1 UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

Informe Amplificador Fuente Comn carga activa

Erika Zrate 2092017 Andrs Serrano 2092021 Presentado a: Andrs Amaya 0,00008 I. INTRODUCCION Un amplificador de voltaje es un dispositivo a cuya salida aparece un voltaje o una corriente proporcional al voltaje de entrada. En el caso de un amplificador que entregue voltaje, adems de la ganancia en lazo abierto del amplificador, se deben conseguir las caractersticas de impedancia de entrada infinita e impedancia de salida cero para que el amplificador sea ideal. La impedancia de entrada infinita tiene el objetivo de hacer que el amplificador vea todo el voltaje que se quiere amplificar y la impedancia de salida cero hace que todo el voltaje amplificado sea entregado a la carga sin importar el valor de esta. 0,00007 0,00006 0,00005 0,00004 0,00003 0,00002 0,00001 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 vgs=0.8 Vgs=1 Vgs=1.2 Vgs=1.4 Vgs=1.6

Grafica 2.Ids vs Vds (N-mos)

I. DISEO Con el modelo dado de los transistores Nmos y P-mos se procedi a calcular los parmetros del mosfet como se muestra a continuacin: lo primero que se realizo fue la siguiente conexin 0 -0,000002 -0,000004

Vsg=0.8 Vsg=1 Vsg=1,2 Vsg=1,4 Vsg=1,6

-0,000006
-0,000008 -0,00001 -0,000012 -0,000014

-0,000016
-0,000018 -0,00002 Grafica 3. Ids vs Vds (P-mos) Para hallar Va se linealizo cada una de las partes de la grfica en las cuales el mosfet se hallaba en saturacin, luego se promediaron estos Va respectivamente y se les hallo su inverso Lambda : 1 = arrojando los siguientes resultados: = 6,32 3 = 8,77193 3

Grafica 1. Caracterizacin del mosfet Se hizo un barrido en DC variando Vds para hallar el valor de Va para diferentes valores de Vgs, los datos de la simulacin se importaron a Excel donde se pudo maniobrar con estas graficas que se muestran a continuacin:

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El parmetro gamma se halla de la pendiente de la grfica de Vth vs 2 + Vsb Ahora, manteniendo Vds constante se realiazo un barrido de Vgs para diferentes valores de Vsb empezando con Vsb=0 (sin efecto cuerpo) de donde se obtuvo el valor de Vth, graficando raz de Id vs Vgs y mirando el intercepto con el eje x, los dems valores de Vth que se obtuvieron para diferentes valores de Vsb fueron usados para hallar la constante de efecto cuerpo. 1 0,8

Vt vs(2+Vsb) y = 0,5967x + 0,3771

vsb vs fermin Lineal (vsb vs fermin) 0 0,5 1

0,6
0,4 0,2

0,02 0,015 0,01 0,005 0 0 1

Vsb=0
Ids = 0,007Vgs - 0,0027
Vsb=0 Lineal (Vsb=0) 1 2 3 0,8 0,6 Grafica 4.Parte lineal de Ids vs Vgs ( N-mos Vsb=0)

0 Grafica 6. Vth vs 2 + 2 (N-mos) gamma= 1,4131

Vt vs (2+) 2

Vt vs fermin

y = 0,5499x + 0,4959

0,4

Lineal (Vt vs fermin) Lineal (Vt vs fermin)

Vsb=0
0,01 0,008 0,006 0,004 0,002 0 Isd= 0,0044Vgs - 0,0028 Series1 Lineal (Series1)

0,2 0 0 0,5 1 Grafica 7. Vth vs 2 + 2

( P-mos)

P-mos gamma = 0,5499 As pues caracterizados los mosfet se procedi a realizar el clculo de los parmetros Id, Vgs, R, Vds que cumpliera con las siguientes condiciones: Av >= 35 dB Pot total <= 1 mW 1 <= (W/L) <= 50
V+ V+

Grafica 5. Parte lineal de Ids vs Vgs ( P-mos Vsb=0) De estas graficas se obtuvo Vthn=0,385714286, Vthp=0,636363. Adems de estas graficas tambin se obtuvo un valor de kn(w/l)=98u y uno de kp(w/l)=38,72u que salieron de la pendiente de la grfica . Cabe anotar que las pendientes para los diferentes Vsb no cambiaron, cosa que era de esperarse pues se supone que el kn(w/l) es nico y un cambio en Vsb no lo altera en nada.

