Practica 10 Amplificador con BJT en Emisor Comn

Silva Prez Edzna Claudia Shle Gngora Jessica Villa Aguirre Karen Susana Facultad de Ciencias, UNAM. Laboratorio de Electrnica, 2014-I

1. Resumen. En est prctica construimos y estudiamos un amplificador con BJT en emisor comn en tres circuitos en el primer circuito (ver Figura 10) obtuvimos los siguientes valores VCEQ, = 5.6.05v, ICQ =12.41.05A y IBQ=24.5A, en el segundo circuito (ver Figura 11) observamos que el circuito amplificaba la onda y la inverta, y en el tercer circuito los resultados no fueron los esperados debido a problemas con el equipo que utilizamos a la hora de su realizacin. Objetivo: Construir y estudiar un amplificador BJT en emisor comn midiendo VCEQ, ICQ e IBQ, adems se medirn los voltajes y corrientes de todo circuito a travs del osciloscopio y el multmetro digital. 2. Introduccin. Un amplificador establece una relacin generalmente lineal entre una seal de entrada y una seal de salida. El transistor bipolar de unin BJT es un dispositivo que amplifica la intensidad de corriente. Se caracteriza porque la corriente de salida es controlada por la corriente de entrada y amplificada en un factor llamado . De ah se dice que la corriente de salida es una variable

que depende tanto de la intensidad de corriente a la entrada como de la del transistor. Hay tres configuraciones bsicas para el BJT que dependen de donde se aplique la seal de entrada y la seal de salida: * Configuracin en Emisor Comn. * Configuracin en Colector Comn * Configuracin en Base Comn. Configuracin en Emisor Comn Cuando la seal de entrada se aplica por la base del transistor y la seal de salida se toma del Colector, se tiene una configuracin en Emisor Comn, ver Figura 1, la cual se caracteriza por ser el amplificador por excelencia debido a que amplifica voltaje como corriente.

Figura 1. Configuracin en Emisor Comn. Configuracin en Colector Comn Cuando la seal de entrada se aplica por la base del transistor y la seal de salida se toma del Emisor, se tiene una configuracin en Colector Comn, ver Figura 2, la cual se caracteriza por ser presentar una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, por lo que se usa como adaptador de impedancias y como amplificador de corriente.

Figura 2. Configuracin en Colector Comn. Configuracin en Base Comn Cuando la seal de entrada se aplica por el emisor del transistor y la seal de salida se toma del Colector, se tiene una configuracin en Base Comn, ver Figura 3, la cual se utiliza para amplificar voltaje.

Figura 3. Configuracin en Base Comn. La polarizacin de un circuito hace referencia a las fuentes de corriente directa (fuentes reguladas, bateras, pilas) que se utilicen para alimentar el circuito. Para el caso particular del transistor bipolar, la polarizacin busca obtener un punto de funcionamiento en una regin especfica, ver Figura 4, es decir busca establecer un valor fijo de voltaje entre el terminal de colector y emisor y un valor fijo de corriente de colector, que hagan que el punto de operacin del transistor est en una regin de operacin especfica.

Figura 4. Regiones de operacin del transistor. El modelo equivalente hibrido del BJT se puede utilizar para representar cualquier sistema o dispositivo de dos pares de terminales (un par de entrada y uno de salida). Para el caso especfico del Transistor de Juntura Bipolar el modelo equivalente hibrido simplificado es el de la figura 5.

Figura 5. Transitor de juntura bipolar. hie representa la resistencia equivalente entre la Terminal de base y la Terminal de emisor, hfe es la ganancia de corriente en directa del transistor, tambin conocida como , y ib es la corriente de base en condiciones de corriente alterna. Cuando se tiene una seal con excursin simtrica el valor pico positivo tiene igual magnitud al valor pico negativo. Y se dice que la excursin simtrica es mxima cuando alcanza los valores mximos permisibles en el circuito, es decir, que alcanza los valores hasta donde la seal de salida

es proporcional a la seal de entrada. Ms all de estos valores, la seal de salida saldra distorsionada. Para el caso particular de amplificadores con BJT, la excursin de la seal de salida depende de la ubicacin del punto de operacin sobre la recta de carga de corriente alterna y para lograr tener la mxima excursin simtrica el punto de operacin debe ubicarse en la mitad de esta recta de carga, cualquier otra ubicacin del punto de operacin origina una seal de salida de una amplitud simtrica menor a la permitida por el circuito, ver Figura 6. La ecuacin que define la recta de carga de corriente alterna es: [1]

Donde y son los valores instantneos de corriente de colector y voltaje colector-emisor (valores de AC) e y son los valores de corriente y voltaje producto de la polarizacin del transistor.

Figura 6. Grfica de ecuacin [1] el punto de operacin esta a la mitad de la recta para obtener la mxima excursin simtrica. Pasos del proceso de diseo: 1. Seleccionar el transistor BJT BC547X donde X={A,B,C} y seleccionar el ancho de banda f [20 Hz, 20KHz].

Figura 7. Circuito a realizarse.

2. Calcular Rc a partir de la ecuacin de la ganancia de tensin del circuito a realizarse:

[2] [3]

Donde hie,hre, hfe y hoe son valores conocidos. 3. Calcular RE a partir de la eficiencia : [4]

[5]

4. Encontrar Vcc a partir de la siguiente ecuacin: [6] ver Figura 7.

Figura 7. Amplificador con BJT en emisor comn

5. Obtener la recta de carga del circuito de la Figura 8:

Figura 8.

Partiendo del circuito anterior:

[7] [8]

6. Obtener

de la siguiente ecuacin:

[9]

7. Calcular RB, donde RB<< RE: [10]

8. Calcular VBB: [11]

9. Calcular RB1 y RB2 de las siguientes ecuaciones:

[12] Y [13]

10. Calcular Ce donde: [14]

11. Calcula Ci: [15]

12. Calcular Ai con la siguiente ecuacin: [16]

13. Calcula Ap con la siguiente ecuacin: [17]