DEGRADACIN DE SEAL EN FIBRAS PTICAS

Atenuacin: Unidades De Atenuacin. Absorcin. Prdidas Por Dispersin Y Curvatura. Prdidas En El Ncleo Y En El Revestimiento.

Atenuacin

Atenuacin es un trmino general que se refiere a toda reduccin en la fuerza de una seal. La atenuacin se produce con cualquier tipo de seal, sea digital o analgica. La atenuacin, que a veces tambin se menciona como prdida, es un fenmeno natural que se produce en la transmisin de seales a grandes distancias. Puede afectar a una red, debido a que limita la longitud del cableado de red por el cual se puede enviar un mensaje. Si la seal recorre grandes distancias, es posible que los bits no se puedan discernir para cuando alcancen su destino. Cuando es necesario transmitir seales a grandes distancias por medio de un cable, se puede instalar uno o ms repetidores a lo largo del cable. Los repetidores le dan ms fuerza a la seal para superar la atenuacin. Esto aumenta en gran medida el rango mximo alcanzable de comunicacin.

La atenuacin tambin se produce con las seales pticas. La fibra absorbe y Esparce parte de la energa luminosa a medida que el pulso luminoso viaja por la fibra.

En sta, la atenuacin se puede ver influenciada por la longitud de onda o el color de la luz, por el uso de fibra monomodo o multimodo, y por el vidrio que se utilice para fabricar la fibra. Aun cuando se optimicen estas opciones, es inevitable que se produzca cierto grado de atenuacin. Tambin afecta a las ondas de radio y las microondas, debido a que stas se absorben y se esparcen en la atmsfera. Esto se denomina dispersin. Las reflexiones de las distintas estructuras en la va de la seal tambin repercuten en la confiabilidad de las seales de radio y provocan atenuacin

Unidades De Atenuacin El decibelio, que se usa para comparar dos niveles de potencia, se puede denir para una determinada longitud de onda como el cociente entre la potencia ptica a la entrada de la bra Pi y la potencia ptica a la salida Po segn la siguiente frmula: ( )

Esta unidad logartmica tiene la ventaja que las multiplicaciones y divisiones se transforman en sumas y restas, por lo contrario las sumas y restas aunque complejas no se usan casi nunca.

En comunicaciones pticas la atenuacin se expresa en decibelios por unidad de longitud segn: donde dB es la atenuacin por unidad de

longitud y L es la longitud de la bra.

Prdidas Por Dispersin Y Curvatura Prdidas Por Dispersin: Las fibras pticas no siempre se comportan como canales de transmisin lineales en los cuales el incremento en la potencia de entrada implique un incremento proporcional de la potencia de salida. Hay varios efectos no lineales que en el caso que nos ocupa, la dispersin, provoca unos incrementos muy altos en la atenuacin. Este efecto ocurre para elevadas potencias pticas. Esta dispersin no lineal genera que potencia de un modo sea transferida a otro, tanto en la misma direccin de propagacin como en la contraria, este otro modo tendr adems una longitud de onda distinta.

Esta dispersin depende fuertemente de la densidad de potencia ptica y slo es significativa sobre determinados umbrales de potencia. Los dos tipos de dispersin

ms importantes son la dispersin por estimulacin Brillouin y la Raman, ambos tipos slo son observados a altas densidades de potencia en fibras pticas monomodo de gran longitud. Estos fenmenos dispersivos de hecho proporcionan ganancia ptica pero con una variacin de la longitud de onda. Estos fenmenos pueden aprovecharse para amplificacin ptica como ya veremos en el captulo dedicado a ptica integrada.

Dispersin por estimulacin Brillouin: La dispersin por estimulacin Brillouin puede explicarse como una modulacin de la luz debida a vibraciones trmicas moleculares en el interior de la fibra. La luz dispersada aparece como unas bandas de frecuencia laterales (como una modulacin de frecuencia), estas bandas laterales aparecen en transmisin en la direccin contraria a la de la luz dispersada.

Dispersin por estimulacin Raman: La dispersin por estimulacin Raman es similar a la Brillouin excepto porque la modulacin que genera las bandas laterales se produce a mayor frecuencia (las bandas estn ms alejadas de la frecuencia fundamental). La dispersin Raman puede ocurrir tanto en la direccin de la propagacin como en la contraria y suele tener una potencia umbral rdenes de magnitud mayor que la Brillouin. Prdidas Por Curvatura: La fibra ptica tiene perdidas cuando se dobla, esto es debido a que la energa en el campo evanescente en la parte exterior de la curva, ya que debe seguir el mismo frente de onda que el resto y por tanto debe ir a una velocidad mayor, mayor que la velocidad de la luz. Esto es imposible y para remediarlo pierde parte de su energa radiandola al exterior. unos tres

Prdidas En El Ncleo Y En El Revestimiento Prdidas En El Ncleo: Las prdidas de potencia ptica resultantes de los tres tipos de error de alineamiento dependen del tipo de fibra y en particular del

dimetro del ncleo y de la distribucin de potencia entre los modos permitidos. Parece claro que relativamente pequeos errores en el alineamiento pueden causar atenuaciones significativas y esto ser

especialmente cierto cuando los ncleos de las fibras se vayan reduciendo. Tambin por ello fibras de ncleos grandes van a resultar poco

afectadas y por ello las fibras de plstico son tan simples de conectar. Tambin podemos deducir que va a haber grandes diferencias entre la utilizacin de fibras monomodo y multimodo precisamente por las diferencias entre los tamaos de los ncleos Prdidas En El Revestimiento: el revestimiento es el elemento que rodea al ncleo y su misin es la de confinar la seal ptica en el mismo, por ello su ndice de refraccin es menor que el del ncleo, cuando este revestimiento presenten una anomala, ya sea por defectos de fabricas o por que las misma a travez del tiempo se empiezan a deteriorar, La capa exterior de la ptica de la fibra no que atrapa la luz en el ncleo y lo gua a lo largo de ella por lo cual se da la cantidad de potencia ptica perdido como la luz que se transmite a travs de la fibra, empalmes, acopladores, etc, expresado en dB. Distorsin De Seales En Guas De Onda pticas: Determinacin De La Capacidad De Informacin. Retardo De Grupo. Dispersin De Material Y De Gua De Onda. Dispersin Por Polarizacin De Modo. Distorsin Intermodal.

Distorsin De Seales En Guas De Onda pticas

Una gua de ondas, es un dispositivo mediante el cual, la luz se ve obligada a seguir trayectorias determinadas sin la necesidad de lentes. La accin contrayente, la realizan las paredes de las guas en el caso de las fibras pticas.

En la figura se aprecia como los frentes de onda P-Q y L-H son frentes paralelos, pero que han seguido trayectorias diferentes hasta alcanzar su posicin, por lo que sus caminos pticos son diferentes (han tardado diferente tiempo en llegar),

por lo que entre ellos existe un determinado desfase. La onda que ha realizado ms reflexiones, llega con retraso con respecto a la que llega directamente. Adems, en cada reflexin en la pared de la fibra, la onda realiza un salto de fase de radianes, por lo que la diferencia de fase total entre

las dos ondas, ser la suma de ambos desfases.

Dentro de la fibra, se producen infinidad de reflexiones, que producen la superposicin de infinitas ondas, que darn una resultante interferencial. A lo largo de la gua (fibra) slo se pueden propagar los pulsos por reflexiones totales sucesivas, aquellas ondas cuyo ngulo de incidencia en las reflexiones sea mayor que el ngulo lmite, y que adems, la resultante interferencial no se anule, o sea, que los diferentes frentes de onda estn desfasados en un nmero entero de vueltas (una vuelta son 2 radianes), , m = 0, 1, 2, o sea

= m2

Determinacin De La Capacidad De Informacin

La fibra es un medio de transmisin de informacin analgica o digital. Las ondas electromagnticas viajan en el espacio a la velocidad de la luz. Bsicamente, la fibra ptica est compuesta por una regin cilndrica, por la cual se efecta la propagacin, denominada ncleo y de una zona externa al ncleo y coaxial con l, totalmente necesaria para que se produzca el mecanismo de propagacin, y que se denomina envoltura o revestimiento.

La capacidad de transmisin de informacin que tiene una fibra ptica depende de tres caractersticas fundamentales:

Del diseo geomtrico de la fibra.

De las propiedades de los materiales empleados en su elaboracin. (diseo ptico) De la anchura espectral de la fuente de luz utilizada. Cuanto mayor sea esta anchura, menor ser la capacidad de transmisin de informacin de esa fibra.

Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar"

Presenta dimensiones ms reducidas que los medios preexistentes. Un cable de 10 fibras tiene un dimetro aproximado de 8 o 10 mm. y proporciona la misma o ms informacin que un coaxial de 10 tubos.

El peso del cable de fibras pticas es muy inferior al de los cables metlicos, redundando en su facilidad de instalacin.

El slice tiene un amplio margen de funcionamiento en lo referente a temperatura, pues funde a 600C. La F.O. presenta un funcionamiento uniforme desde -550 C a +125C sin degradacin de sus caractersticas.

Dispersin De Material Y De Gua De Onda

La dispersin del material de es Una Caracterstica tanto inherentes del material Que No Puede Ser facilmente Cambiada pecado alterar la Composicin del Vidrio y Aumentar la atenuacin. Sin embargo, es Posible desplazar la dispersin modificando la dispersin de Gua de onda.

La dispersin de gua de onda se origina la propagacin de la luz en una gua de onda depende de la longitud de onda as como de las dimensiones de la gua. La distribucin de la luz entre el ncleo y el revestimiento cambia con la longitud de onda. El cambio de la distribucin de la luz afecta la velocidad de transmisin de la luz a travs de la fibra. El ncleo y el revestimiento tienen diferentes ndices de refraccin que determinacin la velocidad de la luz en ellos. Ya que la luz permanece sin tiempo del tanto en el ncleo de como en el caldding, su velocidad efectiva a travs de toda la fibra es un promedio que depende de la distribucin de la luz empre ambos. Un cambio en la longitud de onda cambiara la distribucin de la luz, y asmismo la velocidad promedio, causando una dispersin de gua de onda.

Ambas Dispersiones dependen del Rango de Longitud de onda de la Seal, afortunadamente la dispersin Florerias Tener Diferentes Smbolos, dependiendo si le velocidad de la luz en la fibra s Incrementa o Disminuye con la Longitud de Onda. De Manera las Dispersiones de Gua de onda y cromtica s Una Cancela la Otra en Un Punto Cercano a 1,31 mm En Una fibra estndar del Tipo de salto de ndice tal se del como Muestra en la Figura. Cambiando el Diseo de la interfase ncleo-revestimiento Se Puede alterar la dispersin de Gua de onda y ASI Cancelar la dispersin cromtica en Otra Longitud de onda.

La dispersin de guia de onda compensa la dispersin cromtica prrafo Producir

sin dispersin cero a 1,31 de ndice)

, En Una fibra monomodo pisos del escalonado (salto

Existencial dos Tipos de dispersin Desplazada, con Pequeas Diferencias, Que Han Llegado Tener una gran importancia en el Desarrollo Tecnolgico de la fibra

Dispersin Por Polarizacin De Modo

Cuando se realizaron las primeras discusiones sobre la Dispersin de Modo de polarizacin en el ao 1986, solo unos cuantos investigadores consideraron que este efecto llegara a formar parte de las restricciones del negocio de las comunicaciones por fibra ptica. La PMD puede distorsionar la seal, hasta hacer inmanejables los bits, destruyendo la integridad de una red.

El problema principal es que el ncleo de la fibra no es perfectamente redondo, lo que origina dispersin a un grado tal que puede dejar a la seal en un estado que difcilmente pueda ser ledo Cuando la luz viaja en una fibra monomodo hacia el receptor, tiene dos modos de polarizacin que viajan en dos ejes, y se mueven formando un ngulo recto uno del otro. En una fibra ideal las dos polarizaciones se propagaran a la misma velocidad de fase pero en realidad cualquier asimetra, curvatura o torsin hace que las dos polarizaciones se propaguen a diferente velocidad. La causa de la PMD[ ] es una pequea diferencia en el ndice de refraccin en una pareja particular de estadoS de polarizacin ortogonal, a esta propiedad se denomina birrefrigencia . Esto quiere decir que la velocidad de la luz depende de la ruta que toma a lo largo de la fibra.

Distorsin Intermodal

La dispersin intermodal es la distorsin que se presenta en la seal al transmitirse por fibra ptica debido a que los modos mayores recorren mayor

distancia, por esta razn los rayos de luz llegan en tiempos distintos, generndose un pulso ensanchado y deformado con respecto al original.

Ensanchamiento De Pulso En Fibras De ndice Gradual.

Determina la capacidad de transmisin de informacin, considerando pulsos luminosos muy estrechos y separados en el tiempo. La capacidad viene limitada por una distorsin de la seal que resulta por ensanchamiento de los pulsos luminosos al transmitirse a lo largo de la fibra. Los factores que contribuyen dicho ensanchamiento son la dispersin intermodal y la dispersin intramodal.

Dispersin intermodal modal es causada por la diferencia en los tiempos de propagacin de los rayos de luz que toman diferentes trayectorias por una fibra. Tiene lugar solo en las fibras multimodo, se puede reducir usando fibras de ndice gradual y casi se elimina usando fibras monomodo de ndice de escaln. Esta dispersin causa que un pulso de luz se recibe en el receptor ensanchado.

La dispersin intramodal del material o cromtica resulta porque a diferentes longitudes de onda de la luz se propagan a distintas velocidades de grupo a travs de un medio dado (material de la fibra). Como en la prctica las fuentes de luz no son perfectamente monocromticas, se ocasiona por esta causa un

ensanchamiento de pulso recibido. Este efecto aparece en las fibras multimodo y

monomodo. Esta dispersin cromtica se puede eliminar usando una fuente monocromtica tal como un diodo de inyeccin lser (ILD).

