TRANSISTOR BJT 1- INTRODUCCIN: Sera imposible entender la evolucin de la electrnica digital en general, y de la informtica en particular sin una buena

comprensin de lo que es, y lo que ha aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a reemplazar a un dispositivo denominado tubo de vaco (los tubos de vaco an se emplean en electrnica de potencia, cuando son necesarias elevadsimas ganancias, por ejemplo en amplificadores para trasmisin va satlite). El transistor es
un dispositivo que ha originado una evolucin en el campo electrnico.

En este tema se introducen las principales caractersticas bsicas del transistor bipolar y se estudian los modelos bsicos de estos dispositivos y su utilizacin en el anlisis los circuitos de polarizacin. Polarizar un transistor es una condicin previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo. Es necesario destacar que el desarrollo del transistor se apoya en mltiples disciplinas cientficas que abarcan la qumica, la fsica y la ingeniera de materiales entre otras.

2- MARCO TERICO El transistor de unin bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnologa en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de transistores mas usados en la actualidad. Un transistor posee tres terminales (base, colector y emisor) las cuales se muestran en la ilustracin de la representacin esquemtica de un transistor PNP y NPN respectivamente.

Smbolo y tipos de transistor BJT

Estructura interna del transistor BJT

Fig N 1: Representacin de un transistor BJT

3- CORRIENTES EN UN TRANSISTOR DE UNIN O BJT

Fig N 2: Smbolos y sentidos de referencia para un transistor bipolar a) NPN y b) PNP.

Un transistor bipolar de unin esta formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el transistor esta constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la regin de base muy delgada (< 1m). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientesy tensiones en los terminales del transistor se muestran en la figura 2.a para un transistor NPN y en la figura 2.b a un PNP. En ambos casos se verifica que:

Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, para un transistor NPN, son: F = 0.99, R= 0.66, IES = 10-15A, ICS = 10-15

donde IES y ICS representan las corrientes de saturacin para las uniones emisor y colector, respectivamente,aF el factor de defecto y aR la fraccin de inyeccin de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP, lasecuaciones de EbersMoll son:

4- ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BJT: 1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector. 2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. 3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan practicamente nulas (y en especial Ic). 4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters. 5. REGIN DE RUPTURA: Las tensiones mximas que pueden soportar las uniones pn inversamente polarizadas se denominan tensiones de ruptura. Cuando se alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del transistor debido a dos fenmenos: ruptura por avalancha y ruptura por perforacin.

Fig N 3: Regiones de operacin del BJT

1.- Zona ACTIVA (activa directa) Unin E-B: directamente polarizada Unin C-B: inversamente polarizada

2.- Zona de CORTE Unin E-B: inversamente polarizada Unin C-B: inversamente polarizada La corriente por el transistor (colector-emisor) es muy pequea (transistor CORTADO) 3.- Zona de SATURACIN Unin E-B: directamente polarizada Unin C-B: directamente polarizada IB tiende a provocar una IC mayor que la que permite el circuito externo de polarizacin.

Fig N 4: Forma fsica de un transistor

5- PUNTO DE TRABAJO Q Conjunto de corrientes y tensiones que aparecen en los terminales del dispositivo: VCEQ, ICQ Es un punto de reposo (en continua). Deben satisfacerse simultneamente: Las curvas caractersticas del transistor (Limitaciones especificadas por el fabricante) Las ecuaciones del circuito de polarizacin exterior (Limitaciones impuestas por los componentes)

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la siguiente figura.

6- CONFIGURACIONES BSICAS DEL TRANSISTOR Los transistores son elementos muy verstiles. Podemos conectarlos dentro de un circuito de muy diferentes maneras, obteniendo distintos comportamientos. Por ejemplo se puede conseguir ganancia en tensin, en intensidad o en ambas, segn la clase configuracin.

a.- Configuracin emisor comn La tensin de entrada se aplica entre base y emisor, y la tensin amplificada se obtiene entre colector y emisor. Esta configuracin se denomina amplificador con emisor comn, y es el circuito ms utilizado por su alta ganancia de tensin y corriente. Para que una seal sea amplificada tiene que ser una seal de corriente alterna. En un amplificador de transistores estn involucradas los dos tipos de corrientes (alterna y continua). La seal alterna es la seal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto de operacin del amplificador. Este punto de operacin permitir que la seal amplificada no sea distorsionada.

