ESCUELA POLITECNICA NACIONAL DISPOSITIVOS ELECTRONICOS TEMA: FET de potencia MOSFET de potencia

Objetivo: Conocer ms a fondo acerca de los diversos tipos de FET de potencia. Desarrollo:

FET de potencia
Historia:
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la prctica mucho despus, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipo detrs de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica. Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT). Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80's. Clasificacin: Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) dentro de los MOSFET tenemos los MOSFET de enriquecimiento y los MOSFET de empobrecimiento y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). FET de potencia: En electrnica el MOSFET de enriquecimiento se denomina FET de potencia. Los fabricantes producen distintos tipos de dispositivos, tales como VMOS, TMOS, hexFET, trench MOSFET y waveFET. Todos estos FET de potencia emplean diferente geometra del canal para aumentar sus limitaciones mximas. Estos dispositivos tienen limitaciones de comente desde 1 A hasta ms de 200 A, y limitaciones de potencia desde 1 W a ms de 500 W. El anlisis de un circuito FET de potencia es igual que para dispositivos de pequea seal.

MOSFET de potencia:

Historia: El principio bsico de operacin de este tipo de transistor fue patentado por primera vez por el austrohngaro Julius Edgar Lilienfeld en 1925. Debido a los requerimientos de carcter tecnolgico para la fabricacin de la intercara lisa y libre de defectos entre el sustrato dopado y aislante, este tipo de dispositivos no se logr fabricar hasta dcadas ms tarde, pero los fundamentos tericos estaban contenidos en la patente original. Veinticinco aos despus, cuando la Bell Telephone Company intent patentar el transistor de unin, encontraron que Lilienfeld tena registrada a su nombre una patente que estaba escrita de una forma que inclua todos los tipos de transistores posibles. Los Laboratorios Bell lograron llegar a un acuerdo con Lilienfeld, quien todava viva en esa poca (no se sabe si le pagaron por los derechos de la patente o no).[cita requerida] Fue en ese momento cuando los Laboratorios Bell crearon el transistor de unin bipolar, o simplemente transistor de unin, y el diseo de Lilienfeld's fue conservado con el nombre de transistor de efecto de campo. En 1959, Dawon Kahng y Martin M. (John) Atalla en los Laboratorios Bell inventaron el transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) como un avance y mejora sobre el diseo del transistor FET patentado. Con una operacin y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unin, el transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y luego colocando un electrodo metlico de compuerta sobre el aislante. Se utiliza silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa de dixido de silicio creada a travs de oxidacin trmica, que se utiliza como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de xido nativo, y por este motivo se vea libre de la dispersin y el bloqueo de portadores que limitaba el desempeo de los transistores de efecto de campo anteriores. Despus del desarrollo de cuartos limpios para reducir los niveles de contaminacin, y del desarrollo de la fotolitografa as como del proceso planar que permite construir circuitos en muy pocos pasos, el sistema Si-SiO2 obtuvo gran

importancia debido a su bajo costo de produccin por cada circuito, y la facilidad de integracin. Adicionalmente, el mtodo de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal P) en un interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implic que los circuitos digitales disiparan una cantidad muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados. Por estos tres factores, los transistores MOSFET se han convertido en el dispositivo utilizado ms ampliamente en la construccin de circuitos integrados. Aproximaciones: En la prctica, al igual que se hizo para los transistores JFETs, para los MOSFET de enriquecimiento se suelen utilizar expresiones aproximadas de las siguientes ecuaciones, sobre todo para el caso de funcionamiento en hmica.

