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EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

AULAS 09b e 10

Transistores Bipolares de Juno (TBJ)


Parte 1

Prof. Roberto Jacobe Rodrigues roberto.rodrigues@ufabc.edu.br 2o Quadrimestre de 2011


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Contedo
Breve histrico Aplicaes do Transistor (Motivao) Princpio Introduo Polarizao Ponto Quiescente ou de Operao Anlise por Reta de Carga Recapitulao para a P1 Exerccios
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Transistores TBJ Breve Histrico


Entre 1904 e 1947: utilizao de vlvulas (equipamentos pesados e de baixo rendimento).

Em 1947/48: Walter Brattain e John Bardeen demonstraram a funo de


amplificao do primeiro transistor nos laboratrios da Bell Telephone. A partir disto houve um grande impacto nas indstrias e na sociedade.

A partir de ento:
- circuitos integrados; - componentes optoeletrnicos;

- microprocessadores.
- muitos outros... O transistor revisou a indstria dos computadores. Eles ocupavam uma sala inteira, mas agora cabem numa escrivaninha.
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Apenas para pensar a respeito...

Em 2005, a produo mundial de transistores foi maior e mais barata do que todos os gros de

arroz produzidos no mundo.


Fonte: BussinessWeek (Ethevaldo Siqueira do Jornal Estado de So Paulo)

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Aplicaes de Transistores

Amplificadores de Pequenos Sinais Amplificadores de Potncia (Ex. de aplicao: Telecomunicaes)

Amplificadores Diferenciais (Ex. de aplicao: Instrumentao)


Chaveamento
- acionamento de rels (Ex. de aplicao: motores e alarmes)
- portas lgicas

Osciladores (Ex. de aplicao: geradores de sinais) Fontes de Alimentao


no serve para comer...
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Transistores TBJ Construo


Os Transistores Bipolares de Juno (TBJ) ou BJT (Bipolar Junction Transistors) so formados por cristais tipo-n e tipo-p formando estruturas npn ou pnp. Emissor fortemente dopada. Tem a funo de emitir ou injetar eltrons na base.

Base
levemente dopada e muito fina. Permite controlar a passagem dos eltrons do emissor at o coletor. Coletor Tem dopagem intermediria. Coleta os eltrons que vm da base. a regio mais extensa das trs e a que dissipa mais calor.
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Transistores TBJ Construo

Coletor: dopagem intermediria.

Base: levemente dopada e fina.


Emissor: densamente dopada.

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Transistores TBJ Estrutura Simplificada (npn)

Simbologia

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Transistores TBJ Estrutura Simplificada (pnp)

Simbologia

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Transistores TBJ Junes (Diodos Coletor e Emissor)


O transistor tem duas junes: a) entre o emissor e a base; b) entre a base e o coletor. O transistor assemelha-se a dois diodos. O diodo da esquerda chama-se diodo emissor-base ou diodo emissor. O diodo da direita chama-se diodo coletor-base ou diodo coletor.

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Operao do TBJ No Polarizado Relembrando do estudo de diodos (ver Aulas iniciais):

a) A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de


depleo (falta de portadores).

b) o potencial da barreira aproximadamente 0,7 V (25C) para um TBJ de


silcio e 0,3 V para um TBJ de germnio. c) As camadas de depleo no possuem a mesma largura em razo dos diferentes nveis de dopagens. d) a camada de depleo do emissor tem espessura inferior camada de depleo do coletor.
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Operao do TBJ Polarizao


O fluxo de corrente de um transistor npn quando o mesmo est polarizado na regio ativa representado na figura abaixo. - O diodo emissor diretamente polarizado. - O diodo coletor inversamente polarizado.

A corrente no coletor tem valor prximo da corrente no emissor, sendo muito


superior corrente na base.

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Operao do TBJ Polarizao


Se VBE > 0,7 V muitos eltrons do emissor penetram na regio da base.

Devido condutividade eltrica reduzida da base (regio levemente dopada e estreita)


e a tenso de coletor, os eltrons fluem, predominantemente, para o coletor. No coletor, os eltrons livres so atrados da sua regio interna para o terminal

positivo da fonte, VCB.


A corrente de coletor controlada pela corrente de base.

