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Disear un amplificador bajo especificaciones como son: Ganancia de Voltaje ,Impedancia, Frecuencias de corte.
Introduccin. El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico semiconductor de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, lo cual permite controlar el paso dela corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades, y son de gran utilidad ya que cumplen funciones como amplificador; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y generalmente se usan en la electrnica analgica. Un transistor de unin bipolar consta de tres regiones, la cuales seran: Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que este terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base: la de posicin intermedia y muy estrecha, la cual separa el emisor del colector. Colector: de extensin mucho mayor Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: - Activa Directa: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. - Saturacin: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. - Corte: El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). 3. Activa Inversa: Esta zona se puede considerar como carente de inters.
Punto Q
Vceq
Veq
Ieq
Ibq
Ubicacin
Medido Calculado
4.92 v 6v
1.07 v 0.9 v
1.189 mA 1 mA
1.088 mA 1 mA
5.7 uA 5.56 uA
Punto Q
Vceq
Veq
Ieq
Ibq
Ubicacin
Medido Calculado
4.92 v 6v
1.07 v 0.9 v
1.18 mA 1 mA
1.087 mA 1 mA
5.8 uA 5.56 uA
Conclusiones En esta parte de la prctica podemos observar que los valores de operacin del punto Q son los mismos con y sin capacitor en emisor, esto tambin nos permite verificar que los capacitores en corriente continua se comportan como circuito abierto.
Potencia Disipada
Sin capacitor en Emisor PRB PRE 0.625 mW 0.575 mW 1.17 mW 0.9 mW
Frecuencia de corte en altas Frecuencias Sin CE Con CE 350 KHz 260 KHz
Conclusiones: Con esta prctica se pudo aprender el manejo del transistor bipolar (BJT) como amplificador de pequeas seales, se pudo apreciar muchas caractersticas en nuestro circuito amplificador entre las cuales una de las ms interesantes fue el efecto de un capacitor en emisor, dichos efectos fueron por ejemplo el aumento de ganancia de voltaje y el efecto en las frecuencias de corte del amplificador. Tambin se pudo observar que la onda de salida (onda amplificada) est limitada por el valor de voltaje DC con el que se alimente al circuito.