1,0 to 1,2}
L 16,45 opt{16 to 17}
Lin (79 4 L)/2,5
Linsub Lin/2
Lvert W1+S1+W2+S2+W3+
S3 +W4 +S4 Win
Optim (Optim1)
OptimType Gradient
ErrorForm L2
MaxIters 50
P 2
DesiredError 0,000001
StatusLevel 4
SetBestValues yes
Seed
SaveSolns yes
SaveGoals yes
SaveOptimVars yes
UpdateDataset yes
UseAllOptVars yes
UseAllGoals yes
ra 8.9
Figura 8.10: Proceso de fabricacion de circuitos impresos
Practica 9
Dise no y Simulacion de una
Red de Adaptacion con la
Herramienta ADS
Dise no y Simulacion de una Red de Adaptacion con ADS 77
9.1. Objetivos
Dise no en tecnologa Microstrip de una red de adaptacion formada por 2
stubs en paralelo terminados en circuito abierto, separados entre s una
distancia /4:
Calculo teorico de las longitudes y anchuras.
Calculo de las longitudes y anchuras asistido por LineCalc.
Ajuste de las longitudes mediante Tuning.
Optimizacion del circuito.
Generacion del layout del circuito optimizado.
Caractersticas del circuito:
Permitividad relativa del substrato
r
= 4,2.
Permeabilidad magnetica relativa del substrato
r
= 1.
Altura del sustrato H = 1,5 mm.
Espesor de la metalizacion T = 0,03 mm.
Las especicaciones de la red de adaptacion, que seran diferentes para
cada subgrupo (es necesario recordar que cada grupo se divide en dos sub-
grupos, es decir, se dispone de dos ordenadores con el software ADS), seran
las siguientes:
a) La frecuencia de trabajo f.
b) La impedancia de la carga a adaptar Z
L
, a traves de los valores de
la resistencia R
L
y el condensador C
L
o la inducancia L
L
(recordando
que, para cada caso, Z
L
= R
L
+ 1/C
L
o Z
L
= R
L
+L
L
).
c) Impedancia caracterstica Z
0
= 50 .
Con el n de facilitar la comprension de los pasos a seguir, en este guion se
realiza el dise no de una red de adaptacion que adapta una carga compuesta
de una resistencia de R
L
= 30 y un condensador C
L
= 0,99472 pF a la
frecuencia de trabajo de f = 2 GHz.
Esta practica requiere la aplicacion de conocimientos adquiridos en las
asignaturas Microondas y Circuitos de Alta Frecuencia y Lneas de Trans-
mision. Por lo tanto, es muy recomendable repetir el dise no teorico de este
Figura 9.1: Red de adaptacion de dos stubs paralelo en circuito abierto
mismo circuito antes de acudir al laboratorio para familiarizarse con el pro-
cedimiento de dise no y as minimizar el tiempo necesario para el dise no del
circuito propuesto a cada grupo.
9.2.1. Calculo teorico de las longitudes y anchuras
A partir de los datos del circuito, la impedancia de la carga a adaptar es:
Z
L
= R
L
+
1
C
L
= 30 80 (9.1)
Por lo que la impedancia normalizada sera:
Z
L
= 0,6 1,6 (9.2)
Puesto que los stubs estan en paralelo, resulta conveniente operar con
admitancias.
La admitancia

Y
L
correspondiente a la carga

Z
L
se obtiene simplemente
dibujando en la carta de Smith el simetrico de

Z
L
respecto del centro:
Y
L
= 0,21 + 0,55 (9.3)
La admitancia que debe verse en el punto P (gura 9.1), mirando hacia
la derecha se calculara teniendo en cuenta que:
1. Su parte real debera ser igual a la de

Y
L
.
2. Debera situarse en la circunferencia de parte real igual a 1 girada hacia
la carga /4. Con esto aseguramos que la admitancia vista desde Q
tendra parte real unidad, y podra adaptarse con el stub de longitud l
2
.
Con ello se obtienen

Y
P
e

Y
P
, dos posibles soluciones al problema, locali-
zadas por interseccion de las circunferencias e
_
Y
_
= 0,21, por un lado, y
e
_
Y
_
= 1 movida /4, por otro lado.
Y
P
= 0,21 + 0,41 (9.4)
P
= 0,21 0,41 (9.5)
La admitancia que debera presentar el primer stub en cada una de ambas
opciones sera:
B
1
=