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Correntes no Transistor
O ganho de corrente do coletor com relao base conhecida como DC ou hFE. O ganho de corrente pode variar entre 20 e 400.
Fluxo convencional Fluxo de eltrons

IE = I C + I B acc = IC IE cc = IC IB

Se,

IB << IC
ento:

IC @ IE

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Correntes no Transistor
ALFA CC O aCC indica o quanto as correntes de emissor e coletor tm valores prximos. Exemplo Se IC = 4,9 mA e IE = 5 mA, determine aCC:

a CC
BETA CC

4,9mA 0,98 5mA

O CC relaciona a corrente do coletor com a corrente de base.

Exemplo
Se IC = 5 mA e IB = 0,05 mA, determine CC:

CC

5mA 100 0,05mA

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Correntes no Transistor Ligao Emissor Comum (EC)


Relembrando: - Quando VBE > 0,7 V, o emissor injeta esses eltrons na base. - A base fina e pouco dopada permite que os eltrons consigam se difundir atravs da camada de depleo do coletor. - A polarizao reversa do diodo coletor atrai os eltrons para o coletor, de onde fluem para a fonte de alimentao.

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Correntes no Transistor Relao entre aCC e CC


Pela Lei de Kirchhoff para correntes, tem-se:

I E IC I B

IE IB 1 IC IC

a CC

CC
CC

CC
Exemplo

a CC 1 a CC

a CC

CC 1

Considere aCC = 0,98. Qual o valor de CC? Exemplo Considere CC = 100. Qual o valor de aCC? Resp.: CC = 49. Resp.: aCC = 0,99.
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Relao entre as Correntes no Transistor


Relembrando: A corrente de emissor a soma da corrente do coletor mais a corrente de base.

I E IC I B
A corrente do coletor aproximadamente igual corrente do emissor.

IC @ I E
A corrente da base muito menor do que as outras duas.

I B I C
I B I E
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Curvas Caractersticas Configurao Emissor Comum


Relaciona a corrente no coletor com a tenso eltrica entre coletor e emissor.

Cada curva caracterstica depende do valor da corrente na base do transistor.

Portanto, obtida uma famlia de curvas parametrizadas pela corrente na base.


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Curvas Caractersticas Configurao Emissor Comum


Note que na famlia de curvas abaixo, para cada valor de IB apresentado uma nova curva.

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Curvas Caractersticas Regies de Operao


- Ativa: a juno emissor-base est polarizada diretamente (VBE > 0,7 V) e a juno base-coletor est polarizada reversamente (VCB > 0). - Corte: as junes base-emissor e base-coletor esto polarizadas reversamente

(VBE < 0,7 V ou VBE < 0 e VCB > 0). Neste caso IC = 0.
- Saturao: as junes base-emissor e base-coletor so polarizadas diretamente (VBE > 0,7 V e VCB < 0).

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Curvas Caractersticas Curvas da Base


A seo base-emissor um diodo. Portanto, a curva da corrente de base em funo da tenso da base-emissor se comporta como uma curva de diodo.

Questo: Explique a dependncia observada de IB com VCE para um VBE fixado.

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Curvas Caractersticas Curvas de ganho de Corrente


A uma temperatura fixa, CC aumenta at um valor mximo quando a corrente do coletor aumenta.

Nota: Veremos mais adiante que existem circuitos polarizadores que compensam esta dependncia do ganho de corrente com a corrente de coletor.
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Especificaes
Os transistores de pequeno sinal podem dissipar 0,5 W ou menos. Todas as tenses so reversas e de ruptura. VCEO: tenso de coletor para o emissor com a base aberta. VCBO: tenso entre o coletor e a base com o emissor aberto. VEBO: tenso do emissor para a base com o coletor aberto. IC: corrente mxima CC do coletor. PD: potncia mxima do componente. Exemplo: Especificaes mximas do 2N3904: VCEO = 40 V; VCBO = 60 V; VEBO = 6 V; IC = 200mA (CC); PD = 310 Mw

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Especificaes Potncia
A potncia de um transistor pode ser calculada pela equao abaixo.

PD VCE I C
Exemplo: Se um 2N3940 tiver um VCE = 20 V e IC = 10 mA, determine a potncia deste componente. Resp.: 200mW

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Polarizao Circuitos Polarizadores


o Transistor como chave funcionamento nas regies de corte e Transistor como amplificador funcionamento na regio ativa. Na amplificao de um sinal a nica mudana deve ser na amplitude

saturao aplicaes em circuitos digitais.


o o

da tenso ou da corrente ou de ambos (amplificador de potncia)


ausncia de distores. o Para sinal peridico (ex.: CA) a freqncia do sinal de entrada

mantida aps amplificao.

