CAPTULO I INTRODUCCIN

En la actualidad la actividad industrial afecta principalmente al ecosistema a travs de emisiones a la atmsfera de sustancias nocivas como el monxido de carbono (CO), hidrgeno (H2), dixido de carbono (CO2) y cido sulfhdrico (H2S). Estos gases contribuyen al efecto invernadero debido a que deterioran la capa de ozono, permitiendo el ingreso de mayor radiacin ultravioleta en la corteza terrestre, produciendo adems envenenamiento y/o enfermedades cardio-respiratorias (reducen la capacidad de transporte de oxgeno en la sangre) a las personas expuestas en zonas industriales [1].

Para controlar la emisin de estos gases atmosfricos se estn utilizando sensores de gases a base de semiconductores de oxido de zinc (ZnO), por su alta estabilidad electroqumica y excelentes propiedades pticas y electrnicas. Estos sensores son fabricados utilizando diferentes mtodos de sntesis: sputtering, deposicin por vapor qumico (CVD), spray pirolisis, y procesos sol-gel [2, 3, 4]. Obtenindose pelculas de alta calidad estructural pero aun con ciertas restricciones relacionadas con la sensibilidad que es relativamente baja. Con el propsito de aumentar la sensibilidad se han sintetizado pelculas de ZnO dopndolas con diferentes partculas metlicas: plata (Ag), cobre (Cu), aluminio (Al), etc. La mayora de estos avances relacionados con la sntesis de pelculas sensoras de ZnO se ha orientado al estudio de sus propiedades electrnicas para evaluar su sensibilidad, siendo muy pocas las investigaciones considerando sus propiedades pticas [5, 6, 7, 8].

Por tal razn este trabajo de investigacin se orienta al estudio de las propiedades pticas para evaluar la sensibilidad de pelculas sensoras de ZnO; con esta finalidad se

sintetizarn por sol-gel, pelculas de ZnO utilizando como dopante nanopartculas de Au, por ser excelentes catalizadoras de la sensibilizacin qumica [8]. Se estudiar especficamente la influencia del tratamiento trmico sobre la sensibilidad de la pelcula por evaluacin de la absorbancia ptica con el objetivo de encontrar los parmetros de sntesis y condiciones de servicio ptimos.

1.1. Antecedentes Pelculas de ZnO de buena calidad; muy transparente en la regin visible y con bajas resistividades () pequeas en el orden de 10-4 .cm, se han sintetizado por mtodos en atmsfera controlada: magnetrn sputtering [9], y en ultra al alto vaco como epitaxia de haces moleculares (molecular beam epitaxy), ste ltimo extremadamente caro [9, 10]. Con la tcnica de deposicin de vapor qumico metal orgnico (MOCVD) se han obtenido pelculas delgadas de ZnO con resistividades del orden 1.2x10-3 -cm usando dietilzinc (Zn (C2H5)2) y agua con fuentes materiales [11]. Sin embargo es difcil conseguir compuestos alqulicos como el dietilzinc y el dimetilzinc, y adems resulta difcil manejar como fuentes de zinc en la tcnica de MOCVD. Recientemente se han utilizado compuestos de sales metlicas diferentes como el acetilacetonato de zinc (Zn (C5H7O2)2) y el acetato de zinc (Zn (CH3COO)2), los cuales son ms fcil de obtener [12]. As tambin se obtuvieron pelculas de ZnO mediante CVD usando Zn (C5H7O2)2 y algunas fuentes de oxgeno como agua y/o perxido de hidrgeno (H2O2); reportndose en la literatura que el uso de estos materiales mejoran las propiedades fsicas de las pelculas delgadas de ZnO [13]. El uso de acetilacetonato y la adicin de ozono durante el depsito por CVD disminuyen la resistividad de las pelculas de ZnO de aproximadamente 1x100 a 1x10-2 -cm. Sin embargo, otros factores como la

temperatura y el procedimiento de depsito de la pelcula influyen significativamente en la calidad de stas [14].

Entre algunas investigaciones en pelculas delgadas de ZnO, tenemos: Comina y Rodrguez, implementaron un sistema que supervisa in-situ el espesor y calcula el perfil de una pelcula delgada. El perfil de la pelcula se determin a partir de los patrones de reflexin de rayos X, para puntos separados a 0.5cm ubicados en lneas rectas sobre el substrato. Se estudi el crecimiento de una pelcula delgada de ZnO fabricada por rociado piroltico. Las micrografas SEM mostraron que la superficie de la pelcula est formada por partculas de forma alargada, las cuales se hacen ms redondas y grandes cuando la pelcula se hace ms gruesa [15].