Dispersin intramodal de la gua de onda Es funcin del ancho de banda de la seal de informacin y la configuracin de la gua generalmente es ms pequea que la anterior y se la puede despreciar.

Acople De Modos. Cuando la luz ha sido introducida en la bra la energa transmitida pertenecer a alguno de los modos guiados, En un principio no lo sabemos, pero la configuracin inicial de modos cambia. Por el acoplamiento entre modos.

Todos los aspectos referidos a la propagacin que hemos tratado hasta el momento tenan en cuenta gua-ondas perfectas, pero no lo son. Las noidealidades de la bra como:

desviaciones del eje respecto a una lnea recta variaciones en el dimetro del ncleo irregularidades en la intercara entre ncleo y envoltura variaciones en el ndice de refraccin, tanto del ncleo como de la envoltura.

Pueden cambiar las caractersticas de propagacin de la bra. Estas variaciones tendrn el efecto de acoplar la energa transmitida de un modo a otro dependiendo de la perturbacin especca. La ptica geomtrica nos puede ayudar a entender el. Puede observarse que en ambos casos el rayo no mantiene el mismo ngulo respecto al eje de la bra. El cambio de ngulo es equivalente al cambio de modo de transmisin.

As pues un modo determinado no se propaga a lo largo de la bra sin grandes transferencias de energa hacia otros modos, al igual que tambin recibe estas transferencias, incluso cuando la bra es de gran calidad. Esta conversin entre modos se llama acoplamiento entre modos o mezcla modal.

Este acoplamiento entre modos va a causar que pueda transferirse energa desde un modo guiado a un modo radiativo, con lo que la energa se pierde dando lugar a atenuaciones de la seal transmitida.

Dos posibles no-idealidades de la bra que dan lugar a acoplamiento entre modos: (a) Irregularidad en la intercara entre ncleo y envoltura; (b) Doblado de la bra.

Optimizacin De Diseo De Fibras Monomodo: Perfiles De ndice De Refraccin. Longitud De Onda De Corte.

Las fibras monomodo estn compuestas de un hilo de ncleo de muy pequeo dimetro (<10um) que soporta un solo modo de transmisin luminos

La fibra monomodo tiene la menor atenuacin y el mayor ancho de banda de todos los tipos de fibra ptica. La electrnica de transmisin, recepcin y repeticin tambin es ms cara que la de los sistemas multimodo. En las aplicaciones FTTH con fibra monomodo la Recomendacin UIT-T G.652cubra la mayora de los casos.

Recientemente se ha empezado a comercializar un nuevo tipo de fibra monomodo que tiene menores prdicas cuando la curvaturas de la manguera es baja. Esta fibra est normalizada por UIT-T G.657. Este tipo de fibra es muy interesante

cuando hay que instalarla en lugares donde los cables tendrn curvas ms cerradas, como en los cableados de edificios y en el interior de viviendas.

El uso de algn material con el ndice de refraccin del nucleo entre las dos fibras puede ser de ayuda ya que elimina la atenuacin por reflexin Fresnel y mantiene los extremos de la fibra limpias de polvo ambiente. Sin embargo no son una solucin ya que por contra no es practica la existencia de ningn material no slido en la zona en la que se conecta y desconecta ya que los fluidos fluirn derramndose y adems atraern polvo, que no llegar a la fibra pero servir como barrera al paso de la luz. Las bras monomodo son muy importantes en el mundo de las comunicaciones pticas debido a que

Tienen el mayor ancho de banda y las prdidas ms pequeas Su calidad de transmisin es mejor debido a la ausencia de ruido modal Son compatibles con la ptica integrada Tienen un elevado tiempo de vida

Longitud De Onda De Corte

Se puede apreciar en la ecuacin

que la operacin monomodo no

lo es para todas los longitudes de onda sino para slo sobre una longitud de onda de corte que se puede calcular como donde Vc es la frecuencia

de corte normalizada. As pues para toda

la bra ser monomodo, otra

relacin que nos va a ser de utilidad se obtiene dividiendo las ecuaciones anteriores con lo que obtenemos Los sistemas prcticos de transmisin para mejorar el

se operan de forma que se est trabajando cerca de

connamiento del modo guiado pero lo sucientemente lejos como para que no se transmita nada del modo

Clculo De Dispersin. Dimetro De Campo Modal

Clculo De Dispersin

En sistemas digitales se usa LD hasta 140 Mbits/seg se desprecia el ancho de banda de la fibra monomodo ya que es GHz. Por tanto para monomodo se calcula dispersin en lugar de ancho de banda. El ensanchamiento del pulso T = M() L T = ensanchamiento del pulso en ps M() = dispersin cromtica en ps/nm*Km = ancho espectral medio del emisor en nm L = longitud de la fibra en Km Por ejemplo para: L = 25 Km = 1330 nm = 5 nm M() = 3.5 ps/nm*Km Resulta T = 3.5 * 5 * 25 = 437.5 ps De la expresin para el clculo de ancho de banda

El clculo de la dispersin en sistemas encima de 565 Mbits/seg considera adicionalmente caractersticas del lser como ruido de distribucin de modos.

Dimetro De Campo Modal

Dimetro de campo modal.- Da idea de la extensin de la mancha de luz del modo fundamental a la salida de la fibra. Su valor aumenta conforme la longitud de onda de la luz guiada es mayor, es de gran importancia en las caractersticas de la fibra monomodo. A partir de l se puede calcular posibles prdidas en empalmes, prdidas por micro curvaturas y dispersin cromtica de la fibra.

FUENTES PTICAS

Fsica De Los Semiconductores

La Fsica de semiconductores es el conjunto de teoras y modelos que explican el comportamiento de los semiconductores, bajo diversas condiciones. Sin embargo gran parte de los semiconductores son estudiados en Fsica del estado slido.

Michael Faraday descubri que el sulfuro de plata tiene un coeficiente negativo de resistencia. En 1839 A. E. Becquerel observ un fotovoltaje al alumbrar un electrodo de un electrolito. W. Smith, en 1873, advirti que la resistencia del selenio disminuye al iluminarlo. En 1874, F. Braun descubri que la resistencia de los contactos

entre metales y piritas de galena depende de la tensin aplicada sobre ellos; A.

Schuster observ algo similar en superficies pulidas y no pulidas en cables de cobre. En 1876, W. G. Adams y R. E. Day construyen la primera fotoclula, y C. E.

Fritts presenta el primer rectificador con selenio.

En la dcada de 1930, E. H. Hall descubre que la cantidad de portadores de carga elctrica en los semiconductores es mucho menor que en los metales, aunque a diferencia de stos, aumentan rpidamente con la temperatura, y tambin que en los semiconductores tienen mucha mayor movilidad. Tambin observ que en algunos casos los portadores eran negativos y en otros positivos.

Conduccin Elctrica

Debido a que la banda que efectivamente conduce es la que est casi vaca o casi llena, la poca densidad de los portadores de carga en el seno del cristal hace que se comporten como un gas clsico o maxweliano.

Portadoras De Carga

En un cristal hay dos clases de portadores de carga: electrones y huecos. Si bien estos ltimos son ficticios, ya que resultan de un estado vacante en la banda de valencia, esta condicin no invalida los modelos. Sin entrar en detalles, un semiconductor presenta dos tipos de corriente elctrica:

Corriente de arrastre (o deriva): debida a un campo elctrico.

Corriente de difusin: debida a la diferencia

de concentracin de portadores.

Tipos De Semiconductor

Una de las propiedades ms importantes de los semiconductores es la cantidad de portadores como funcin de la temperatura. El modelo de las 2 corrientes es el usado para describir los portadores, donde los electrones exitados son los que conducen cargas negativas y los huecos transportan carga positiva. As que las cantidades importantes a determinar son la cantidad de portadores en la banda de conduccin ( de portadores en la banda de valencia ( ). ) y la cantidad

Dependiendo de la relacin entre la cantidad de portadores en cada banda podremos clasificar a los semiconductores. As es como si la cantidad de portadores (huecos) en la banda de valencia es igual a la cantidad de portadores de la banda de conduccin (electrones) tendremos lo que se llama un semiconductor intrnseco ( cambio, la relacin cambia se dice que es un semiconductor extrnseco. El caso intrnseco se da en cristales puros, donde la densidad de carga es despreciable. Las bandas de conduccin solo pueden ser ocupadas por electrones que abandonaron la banda de valencia, dejando una vacancia, o sea un hueco. De esta manera la cantidad de cada tipo de portador esta siempre balanceada. ). Si, en

El caso extrinseco, por el contrario, tiene exceso ya sea de electrones o huecos. Esto se debe que el cristal puro se encuentra "contaminado" con un tomo de otro tipo que puede agregar un donor (electron) o un aceptor (hueco), esto pasa cuando ese tomo contaminante tiene una cantidad distinta de electrones en la capa de valencia a los de la red pura.

Contaminacin O Dopaje

Los semiconductores en s no presentan propiedades prcticas, por esto se los contamina para darles alguna propiedad especial, como alterar la probabilidad de ocupacin de las bandas de energa, crear centros de recombinacin, y otros.

Por ejemplo, en un cristal de silicio o de germanio, dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb); al tener stos elementos 5 electrones en la ltima capa, resultar que al formarse la estructura cristalina, el quinto electrn no estar ligado en ningn enlace covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico superior a los cuatro restantes. Si consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que ahora, adems de la formacin de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la energa elctrica y puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras. An siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo se aumente el nmero de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinacin, lo que resulta en un disminucin del nmero de huecos p, es decir: :n > ni = pi > p, tal que: np = ni Por lo que respecta a la conductividad del material, sta aumenta enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

En cambio si se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In), las impurezas aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el formado antes con el salto de un

electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV).

En este caso, los electrones saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. Al igual que en el caso anterior, el incremento del nmero de huecos se ve compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinacin, de modo que la ley de masas tambin se cumple en este caso.

Bandas De Energa

El objetivo principal de la teora de las bandas es el de encontrar un modelo analtico o matemtico, que describa cuantitativamente el comportamiento de una partcula cargada en el cristal, como si se estructurara del que tiene una partcula libre como una peculiar masa denominada masa efectiva.

Cuando el electrn pasa cerca de un tomo es acelerado y cuando se aleja es desacelerado, hasta que entra dentro del campo elctrico del siguiente tomo. Este proceso se repite tomo tras tomo, por lo que el campo de energa potencial del cristal ideal es peridico.

Se sabe por la mecnica cuntica que la expresin que proporciona los niveles de energa discretos de un electrn en un pozo unidimensional y simtrico es :

Considerando analticamente el comportamiento del electrn en redes peridicas (redes de bravais) mediante un modelo basado en un potencial peridica de forma cuadrada en un cristal unidimensional de dimensiones infinitas se describe el potencial peridico de forma cuadrada.

Para algunos valores de energa e, el primer miembro resulta mayor que la unidad por lo que el electrn no puede tener estas energas. Esta es la explicacin de que aparezcan bandas de energa prohibida.

Unin PN

Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores,

principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro

intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Silicio Puro E Intrinseco

Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja un electrn cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrn libre. Esto es lo que se conoce como pares electrn - hueco y su generacin se debe a la temperatura (como una aplicacin, al caso, de las leyes de la termodinmica) o a la luz (efecto fotoelctrico). En un semiconductor puro (intrnseco) se cumple

que, a temperatura constante, el nmero de huecos es igual al de electrones libres.

Malla cristalina del Silicio puro.

Silicio Extrinseco Tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos).

Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como impurezas aceptoras.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los

diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas deboro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Silicio Extrinseco Tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus electrones al semiconductor.

El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo N considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donantes. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

Barrera Interna De Potencial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de

potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Polarizacin Directa De La Unin P-N

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominadacorriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para

realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.

Diodo emisor de luz (LED)

Emisin Espontnea

Pequea, Alrededor De 1%

Como Externa. Su Funcionamiento Se Basa En Dos Premisas:

a A Una Interfaz De Salida.

Emana De La Regin Activa:

in Lateral.

-N O Heteroestructuras Materiales

ice De Refraccin Y Coeficiente De Recombinacin.

Caractersticas De Frecuencia (Led)

Radiacin De Los Fotones. Un Led De Asga Opera A Una Temperatura Ambiente Con Una Eficiencia

La Longitud De Onda, El Ancho Espectral Y La Potencia Optica De Salida. ibida De 0.9 Ev A 320k, Es Usado Como Tx En Un Sistema Pcm. La Dispersicn De La Fibra Es De 30ps/Km.Nm. Encuentre La Dispersin Total Para 50km De Fibra. Si Reducimos La Temperatura A 77 k Cual Es El Factor De Reduccin De La Dispersin. La Onda De Luz Del Led No Tiene Una Frecuencia Central Sinusoidal Bien Definida

La Corriente De Entrada. Se Suma La Seal De Corriente Variante A La De Polarizacin.

El Led Responde A Un Disturbio En La Densidad De Portadores A Una Razn Mxima, Que Est Ligada A Una Constante De Tiempo. na Frecuencia Mxima Correspondiente Para Una Modulacin Sinusoidal De Intensidad.

Tiempo De Decaimiento. Heteroestructuras r Las Caractersticas De Dispositivos Controlando Mejor Las Propiedades De Los Materiales Utilizados Para Fabricar Los Led

Semiconductor A Cristal Se Les Llama De Heteroestructura. Los Materiales Utilizados Deben Tener Las Mismas Dimensiones Fsicas De Red Cristalina, Para Que El Cristal Resultante No Presente Tensin Mecnica Entre Los Dos Materiales, Pero Sus Propiedades Elctricas Y Electrnicas Son Diferentes.