Como ya se ha comentado, los transistores MOSFET pueden funcionar bsicamente de tres formas diferentes (regiones de funcionamiento): 1. Regin de corte: Es aquella en la que ID=0. 2. Regin de Saturacin (Activa): Es aquella en la que el canal est estrangulado, esto es, ID= IDsat. Esta zona de funcionamiento es equivalente a la regin activa en los transistores bipolares y por ello nos referiremos a ella tambin como regin activa. 3. Regin hmica: Es aquella en la que funciona el transistor antes de alcanzar el estrangulamiento del canal. Al igual que en los JFET, en hmica se han supuesto dos posibles aproximaciones. La segunda de ellas es el resultado de suponer que mientras el canal no se estrangula la relacin entre la corriente de drenador y la tensin VDS es una constante, lgicamente diferente para cada VGS. Esta constante se denomina RDSON y su valor se puede obtener fcilmente observando las curvas de salida de la figura 2.35 (donde se ha supuesto que en hmica la relacin entre ID y VDS es lineal). RDSON se puede obtener como el cociente entre el valor de VDS para el cual se produce el estrangulamiento del canal: VDS = VGS-VT, y la corriente de saturacin para la VGS dada. Esto es:

Estructura metal-xido-semiconductor Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer una capa de dixido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una capa de metal o silicio policristalino, siendo el segundo el ms utilizado. Debido a que el dixido de silicio es un material dielctrico, esta estructura equivale a un condensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por un semiconductor.

Estructura Metal-xido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p

Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin de cargas en el semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores NA), p es la densidad de huecos; p = NA en el silicio intrnseco), una tensin positiva VGB aplicada entre la compuerta y el sustrato (ver figura) crea una regin de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la interfaz entre el aislante de compuerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre de portadores, que est constituida

por los iones de los tomos aceptores cargados negativamente. Si V GB es lo suficientemente alto, una alta concentracin de portadores de carga negativos formar una regin de inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona que los portadores de carga se establezcan rpidamente a travs del drenador y el surtidor, en un condensador MOS los electrones se generan mucho ms lentamente mediante generacin trmica en los centros de generacin y recombinacin de portadores que estn en la regin de agotamiento. De forma convencional, la tensin de compuerta a la cual la densidad volumtrica de electrones en la regin de inversin es la misma que la densidad volumtrica de huecos en el sustrato se llama tensin de umbral. Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y el surtidor. Estructura MOSFET y formacin del canal

Formacin del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensin de compuerta dobla las bandas de energa, y se agotan los huecos de la superficie cercana a la compuerta (izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se equilibra con una capa de cargas negativas de iones aceptores (derecha). Inferior: Una tensin todava mayor aplicada en la compuerta agota los huecos, y la banda de conduccin disminuye de forma que se logra la conduccin a travs del canal.

Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de

silicio. Si se utilizan otros materiales dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales (surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se indica con un signo '+' despus del tipo de dopado. Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El surtidor se denomina as porque es la fuente de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal p) que fluyen a travs del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal. La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la posicin del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la figura, cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la banda de valencia se aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la compuerta. Cuando se polariza todava ms la compuerta, el borde de la banda de conduccin se acerca al nivel de Fermi en la regin cercana a la superficie del semiconductor, y esta regin se llena de electrones en una regin de inversin o un canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el xido. Este canal conductor se extiende entre el drenador y el surtidor, y la corriente fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un potencial entre el drenador y el surtidor. Al aumentar la tensin en la compuerta, se incrementa la densidad de electrones en la regin de inversin y por lo tanto se incrementa el flujo de corriente entre el drenador y el surtidor. Para tensiones de compuerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma slo una pequea corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y el surtidor. Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta-surtidor (positiva entre surtidor-compuerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma anloga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensin menos negativa que la tensin de umbral es aplicada (una tensin negativa para el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de subumbral entre el drenador y el surtidor.

Aplicaciones del MOSFET de potencia

FET DE POTENCIA COMO INTERFASE Los circuitos integrados digitales son dispositivos de baja potencia porque pueden proporcionar solo pequeas corrientes de carga. Si se desea usar la salida de un CI para excitar una carga que necesita una gran corriente, se puede emplear un FET de potencia como interfase (un dispositivo B que permite a un dispositivo A comunicarse o controlar otro C).