Zhengguo y Wei, sintetizaron pelculas porosas de ZnO sobre substratos de vidrio por el mtodo sol-gel usando polietilenglicol (PEG) como solvente orgnico, acetato de zinc como precursor, etanol como solvente y dietanolamina como ligante funcional, determinando que la pelcula formada es altamente dependiente de la concentracin del acetato de zinc, del PEG y de la temperatura de bao acuoso, siendo pre-tratado el sol a 70 C durante 1 hora antes de la deposicin y sinterizacin a 500 C [16].

Ferro, estudi pelculas delgadas ZnO sin dopar y dopadas con Indio (In), preparadas sobre substratos de almina por la tcnica de rociado piroltico para usarlas como sensores de NO2. Mediante microscopa electrnica de barrido se determin un espesor de capa de 200 nm y una alta rugosidad superficial que aumenta el rea efectiva de adsorcin del dixido de nitrgeno (NO2). Demostr que las pelculas dopadas con In

presentan alta sensibilidad y selectividad para la deteccin de NO2 respecto a las pelculas sin dopar [17].

Martnez, sintetiz pelculas delgadas de xido de zinc, preparadas sobre substratos de vidrio por rociado piroltico ultrasnico, sin roco y con roco adicional de agua; para usarlas como sensores de CO2. Las pelculas fueron tratadas trmicamente a 350 C en una atmsfera de hidrgeno. El ensayo para sensor de CO2 se realiz va la tcnica ptica de Reflexin Interna Total (RIT) a temperatura ambiente; mostrando alta sensibilidad para la deteccin de CO2 en pelculas depositadas con adicin de agua, respecto de aquellas que se depositaron sin adicin de agua [18].

Morales, estudio pelculas dopadas y sin dopar de ZnO preparadas sobre substratos de almina por la tcnica de rociado piroltico para usarlas como sensores de gas. Las pelculas se doparon con Al, Cu, In y Sn. La difraccin de rayos X mostro que el tamao de grano y su direccin preferencial de crecimiento dependen del tipo y cantidad de dopante. La pelcula dopada de ZnO tiene una menor conductancia en comparacin con la pelcula sin dopar. Las muestras dopadas con Sn, Al, Cu e In muestran una mayor sensibilidad para la deteccin de etanol respecto a la pelcula sin dopar. En particular, la pelcula de ZnO dopada con Sn es la ms sensible para detectar bajas concentraciones de etanol [19].

Huang, sintetizaron pelculas de nanohilos policristalinos de ZnO-SnO2 sobre una superficie de silicio nitrurado; ensayadas para sensores de gases de CO e H2, determinando que su lmite de deteccin de CO es de 20 ppm y de H2 es 500 ppm [20].

Korhsand y colaboradores, sintetizaron nanopartculas de ZnO por el mtodo sol-gel usando compuestos gelatinosos como estabilizantes, obteniendo una estructura hexagonal (wurtzita) y tamaos de nanopartculas entre 30-60 nm [21].

Daz y Otiniano, estudiaron un compuesto semiconductor de ZnO-NiO dopado con 3% mol de nanopartculas de Au, sintetizado por el mtodo sol-gel, depositada la pelcula sobre substratos de silicio y vidrio mediante spin coating y recocida a 500 C; ensayadas mediante la tcnica de absorbancia ptica para sensores de gases de H2 y CO (1% V/V) a 300C, determinando un espesor de capa de 75 nm y nanopartculas de Au del tamao entre 14-19 nm; demostrando que este sensor da ptimos resultados para el H2, pero no as para el CO [22].

1.2. Sensores de Gases Un sensor es un dispositivo capaz de detectar magnitudes fsicas o qumicas, llamadas variables de instrumentacin, y transformarlas en variables elctricas. Las variables de instrumentacin pueden ser por ejemplo: temperatura, gases, intensidad lumnica, distancia, aceleracin, inclinacin, desplazamiento, presin, fuerza, torsin, humedad, pH, etc. Una magnitud elctrica puede ser una resistencia elctrica, una capacidad elctrica (como en un sensor de humedad), una Tensin elctrica (como en un termopar o en sensor de efecto Hall), una corriente elctrica (como en un fototransistor), etc [37]. Una de las tendencias actuales es la bsqueda de tecnologas que permitan desarrollar mtodos de anlisis rpidos, baratos, con instrumentacin sencilla y a ser posible porttil que posibiliten el anlisis in situ, en tiempo real, que simplifiquen todo el proceso analtico y descongestionen la realidad de los anlisis en el laboratorio que no sean realmente necesarios. Los sensores pretenden de alguna manera emular o sustituir

a los sentidos mediante los cuales los seres vivos interaccionan y se relacionan con el medio ambiente. En el cuerpo humano existen, al menos, cinco sensores diferentes, los situados en nuestra nariz, nuestra lengua, nuestros odos, nuestros ojos y nuestros dedos [38].