Diodo Laser

Los Diodos lser, emiten luz por el principio de emisin estimulada, la cual surge cuando un fotn induce a un electrn que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de reposo, este proceso esta acompaado con la emisin de un fotn, con la misma frecuencia y fase del fotn estimulante. Para que el numero de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontnea, para que se compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es necesario por un lado tener una fuerte inversin de portadores, la que se logra con una polarizacin directa de la unin, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener una trayectoria de retroalimentacin positiva facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas angosto al espectro emitido.

La presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades de la cavidad resonante hacen que las caractersticas de salida (potencia ptica como funcin de la corriente de polarizacin) tenga un umbral a partir del cual se obtiene emisin estimulada, el cual es funcin de la temperatura.

Un diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo que significa que todas las ondas luminosas estn en fase entre s. La idea bsica de un diodo lser consiste en usar una cmara resonante con espejos que refuerza la emisin de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de esta resonancia, un diodo lser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso, enfocado y puro.

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.

APLICACIN BSICA La aplicacin bsica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de alimentacin lumnica para sistemas de telecomunicaciones va fibra ptica. El diodo lser es capaz de proporcionar potencia ptica entre 0.005-25mW, suficiente para transmitir seales a varios kilmetros de distancia y cubren un intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm. Sin embargo para utilizar un diodo lser como fuente lumnica, es necesario disear un sistema de control que mantenga el punto de operacin del sistema fijo, debido a que un corrimiento de este punto puede sacar al diodo fuera de operacin o incluso daarlo.

CARACTERISTICAS BASICAS

Caracterstica de salida de los diodos lser Dependencia de la caracterstica de salida como funcin de la temperatura.

Los diodos lser son ms recomendables como fuentes pticas para sistemas de comunicacin con grandes separaciones entre repetidores y altas velocidades de transmisin. Se puede lograr distancias de 100Km sin repetidores con velocidades de 1 GHz. Diferencias del diodo lser con un diodo LED.

LASER *Ms rpido

LED *Mayor estabilidad trmica *Menor potencia de salida, mayor tiempo

*Potencia de salida mayor *Emisin coherente de luz *Construccin es ms compleja

de vida *Emisin incoherente *Mas econmico

*Actan como fuente s adecuadas Se acoplan a fibras pticas en distancias en sistemas de telecomunicaciones cortas de transmisin *Modulacin a altas velocidades, hasta GHz *Velocidad de modulacin hasta 200MHz

Ventajas del diodo lser con un diodo LED La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.

La emisin de luz lser es monocromtica:

Los fotones emitidos por un lser poseen longitudes de onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz emitida por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.

Con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.

Un diodo lser requiere de una fuente de alimentacin de 100 a 200 mW. Se les hizo funcionar primero en el modo de pulsos en 1962. Luego se usaron en operacin en onda continua (OC) en los aos setentas.

Los diodos lser han tenido uso extenso como emisores en comunicacin por fibras pticas de alcance corto y largo, y como sensores en los reproductores de discos de compactos (DC). Los diodos lser se modulan con facilidad, conmutando la corriente de entrada a conectado y desconectado

Los diodos lser de un solo modo, capaces de emitir de 20 a 50 mW, tienen demanda para grabacin ptica, impresin a alta velocidad, sistemas de distribucin de datos, transmisin de datos y comunicaciones espaciales entre satlites en rbita.

Tipos De Fuentes De Luz

Se puede decidir tener una fuente de luz que sea tratada como si estuviera localizada eninfinitamente lejos de la escena o una que sea cercana a la escena.

Direccional

El primer tipo referido, se conoce como fuente de luz direccional; el efecto de una localizacin en el infinito es que los rayos de luz pueden considerarse paralelos en el momento que alcanzan un objeto.

A la funcin glLight*() se le pasa un vector de cuatro valores (x,y,z,w) para el parmetro GL_POSITION. Si el ltimo valor, w, es cero, la fuente de luz correspondiente es de tipo direccional y los valores (x,y,z) describen su direccin.

Posicional

El segundo tipo referido se conoce como fuente de luz posicional, ya que su posicin exacta dentro de la escena determina el efecto que tiene sobre esta, especficamente, la direccin desde la cual vienen los rayos de luz.

A la funcin glLight*() se le pasa un vector de cuatro valores (x,y,z,w) para el parmetro GL_POSITION. Si el ltimo valor, w, es distinto de cero, la fuente de luz correspondiente es de tipo posicional y los valores (x,y,z) especifican la localizacin de la fuente de luz.

Para luces en el mundo real, la intensidad de la luz decrece a medida que aumenta la distancia desde la fuente de luz. Ya que una luz direccional est infinitamente lejos, no tiene sentido atenuar su intensidad con la distancia, luego la atenuacin est desactivada para luz direccional. OpenGL atena una fuente de luz multiplicando la contribucin de esa fuente por un factor de atenuacin.

Spotlight

Una luz posicional irradia en todas las direcciones, pero se puede restringir esto deforma que se produzca un cono de luz definiendo lo que se conoce como una luz tipo spotlight (un ejemplo puede ser una lmpara tipo flexo). Por lo tanto, para definir un spotlight hay que determinar la apertura deseada del cono de luz. (Recordar que, puesto que las spotlights son luces posicionales, hay que darles una localizacin). Para especificar el ngulo entre el eje del cono y un rayo a lo largo del borde del cono, usar el parmetro GL_SPOT_CUTOFF.

Por defecto el valor del parmetro es 180, es decir, irradia en todas las direcciones (360). Los valores que puede tomar, a parte del particular 180, estn comprendidos en el intervalo [0,90].

Tambin hay que especificar la direccin del eje del cono de luz, para lo cual se utiliza el parmetro GL_SPOT_DIRECTION.

Hay dos formas de controlar la intensidad de la distribucin de la luz dentro del cono:

Fijando el factor de atenuacin descrito anteriormente, el cual es multiplicado por la intensidad de la luz.

Fijando el parmetro GL_SPOT_EXPONENT que controla cmo es la luz de Concentrada. La intensidad de la luz es ms alta en el centro del cono. La luz se atena hacia los bordes del cono luz, luego a mayor exponente resulta en una fuente de luz ms focalizada.

LANZAMIENTO Y ACOPLE DE POTENCIA

LANZAMIENTO DE LA LUZ

Para enviar una seal por un cable de fibra ptica se necesita una fuente de luz. Puede ser un LED (diodo emisor de luz), un lser (amplificacin de luz por emisin estimulada de radiacin) o un VCSEL (lser emisor de superficie vertical). Los lseres y los VCSEL proporcionan una fuente de luz ms intensa y enfocada por lo que pueden transmitir mayores distancias que sus equivalentes LED. El equipo que genera la seal mediante las dos ltimas tecnologas es ms caro que una fuente LED.Con independencia del tipo de fibra, el hecho de situar los pulsos de luz en la fibra se conoce como "lanzar". El mtodo de lanzamiento puede variar

desde un lanzamiento saturado a un lanzamiento de modo restringido. La ruta de la luz se llama modo. En un lanzamiento saturado, la luz introduce una seal de mayor tamao que el ncleo real de la fibra. Eso permite que todos los modos se exciten. En lanzamiento de modo restringido, se introduce un ncleo de luz ms pequeo que excita slo determinados modos en la fibra. En monomodo, slo se excita una nica ruta o modo.

Los pulsos de luz pueden dispersarse dentro de la fibra con la distancia, lo que se conoce como dispersin. Cuando los pulsos se superponen, pueden limitar la capacidad del receptor para registrar pulsos distintos, limitando en consecuencia el ancho de banda de una fibra. La luz viaja a diferentes velocidades en diferentes colores tambin. Para contrarrestar cierta prdida de dispersin, la fuente de luz puede proporcionar lo que se llama un lanzamiento restringido, normalmente empleado para aplicaciones de mayor velocidad.

En vez de llenar todos los modos en una fibra con luz, slo determinados modos se excitan y por lo tanto se restringe la gama de pulsos y los efectos de dispersin.

A longitudes de onda ms largas para velocidades de gigabit funcionando en calidades ms antiguas de fibra multimodo de 62,5/125 micras, el lanzamiento restringido provoca retardo de modo diferencial (las seales no llegan al receptor al mismo tiempo). Para esas aplicaciones, deben utilizarse latiguillos

acondicionadores de modo. Esos latiguillos proporcionan un desfase de manera que la luz no entra directamente en el centro del ncleo de la fibra. Al desfasar el

haz hacia un rea fuera del centro del ncleo, la dispersin se minimiza. Debe utilizarse un juego de latiguillos de lanzamiento restringido en cada extremo del sistema.

El ancho de banda de la fibra es la capacidad de transmisin de informacin de la fibra. Es inversamente proporcional a la cantidad de dispersin. As, la medida en la que pueda controlarse la dispersin determina esencialmente el ancho de banda utilizable de la fibra.

PATRON DE EMISION DE LA FUENTE

El objetivo de cualquier medida de certificacin es proporcionar indicaciones Pasa/Falla en las que el usuario final y el contratista de la instalacin puedan confiar. Las condiciones de emisin han demostrado tener una influencia importante en la precisin y la coherencia de las mediciones de prdida de fibra ptica.

Hemos visto que la luz se propaga en muchos modos por la fibra multimodo de ndice gradual. El nmero de modos utilizados por la emisin y el nivel de energa en cada modo afecta a las medidas de potencia. Si las condiciones de emisin no estn controladas de una herramienta de prueba a otra, cada herramienta puede proporcionar resultados diferentes de medicin y prueba; una indicacin cierta de que ninguno de ellos son correctos o fiables. El objetivo es controlar las condiciones de emisin de modo que las herramientas de prueba compatibles produzcan resultados que se encuentren dentro de un estrecho margen alrededor del verdadero valor de prdida.

Factores que influyen en las condiciones de emisin. Los LEDs son las fuentes de luz preferidas para comprobar las prdidas en enlaces de fibra multimodo. Vimos cmo los VCSELs se han convertido en la fuente de luz de eleccin para todas las aplicaciones de red de alto rendimiento con fibra multimodo porque los VCSELs

tienen la capacidad de modulacin necesaria para proporcionar pulsos cortos en una rpida sucesin, y as admitir la velocidad de datos de las aplicaciones a 1 y 10 Gbps. Pero los VCSELs no son adecuados para la comprobacin de prdida porque cada VCSEL puede utilizar un conjunto de modos diferente con niveles de energa variables en cada modo. Adems, la comprobacin de prdida se realiza con una onda de luz constante en lugar de una seal modulada.

Los LEDs producen un cono de luz que se reparte uniformemente en el extremo de la fibra, incluso ms all del ncleo. Los LEDs crean una condicin de emisin en desbordamiento. El grado de desbordamiento, sin embargo, produce importantes variaciones en la medicin de prdida. Una fuente de luz lser como un VCSEL crea una condicin de emisin restringida. Estas fuentes iluminan un estrecho cono de luz en el centro del ncleo. Una condicin de emisin restringida puede no detectar correctamente problemas en el enlace de fibra y, por consiguiente, proporcionar un resultado ms favorable de la prueba.

Control de las condiciones de emisin. Con los aos, se han desarrollado mejores mtodos para controlar estas condiciones de emisin en desbordamiento en un estrecho margen con el objetivo de producir resultados de prueba de prdida precisos y repetibles. Las normas establecieron dos mtricas

independientes para caracterizar y controlar las condiciones de emisin. Son la Distribucin de Potencia Modal y la Relacin de Potencia Acoplada.

La Distribucin de Potencia Modal (Modal Power Distribution, MPD) mide el nivel relativo de potencia en los diferentes modos transferidos entre la fuente de luz y el TRC. Deber satisfacer esta mtrica el diseo del equipo, as como la seleccin de diodos LED y el acoplamiento dentro el instrumento de fuente de luz entre el LED y la conexin interna de fibra. (Todos los mdulos de prueba de fibra ptica diseados y fabricados por Fluke Networks desde 2002 cumplen los requisitos de MPD).

La Relacin de Potencia Acoplada (Coupled Power Ratio, CPR) es una medida de la cantidad modal de relleno en una fibra multimodo (latiguillo de referencia de prueba). Se hizo popular porque se puede medir en campo. Tanto la fuente de luz como el TRC (Un TRC es un latiguillo de fibra de alta calidad de entre 1 y 3 m con conectores de alto rendimiento en cada extremo) pueden ser clasificados con un ndice CPR. Un valor de CPR se mide como la prdida entre un TRC multimodo y un TRC monomodo acoplado. Cuando la luz de la fibra multimodo contiene energa significativa en los modos de orden superior, la prdida de este acoplamiento ser mayor que cuando la fibra multimodo lleva menos energa en los modos de orden superior. El valor de esta medida de prdida define la condicin de desbordamiento deseada cuando se utiliza una fuente de luz con MPD compatible. Las normas especifican los valores de la prdida CPR; un ndice CPR de 1 es la tasa deseada y recomendada para las mediciones de certificacin de los enlaces de fibra ptica multimodo.

Mandril. Ya que un equipo de prueba con una fuente de luz con MPD compatible en combinacin con TRCs con CPR de ndice 1 puede producir diferentes resultados de pruebas de prdida, se han diseado ms pasos an para limitar esta variabilidad en los resultados. Es necesario el uso de un mandril para comprobar enlaces multimodo de fibra ptica para obtener mediciones de prdida

ms precisas. El mandril adecuado limita las incertidumbres de la medicin y mejora la precisin de la medida de prdida. Un mandril es un pequeo cilindro con un dimetro especificado que depende del tamao del ncleo y la construccin de la fibra del TRC

Lanzamiento de potencia versus longitud de onda

Especificaciones ISO para ancho de banda multimodo

Nota: El ancho de banda efectivo de lanzamiento de lser se garantiza usando retardo de modo diferencial (DMD), como se especifica en IEC/PAS 6073-1-49. Especificaciones TIA para ancho de banda multimodo

ISO/IEC 11801 Ed2.0 define tres tipos pticos de fibra multimodo. OM1 principalmente comprende la fibra histrica de 62,5/125 micras. OM2 tiene un ancho de banda efectivo de 500 MHzkm a ambas longitudes de onda y representa la fibra de calidad estndar de 50/125 micras. OM3 tiene un ancho de banda de 1500/500 MHzkm para lanzamientos saturados y 2000 MHzkm con un

lanzamiento de modo restringido, y se conoce por TIA/EIA c omo fibra optimizada para lser de 50/125 micras.