Y
P

Y
L
= 0,14 (9.6)
B
1
=

Y
P

Y
L
= 0,96 (9.7)
Por tanto, su longitud, teniendo en cuenta que se trata de un stub termi-
nado en circuito abierto, se calculara, para cada caso, de la forma siguiente:
1. solucion:
1
= l
1
= 172,08
(9.8)
l
1
= 0,478 (9.9)
2. solucion:
2
= l
1
= 136,44
(9.10)
l
1
= 0,379 (9.11)
Las admitancias correspondientes a

Y
P
e

Y
P
, que se ven desde el punto
Q, seran:
Y
Q
= 1 1,95 (9.12)
Q
= 1 + 1,95 (9.13)
obtenidas calculando los puntos simetricos con relacion al centro, de

Y
P
e

Y
P
respectivamente, por estar P y Q separados /4.
El primer stub, por tanto, debera proporcionar para conseguir la adapta-
cion:
B
2
= 1,95 (9.14)
B
2
= 1,95 (9.15)
lo que corresponde a las longitudes:
1. solucion:
2
= l
2
= 62,64
(9.16)
l
2
= 0,174 (9.17)
2. solucion:
2
= l
2
= 117,36
(9.18)
l
2
= 0,326 (9.19)
El ultimo paso consiste en sustituir las anteriores longitudes (expresadas
en funcion de ) por valores numericos.
a) El valor de la relacion W/H se extrae a partir de la graca que relaciona
la impedancia caracterstica Z con la constante dielectrica. Para Z =
50 y
r
= 4,2, se obtiene aproximadamente W/H = 2.
b) Conocida la altura del sustrato H = 1,5 mm, la anchura se calcula de
forma inmediata como W = 3 mm.
c) Utilizando la relacion W/H = 2 y la constante dielectrica
r
= 4,2, el
valor numerico de la relacion
0
/ se obtiene a partir de la graca que
relaciona los anteriores parametros, de modo que
0
/ = 1,75.
d) Puesto que
0
= c/f = 0,15 m, sustituyendo, = 0,085714 m.
e) De modo que, ahora:
1. solucion:
l
1
= 0,478 = 40,9714 mm (9.20)
l
2
= 0,174 = 14,9143 mm (9.21)
2. solucion:
l
1
= 0,379 = 32,4857 mm (9.22)
l
2
= 0,326 = 27,9429 mm (9.23)
y
l
/4
= 21,4286 mm (9.24)
f) Se observa que en ambas soluciones las longitudes de los stubs son muy
parecidas, por lo que la eleccion es complicada. Sin embargo, y teniendo
en cuenta que el objetivo del presente dise no es puramente didactico,
se ha escogido la primera solucion.
9.2.2. Implementacion del circuito teorico en ADS
Una vez calculadas las dimensiones del circuito, se realiza el dise no es-
quematico del mismo en ADS (ver gura 9.2) introduciendo los valores indi-
cados en la tabla 9.1 en la pagina 82.
Figura 9.2: Dise no inicial de la red de adaptacion
Conviene visualizar el parametro S
11
en dB para analizar el comporta-
miento del circuito en un rango de frecuencias (ver gura 9.3 en la pagina 83).
9.2.3. Calculo de las longitudes y anchuras asistido por
LineCalc
Los resultados obtenidos mediante LineCalc son los siguientes:
MLOC
Subst W L
TL1 MSub1 WStub mm L2 mm
TL3 MSub1 WStub mm L1 mm
R
Value
R1 30
MLIN
Subst W L
TL2 MSub1 WStub mm L1 4 mm
C
Value
C1 0,99472 pF
MTEE
Subst W1 W2 W3
Tee1 MSub1 WStub mm WStub mm WStub mm
Tee2 MSub1 WStub mm WStub mm WStub mm
MSUB (MSub1)
H 1,5 mm
Er 4,2
Mur 1
Cond 1,0E + 50
Hu 1,0e +036 um
T 0,03 mm
TanD 0
Rough 0 um
VAR (VAR1)
WStub 3
L1 40,9714
L2 14,9143
L1 4 21,4286
Term
Num Z
Term1 1 50
S Param (SP1)
Start 0 GHz
Stop 3 GHz
Step 1 MHz
Cuadro 9.1: Atributos de los componentes del esquematico correspondiente
a la red de adaptacion mostrada en la gura 9.2
Figura 9.3: Caracterstica de reexion de la red de adaptacion
WStub = 2,93114 mm (9.25)
L1 4 = 20,9045 mm (9.26)
L1 = 39,9693 mm (9.27)
L2 = 14,5495 mm (9.28)
9.2.4. Ajuste de las longitudes mediante Tuning
Teniendo en cuenta que los calculos y las curvas son aproximados, es
posible mejorar la respuesta de la red de adaptacion ajustando las longitudes
L1 y L2 mediante Tuning. De este modo:
L1 = 37,17 mm (9.29)
L2 = 14,45 mm (9.30)
9.2.5. Optimizacion del circuito
A continuacion, hay que optimizar el circuito introduciendo un goal y el
elemento optim, tal y como se muestra en la gura 9.4.
As mismo, hay que indicar las variables a optimizar dentro de la caja
Var Eqn. Todos estos datos se encuentran resumidos en la tabla 9.2 en la
pagina 87.
Figura 9.4: Dise no con optimizacion de la red de adaptacion
9.2.6. Generacion del layout del circuito optimizado
Una vez que el dise no ha sido optimizado, hay que reemplazar el Term,
la resistencia y el condensador por Ports y generar el layout del circuito. La
gura 9.5 muestra el aspecto que tendra el layout.
Figura 9.5: Layout de la red de adaptacion optimizada
9.2.7. Analisis de la inuencia de lneas de 50 conec-
tadas a la red de adaptacion
Finalmente, solo nos queda estudiar los efectos introducidos al conectar
nuestra red de adaptacion a sendas lneas de transmision de 50 . Para ello,
habra que generar el nuevo layout y visualizar el parametro S
11
en dB.
9.3. Listado de Redes de Adaptacion
A continuacion se proponen varias redes de adaptacion:
Red de adaptacion 1. a) Frecuencia de trabajo f = 1,5 GHz.
b) R
L
= 10 y C
L
= 1,17893 pF (