Interaccin Slido - Gas En muchos compuestos semiconductores los electrones o los huecos proporcionan un aumento de la conductividad debido a la no estequiometra del material. Por lo tanto si la estequiometra se afecta por el aire del medio ambiente, de la misma forma se ver afectada la conductividad. Al adsorberse un gas reductor inyecta uno o dos electrones al semiconductor por molcula, y si se trata de un gas oxidante extraer uno o dos electrones del semiconductor [39]. Para detectar agentes reductores lo mejor es utilizar semiconductores tipo-n con pocos electrones en el bulk, ya que as el cambio en conductividad debido a los electrones que se adicionan es grande. Similarmente, se utilizan semiconductores tipo-p con pocos huecos en el bulk para detectar agentes oxidantes, ya que as ser mayor la sensibilidad por los electrones extrados cuando el agente oxidante se adsorbe. La adsorcin de gases (diferentes al O2) no es simple, ya que adems existe reaccin con los estados superficiales asociados al oxgeno preadsorbido. En la figura 1.10. se muestra, por una parte el modelo de bandas y por otra el esquema de la reaccin qumica; se observa cmo el gas reductor interacciona con el oxgeno adsorbido y llega a oxidarse (por ello el nivel de energa del enlace R - O- est por encima del extremo de la banda de conduccin) y desorbe como un producto, dejando los electrones en la banda de conduccin. Es decir se produce una oxidacin cataltica del gas reductor [39].

Figura 1.10. Modelo de bandas y formulacin qumica de la interaccin de un gas reductor, R, con el oxgeno adsorbido [39].

Un proceso de adsorcin se clasifica, normalmente, en dos tipos: fisisorcin y quimisorcin. En principio durante la fisisorcin y la quimisorcin de un adsorbato (especie adsorbida) no hay movimiento de los tomos del adsorbente (el slido) de su posicin normal en la red. En la prctica, especialmente con la quimisorcin hay movimiento y reordenacin de los tomos de la superficie. Se puede llegar a crear una nueva fase cuando se cambia la estructura del enlace, rompiendo enlaces del slido y reemplazndolos por otros [39].

Fisisorcin: El enlace es dbil, y el calor de adsorcin es menor de 6 Kcal/mol. La adsorcin se da a baja temperatura, no hay selectividad, puede haber adsorcin multicapa y la cantidad adsorbida es funcin del adsorbato [39].

Quimisorcin: El enlace es fuerte, y el calor de adsorcin es mayor de 15 Kcal/mol. Es posible la adsorcin a alta temperatura, puede haber selectividad, la adsorcin se realiza en monocapa y la cantidad adsorbida es funcin del adsorbato y del adsorbente [39].

Ionosorcin: La forma de adsorcin ms bsica en los sensores de gases es la ionosorcin; es una adsorcin que crea estados superficiales, ya que la carga se transfiere desde las bandas de conduccin o de valencia del adsorbente para ionizar el adsorbato. En este tipo de adsorcin en principio no existe enlace atmico entre la superficie del slido y el adsorbato, pero el adsorbato acta como un estado superficial, capturando un electrn o un hueco, y se mantiene en la superficie por atraccin electrosttica [39]. La ionosorcin de oxgeno es fundamental en los procesos de deteccin de los sensores de gases. El oxgeno puede ser ionosorbido en varias formas: O-, O-2 y O2-. La ltima forma, normalmente no suele ser adsorbida, ya que una carga tan alta puede llevar a inestabilidades estructurales, a menos que la posicin donde vaya a ser adsorbido tenga un potencial muy alto. Medidas de resonancia electrnica en xidos muestran seales correspondientes a las formas O- y O-2 [39]. Cuando los gases reductores, como el CO son adsorbidos, la seal correspondiente a la especie O- desaparece rpidamente, indicando que la especie O- es la ms reactiva de las dos formas. El oxgeno que se adsorbe contribuye, de forma dominante, a los estados superficiales cargados negativamente. Del aire, la atmsfera ms comn para los sensores de gases, el oxigeno se adsorbe fuertemente, y es el oxgeno cargado negativamente el que domina la carga superficial [39]. La concentracin de carga sobre la superficie se encuentra limitada por la barrera superficial que se induce qumicamente (qVs). El valor mximo para qVs est comprendido entre 0.5 a 1 eV, ya que en el equilibrio qVs refleja la diferencia entre los potenciales electroqumicos de los electrones, entre los del slido y los de los pares redox O2/ O-2 o O2/ O-. Un recubrimiento superficial de aproximadamente 1012