La prdida de potencia en funcin de la longitud de onda, se denomina ATENUACION ESPECTRAL, los factores que originan la atenuacin son: absorcin, scattering y radiacin. Aunque la fibra ptica est fabricada con silicio de alta pureza, pueden aparecer pequeas impurezas e imperfecciones que hagan que parte de la potencia se pierda o se convierta en otro tipo de energa. La impureza ms importante son los iones OH, procedentes de una deficiente eliminacin de agua. Debido a estos iones aparece una frecuencia de resonancia a 1390 nm que hace que la atenuacin aumente en este punto. En fibras comerciales actuales se ha reducido este pico de dispersin, son las fibras LWP (Low Water Peak) bajo recomendacin ITU-T G.652.D, como se puede apreciar en la imagen a continuacin.

CALCULO DE ACOPLE DE POTENCIA

Los acopladores (o acopladores direccionales) son componentes pasivos. stos operan en el dominio ptico y se emplean en la distribucin y combinacin de

seales, la realizacin de multiplexacin y demultiplexin por longitud de onda, la construccin de otros componentes pticos y la monitorizacin de sistemas.

Las configuraciones en que se presentan estos dispositivos son: Acopladores: estructura con N puertos de entrada y N de salida (con N = 2). Este dispositivo divide el campo que entra por uno de los puertos de entrada entre los 2 terminales de salida. Divisores (splitter) y taps: estructura con 1 puerto de entrada y 2 puertos de salida. La diferencia entre un splitter y un tap es el elevado coeficiente acoplamiento en este ltimo. Combinadores: estructura con 2 puertos de entrada y 1 de salida (misma

estructura que un splitter pero al revs).

Otros componentes pticos pasivos son los aisladores pticos que transmiten la luz en una nica direccin. stos son muy importantes en los sistemas de comunicaciones pticos para evitar que las reflexiones de las seales alcancen a otros dispositivos y puedan daarlos, como por ejemplo a los lseres. Otro componente ptico pasivo es el circulador. El circulador es un tipo de aislador ptico cuya funcionalidad es permitir el paso de toda la luz que entra por uno de sus puertos hacia el siguiente puerto. Estos componentes estn caracterizados por la matriz de scattering, que expresa la relacin entre los campos elctricos de cada puerto de salida con los campos elctricos de las entradas.

El parmetro se denomina coeficiente de acoplamiento o de acoplo, y determina cuanta potencia se dirige a cada puerto de salida. La potencia ptica acoplada de una fibra a otra puede ser variada a modificando la longitud de la regin de acoplamiento y el grado de reduccin del radio de la fibra (como se

muestra en la figura el radio de las fibras que forman el acoplador se reduce gradualmente antes de la regin de acoplamiento), entre otros parmetros.

Estructura de un acoplador 1x2, tambin llamado divisor o splitter

En el soplador 2 x 2 del ejemplo, P0 es la potencia de entrada, parte de esta potencia se transmite a los puertos de salida, P1 (potencia transmitida por la fibra 1) y P2 (potencia acoplada a la fibra 2), y otra pequea parte es reflejada a hacia las entradas, P3 y P4 ; cuyos valores estn comprendidos entre -50 y -70 dB por debajo de la potencia de entrada.

En este tipo de dispositivos el coeficiente de acoplamiento depende de la longitud de onda de la seal ptica, por lo que se llaman acopladores selectivos en frecuencia; aunque se pueden construir acopladores independientes de , que es el caso ms comn. La principal utilidad de los acopladores selectivos en frecuencia es acoplar in lser de bombeo en un amplificador de fibra dopada con erbio, Erbium Doped Fiber Amplifier (EDFA).

Los parmetros que caracterizan a un acoplador son, El coeficiente de acoplamiento,

Prdidas en exceso, excess loss, es decir, las prdidas del dispositivo,

Prdidas de insercin, insertion loss, este parmetro se refiere a las perdidas asociadas a un camino en concreto.

Prdidas de retorno, return loss , este parmetro mide el aislamiento entre la potencia de entrada y la potencia ptica reflejada en el mismo puerto,

Crosstalk, este parmetro mide el aislamiento entre la potencia de entrada y la potencia ptica reflejada en otro puerto de entrada,

ABERTURA NUMERICA DE EQUILIBRIO

ABERTURA NUMERICA

La abertura numrica (NA, de numerical aperture) se relaciona en forma estrecha con el ngulo de aceptacin, el cual es el ngulo mximo que pueden formar los rayos luminosos externos al llegara la interfaz aire-fibra para poder propagarse por la fibra, y viene a ser la figura de merito que suele usarse para medir la magnitud del ngulo de aceptacin. En esencia, se usa la abertura numrica para describir la capacidad de reunir la luz que tiene una fibra ptica y para calcular la eficiencia de acoplo fibra/fuente. Mientras mayor sea la abertura numrica, la fibra acepta mayor cantidad de luz externa. Para fibras unimodales o multimodales, la abertura numrica se define como el seno del ngulo mximo que un rayo de luz que entra a la fibra puede formar con el eje de la fibra, y propagarse por el cable por reflexin interna, es decir, el seno del medio ngulo de aceptacin. Los rayos de luz que entran al cable desde el exterior del cono de aceptacin entraran al revestimiento y, en consecuencia, no se propagaran por el cable. As, para la luz que entra en la fibra desde el espacio libre, la abertura numrica es

La potencia irradiada de las fuentes de luz (LED y diodo lser) tienen que ser acoplada en la fibra ptica eficazmente y establemente. Dos tipos de acoplamiento son posibles:

1. Acoplamiento directo - Para las fuentes de emisin por la superficie, la distribucin de la intensidad ptica radiada, por unidad de anglo slido y por unidad de superficie de rea de emisin (W/cm2.sr), es dado por (emisin Lambertiana):

Donde Ies la intensidad de radiacin, en la direccin del normal a la superficie de radiacin. En general: LED de emisin superficial ~1%; diodo lser ~10%.

2. Acoplamiento por lente - Las lentes pueden ser usada para mejorar el acoplamiento si: (1) La abertura numrica de la fibra ptica (N.A) es mayor que la abertura numrica de la fuente de luz. (2) La rea de emisin de la fuente de luz es menor que el ncleo de la fibra ptica. (3) La anchura espectral de la fuente de luz estrecha. En general: LED de emisin lateral ~10%; diodo lser ~70%.

Uniones Fibra A Fibra, Prdidas Relacionadas A La Fibra

Un cable de fibra ptica bien elaborado de fbrica, normalmente no presenta ningn tipo de prdida de luz, pero en realidad sufre varias perdidas de las cuales las ms usuales son:

Prdidas por dispersin de Rayleigh. Durante el proceso de fabricacin, el vidrio es producido en fibras largas de un dimetro muy pequeo, durante este proceso, el vidrio esta en un estado plstico ( entre liquido y slido ).La tensin aplicada al vidrio durante este proceso causa que el vidrio se enfre y desarrolle irregularidades submicroscpicas que se forman, de manera permanente en la fibra. Los rayos de luz que inciden en estas irregularidades se difractan causando que la luz se disperse en muchas direcciones.

Prdidas por dobleces. Las prdidas por dobleces ocurren en todas las curvas de una fibra ptica, esto se debe al cambio del ngulo de incidencia en la frontera ncleo - revestimiento . Si el radio de curvatura es mayor que el radio mnimo de curvatura de la fibra, las prdidas son despreciables o viceversa. Prdidas por acoplamiento.

En los cables de fibra las prdidas de acoplamiento pueden ocurrir en cualquiera de los tres tipos de uniones pticas: conexiones de fuente a fibra, de fibra a fibra y conexiones de fibra a fotodetector. Las prdidas de unin son causadas ms frecuentemente por una mala alineacin lateral, una mala alineacin de separacin y un mal acabado de la superficie, ms especficamente

Mala alineacin lateral. Ocurre cuando hay un desplazamiento axial o lateral entre dos piezas de cable de fibra contigua.

Mala alineacin de separacin. Ocurre cuando se empalman fibras, las fibras deben tocarse, entre ms separadas estn las fibras mayor ser la prdida de luz.

Mal acabado de superficie. Las puntas de las dos fibras a unir deben estar altamente pulidas, de lo contrario stas no podrn alinearse.

Existen dos tipos de acoplamiento bsico: acoplamiento por empalme y acoplamiento por conector.

El acoplamiento por empalme es una tcnica que ese utiliza para unir permanentemente dos fibras pticas en una conexin de bajas prdidas. Esta conexin se puede realizar usando uno de estos dos mtodos: empalmes por fusin o empalme mecnico. Un empalme por fusin proporciona la conexin de prdidas ms bajas. Para realizar este tipo de empalme se utiliza un dispositivo denominado empalmadora de fusin. La empalmadora de fusin alinea con precisin las dos fibras, generando un pequeo arco elctrico para soldar las dos fibras. Un empalme mecnico es una tcnica alternativa de empalmado que no requiere una empalmadora de fusin. Un empalme mecnico es un conector de fibra pequeo que alinea dos fibras desnudas de manera precisa y que las asegura mecnicamente. Para fijar permanentemente la unin se utilizan cubiertas de epoxi o resina sinttica directamente sobre las fibras desnudas. Normalmente luego de realizar un empalme, ste debe ser protegido, por lo que se coloca en una bandeja de empalmes la cual se cierra a presin, luego sta es colocada en una caja de empalmes de tal manera de proteger la bandeja de empalmes posibles daos de animales o causados por las condiciones del ambiente.

El acoplamiento por conector no es ms que un empalme, pero en vez de ser fibra a fibra, es de fibra a conector. Para acoplar un conector a una fibra se debe tener en cuenta el tipo de conector que se va a usar y el lugar en que se encuentra, de tal manera que si instala un panel de conexiones debern usarse tambin cordones de conexin o latiguillos. Un latiguillo no es ms que un cordn

de conexin cortado a la mitad, y un cordn de conexin es un cable de fibra ptica de corta longitud con conectores en ambos extremos. Un latiguillo de fibra ptica se usa para terminar una fibra ptica con un conector, el latiguillo se empalma a la fibra ptica para proporcionar una terminacin de calidad con un conector de fbrica. Las prdidas de luz de una fibra se mide normalmente en decibelios (dB), que no es ms que la cantidad de potencia de onda de una seal.

Perdidas Extrinsecas. (Desalineamientos Mecnicos)

Las perdidas extrnsecas son producidas por desalineamientos mecnicos de la unin de las fibras pticas. Este desalineamiento causa prdidas de radiacin ya que el cono o ngulo de aceptancia de la fibra emisora, no concuerda con el cono de aceptancia de la fibra receptora. Existen tres tipos principales de desalineamiento:

1. DESPLAZAMIENTO O FALLA AXIAL. Ocurre donde los ejes de la fibra no estn colineales sino que estn separados paralelamente por una distancia determinada.

2. DESALINEAMIENTO O FALLA ANGULAR. Sucede cuando los ejes de la fibra forman un ngulo y las caras de los extremos exceden de su separacin mxima permitida.

3. SEPARACION LONGITUDONAL. Ocurre cuando la fibra ptica al unirse sobre un mismo eje pero tienen un espacio entre las caras de los extremos.

TECNICAS DE EMPALME -Identifique las fibras pticas a unir y trace la ruta exacta a seguir desde la entrada del cable a la bandeja de empalmes.

-Pela la cubierta exterior del cable en ambas puntas (aproximadamente dos metros en cada cable). Si fuese un cable de varias fibras pele primero la proteccin de los cables de fibra con la peladora de tubo, y luego quite la cubierta exterior de cada fibra.

-Limpie cuidadosamente todas las fibras de cualquier gel que pudiera estar presente en el cable con la solucin de limpieza del gel del cable. Utilice guantes para proteger sus manos de la solucin de limpieza.

-Identifique la fibra a empalmar, luego utilizando el pelador de recubrimiento elimine suficiente recubrimiento de manera tal que queden expuestos 5 cm de la fibra desnuda aproximadamente.

-Limpie con cuidado la fibra desnuda frotndola en una direccin con una gasa y alcohol libre de residuos. Se recomienda proteger las manos de la solucin de limpieza utilizando guantes. Despus de limpiada la fibra no la ponga en contacto con ninguna superficie incluso sus manos.

-Prepare la herramienta de corte y seccione la fibra para obtener una superficie perpendicular (utilice lentes de seguridad durante el proceso de corte). Utilice las pinzas para introducir el pedazo de fibra cortado en un contenedor con tapa. Haga este procedimiento con las dos fibras a empalmar.

-Pula la superficie de ambas fibras con una lija y asegrese de que no queden residuos dentro de la fibra. Utilice el lente ptico de aqu en adelante.

-Site y alinee las fibras mediante un conector mecnico, utilice una cubierta adhesiva para sujetar las dos fibras, asegrese nuevamente de que las fibras estn alineadas y luego recubra el tubo con resina sinttica. Deje secar la resina y luego lleve la fibra a la bandeja de empalmes. -Para evitar que la fibra se rompa por un esfuerzo de torsin, colquelo con cuidado en la bandeja de empalmes y d vueltas a la fibra alrededor de la misma asegurndose que no se viole el radio mnimo de curvatura del cable.