Importante: Antes de aplicar o sinal na entrada, necessrio determinar o ponto de operao do transistor, tambm conhecido como ponto quiescente (Q) do transistor.
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Polarizao Pontos de Operao


A: ausncia de polarizao e, portanto no funcionamento do circuito. B: variao da tenso e da corrente distante das regies de corte e de saturao.

C: idem anterior, mas


prxima das regies de corte e de sarturao. D: regio muito prxima da regio de ruptura ou
27 queima do transistor.

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Polarizao Definio
Define-se polarizao como sendo o estabelecimento dos valores das

correntes de coletor, de base e tenso VCE, ou seja, o Ponto de Trabalho.

Escolha de Transistor, Tenses, Correntes e Resistncias

Funcionamento do Transistor em uma das regies da famlia de curvas caractersticas (slide anterior)

POLARIZAO

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Polarizao Circuito Amplificador de pequenos sinais


O circuito da Figura abaixo apresenta duas componentes para o sinal aplicado base do transistor e presente no seu coletor: - Componente CC - Componente CA Nota: a configurao ao lado instvel devido dependncia do ganho () com IC e a temperatura. Devido validade do Teorema da Superposio possvel analisar o funcionamento deste circuito separando-se os efeitos produzidos pelos dois componentes (CC e CA). Os capacitores C1 e C2 impedem que a componente CC esteja presente nos terminais de entrada e de sada do amplificador.
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Polarizao
Exemplo 1:

Determine o nvel de saturao do circuito da Figura abaixo, ou seja, o valor


de IC considerando o transistor trabalhando na regio da saturao (ICsat).

Resp.: 5,45 mA
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Polarizao
Observe, na Figura abaixo, que a d.d.p. entre Coletor e Emissor igual a d.d.p.

no ponto C (medida com respeito referncia), ou seja, VCE = VC, pois VE = 0.

Questes: porque a d.d.p. VCE = VCC para o caso da base estar aberta? Em
que regio de sua polarizao est o transistor?
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Polarizao Linha de Carga


Utilizando a polarizao pela base, tem-se:

Observao: a expresso acima obtida aplicando-se a Lei de Kirchhoff na


malha de sada.
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Polarizao Como obter a Linha de Carga


Parte 1: Determinar a mxima corrente de coletor (Saturao):

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Polarizao Como obter a Linha de Carga


Parte 2: Determinar a d.d.p. VCE quando a corrente de coletor nula (Corte):

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Polarizao Linha de Carga Caractersticas do circuito.

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Polarizao Linha de Carga


Linha de carga para polarizao fixa.

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Polarizao Linha de Carga


Movimento do ponto Q com valores crescentes de IB.

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Polarizao Linha de Carga


Efeito do aumento no valor de RC na reta de carga e no ponto Q.

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Polarizao Linha de Carga


Efeito da variao de VCC na reta de carga e no ponto Q.

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Polarizao Linha de Carga


Exemplo: Dada a linha de carga e o ponto Q da Figura abaixo, determine os valores exigidos de VCC, RC e RB para uma configurao fixa.

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Polarizao Linha de Carga


Soluo:

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Polarizao Resistor de Emissor


Apartir da Figura abaixo e usando a malha de sada (ou do coletor), tem-se:

VCE I E RE VCC I C RC 0

I E @ IC
VCC VCE IC @ RC RE
VCC I Csat RC RE

Circuito da malha coletor-emissor.

VCEcorte VCC

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Polarizao Resistor de Emissor

Circuito de polarizao do TBJ com resistor de emissor.

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Polarizao Linha de Carga


Linha de carga caractersticas do circuito.

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Polarizao Linha de Carga Exemplo:


Para o circuito da Figura abaixo, determine IB; IC; VCE; VC; VE; VB e VBC.

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Polarizao Linha de Carga


Soluo:

20 0,7 IC @ 2,01mA 3 3 1.10 430.10 50


2,01.103 IB 40,2A 50

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Polarizao Linha de Carga


Soluo:

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Polarizao Linha de Carga


Exemplo:

Calcule o valor da corrente de saturao do coletor na Figura abaixo. A


seguir, calcule a corrente do coletor para os valores CC = 100 e CC = 300.