iones/cm2 es el ms alto que se puede dar. De lo que se deduce que alrededor de 1012 cm-2 estados superficiales (cargas superficiales) controlan normalmente la barrera superficial. Con esta densidad de carga superficial, la energa de Fermi del semiconductor se igualar con el potencial electroqumico de los electrones en los estados superficiales, siendo esta energa de Fermi quien controla la energa superficial. El efecto de la carga superficial sobre el diagrama de bandas de un semiconductor muestra que la captura de electrones o de huecos sobre la superficie tiene un efecto dominante sobre la barrera superficial qVs. Lo ms interesante es ver el efecto de los gases adsorbidos en las propiedades superficiales del semiconductor, es decir, la influencia de la barrera superficial sobre la conductividad. La barrera superficial Vs, es funcin de la temperatura y de la presin de oxgeno; la variacin de Vs con la temperatura ser debida, posiblemente, a la variacin de la composicin de los estados superficiales con la temperatura [39]. En la figura 1.11. se muestra el diagrama de energa de varias especies de oxgeno, adsorbidas en la superficie y dentro de la red de un xido binario.

Figura 1.11. Diagrama de energa de las especies de oxgeno adsorbidas sobre un xido metlico binario [39].

Mecanismos Generales de Reacciones de Gases en la Superficie de los Slidos En la actualidad son aceptados cuatro mecanismos genricos de reacciones superficiales: Reaccin en fase gaseosa, Mecanismo de Ridley-Eley, Mecanismo de Langmuir-Hinshelwood y Mecanismo del precursor. Presentamos cada uno de estos mecanismos suponiendo una reaccin hipottica [40]: A + B A-B Reaccin en Fase Gaseosa Paso 1: Dos especies gaseosas reaccionan en la superficie y forman el complejo A-B adsorbido [40]. A (g) + B (g) A-B (ads) Paso 2: El complejo A-B se desorbe [40]. A-B (ads) A-B (gas) Mecanismo de Ridley-Eley Paso 1: A se adsorbe en el sitio superficial (S) [40]. A (g) + S A (ads) Paso 2: A reacciona con la especie gaseosa B que arriba para dar lugar al complejo A-B [40]. A (ads) + B (g) A-B (ads) Paso 3: El complejo A-B se desorbe [40]. A-B (ads) A-B (gas) Mecanismo de Langmuir-Hinshelwood Paso 1: A y B se adsorben en sitios superficiales diferentes (S1) y (S2) [40].

A (g) + S1 A (ads),

B (g) + S2 B (ads)

Paso 2: Las especies adsorbidas reaccionan para dar lugar al complejo A-B. A (ads) + B (ads) A-B (ads) Paso 3: El complejo A-B se resorbe [40]. A-B (ads) A-B (gas) Mecanismo del Precursor Paso 1: A se adsorbe en el sitio superficial (S) [40]. A (g) + S A (ads) Paso 2: B colisiona con el sitio S de la superficie y forma un precursor mvil [40]. B (g) + S B-S Paso 3: El precursor rueda por la superficie hasta que encuentra la especie adsorbida A [40]. A (ads) + B-S A-B (ads) Paso 4: El complejo A-B se desorbe [40]. A-B (ads) A-B (gas) La identificacin de los caminos de las reacciones qumicas constituye el principal desafo de la qumico-fsica aplicada a las reacciones de los gases en la superficie de los slidos y es de vital importancia para el funcionamiento de los sensores de gas [40]. Los sensores de gases generalmente operan en aire y por tanto las especies de oxgeno adsorbidas son importantes en su funcionamiento. Por ejemplo, es aceptado que el CO se adsorbe siguiendo el siguiente esquema [40]: 1/2O2 (g) + S + e- O2- (ads)

CO (g) + O2-(ads) CO (g) + eDonde S es un sitio de adsorcin [40].