Preparacin De La Fibra

En esta imagen podemos ver el inicio del proceso para la preparacin de un Cable de Fibra Optica que ser conectado a un panel de distribucin. Como primer paso, la cubierta exterior del cable de Fibra Optica debe ser

cuidadosamente retirada.

La cubierta ha sido separada, ahora se deber retirar con cuidado para que el delgado tubo que contiene las Fibras (en este caso 6) no se rompa o se quiebren todas o alguna de las fibras. En caso de quebrarse alguna fibra, se deber iniciar todo el proceso, lo cual implica prdida de materiales y tiempo Ahora se acaba de montar en el cable un soporte especial, el cual llevar acoplado el o los bifurcadores que separarn cada una de las fibras. El tubo que contiene las fibras es de color anaranjado, como se muestra en la imagen. Ahora, el tcnico ha separado el tubo que contiene Este proceso se las lleva a fibras. cabo con

herramientas especiales, que permiten un mayor margen de seguridad, evitando as la rotura de alguna de las fibras. En la fotografa se pueden ver las seis

Fibras Opticas de este cable. Las fibras dentro del tubo vienen inmersas en una "jalea" especial que las aisla de agentes externos como la humedad.

Esta jalea debe ser retirada totalmente de Cada una de las fibras, para luego instalar el bifurcador. En este caso, se est procediendo a limpiar las fibras con Alcohol Isoproplico.

Aqu, la imagen nos muestra cuando las seis fibras han sido introducidas en el bifurcador. De uno de sus extremos salen seis tubitos de hule suave (color

anaranjado), lo que permite manipular las fibras fcilmente. En el otro extremo se encuentran los minsculos orificios por donde son introducidas las fibras. Ahora podemos apreciar ms

detalladamente el soporte y el bifurcador, los cuales debern ser acoplados. Este es un bifurcador para 6 fibras, existen de otras capacidades. En esta imagen y en la anterior ya podemos ver las delgadsimas fibras en las que se ha estado trabajando. A esta altura del proceso podemos ver acoplados el soporte con el bifurcador de fibras. Podramos decir que la parte ms delicada del procedimiento ha terminado. Ahora se procede a instalar la cubierta del soporte, la cual le dar fortaleza y

seguridad a esta parte del cable de Fibra Optica. Esta cubierta plstica es asegurada por dos tornillos a la base del soporte

As podemos apreciar el soporte terminado y los seis tubos anaranjados del bifurcador, conteniendo cada uno de ellos una fibra. En esta imagen tenemos el otro extremo de los tubos delbifurcador, as como tambin la salida de las seis

Fibras Opticas. En estos extremos de las fibras se proceder a instalar los

respectivos conectores a cada una de ellas. En el proceso de instalacin del conector para fibra, procedimiento que tambin se ejecuta con herramientas especiales,

podemos ver la "remachadora", utilizada para fijar y sellar los conectores. Despus de instalado el conector, se

corta la fibra y se procede a pulirla en la punta de cada uno de los conectores La fibra deber quedar bien pulida para as evitar prdidas durante la transmisin de la seal de luz. En el pulido se utilizan tres tipos de lija muy fina: la de color rojo que es de 1 micra, la amarilla de 0.5 y la blanca de 0,38 micras. El proceso se hace a partir de la ms gruesa hasta finalizar en la ms delgada.

Todo este proceso hasta ahora descrito, termina con el anlisis del acabado de la fibra, para ello usamos un microscopio y un emisor de luz. Con este microscopio se puede observar

el pulido de la fibra durante el proceso y as poder decidir el momento en que la fibra se encuentra perfectamente pulida y terminada. Una vez acabado todo este proceso de preparacin e

instalacin de conectores para un cable de Fibra Optica, en este caso de seis hilos, se procede a hacer la conexin en el

respectivo panel de distribucin Este panel puede albergar hasta 24 Fibras Opticas. La funcin del panel es poder interconectar cada fibras con una los de respectivos las equipos

transmisores/receptores.

Empalmes en fibras monomodo

Una fibra que tenga un tamao de ncleo de 8 a 10/125 m se conoce como fibra monomodo puede propagar la mayor tasa de datos y tiene la atenuacin mas baja. Se utiliza frecuentemente para aplicaciones de transmisin de datos a alta velocidad o para largas distancias. Debido al pequeo dimetro de su ncleo, el equipamiento ptico utiliza conectores de alta precisin y fuentes laser. Esto aumenta los precios del equipamiento. El equipamiento de las fibras monomodo

cuesta a menudo ms que el equipamiento de fibras multimodo. Sin embargo, un cable de fibras monomodo es ms barato que un cable de fibras multimodo.

Cuando se emparejan las fibras pticas para hacer un empalme o conexin, los dimetros de los ncleos deben ser del mismo tamao. Una fibra multimodo de 62,5/125 m debera empalmarse nicamente con otra fibra multimodo 62,5/125 m. Las fibras multimodo y monomodo no se pueden conectar o intercambiar .El equipamiento diseado para fibras monomodo solo se puede conectar a fibras monomodo. El equipamiento diseado para fibras multimodo se puede conectar solo a fibras multimodo.

La fuente de luz utilizada en fibra ptica para fibra monomodo es el VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), o lser de emisin superficial de cavidad vertical.

Conectores Estos elementos se encargan de conectar las lneas de fibra a un elemento, ya puede ser un transmisor o un receptor. Los tipos de conectores disponibles son muy variados, entre los que podemos encontrar se hallan los siguientes: FC, que se usa en la transmisin de datos y en las telecomunicaciones. FDDI, se usa para redes de fibra ptica. LC y MT-Array que se utilizan en transmisiones de alta densidad de datos. SC y SC-Dplex se utilizan para la transmisin de datos. ST o BFOC se usa en redes de edificios y en sistemas de seguridad.

Los cables de fibra ptica se unen con conectores especiales o se empalman entre s. Los conectores de fibra ptica estn hechos de un casquillo, un cuerpo conector y un mecanismo de acoplamiento. El casquillo es un cilindro delgado que sostiene la fibra ptica en su centro ahuecado. Los conectores de fibra ptica pueden fabricarse con metal, plstico o cermica. El cuerpo del conector est hecho de plstico o metal. Este sostiene el casquillo y conecta con la funda exterior del cable. El mecanismo de acoplamiento es el cuerpo que sostiene al conector en su lugar cuando se conecta a un dispositivo electrnico. Los conectores de fibra ptica pueden ser un clip de cierre de presin y clic, un conector con rosca o un conector de tuerca de giro y enganche de estilo bayoneta.

Conectores monomodo

Las botas de los conectores monomodo son azules o blancas. El casquillo del conector a menudo est hecho de circonio, que es un tipo de cermica. El casquillo monomodo tiene un agujero ms pequeo que el del casquillo multimodo y no es detectable a simple vista.

En una fibra monomodo, el conector de Punta Recta (ST) es el ms frecuentemente utilizado.

Perdidas Por Retorno

Unir un conector a un cable de fibra ptica provocar que parte de la luz que atraviesa esa fibra ptica se pierda.

Independientemente de si el conector fue instalado en fbrica o in situ, su presencia ser la responsable de que parte de la luz se refleje hacia atrs en direccin a su fuente, el lser. Estos reflejos, que suelen conocerse como prdida de retorno (RL), daan el lser y degradan el rendimiento de la seal. El nivel de degradacin de la seal causado por el RL depende de las especificaciones del lser; algunos lseres son ms sensibles que otros al RL. La cantidad de prdida de retorno ptico generada est relacionada con el tipo de pulido utilizado en el conector.

FOTODETECTORES La definicin bsica de un fotodetector radica en su funcionamiento como transductor de luz que proporciona una seal elctrica como respuesta a la radiacin ptica que incide sobre la superficie sensora. Existen dos tipos fundamentales de detectores de luz, los trmicos y los fotnicos que operan con mecanismos de transduccin diferentes. Los detectores trmicos absorben (detectan) la energa de los fotones incidentes en forma de calor con lo que se produce un incremento en la temperatura del elemento sensor que implica tambin un cambio en sus propiedades elctricas como por ejemplo la resistencia. El cambio en esta propiedad elctrica en funcin del flujo radiante recibido es lo que permite su medida a travs de un circuito exterior. La mayora de esta clase de fotodetectores son bastante ineficientes y relativamente lentos como resultado del tiempo requerido para cambiar su temperatura, lo que les hace inadecuados para la mayor parte de las aplicaciones fotnicas.

Fig. 4.1 Esquema bsico de un dispositivo fotodetector

Los detectores fotnicos no utilizan la energa del fotn en forma de calor, sino que la invierten en incrementar la energa de sus portadores de carga, con lo que se modifican las propiedades de conduccin elctrica de los sistemas detectores en funcin del flujo de fotones recibido. Este proceso de conversin implica la transformacin de los fotones incidentes en electrones, pero esta respuesta simple no tendra ninguna relevancia si esos electrones no se ponen en movimiento para generar una corriente, que es la magnitud que realmente podemos medir, para ello en ocasiones hay que aplicar un campo elctrico, dando lugar a un esquema como el de la figura 4.1. Dado su origen, la corriente as generada recibe el nombre de fotocorriente. Es a esta clase de detectores a la que nos vamos a dedicar en este tema. Propiedades de los detectores fotnicos Son los ms utilizados en los sistemas de comunicaciones, y como ya se ha dicho, estn basados en la capacidad de ionizacin de un material semiconductor, de forma que los diferentes dispositivos que veremos no son ms que variaciones de este mismo principio. Para caracterizar el comportamiento de estos detectores, existen unos parmetros fundamentales a tener en cuenta en el proceso de seleccin para cada aplicacin particular. Estos parmetros son Eficiencia cuntica Responsividad Tiempo de respuesta Caractersticas de ruido En general, los fabricantes de dispositivos proporcionan datos relacionados con estas caractersticas fundamentales, aunque en ocasiones no se den stos de manera explcita. Aparte de la informacin de los dispositivos como detectores de radiacin, tambin hay que tener en cuenta sus propiedades elctricas en virtud

de las caractersticas de componente electrnico que presentan. A lo largo del tema podremos ver algunos ejemplos de cmo trabajar con estos datos. En principio, vamos a dar una breve descripcin de los parmetros bsicos enumerados anteriormente, indicando los factores ms importantes de que dependen cuando sea necesario. Eficiencia cuntica ( 0 <= <= 1 ) Se define como la probabilidad de que un fotn incidente sobre el dispositivo genere un par de portadores que contribuyen a la corriente del detector. Dado que en general tendremos una elevada cantidad de fotones incidiendo sobre la superficie del detector, podemos escribir la eficiencia cuntica como

(4.2.1) No todos los fotones incidentes generan portadores que contribuyan a la fotocorriente, los efectos de reflexin en la superficie, transparencia del material a los fotones de energa inferior a la del gap de energa prohibida del mismo, la probabilidad de absorcin cerca de la superficie del dispositivo y la rpida recombinacin de portadores en este caso por la abundancia de defectos, hace que la eficiencia cuntica se reduzca. Si tenemos en cuenta estos factores, la eficiencia cuntica total vendr dada por

(4.2.2) En la expresin (4.2.2), aparecen tres trminos diferentes que afectan a al eficiencia cuntica. El primero da cuenta de los efectos de reflexin en la superficie del dispositivo, es decir, de todos los fotones incidentes una fraccin no penetra en el material. El segundo trmino ( ) hace referencia a la fraccin de los fotones incidentes que penetran en el material generando pares eh y que evitan la

recombinacin superficial de portadores de carga, con lo que contribuyen a la generacin de corriente til. El problema de la recombinacin superficial puede minimizarse si se realiza un crecimiento cuidadoso de los cristales que forman los dispositivos. Finalmente, aparece un trmino que da cuenta de la fraccin de fotones absorbidos en el material masivo. Aparecen parmetros tales como el coeficiente de absorcin del material ( [cm1]) y la profundidad del fotodetector (d [cm]). La obtencin de este trmino tiene en cuenta el flujo de fotones incidente o y los absorbidos en funcin de la capacidad de absorcin del material (figura 4.3). Si tenemos en cuenta la expresin de los fotones absorbidos

(4.2.3) es fcilmente deducible el tercer trmino de la expresin (4.2.2). En la figura 4.2 puede verse una representacin esquemtica de todos los fenmenos que intervienen en el valor final del factor de la eficiencia cuntica.

Fig. 4.2 Factores que intervienen en la eficiencia cuntica de un fotodetector Debemos notar que el coeficiente de absorcin en la ecuacin (4.2.2) depende de la longitud de onda. Este es uno de los factores principales por los que la eficiencia cuntica del dispositivo que utilicemos depender tambin de la longitud

de onda. Esta circunstancia da lugar a la necesidad de utilizar diferentes materiales dependiendo del rango de longitudes de onda a detectar (figura 4.3). En efecto, si > C, nos encontraremos con <<, por lo que no ser posible la deteccin de esa longitud de onda. Si por contra << C, se da el fenmeno de absorcin superficial, lo que como ya sabemos hace que la recombinacin de portadores se de en un tiempo tan corto que no se genera fotocorriente. En este caso tambin <<.