b.- Configuracin base comn Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores, por esto es la menos usada de las tres y se dice que no tiene ganancia

c.- Configuracin colector comn El amplificador seguidor emisor, tambin llamado colector comn, es muy til pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja. Esta configuracin slo tiene ganancia de corriente, siendo la tensin de salida apenas 0,6V inferior a la de entrada

7- TIPOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR Por realimentacin del emisor Las tensiones adecuadas de VBE y VCE se consiguen eligiendo adecuadamente las resistencias VBE = VCC - VRB - VRE VCE = VCC - VRC - VRE Un aumento de temperatura o de beta provoca un aumento de IC y por tanto de IE y de la tensin en RE Por realimentacin del colector La cada de tensin en RC es comn al circuito de entrada y al de salida VBE = VCC - VRC - VRB VCE = VCC - VRC Es ms estable ante los cambios de temperatura y de beta ya que si aumenta IC lo hace VRC lo que hace disminuir la tensin en RB y por tanto la corriente de base. Por realimentacin del emisor con divisor de tensin. Es una variante de la polarizacin por realimentacin del emisor donde la tensin en la base se consigue mediante un divisor de tensin (RB1 y RB2). VBE = VCC - VRB1 - VRE

8- AMPLIFICACION CON TRANSISTORES:

Un amplificador es un sistema que aumenta la potencia de una seal. La seal proviene de una fuente y se aplica a una carga.

Fuente Podemos representar la fuente como de tensin o de corriente mediante equivalentes Thevenin o Norton.

Carga Representamos la carga como una resistencia.

Impedancia de entrada Es la relacin entre la tensin y la corriente a la entrada del amplificador.

Ganancia e impedancia de entrada

La salida del amplificador equivalentes Thevenin o Norton.

se

puede

representar

mediante

La tensin y corriente de salida son proporcionales a la tensin y corriente de entrada.

Ganancia de tensin a circuito abierto: Ganancia de corriente en cortocircuito: Ganancia de transconductancia en cortocircuito: Ganancia de transimpedancia a circuito abierto:

La tensin y corriente en la salida se ven afectadas por la impedancia de salida, Ro.

Amplificador de tensin

Ganancia de tensin

Amplificador de tensin ideal: Si Ri >> rs y Ro << RL A'v Av Av0

Amplificador de corriente

Ganancia de corriente

Amplificador de corriente ideal: Si Ri << rs y Ro >> RL A'l Al Al0 Amplificadores acoplados En ocasiones es necesario acoplar varios amplificadores en cascada:

La carga del amplificador 1 es la resistencia de entrada del amplificador 2. La fuente del amplificador 2 es la salida del amplificador 1.

Ganancia de tensin

Impedancia de entrada

Ganancia de corriente

Impedancia de salida

9- AMPLIFICADORES PROBLEMAS

TRANSISTORES

BIPOLARES:

SOLUCIN

DE

Procedimiento general de anlisis Anlisis del circuito de polarizacin 1. Eliminar las fuentes de seal. Mantener las de continua. 2. Sustituir los condensadores circuitos abiertos. de acoplamiento y desacoplo por

3. Sustituir los transistores por su modelo de continua. 4. Hallar el punto de polarizacin de cada transistor. Parmetros de pequea seal 5. De los datos de polarizacin del transistor, obtener los parmetros del modelo de pequea seal (rp , gm...) Anlisis de pequea seal 6. Eliminar las fuentes de continua, mantener las de seal. 7. Sustituir los condensador de acoplamiento y desacoplo por cortocircuitos. 8. Sustituir los transistores por su modelo de pequea seal. 9. Hallar los parmetros que caracterizan el amplificador (Av, Ri...) Emisor comn: Amplificador en emisor comn con resistencia de emisor parcialmente desacoplada

C1 y C2: condensadores de acoplamiento. CE: condensador de desacoplo de RE2

Circuito de polarizacin Recta de carga esttica

Punto de trabajo

Con

Equivalente de pequea seal

Recta de carga dinmica