Es conocido que a bajas temperaturas ( 200C), la superficie de los slidos contiene especies adsorbidas fsica o qumicamente de la atmsfera tales como O2-, OH-, H+, mientras que con el aumento de la temperatura estas especies se transforman en O- y O2El proceso de transformacin de las especies de oxgeno se puede describir as [40]: O2 (gas) + S O2 (ads) O2 (ads) + e- T1 O2-(ads) O2- (ads) + e- T2 2O-(ads) Donde los subndices (gas) y (ads) se refieren a especies en fase gaseosa o adsorbida sobre la capa respectivamente, S se refiere a los sitios de adsorcin.

Caractersticas de un Sensor Los parmetros principales que se tienen en cuenta para caracterizar un sensor son los siguientes: Resistencia. Es el parmetro principal que se mide para la caracterizacin de un sensor, debido a que todas las caractersticas de los sensores derivan del valor de esta variable. Es fcil de medir pero a la vez muy sensible a las muchas reacciones que se puedan producir en la superficie del semiconductor [41].

Lnea Base. Se define al medir la resistencia en aire sinttico. Una vez que la lnea base se mantiene constante se introduce el gas problema, observando que el sensor

detecta el gas por la cada o subida que experimenta la lnea base, dependiendo de que el gas sea reductor u oxidante respectivamente [41].

La Sensibilidad y Selectividad. Se define, para una concentracin dada del gas problema, como la conductancia del semiconductor en el aire menos la conductancia del semiconductor en el gas problema con relacin a la conductancia en el aire, expresada en tanto por ciento, es decir, S = (G0 - Gg)/ G0 (%) [41]. La sensibilidad (capacidad sensora) tambin se define como la variacin de la absorbancia ptica de las muestras en el aire (Absaire) respecto de la absorbancia ptica de las muestras en los gases (Absgas), es decir, S = (1/ (Absgas/ Absaire)) (%) [41]. Las sensibilidades de los gases problemas se miden en un amplio rango de temperaturas, para as obtener la temperatura a la que el sensor tiene la mxima sensibilidad. De esta forma se puede obtener la selectividad del sensor para diferentes gases en funcin de la temperatura. Cuando tenemos diferentes gases, se define la selectividad como la sensibilidad al gas 1/ sensibilidad al gas 2 para concentraciones equivalentes de ambos gases [41].

Tiempo de Respuesta. Hay muchas formas de definir este parmetro, bien en cuanto al cambio de resistencia observado en un intervalo del 50 - 90 % respecto al valor inicial. O bien se mide el intervalo de tiempo que transcurre desde que el sensor comienza a detectar hasta que llega al equilibrio, es decir el intervalo de tiempo en el que el sensor est modificando su resistencia. El estudio de este tiempo, segn que el aumento o disminucin de la resistencia sea ms suave o ms brusco es interesante,

para determinar la aplicabilidad del sensor. Para temperaturas de operacin altas, normalmente los tiempos de respuesta son ms cortos [41]. Para medir este tiempo de una forma precisa se requieren sistemas especiales de flujo de gases, para asegurarnos que el cambio de gas (paso de aire a gas problema) sea ms rpido que el tiempo de respuesta del sensor, por ello es un parmetro de los ms difciles de medir [41].

Tiempo de Estabilidad. Es el tiempo que transcurre para que la resistencia en aire tenga un valor estable a una temperatura determinada. As se puede medir de forma real la modificacin de resistencia provocada por el cambio de ambiente gaseoso. Una vez conocida la temperatura ptima a la que acta el sensor para un gas determinado, es importante conocer el tiempo que necesitar el sensor para estabilizar la resistencia desde la temperatura ambiente hasta la temperatura ptima de operacin [41].

Temperatura de Operacin. El rango de temperatura de inters ser diferente segn sea el tipo de xido (si es el mismo tipo de xido variar con la forma de preparacin) y segn sea el tipo de gas a analizar. Es necesario un tiempo de estabilizacin de la temperatura antes de tomar la medida real de conductividad; el comportamiento va a depender de la historia de la preparacin y del tratamiento del sensor. Es importante obtener datos incrementando y disminuyendo la temperatura alrededor de la de mxima sensibilidad [41].

RESULTADOS Y DISCUSIN

3.1. Difraccin de Rayos X (DRX)

6000

5000

ZnO-4% Au 400-500-600C Au (111) 400 C 500 C 600 C

Intensidad (u.a.)

4000

3000

ZnO (002) ZnO (101) ZnO (100) Au (200) ZnO (102)

2000

1000

ZnO (110)
50 55 60

0 25 30 35 40 45

Figura 3.4. Difraccin de Rayos X (DRX) de pelculas de ZnO dopadas con nanopartculas de Au a 400, 500 y 600 C.