Figura 4.3 Coeficientes de absorcin para varios materiales semiconductores Responsividad R

Es un dato que suelen suministrar los fabricantes de dispositivos (figura 4.4) y que hace referencia a la corriente que circula por el mismo en funcin de la potencia ptica incidente. Si cada fotn incidente generase un pareh, un flujo de fotones producira el mismo flujo de electrones, con lo que tendramos una fotocorriente

(4.2.4) por tanto, una potencia ptica incidente

(4.2.5) generara una corriente elctrica

(4.2.6) pero debemos tener en cuenta la fraccin de fotones tiles en la generacin de esa corriente, y ese valor nos lo proporciona la eficiencia cuntica, por tanto

(4.2.7) Segn las diferentes relaciones que aparecen en la ecuacin(4.2.7), La responsividad crece con hasta que se alcance el valor de la longitud de onda de corte C. Al presentar una dependencia con , los fabricantes pueden proporcionar bien una figura con el rango total de longitudes de onda para las que es til el dispositivo (fig. 4.4b) o el dato para a la a que la responsividad es mxima (fig. 4.4a). La responsividad del detector puede degradarse cuando la potencia ptica incidente es muy elevada. Se produce entonces la saturacin del detector, es decir, se pierde la relacin lineal entre la potencia ptica recibida y la corriente

generada segn la ecuacin (4.2.7). En general, la responsividad depender tambin de factores como la temperatura y el ngulo de incidencia de la radiacin sobre el detector (figura 4.4c). Un dato a tener en cuenta es que la responsividad puede recibir diferentes nombres en las hojas de caractersticas de dispositivos, as en ocasiones nos encontraremos con que aparece el dato como fotosensibilidad, sensibilidad, sensibilidad espectral, etc. En estos casos siempre es til observar las unidades que se ofrecen. Algunos dispositivos pueden presentar ganancia, por lo que las expresiones para la corriente y la responsividad de la expresin (4.2.7) pueden generalizarse sin ms que multiplicar por ese factor de ganancia. Tiempo de respuesta Va a ser un parmetro decisivo cuando la radiacin incidente vara en el tiempo. Es un dato que tambin aparece especificado por los fabricantes para cada dispositivo particular, aunque en general podemos decir que los fotodiodos y sus variantes van a ser ms rpidos que los fotoconductores, siempre tendremos que referirnos a los datos de la hojas de caractersticas. La rapidez en la respuesta a las variaciones del flujo de fotones recibido depender del propio material, de las caractersticas constructivas del componente y del circuito electrnico al que se encuentre acoplado. An con ciertas precauciones en el siguiente dato, los valores tpicos en la respuesta de los detectores fotnicos suelen ser inferiores al s. Este dato puede aparecer en las hojas de especificaciones bajo diferentes formas, como tiempo de subida y bajada, como frecuencia de operacin, etc.

Fig. 4.4 a) Valor de la sensibilidad espectral (responsividad) para una longitud de onda fija, b) Valores relativos de la responsividad en funcin de la longitud de onda y c) Responsividad en funcin del ngulo de incidencia. Caractersticas de ruido Ya conocemos la respuesta ideal de un fotodetector a la potencia ptica recibida (ec.(4.2.4)). Sin embargo el dispositivo tambin genera una corriente aleatoria que flucta en torno a su valor medio, y estas fluctuaciones pueden llegar a ser crticas cuando en nuestra aplicacin tengamos bajos niveles de luz. Entre las posibles fuentes de ruido, podremos encontrar la llegada de fotones no deseados al detector, la generacin espontnea de pares eh (corriente de oscuridad), ruido de ganancia y el ruido asociado a los circuitos electrnicos del receptor. Al ruido dedicaremos un apartado especial al final de este captulo. Detectores Fotnicos: tipos y caractersticas Dentro de la categora de detectores fotnicos podemos encontrar una gran variedad de dispositivos, cada uno de ellos presentar unas caractersticas

particulares. En este apartado, veremos algunos ejemplos de detectores teniendo en cuenta las propiedades ms importantes. El conocimiento de estas propiedades podr ayudarnos en la eleccin del fotodetector adecuado para cada aplicacin concreta. Fotoconductores Constituye el caso ms simple de la aplicacin de materiales semiconductores a la deteccin de radiacin ptica, pues consiste simplemente en la absorcin de luz por parte de un trozo de semiconductor con contactos elctricos, tal y como aparece en la figura 4.5a. Cuando un fotn alcanza al semiconductor y es absorbido, se produce la generacin de un par eh. La influencia del campo elctrico que hay entre los contactos provoca la migracin de electrones y huecos hacia ellos, con lo que se produce un cambio en la resistencia del material en funcin de la cantidad de luz que reciben, es decir, su conductividad aumenta proporcionalmente al flujo de electrones recibido, con lo que se obtiene una fotocorriente medible en el circuito de la figura 4.5a. Con este tipo de fotodetectores se puede registrar esa fotocorriente o bien medir la cada de tensin en una resistencia de carga colocada en serie con el dispositivo.

Fig.4.4. a) Esquema bsico de del funcionamiento de un fotoconductor. b) Configuracin ms habitual para fotoconductores comerciales.

Una configuracin usual de esta clase de detectores es la que se muestra en la figura 4.5b, donde el nodo y el ctodo se encuentran sobre la misma superficie del material de forma que el tiempo de transicin entre uno y otro se minimiza al tiempo que se maximiza la transmisin de luz. Aqu encontramos una caracterstica til para los detectores en general, y es que cuanto menor sea su tamao, su comportamiento en conmutacin ser mejor, aunque esta reduccin en las dimensiones hace que recolecte menos luz. Podemos calcular el aumento en la conductividad del material por efecto del flujo de fotones incidente . Si Vol. = S l es el volumen de semiconductor, sabemos que no todos los fotones incidentes producen la generacin de corriente til, para dar cuenta de esto utilizamos el parmetro de la eficiencia cuntica . La tasa de generacin de pares eh ser entonces

(4.3.1) Si es el tiempo de vida medio de los portadores antes de la recombinacin, esto quiere decir que los electrones desaparecen a un ritmo .n/, tal que .n es la concentracin de electrones generados por fotones. En el estado estacionario las tasas de generacin y recombinacin deben ser iguales, por lo que podemos escribir

(4.3.2) Este cambio en la concentracin de portadores resulta en un cambio en la conductividad del material dado por

(4.3.3)

donde e y h son las movilidades de electrones y huecos en el material respectivamente. Sustituyendo valores en la ecuacin (4.3.3) podemos ver la proporcionalidad entre el incremento de la conductividad y el flujo de fotones incidente. Operaciones de electricidad bsica, nos permiten obtener a partir de la conductividad y el campo elctrico aplicado, el valor de la fotocorriente generada

(4.3.4) donde e es el tiempo de trnsito entre electrodos, parmetro que depende de las dimensiones fsicas del dispositivo y de la tensin entre electrodos. Segn esta expresin, y si recordamos las ecuaciones (4.2.7) generalizadas, tendremos que el cociente /e debe corresponder a la ganancia G del fotoconductor. Esta ganancia proviene de que la velocidad de los electrones en el material es superior a la de los huecos, lo que implica que el electrn llega antes al ctodo que el hueco al nodo. En ese momento el nodo emite un electrn al material, que tambin tender a llegar antes al ctodo que el hueco al nodo, con lo que se emitir otro electrn al material. Sensibilidad espectral Est gobernada principalmente por la dependencia con de la eficiencia cuntica. As pues, diferentes semiconductores tendrn distintas limitaciones en la longitud de onda de operacin. Detectores fotoconductores pueden funcionar bien en el rango del IR (por encima de = 2 m). Para eliminar las limitaciones de los materiales intrnsecos (ausencia de dopaje), pueden emplearse los denominados semiconductores extrnsecos, que involucren en el fenmeno de la fotoconductividad a niveles de energa dentro de la banda prohibida. Con este tipo de componentes, la energa de los fotones subsceptibles de ser absorbidos se reduce, con lo que es posible detectar longitudes de onda mayores, aunque este tipo de tratamiento hace que tengamos que enfriar los

detectores para evitar el ruido trmico de los mismos. Algunos ejemplos de la sensibilidad espectral en fotoconductores comerciales pueden verse en la figura 4.6. Tiempo de respuesta Est limitado por el tiempo de trnsito y por la constante RC del circuito asociado. El tiempo de trnsito suele ser aproximadamente igual al tiempo de recombinacin de portadores . Tambin podremos encontrar este valor en las hojas caractersticas de los componentes (figura 4.6).

Fig. 4.6 Ejemplo de datos caractersticos y respuesta espectral para un fotoconductor que opera a temperatura ambiente. Est construido con un semiconductor de gap variable HgCdZnTe (hoja completa en anexo). 3.2. Fotodiodos: configuraciones bsicas De la misma forma que en el caso de los fotoconductores, el fenmeno que interviene es la absorcin de radiacin por parte de un material semiconductor, generando pares de portadores de carga que contribuyen a la fotocorriente. Existen diferentes configuraciones para los fotodiodos, cada una de ellas con caractersticas especficas. En este apartado vamos a ver las ms comunes, que adems presentan propiedades que tambin encontraremos en fotodetectores ms complejos.

3.2.1 Fotodiodo pn

Fig. 4.7 Esquema bsico del funcionamiento de un fotodiodo pn A grandes rasgos, podemos definir un fotodiodo pn como una unin pn en la que la corriente inversa aumenta con el flujo de fotones incidente. En principio, los fotones pueden ser absorbidos en toda la estructura como en el caso de los fotoconductores, pero aqu aparece el efecto de la unin de forma que existe un campo elctrico intenso en la zona de la unin con la direccin np (figura 4.7) que es capaz de separar los pares de portadores generados rpidamente, disminuyendo as la probabilidad de que se produzcan recombinaciones que impidan la contribucin a la fotocorriente. Ser en esta zona donde ser deseable que se produzca la absorcin. A temperatura ambiente existe una cierta probabilidad de que se produzcan transiciones espontneas entre bandas an en ausencia de iluminacin, con lo que se puede generar una pequea corriente que recibe el nombre de corriente de oscuridad. Esta corriente de oscuridad depender de la temperatura y de las condiciones elctricas de operacin del fotodiodo (figura 4.8).

Fig 4.7 a)Corriente de oscuridad en funcin de la tensin aplicada al diodo y b) En funcin de la temperatura para una tensin fija. El tiempo de respuesta est limitado, como es lgico, por el tiempo de trnsito de los portadores a travs de la zona de la unin, as como por la constante de tiempo del circuito asociado. Hay adems otra contribucin a la fotocorriente por parte de los portadores generados fuera de la zona de la unin, pero con cierta proximidad a ella. Estos portadores tienen la posibilidad de alcanzar la zona de transicin por medio de la difusin trmica dentro de los materiales neutros, con lo que el campo elctrico puede hacer que atraviesen rpidamente la zona de transicin comunicndoles una cierta aceleracin. En este caso, esos portadores generados fuera de la zona de la unin pueden contribuir a la corriente. Sin embargo, los procesos asociados con la difusin de portadores dentro de la estructura son muy lentos, lo que hace que los dispositivos basados en fotodiodos pn no puedan ser utilizados en sistemas que requieran de una alta velocidad de conmutacin, aunque en general presentarn un menor tiempo de respuesta que los fotoconductores. Como hemos visto, la zona en que interesa que se produzca la incidencia del flujo de fotones de forma que se consiga la mayor eficiencia cuntica, es la zona de la

unin o zona de transicin. Pero esa zona es fsicamente muy delgada. Para mejorar las prestaciones del fotodiodo pn, la idea ms sencilla sera aumentar el tamao de esa zona de transicin, y eso es lo que se pretende con la siguiente configuracin. Como cualquier componente electrnico basado en la unin de semiconductores, el fotodiodo presenta una caracterstica iV en rgimen estacionario e iluminado

(4.3.5) donde is es la corriente inversa de saturacin. En la ecuacin (4.3.5) el primer trmino representa la corriente de oscuridad, y se aade adems el trmino de la fotocorriente ip, que tiene sentido contrario. Existen tres formatos clsicos de operacin con un fotodiodo: circuito abierto (modo fotovoltaico), cortocircuito y polarizado en inversa (modo fotoconductivo). En el modo de circuito abierto (fig. 4.9) la luz genera pares eh en la zona de la unin. Los electrones generados se recombinan con los huecos de la zona p de la zona de transicin y viceversa. El resultado es un incremento del campo elctrico que produce un fotovoltaje VP a travs del dispositivo que aumenta con el flujo de fotones recibido. Como en el caso de los generadores, el valor de potencia consumida es negativo, lo que hace que el fotodiodo se comporte en esta configuracin como una fotopila, que suministra potencia a partir de la luz recibida. No es usual encontrar un fotodiodo trabajando de esta forma, pero este comportamiento bsico se emplea, con algunas modificaciones principalmente en cuanto a su extensin y a la optimizacin de la eficiencia cuntica, en las clulas solares o fotovoltaicas. La responsividad en el caso del fotodiodo actuando en modo fotovoltaico puede aparecer como V/W en lugar de la especificacin usual de A/W.

Fig. 4.9 a) Esquema de fotodiodo operando en modo de circuito abierto. b) Curvas caractersticas iV en este modo de operacin (falta curva caracterstica). Tanto en el caso de considerar fotocorriente, como en el caso de considerar voltaje, la informacin relacionar las variaciones en ambas magnitudes con la cantidad de luz recibida, tal y como podemos ver en la figura 4.10, ejemplo de un

fotodiodo

de

silicio.

Fig. 4.10 Comportamiento de un fotodiodo pn operando en modo de circuito abierto. Informacin grfica dependiente de los niveles de iluminacin, y numrica para una iluminacin fija. El fotodiodo operando en modo de cortocircuito (V = 0) presenta un esquema bsico como el de la figura 4.11. En este caso, la corriente por el circuito es simplemente la fotocorriente ip.

Fig. 4.11 a) Esquema de fotodiodo operando en modo de cortocircuito. b) Curvas caractersticas iV en este modo de operacin En este caso, la informacin proporcionada por el fabricante es simplemente la fotocorriente para un determinado valor de iluminacin (figura 4.12).