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Polarizao Linha de Carga


Soluo: A corrente saturada do coletor

15 I Csat 14,9mA 910 100


Quando CC = 100:

IC

15 0,7 3,25mA 3 100 430.10 / 100

Quando CC = 300:

15 0,7 IC 9,33mA 3 100 430.10 / 300


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Recapitulao para a P1
Aula 1 Semicondutores - Dopagem - Impurezas - Ionizao - Recombinao - Influncia da temperatura - Portadores de carga - Semicondutores e condutores - Potencial trmico

Aula 2 Prtica 1
- Circuito RC - Determinao experimental da capacitncia

- Fontes de erro experimental


- Influncia da resistncia interna do gerador de sinais - Divisores de tenso e de corrente

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Recapitulao para a P1
Aula 3 Diodos - Barreira de Potencial - Camada de depleo - Correntes no diodo Aula 4 Prtica 2 - Polarizaes direta e reversa - LED e sensores de luminosidade - Curva caracterstica

- Modelos (ou aproximaes) - Tenso de ruptura

- Significado das d.d.p.s medidas pelo multmetro (modos AC e DC)


- Influncia de R e C no retificador com filtro RC - Influncia da barreira de potencial sobre o sinal retificado Aula 5 Aplicaes de diodos parte 1 - Retificadores - Filtro RC - Ondulao - PIV
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- Tenses e correntes no diodo: especificaes tcnicas


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Recapitulao para a P1
Aula 6 Prtica 3 - Regulador: critrio para verificao do funcinamento - Duplicador de tenso eltrica e dependncia da carga

- Grampeador
Aula 7 Aplicaes de diodos parte 2 - Reta de carga e Ponto Quiescente

- Projeto de regulador simples


- Diferentes aplicaes: circuitos, formas de onda e especificao(es) do(s) diodo(s) Aula 8 Prtica 4 - Levantamento de curva caracterstica de transistor - Tenses e correntes em circuito polarizado por diviso de tenso na base - Dependncia com a temperatura - Porta lgica a transistor
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Recapitulao para a P1
Aulas 9a 9b e 10 Lista de exerccios, Introduo aos transistores e Recapitulao - Curvas caractersticas - Princpio - Ponto de Operao

- Regies de operao
- Correntes e tenses em circuito polarizado - Capacitores de acoplamento

- Polarizao (significado)
- Especificaes tcnicas Importante:

- Mais tpicos abordados devem ser verificados nas demais apresentaes das aulas.
- Encontrar e estudar os captulos correspondentes na Bibliografia bsica. - Existem exerccios propostos e resolvidos nos livros textos (ou com a resposta). 53
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Exerccios
Para os exerccios 1 e 2, assinale a alternativa correta. 1) O ganho de corrente de um transistor definido como a razo da corrente do coletor pela a. Corrente de base. b. Corrente do emissor. c. Corrente da fonte. d. Corrente do coletor. 2) Se o valor do resistor da base for muito baixo, o transistor operar na a. Regio de corte. b. Regio ativa. c. Regio de saturao.

d. Regio de ruptura.
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Exerccios
3) Quais so os valores da corrente de saturao e da tenso de corte na Figura abaixo?

Resp.:

ICsat = 10 mA;
VCEcorte = 30 V.

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Exerccios
4) Na Figura abaixo, qual ser a tenso entre o coletor e o terra se o ganho de corrente for de 200?

Resp.:

VCE = 13,86 V.

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Exerccios
5) Qual a tenso no coletor na Figura abaixo? E a tenso no emissor?

Resp.: VC = 10 V;

VE = 1,8 V.
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Exerccios
6) Para o circuito ao lado, determine, IB, RB, RC, IE e RE. Dados do Transistor VBE = 0,7 V Dados do Projeto VCC = 10 V VCE = 50% de VCC VRE = 10% de VCC IC = 20 mA

= 100

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Exerccios
12) A configurao com polarizao do emissor da Figura a seguir tem as seguintes especificaes ICQ = 0,5.ICsat , com ICsat = 8 mA, VC = 18 V e = 110. Determine RC , RE e RB.

Resp.:

RC = 2,5 kW
RE = 1 kW RB = 639,8 kW
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