3.2. Espectroscopia de Absorcin y Transmitancia (UV - Vis) En la figura 3.5, la medicin de absorcin ptica en el rango UV - Vis muestra en las pelculas recocidas a 400, 500 y 600 C el borde tpico de absorcin del ZnO cerca de los 375 nm, que aumenta con la temperatura de recocido debido al incremento de su rea superficial especfica y la orientacin preferencial de crecimiento de sus cristales en la direccin (002) correspondiente al eje c de su estructura wurtzita [47]. Las pelculas tambin muestran la banda de resonancia superficial plasmnica (SPR) de las nanopartculas de Au entre los 530-650 nm, lo cual se observa notoriamente a mas altas temperaturas en la figura 3.6. Esta banda se produce por el acoplamiento de la frecuencia del campo elctrico de la radiacin electromagntica incidente y la oscilacin de los

electrones conductores, producindose la absorcin en la superficie de las nanopartculas de Au. La absorbancia ptica a altas temperaturas no difiere significativamente (figura 3.6) [48].
0.7

Absorbancia ZnO-4% Au 400-500-600 C

0.6

Absorbancia (u.a.)

0.5

400 C 500 C 600 C

0.4

0.3

0.2

0.1 300 350 400 450 500 550 600 650 700 750

(nm)

Figura 3.5. Espectros de Absorcin ptica para las pelculas ZnO dopadas con nanopartculas de Au recocidas a 400, 500 y 600 C.

0.55 0.50 0.45

Absorbancia (u.a.)

0.40 0.35 0.30 0.25 0.20 0.15 300 400 500 600 700

Aire CO H2

800

900

(nm)

Figura 3.6. Espectros de Absorcin ptica a 300C para las pelculas de ZnO dopadas con nanopartculas de Au recocidas a 600 C en diferentes gases.

3.3. Ensayo de sensor de gas para el CO e H2

En la figuras 3.9 se muestra el tiempo de respuesta de la pelcula semiconductora ensayada a un mnimo OAC de 390 nm, se puede notar que la pelcula de ZnO 4% Au muestra una seal ptica detectable (mayor relacin superficie - volumen) con la presencia de Au, confirmando la respuesta ptica del ZnO a los gases reductores [50]. La presencia de las nanopartculas de Au en la superficie contribuye a la adsorcin de los gases. Esto se debe a que durante la ionosorcin del oxgeno los aniones y las nanopartculas de Au interactan entre s debido a la naturaleza conductiva y disponibilidad de electrones libres en el Au. Las nanopartculas absorben a los gases luego los vierten en la superficie semiconductora segn el efecto spill-over. El efecto de spill-over se da por medio de la activacin cataltica y sensibilizacin qumica, y se explica de la siguiente manera: Los gases reductores, monxido de carbono (CO) y el hidrgeno (H2), son adsorbidos en la superficie del Au modificando su funcin de trabajo (gas de referencia: O2 del aire). Al principio el gas de referencia O2 (aire) reacciona con la superficie catalizadora del Au

disocindolo en O-. Cundo se expone el sensor a los gases reductores, las molculas de estos interactan en la superficie del Au con los iones de oxgeno preadsorbidos. Por lo tanto la oxidacin de los gases por las nanopartculas oro lleva a la transferencia de electrones en el semiconductor de xido de zinc; se introduce electrones mviles (en la banda de conduccin) a nivel superficial, disminuyendo la carga superficial negativa que suele estar atrapada y fija en la superficie por tomos de oxgeno (gas oxidante) y que no participa en el proceso de

conduccin cambiando de esta manera la absorbancia ptica de las pelculas de ZnO [51]. Las muestras presentan una alta sensibilidad al gas hidrgeno y una baja respuesta al CO, pero con una mejor respuesta respecto a las bajas temperatura. Esto se debe a que los procesos cinticos tales como adsorcin son trmicamente activados, mejorando el rendimiento a altas temperaturas [51].
0.743

Air
0.742 0.741 0.740 0.739 0.738 0.737 0.736 0.735 0

H2 Air CO Air H2 Air CO Air H2 Air CO Air

Absgas/Absaire

1000

2000

3000

4000

5000

6000

Tiempo (sec)

Figura 3.9. Ensayo de sensor de gas en funcin del tiempo a 390 nm para las pelculas de ZnO - 4% Au recocidas a 400 C.

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