Fig 4.12 Valor de fotocorriente de un fotodiodo operando en cortocircuito. Dados los bajos valores de sta, ser necesario llevar a cabo una amplificacin de la misma. Finalmente, el fotodiodo puede ser polarizado en inversa, con lo que funciona en su rgimen tpico, el fotoconductivo, tal y como aparece en la figura 4.13a, y si aadimos una resistencia de carga como en la figura 4.13b.

Figura 4.13 a) Fotodiodo en modo fotoconductivo sin resistencia de carga. b) Con resistencia de carga. El punto de operacin se encuentra en la recta de carga. El comportamiento de los fotodiodos en rgimen de conmutacin, est directamente relacionado con el tiempo de respuesta del componente. En general, ese tiempo de respuesta va a depender da la constante RC del circuito, por lo que para evaluarlo necesitamos el valor de la capacitancia de la unin (figura 4.14a). Con este dato, podemos escribir

(4.3.6) donde debemos tener en cuenta que tal capacitancia depende de la tensin inversa a que se somete la unin (figura 4.14b). Cuando aumenta VR disminuye la Cj con lo que el dispositivo es ms rpido, pero esta disminucin en la capacitancia acarrea tambin el aumento de la corriente de oscuridad, lo que en

redunda

en

la

prdida

de

sensibilidad.

Figura 4.14 a) Valor mximo de capacitancia de la unin, b) variacin con tensin inversa aplicada En general, los fotodiodos operan con una fuerte polarizacin inversa con el objetivo de crear un campo elctrico intenso en la zona de la unin, de forma que aumente la velocidad de los portadores en ella reduciendo as el tiempo del transitorio, adems, se incrementa la anchura de la zona de transicin, con lo que facilitamos la absorcin de fotones en la zona de inters a la vez que reducimos la capacitancia de la unin, lo que tambin contribuye al incremento en la velocidad de respuesta. Todos estos datos relativos al funcionamiento del fotodiodo, suelen ser suministrados por los fabricantes (anexo hojas caractersticas) junto con otros tales como las caractersticas direccionales, datos de ruido, etc. Por tanto, no tendremos ms que estudiar las hojas de caractersticas para encontrar el dispositivo ms adecuado para nuestros fines.

En algn momento de la discusin acerca de las caractersticas de los fotodiodos bsicos, hemos hablado de su relativamente alto tiempo de respuesta, y conseguimos reducirlo aplicando una tensin en inversa de forma que el fotodiodo funcionaba en modo fotoconductivo. Una de las causas por las que mejoraba en lo referido al tiempo de respuesta, era el ensanchamiento de la zona de la unin, donde tambin vimos que era deseable que se produjera la absorcin. La pregunta que surge es podemos mejorar la respuesta de un fotodiodo sin necesidad de aplicar tensiones elevadas sobre el dispositivo?. La respuesta, en el siguiente punto. Fotodiodo pin En este caso, la zona de la unin se ensancha mediante la adicin de un material intrnseco o ligeramente dopado entre las zonas p y n. Con ello conseguimos una zona de transicin extensa que favorece la absorcin de fotones y su conversin a corriente til. En principio, este dispositivo, que aparece de forma esquemtica en la figura 4.15, puede funcionar bajo las mismas condiciones que el fotodiodo pn, y presentan una serie de ventajas sobre stos Aumenta la probabilidad de absorcin de fotones dado el significativo aumento del volumen de material absorbente. El ensanchamiento de la zona de transicin disminuye la capacitancia de la misma, con lo que la respuesta del dispositivo ser ms rpida por la reduccin de la constante de tiempo RC. Pueden conseguirse tiempos de respuesta del orden de decenas de ps, correspondiente a anchos de banda de . 50 GHz.

Fig. 4.15 Esquema de un fotodiodo pin Existen una serie de consideraciones a tener en cuanta cuando trabajemos con este tipo de fotodiodos segn la configuracin indicada en el apartado anterior. Cuando el pin opera en modo fotoconductivo tiene problemas para niveles de iluminacin bajos, pues la corriente trmica generada es una fuente bastante importante de ruido. Para niveles de luz suficientes, esto no representa ningn inconveniente y la respuesta es ms rpida que si opera en modo fotovoltaico. En este modo, con una menor corriente de oscuridad ofrece una buena sensibilidad a bajos niveles de luz. El inconveniente en este caso es la

baja fotocorriente generada, lo que hace que requiera una inmediata amplificacin. Las diferencias con el caso anterior en cuanto a sus caractersticas pticas y elctricas son mnimas, por lo que no reproduciremos las figuras y datos que pueden verse en el anexo de hojas caractersticas. Como en el caso anterior, la forma ms habitual de emplearlos es en el modo fotoconductivo, lo que hace que los parmetros suministrados se refieran a ste principalmente. Otros tipos de fotodiodo Fototransistores La influencia de la luz sobre los transistores tradicionales es conocida desde el momento de su invencin, de ah el hecho de que se encapsulen con un material

opaco. Los fototransistores pretenden utilizar esa dependencia con la luz del transistor para su uso como detector. Dependiendo de donde se produzca la incidencia de luz, se generarn portadores en diferentes zonas, y el efecto ser distinto segn la zona en cuestin. El diseo ptimo requiere que la absorcin tenga lugar en la unin entre el emisor y la base, con lo que se genera un flujo de corriente en el circuito EB (ver figura 4.16) que se amplifica por la accin del dispositivo como transistor

. Figura 4.16 Esquema bsico de un fototransistor Su funcionamiento es bsicamente equivalente al de un transistor NPN convencional, aunque en el diseo de fototransistores el rea de la base es ms extensa para favorecer la absorcin de fotones y generar corrientes elevadas en la unin BC que se utiliza con polarizacin inversa (la unin BE se polariza en directa). La generacin de portadores por parte de la radiacin incidente, unida a la inyeccin de electrones por parte del emisor, produce una corriente que a la salida del dispositivo vendr dada por

(4.3.7) As pues, un fototransistor puede entenderse como un transistor bipolar con sus mismas zonas de trabajo, controlado por la radiacin incidente en la regin activa de la base.

Ofrece la ventaja de un menor ruido y mayor seal de salida que los APD, sin embargo su responsividad es inferior a la de los APD y pin. Su respuesta espectral es adecuada en el rango del visible y NIR, con lo que suelen utilizarse en sistemas de control remoto, de alarma, etc. En ocasiones, los fototransistores se emplean como componentes de circuitos integrados. En esta configuracin reciben el nombre de IPD (Integrated Preamplified Detectors) o detectores OPIC (Optical Integrated Circuit). Sus caractersticas van a ser una mezcla de propiedades pticas y elctricas, siendo estas ltimas las tpicas para un transistor convencional, aunque las familias de curvas que aparecen en las hojas de caractersticas estarn asociadas a ciertos niveles de iluminacin. As, su sensibilidad espectral va a ser anloga a la de un fotodiodo con el mismo material de la base, dependiente de la longitud de onda, la temperatura y el ngulo de recepcin (figura 4.17).

Figura 4.17 Parmetros de sensibilidad de un fototransistor Su caracterstica de salida ic = f(VCE) es igual que la de un transistor NPN, pero el parmetro que aparecer ser la irradiancia en lugar de la corriente de base (figura 4.18). Mientras no se supere la tensin de ruptura, el efecto de VCE sobre ic es despreciable. Cuando trabajemos con un fototransistor, habr que tener cuidado con la carga aplicada para evitar que el punto de trabajo se site por encima de los valores fijados por la potencia disipada a una temperatura dada. La variacin de la potencia con T tambin es un dato que obtendremos en las hojas caractersticas. En todo caso, conviene recordar que la potencia disipada por el transistor es funcin deic y VCE. La responsividad de los fototransistores es bsicamente igual que en los fotodiodos (ecuacin (4.2.7)). Para el caso de fototransistores operando en la zona

activa, deberemos aadir el factor de ganancia, que depender de T y , de forma que

(4.3.8) Cuando el fototransistor se encuentra en estado de corte (Ee=0), existe una pequea corriente de fugas que circula entre el colector y el emisor icE0. Esta corriente constituye la corriente de oscuridad en los fototransistores, y es equivalente a la icB0 o simplemente ic0 de transistores bipolares.

Figura 4.18 Caracterstica de salida de un fototransistor Las limitaciones bsicas a la velocidad de respuesta en los fototransistores procede fundamentalmente de la capacidad dela unin BC. A efectos prcticos, podemos considerar que esta capacidad se incrementa por el factor de amplificacin hFE, con lo que si recordamos la expresin (4.3.6) tendremos para este caso que

(4.3.9) Sobre los valores de tr y tf, podremos encontrar informacin grfica en las hojas de caractersticas para niveles de V y T fijos. 3.3.2 Fotodiodos de avalancha (APD) Esta clase de fotodiodos genera una cascada de portadores en movimiento a partir de la incidencia de un fotn, con lo que amplifican la seal durante el proceso de fotodeteccin.

Figura 4.19 a) Esquema de un fotodiodo de avalancha. b) esquema del funcionamiento de un APD. En su forma bsica, un APD es un diodo pin con una fuerte polarizacin inversa (puede llegar a ser del orden de miles de Voltios frente a los . 3V de un fotodiodo convencional). La principal diferencia estructural es que la zona intrnseca se dopa ligeramente de tipo p y se la renombra como capa . Tpicamente es ms ancha que una zona i y se disea de forma que el campo elctrico a travs de ella sea lo ms uniforma posible, como se ve en la figura

Figura 4.20 Distribucin del campo elctrico en un APD Los fotones atraviesan la unin n+ p ( que se fabrica muy delgada) y son absorbidos en la capa , donde se generan los pares eh. El potencial elctrico en esta capa es suficiente para arrastrar a los portadores hacia los contactos elctricos. En las proximidades de la unin n+ p el campo elctrico es tan intenso (figura 4.20) que los electrones son fuertemente acelerados con lo que aumenta su energa. Cuando estos electrones rpidos colisionan con los tomos de la red cristalina, se generan nuevos pares eh, proceso conocido como ionizacin por colisin. Estos pares de portadores as generados tambin son acelerados con lo que tanto los electrones como los huecos pueden contribuir al proceso de multiplicacin. El problema que nos encontramos es cundo se detiene el proceso?. Para controlar el proceso de avalancha, lo que se suele hacer es disear los dispositivos de forma que slo uno de los portadores sea capaz de ionizar, de forma que al cabo de cierto tiempo todos esos portadores alcanzan la parte n de la zona de transicin (p en el caso de huecos). Podemos expresar la ganancia del dispositivo por medio de la ecuacin

(4.3.10)

donde h = h/e representa la tasa de ionizacin, definida como el cociente entre los coeficiente de ionizacin huecos y electrones respectivamente. El coeficiente de ionizacin es un parmetro que representa la probabilidad de ionizacin por unidad de longitud. As pues, resumiendo las caractersticas de los APD, podemos decir que la alta sensibilidad es uno de los motivos fundamentales para su utilizacin, pues un solo fotn puede generar una seal detectable por el circuito asociado. La velocidad de respuesta va a estar limitada (ecuacin (4.3.11)), como en casos anteriores, por el tiempo del transitorio y los efectos RC. La reduccin de la capacitancia es un factor que contribuye al aumento de la velocidad, pero hay que tener en cuenta el tiempo de generacin de la avalancha, que es un valor intrnsecamente aleatorio lo que hace del APD un dispositivo intrnsecamente ruidoso. Mxime teniendo en cuenta que la avalancha afecta a todos los electrones libres, incluidos los generados trmicamente. Tambin las altas tensiones de polarizacin pueden causar episodios de ionizacin espontnea, lo que incrementa an ms el ruido.

(4.3.11) Este tipo de fotodiodo estar especialmente indicado en aquellas aplicaciones en las que la sensibilidad sea lo ms importante, como por ejemplo en aquellas en que se requiera un rea extensa de deteccin o efectuar sta a larga distancia. Sin embargo, si lo que se pretende es aunar la velocidad con la sensibilidad, es ms til utilizar fotodiodos pin con preamplificacin. Barrera Schottky Estn basados en la unin entre un metal y un semiconductor (existe la variante de la configuracin MetalSemiconductorMetal), con lo que uno de los componentes de la unin pn se sustituye por un metal, tal y como se ve en la figura 4.21. Actualmente no son muy utilizados de forma comercial, aunque si

estn siendo objeto de investigacin debido a ciertas caractersticas muy prometedoras. En principio existe un elevado nmero de materiales semiconductores que podran utilizarse en la deteccin dadas sus buenas caractersticas de eficiencia, pero no pueden emplearse en las configuraciones de pn o pin a causa de las dificultades para su dopaje. Tambin existen problemas en las estructuras de fotodiodo por la necesidad de casamiento del parmetro de red cristalina en la construccin de las uniones, este problema se salva con la utilizacin del metal, que al ser tambin un buen conductor facilita la salida de electrones de la unin minimizando los problemas de recombinacin. Con ello se consigue un aumento en la eficiencia del dispositivo y la velocidad de respuesta.

Figura 4.21 Fotodiodo de unin metalsemiconductor

Fotodetectores de cavidad resonante Una forma de conseguir una alta eficiencia cuntica al tiempo que una muy alta velocidad de respuesta, consiste en utilizar fotodetectores de cavidad resonante (RECAP). En stos, un fotodiodo pin con una capa intrnseca delgada, se sita en el interior de una cavidad FabryPerot como en la figura 4.22. El hecho de que la capa intrnseca sea delgada hace que la velocidad de respuesta aumente. Para mantener la eficiencia del dispositivo, lo que se hace es que la luz pase por esa

capa un gran nmero de veces, de forma que la probabilidad de absorcin tambin aumenta. La cavidad resonante que forman los reflectores de Bragg de la figura 4.20 es altamente selectiva en , con lo que el detector tambin lo ser. La aplicacin de este tipo de detectores aparece en los modernos sistemas de comunicaciones pticas basados en WDM.