La siguiente figura es un ejemplo de un CI digital controlando una carga de alta potencia. Cuando la salida CMOS tiene valor alto, el FET de potencia acta como un interruptor cerrado. En este caso, el arrollamiento del motor tiene una tensin de 12 V y el eje gira. Cuando la salida del CMOS es baja, el FET de potencia est abierto y el motor para de girar.

CONVERTIDORES dc-ac

Cuando hay un fallo repentino de la alimentacin, los ordenadores dejan de funcionar y se pueden perder datos de gran valor. Una solucin consiste en utilizar un sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI). Un SAI contiene una batera y un convertidor dc-ac. La idea bsica es: cuando hay un fallo de alimentacin, la tensin de la batera se convierte en una tensin alterna que alimenta al ordenador. En la siguiente figura se muestra la parte fundamental de un SAI. Cuando la alimentacin falla se activan otros circuitos (amplificadores operacionales) y generan una onda cuadrada para excitar la puerta. Esta onda conmuta e FET de potencia entre corte y activacin. Como aparece la onda cuadrada a travs de los arrollamientos del transformador el transformador secundario puede proporcionar la tensin alterna necesaria para mantener al ordenador funcionando.

CONVERTIDORES dc-dc

Es un circuito que convierte una tensin continua de entrada en otra tensin continua de salida de valor mayor o menor. El FET de potencia conmuta produciendo una onda cuadrada a travs del arrollamiento secundario. El rectificador de media onda y el filtro con condensador a la entrada producen, entonces la tensin de salida Vout.

Fuentes de switcheo o fuentes conmutadas. Los MOSFET de potencia son utilizados en la construccin de fuentes de switcheo o fuentes conmutadas. Las cuales son fuentes de voltaje en las cuales mediante un circuito modulador de ancho de pulsos (PWM) se regula el voltaje de salida, generalmente constan de una bobina, un capacitor, un diodo de giro libre (FWD), un elemento de conmutacin que puede ser un MOSFET RFZ44.

Control de motores. En la actualidad, para operar motores de CC permitiendo un funcionamiento de giro en ambos sentidos se utilizan, en la mayora de los casos, circuitos con transistores MOSFET. Algunos diseadores prefieren utilizar transistores de canal P para los lados superiores y de canal N para los inferiores. La ventaja de este concepto de diseo es que las tensiones necesarias para activar los Gates de los transistores de canal P se podrn sacar directamente de la alimentacin utilizada para el motor. Si por el contrario utilizamos transistores de Canal N en el lado superior de la H, la tensin necesaria para activar los Gates deber provenir de un elevador de tensin que funcione por encima del valor nominal de alimentacin del motor. Observemos la siguiente imagen para comprender este concepto:

Con el uso de los MOSFET de potencia se puede realizar una secuencia de encendido de va y ven con 6 focos de 12 volts. Para lograr que los 6 focos realicen la rutina deseada es necesario el uso de un 555 para generar los pulsos que entrarn al contador 4017, el cual es un contador de dcada aplicndole a este unos retardos que es la parte donde se usaran los MOSFET que son los que conmutaran la potencia para poder encender las lmparas de 12V

Hoja de datos:

Bibliografa:
MALVINO, Albert Paul. Principios de Electrnica. West Balley College. Editorial: McGraw-Hill. Sexta edicin. ISBN: 84-481-2568-1.

Pginas de internet: http://www.cartagena99.com/recursos/electronica/apuntes/Transistores_Unipolares.pdf http://esimerobotica.tripod.com/MOSFET2.pdf http://www.ccpot.galeon.com/enlaces1737099.html http://www.unicrom.com/tut_MOSFET.asp http://www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_de_Potencia_12750/Present aciones/Leccion17_MOSFET.pdf http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/ http://pendientedemigracion.ucm.es/info/electron/laboratorio/componentes/codigos/pag 07-03.htm

Anexos:

Anexo 1: Hojas de datos de algunos FET de potencia.