TEMA 3.

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS Y OPTOELECTRNICOS

1.- a) Suponiendo que el diodo (unin p-n) del circuito de la figura se comporta idealmente

(con una caracterstica I-V como la mostrada), obtener la corriente que circula por el circuito i (t ) y la tensin entre extremos de la resistencia RL ( VRL (t ) ) y del diodo ( VD (t ) ).
ID i (t ) v(t)=V sen(t)

RL

VD

b) Hacer lo mismo que en el apartado anterior, pero suponiendo que la caracterstica I-V del

diodo es la de la figura adjunta.

ID ID= VD/ rd para VD>0

rd
VD

ID=0

para VD<0

c) Hacer lo mismo que en los dos apartados anteriores, pero suponiendo que el diodo se

comporta con una caracterstica como la mostrada en la siguiente figura.

ID ID= (VD-V)/ rd para VD>V

rd
VD

ID=0

para VD<V

2.- Obtener V0 en funcin de Vi en el circuito de la figura si la tensin umbral de ambos diodos es V=0.65 V y se desprecia la resistencia de los diodos en su modelo linealizado.

3.- Obtener V0 en funcin de Vi en el circuito de la figura despreciando la resistencia de los diodos en su modelo linealizado. La tensin umbral de ambos diodos es V=0.65 V.

4.- En el circuito de la figura (circuito estabilizador de tensin con diodo Zener), VZ=5 V y rZ es despreciable. El diodo Zener proporciona una salida regulada de 5 V siempre que la corriente que circula por l est entre 0.5 y 5 mA. a) Si V=10 V, calcular el valor de R necesario para que el diodo Zener regule cuando la corriente IL que circula por RL es nula. Con ese valor de R, cul debe ser el valor mximo de IL para que haya regulacin? b) Con R igual al valor calculado en el apartado anterior, si RL es fija de forma que IL=2.5 mA, entre qu lmites puede variar V mantenindose la regulacin en la salida?

5.- Disear un circuito estabilizador de tensin con diodo Zener capaz de alimentar una carga de 200 con 20 V constantes, sabiendo que la tensin de entrada a dicho circuito puede oscilar entre 24 V y 30 V. El diodo Zener a emplear tendr una potencia mxima de 8 W. 6.- En el circuito de la figura, indicar el estado de los diodos (corte o conduccin) y calcular la tensin V0. En conduccin considerar VD=0.6 V y rD=0.

5 V

7.- Si en el circuito de la figura se introduce una seal triangular simtrica con una amplitud de 10 V, dibujar la seal que se obtiene a la salida suponiendo que el diodo es ideal.
D

R=100 K Vi VE=1 V Vo

8.- Dado el circuito de la figura, obtener el valor de la corriente de colector y de la tensin entre colector y emisor si F =100, RB=280 k, RC=2.2 k y RE=600 . Considerar VBE=0.7 V.

9.- Calcular el valor de RB y RC en el circuito de la figura anterior para que la tensin entre el colector y el emisor sea de 2 V y la corriente de colector de 1 mA, si RE=600 . 10.- Dado el circuito de la figura, con VCC=25 V y F =300: a) Razonar que el transistor est siempre polarizado en la regin activa. b) Calcular Rf y R0 para que IC=3 mA y VCE=10 V. c) Obtener los valores de IC y VCE si Rf= 750 k y R0=1.6 k. Considrese VBE=0.7 V.

11.- Calcular las corrientes que circulan por las ramas del circuito de la figura y las tensiones que soportan los transistores si Rb1=18 k, Rb2=3.3 k, Rc1=330 k, Rc2=2.2 k, RE=100 y F =200 (en ambos transistores). Tmese VBE=0.65 V.

12.- En el circuito de la figura la resistencia de colector vale 500 y la ganancia en corriente F del transistor es 60. Cunto ha de valer la resistencia de base para que la tensin colectoremisor sea de -15 V? Considerar VBE=-0.7 V.

RB

RC= 500

EC=-30 V

13.- El transistor de la figura funciona en conmutacin, es decir, pasa de corte (interruptor S cerrado) a saturacin (interruptor S abierto). Los valores de RC y RB son de 100 y 2 k, respectivamente, y la ganancia en corriente F vale 50. La tensin colector-emisor en saturacin es de 0.2 V y la tensin de base-emisor vale 0.7 V cuando S est abierto. Calcular las corrientes y las tensiones del transistor en los dos estados (corte y saturacin). La fem del generador EC es de 30 V.

RB

RC IC

IB S

EC= 30 V

14.- Conociendo las caractersticas estticas del transistor del circuito de la figura, encontrar el

punto de operacin estacionario del transistor y determinar su ganancia directa en corriente F. Suponer que en la regin activa VBE=0.5 V.
IC(mA) 12.5 10.0 7.5 5.0 2.5
IB=70A IB=60A IB=50A IB=40A IB=30A IB=20A IB=10A

VCC=10V

R1=475K

RC=1K

10

15

20

VCE(V)

15.- En el circuito de la figura adjunta, determinar IC y VCE si el transistor tiene una ganancia

directa en corriente F=150 y si en la regin activa la tensin de la unin base-emisor del transistor es VBE=0.5 V.
VCC=12V RC=1.8K

R1=110K

R2=11K

RE=1.2K

16.- Si el transistor del circuito de la figura tiene una ganancia F =150 y la tensin base-

emisor es VBE =0.5 V cuando est conduciendo, encontrar en dicho circuito los valores de VCE, IC e IB.
VCC=10V

R1=475K

RC=2500

RE=500

valores de VCE, IC e IB. Repetir los clculos para I1=1050 A.

VCC=6V

17.- Si para el transistor del circuito de la figura podemos suponer que F =100, encontrar los

I1=1025A

R1

RC=2K

I2=1000

R2

18.- En el circuito de la figura el transistor es un MOSFET cuyas caractersticas se adjuntan. Encontrar los valores de R1 y R2 para que el transistor, en el punto de operacin estacionario, cumpla que VGS=0 V.
ID(mA)
25 20 15 10 5
8V

No Saturacin

Saturacin VGS=2V
R1 R D =150

VGS=1V

VGS=0V
R2

R S =250

VGS=-1V VGS=-2V

VDS(V)

19.- Consideremos el circuito de la figura, en el que el transistor (de realce, canal N) tiene unas caractersticas de salida, I D = f (VDS ) , como las mostradas en la figura adjunta. Si la resistencia de carga es de RD = 1K , encontrar el punto de funcionamiento estacionario del transistor cuando VI = 12V . Cul ser el punto de funcionamiento si VI = 16V ?
ID(mA) 50
RD

30V

No Saturacin

Saturacin VGS=20V

40 30 10

VGS=16V

v0 vI
20 10 VGS=12V VGS=8V VGS=4V 0 20 30 40 VDS(V)