M3

M2 Vo R M1A

Vi

0 0 Grafica 8. Esquema del amplificador fuente comn carga activa

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II. PERFIL DE SIMULACIN Primero que nada partamos de la condicin de potencia, que dice que el consumo total de potencia del circuito debe ser menor o igual a 1 mW, entonces con esta restriccin tenemos otra restriccin para la corriente: 1m w <= 2id*3.3 ; id id<= 151,5151 uA No se va a trabajar en el lmite sino que se va a suponer un valor que este lejos de este lmite. As pues partimos de Id=1uA. Para el presente diseo se decidi usar un espejo de corriente simple que a su vez sirva de carga activa para el amplificador fuente comn y la corriente ser controlada por medio de una resistencia. Lo primero a calcular ser Vgs, despejndose de la ecuacin 1 = (1 )2 (1 + 1) 2 La relacin (w/l) que se va a trabajar ser de 1, el valor de Vds ser Vdd/2 para que la onda de salida se encuentre en la mitad del riel de alimentacin y se pueda aprovechar al mximo el rango de excursin, con estos valores se despeja Vgs cuyo valor fue de Vgs= 0,5282. Miremos ahora la ganancia terica a la que se debera llegar con este valor de corriente = 2 (/) 1 + = 928,5758 Se verifica que el mosfet 1 haya quedado en saturacin mediante la ecuacin
3.0V

Los modelos de los mosfet usados fueron los siguientes: .model Mbreakn NMOS vto=0.385714286 kp=98u lambda=6.32m .model Mbreakp PMOS vto=-0.63636363 kp=38.72u lambda=8.77193m Inicialmente con este valor de resistencia arroj una corriente menor a la estipulada, de 0,819 uA; hubo necesidad de disminuir esta resistencia a fin de aumentar la corriente del espejo hasta 1 uA, este valor fue precisado para una R=2,445 Mega ohms, algo menor de la inicialmente calculada

Grafica 9.Simulacin

1 1,65 0,5282 0,385714286

2.0V

Que efectivamente se cumple y adems es el valor mnimo del rango de excursin. Haciendo una malla en el lado de la resistencia se tiene que = ( + 1/3) 1 = ( + )
2( )

1.0V

0V 0s V(V1:+) 10ms V(M2:d) 20ms 30ms 40ms 50ms Time 60ms 70ms 80ms 90ms 100ms

Grafica 10.Ganancia del circuito

Despejando el valor de R de la ecuacin se llega a R=3,1 Mega ohms.

La ganancia en la simulacin fue de: = }

1,8839 0,002

= 941,95 = 59.4 dB

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Para saber el rango de excursin real de la onda se utiliz una onda de entrada que saturara su salida (7 mV), el valor obtenido fue de 3,026Ahora se va a mirar el consumo de potencia: Pt=2u*3.3 = 6.6 uW Este es un resmen de lo arrojado por la simulacin del amplificador fuente comn carga activa: Av=59.4 db Drout = 3.026 V Pt = 6.6 uW W/L usado = 1

OBSERVACIONES Se tuvo el inconveniente de que la resistencia que controlaba la corriente que pasaba por el mosfet inicialmente arroj un valor que hubo despus necesidad de modificar para tener la corriente deseada e hiciera que los datos se correspondieran con los calculados. CONCLUSIONES Los parmetros iniciales suministrados por el profesor en clase hacan variar mucho la corriente y no se vea el comportamiento tpico de un mosfet en ella, por eso hubo necesidad de hallar los parmetros equivalentes de level 1 y trabajar con ellos para el amplificador. Es evidente cuan efectivo es el uso de un espejo de corriente simple para hacer una copia de la misma, el espejo utilizado copi una corriente de 997 uA a 1,005 uA y el rango de excursin es bastante grande, abarca casi todo Vdd, adems el espejo sirvi como carga activa haciendo posible la alta ganancia obtenida. A la hora de caracterizar el mosfet con el modelo dado es importante tomar una frecuencia de datos bastante alta, se us una de 0,001 la cual permiti tener ms precisin a la hora de caracterizar el mismo