Z
L
= 0,2 1,8).
0
= 50 .
b) R
L
= 20 y L
L
= 2,8648 nH (

Z
L
= 0,4 + 0,9).
0
= 50 .
b) R
L
= 30 y C
L
= 1,47366 pF (

Z
L
= 0,6 1,2).
0
= 50 .
b) R
L
= 45 y C
L
= 0,96458 pF (

Z
L
= 0,9 1,5).
0
= 50 .
b) R
L
= 40 y L
L
= 2,8086 nH (

Z
L
= 0,8 + 0,6).
0
= 50 .
b) R
L
= 10 y C
L
= 1,8947 pF (

Z
L
= 0,2 0,8).
0
= 50 .
Red de adaptacion 7. a) Frecuencia de trabajo f = 2 GHz.
b) R
L
= 35 y L
L
= 1,9895 nH (

Z
L
= 0,7 + 0,5).
0
= 50 .
b) R
L
= 15 y C
L
= 1,5303 pF (

Z
L
= 0,3 1,3).
0
= 50 .
Goal (OptimGoal1)
Expr dB(S(1,1))
SimInstanceName SP1
Min
Max 70 dB
Weight
RangeVar[1] freq
RangeMin[1] 2 GHz
RangeMax[1] 2 GHz
VAR (VAR1)
WStub 2,93114 opt{2,7 to 3,3}
L1 39,9693 opt{36 to 42}
L2 14,5495 opt{12 to 16}
L1 4 20,9045 opt{18 to 23}
Optim (Optim1)
OptimType Gradient
ErrorForm L2
MaxIters 150
P 2
DesiredError 0,0
StatusLevel 4
SetBestValues yes
Seed
SaveSolns yes
SaveGoals yes
SaveOptimVars yes
UpdateDataset yes
UseAllOptVars yes
UseAllGoals yes
ra 9.4
Anexo 1
Tutorial for Automated Design
System (ADS)
Anexo 2
Lab 1: ADS Basics and Circuit
Simulation Fundamentals
Anexo 3
Microstrip Design Using HP
Advanced Design System
(ADS)
Bibliografa
[1] D. M. Pozar, Microwave Engineering. Addison Wesley, 2002.
[2] R. E. Collin, Foundations for Microwave Engineering. McGrawHill,
1992.
[3] R. J. Weber, Introduction to microwave circuits. IEEE Press, 2001.
[4] K. Chang, Microwave Solid-State Circuits and Applications. John Wiley,
1994.
[5] P. A. Rizzi, Microwave Engineering, Passive Circuits. Prentice Hall,
1988.
[6] Agilent Technologies: Agilent EEsof EDA Product Documentation.
[Online]. Disponible: http://eesof.tm.agilent.com/docs/
[7] Narda. Components, Networks and Instruments. 2000.
[8] Farnell Components, S. L.. Semiconductores, Pasivos y Equipos de Test.
2003.

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< angle < 180

< angle < 360

C) a la frecuencia de 3 GHz. Para la ma-

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