Figura 4.22 Fotodiodo resonante

4. Detectores de posicin: PSD Hasta el momento nos hemos concentrado en la deteccin de luz, principalmente centrndonos en las caractersticas de recepcin an con ciertas limitaciones en cuanto a la direccin desde donde podamos recibirla, parmetro que podamos encontrar en las hojas de los componentes bajo en nombre de directividad o caractersticas direccionales, de forma que toda la radiacin incluida dentro del cono de aceptacin del fotodiodo se convierte en seal de salida (fotocorriente en general) independientemente de su origen.

En ocasiones, adems de la intensidad de la radiacin recibida, tambin el til conocer la procedencia espacial del haz que se detecta, es decir, desde donde nos llega la luz emitida por una fuente o reflejada en una superficie. El funcionamiento bsico es anlogo a la de los fotodetectores que ya conocemos en cuanto a al interaccin con la radiacin, as pues la estructura bsica de los PSD ser como la de los fotodiodos pn o pin. La diferencia aparece en la construccin de los dispositivos, lo que nos van a permitir identificar el punto de incidencia del haz de luz en funcin de las caractersticas de las seales de salida. En principio vamos a encontrar dos formatos clsicos para este tipo de detectores, en uno de ellos denominado continuo encontraremos solo un elemento detector, mientras que en el caso de los detectores segmentadosla seal total proceder de un conjunto de detectores idnticos e independientes. 4.1. Detectores de posicin continuos Aparte del comportamiento usual de los fotodiodos, la inclusin de electrodos enfrentados entre si, hace que se produzca un efecto lateral, de forma que la fotocorriente que se genera es inversamente proporcional a la distancia al electrodo, siempre y cuando la resistividad de la zona p (figura 4.23) sea uniforme, condicin que se va a cumplir en trminos generales.

Figura 4.23 Detector de posicin unidimensional y continuo Dentro de los detectores de posicin continuos, podemos distinguir dos casos, los que son unidimensionales como el de la figura 4.21, en que se toma como punto de partida un fotodiodo pin operando en modo fotoconductivo, y tal que el espesor de la zona de transicin es constante, con lo que tiene una capacidad por unidad de superficie fija. Los valores de la corriente que circula por los electrodos de la figura 4.23, presentan cierta dependencia con el desplazamiento del punto de incidencia de luz respecto al origen, que tomamos en el centro del detector

(4.4.1) donde Io= I1+ I2 es la fotocorriente total generada que ya conocemos, y L es la distancia entre electrodos. Una simple operacin algebraica nos dice a que

distancia

del

origen

ha

incidido

el

haz

de

luz

(4.4.2)

Figura 4.24 Detector de posicin bidimensional y continuo Una modificacin de estos detectores nos permite situar el punto de incidencia en el plano, nos encontramos entonces con detectores bidimensionales. Las configuraciones ms usuales tienen la disposicin de un cuadrado, con los electrodos enfrentados dos a dos. En el ejemplo de la figura 4.24 aparece un detector bidimensional de tipo cuadrado. En este caso, utilizando un razonamiento

anlogo al caso unidimensional, podemos determinar las coordenadas en el plano del punto de incidencia, resultando

(4.4.3) Una evolucin de este ejemplo, es el detector tipo pincushion (figura 4.25) que ofrece mejora tanto en la superficie sensora como en los electrodos. En este caso, la posicin en el plano vendr dada por

Figura 4.25 Detector de posicin tipo pincushion

Detectores de posicin segmentados Como ya se ha dicho, se caracterizan por estar formados por una serie de celdas o elementos detectores con un nico electrodo, de forma que actan prcticamente como fotodiodos independientes. En el diseo de esta estructura hay que tratar de que la separacin entre los diferentes detectores sea lo ms pequea posible, de forma que el impacto de la luz sobre el PSD siempre alcance a alguno de los diodos.

Fig.

4.26 Detectores

de

posicin

segmentados

a)

unidimensional

b)

bidimensional Al igual que en el caso de PSD continuos, podemos encontrar detectores de posicin segmentados unidimensionales en los que los elementos sensores se disponen uno a continuacin del otro (figura 4.26a) o bidimensionales (figura 4.26b). Aunque existen una gran variedad de ejemplos de ambas clases, los ms significativos son los bicelda y los de cuadrante (figura 4.27a y 4.27b).

Fig. 4.27 Detectores de posicin a) bicelda y b) cuadrante

En el caso del detector bicelda, la posicin del haz incidente se determina a travs de la relacin

(4.4.5) mientras que en caso del detector de cuadrante, la posicin respecto al origen situado en el punto de corte de las dos lneas que separan los cuatro segmentos

(4.4.6) Hay que notar, que para una deteccin precisa de la posicin del haz incidente, en ocasiones conviene desenfocar el haz, de forma que incida sobre diferentes elementos del detector. Si incide sobre uno solo de ellos, conoceremos aproximadamente su posicin con la incertidumbre del tamao del elemento. Una alternativa, ms costosa pero en ocasiones ventajosa, ser la de aumentar el numero de detectores reduciendo su tamao, lo que como sabemos, puede contribuir a aumentar la velocidad de respuesta. Introduccin al ruido en fotodetectores Ya conocemos como es el comportamiento ideal de un fotodiodo o cualquiera de sus variantes (ecuaciones (4.2.4)(4.2.7)). Pero en condiciones reales de funcionamiento siempre vamos a encontrar una fluctuacin aleatoria en torno a un valor medio en la corriente de salida de los dispositivos. Estas fluctuaciones constituyen lo que se denomina ruido, y hay que ser especialmente cuidadoso cuando nos encontremos operando con bajos niveles de irradiancia, lo que se

traduce generalmente en bajos niveles en la corriente proporcionada por los dispositivos fotodetectores. En los sistemas de recepcin de radiacin, vamos a encontrar diferentes fuentes de ruido. Una parte proceder de los propios fotodetectores, mientras que otra ser consecuencia del circuito electrnico asociado a l. Como norma general, veremos que en los sistemas de mayor calidad y rendimiento (y por tanto, ms caros) la aportacin fundamental al ruido ser la del detector. Por el contrario, en sistemas de menor sensibilidad y coste, la influencia ms importante en el ruido ser la del circuito asociado. Descripcin del ruido La descripcin de las fluctuaciones de una seal se realiza a travs de un parmetro estadstico como es la desviacin estndar i respecto del valor medio de la seal. La definicin de esta desviacin estndar se realiza a travs del valor cuadrtico medio

(4.5.1) donde en este caso el subndice i hace referencia a la corriente, aunque en general puede aplicarse a cualquier magnitud sobre la que efectuemos la medida. Para el caso particular en que el valor medio de la corriente sea nulo, la desviacin estndar coincidir con el valor rms de la seal. Las contribuciones al ruido total, procedentes de fuentes de ruido independientes (no correladas), se superponen en trminos de potencia. Si por ejemplo consideramos un sistema con N fuentes de ruido independientes, el ruido total ser

(4.5.2) Para la caracterizacin de un sistema receptor de radiacin suelen emplearse diferentes magnitudes. La magnitud fundamental que se emplea es el cociente sealruido SNR (Signal to Noise Ratio) que para el caso de detectores en IR y visible se define como el cociente entre el valor medio de la seal y la desviacin estndar de la misma

(4.5.3) El ruido, tambin puede describirse a travs de su potencia espectral DEP (o PSD en ingles), definida como la potencia del ruido por unidad de frecuencia [W/Hz]. Esta magnitud proporciona informacin acerca delas fuentes de ruido, puesto que cada una de ellas presenta un contenido espectral diferente (figura 4.28). Esta tendencia espectral permite elegir la frecuencia de modulacin a la que puede trabajar un determinado sistema en un rango de frecuencias estrecho (por ej. un sistema de comunicaciones), o los lmites superior e inferior para un sistema con amplio ancho de banda. Segn la figura 4.28, para frecuencias inferiores a 1KHz, domina el ruido de tipo 1/f. En el rango intermedio la contribucin principal corresponde al ruido de disparo o de generacin-recombinacin. En este rango, la DEP es prcticamente plana hasta el valor de frecuencia dado por el inverso del tiempo de vida medio de los portadores, que puede oscilar entre los 20 KHz y 1 MHz. Por encima de estos valores, el ruidoes fundamentalmente de tipo Jonson o por causa del amplificador. En este ltimo rango, la DEP tambin es prcticamente plana hasta frecuencias muy superiores a las de inters en sistemas detectores. En la mayora de los clculos para nuestros fines, se considera que el ruido es blanco, es decir con una DEP plana. Con esta consideracin, la potencia total

debida al ruido es proporcional al ancho de banda .f, con lo que la desviacin estndar lo ser a la raz cuadrada del ancho de banda. Esta dependencia con el ancho de banda implica que si se promedia la seal en un intervalo ms largo de medida, el ruido disminuir.

Figura 4.28 Distribucin espectral del ruido La evaluacin del rendimiento de un detector, de manera que sea posible predecir su valor de SNR para un determinado valor de potencia ptica incidente va a estar relacionada con otra magnitud que es la que usualmente ofrecen los fabricantes en sus especificaciones. Esta magnitud es la Potencia Equivalente al Ruido NEP (Noise Equivalent Power) definida como el flujo o potencia ptica incidente para dar lugar a una respuesta igual a la desviacin estndar del ruido, es decir, la potencia ptica incidente que proporciona un SNR unidad, aunque tambin puede interpretarse como la mnima cantidad de potencia ptica detectable. El verdadero flujo incidente requerido para que el detector acta de forma aceptable depender tambin de las especificaciones sobre el valor de SNR, que habitualmente est determinado por la tasa de seal falsa y la

probabilidad de deteccin. Con estas consideraciones, encontraremos el valor del NEP como

(4.5.4) de forma que a menor NEP, mayor sensibilidad o mayor SNR. Una forma alternativa de escribir el NEP, es utilizar los valores de responsividad y desviacin estndar

(4.5.5) Otra magnitud relacionada con el NEP que podemos encontrar en las especificaciones de un fotodiodo es la Detectividad Normalizada D. cuyo valor es inversamente proporcional al NEP normalizado por la superficie del detector y del ancho de banda,

(4.5.6) lo que define una figura de mrito independientemente del ancho de banda de la medida y de la superficie del detector. Un dato a tener en cuente es cuanto mayor sea un detector y ms volumen tenga, mayor ser la cantidad de ruido que genere. D. es una caracterstica til para poder comparar el rendimiento de distintos materiales y procesos de fabricacin, independientemente del ancho de banda y de la superficie de deteccin requerida para una determinada aplicacin. A travs de D., podemos calcular el valor esperado de SNR

(4.5.7) para lo que deberemos especificar el rea del detector de acuerdo con las especificaciones pticas del sistema en cuanto al campo de visin que es el tamao angular cubierto por un sistema ptico

(4.5.8) y a la huella del detector (resultante de llevar el detector al espacio objeto de manera que acta como diafragma de campo)

(4.5.9) El ritmo de adquisicin de datos determinar el valor de la anchura de banda, con lo que finalmente

(4.5.10) Fuentes de ruido Ya conocemos algunas fuentes de ruido, como es el caso de la corriente de oscuridad. Tambin hemos nombrado algunas en el apartado anterior cuando nos referimos a la densidad espectral de ruido. Aqu, vamos a realizar una breve descripcin de stas, incidiendo en su origen y su evaluacin. Ruido shot y de generacinrecombinacin

En primer lugar, hay que decir que el proceso de llegada de fotones a un detector es aleatorio, y su nmero fluctuar de acuerdo a una ley de probabilidad que depender de la naturaleza de la fuente. Para los casos de inters, esta ley es la ley de Poisson

(4.5.11) en la que el valor cuadrtico medio n2 es igual al nmero medio de fotones

(4.5.12) Esta propiedad entronca con la naturaleza cuntica del proceso de deteccin, de forma que no es posible fraccionar el nmero de fotones que llegan al detector, ni por consiguiente, el nmero de portadores generados. Es decir, o hay excitacin o no la hay, teniendo en cuenta otro proceso probabilistico como es la eficiencia cuntica. Vamos a encontrar pues fluctuaciones que afectan al valor de SNR y que sern especialmente problemticas a niveles bajos de irradiancia. A estas fluctuaciones se las conoce como ruido de disparo o shot, y se manifestarn en dispositivos en los que los portadores generados por los fotones incidentes, deben superar una barrera de potencial para contribuir a la fotocorriente, mientras que el ruido de disparo ser nulo en aquellos dispositivos por los que no circule corriente. Dado que la probabilidad de generacin de corriente cumple con la ley de distribucin de Poisson, la desviacin estndar de la fotocorriente generada ser proporcional a la raz cuadrada del valor medio de esa corriente. Si adems tenemos en cuneta el tiempo de integracin del detector, podemos escribir

(4.5.13)

donde podemos ver que la influencia del ruido shot se manifestar principalmente a niveles bajos de irradiancia pues

(4.5.14) con lo que vemos que a mayor fotocorriente, mayor ruido (ec. (4.5.13)), pero tambin aumentar el cociente SNR. Adems de los portadores generados por la fuente que nos interesa medir, tendremos otras aportaciones no deseadas a la corriente total de salida del dispositivo, entre estas aportaciones se encuentran la corriente de oscuridad y la radiacin de fondo, que se sumarn a la fotocorriente sin que sea posible restar su contribucin como componentes constantes, pues tambin a ellas le afecta el ruido de disparo. Al tener en cuenta estos factores, tendremos que sustituir en las expresiones (4.5.13) y (4.5.14)

(4.5.15) En detectores en los que no hay barrera de potencial, como es el caso de los fotoconductores, el ruido de disparo se sustituye por el ruido de generacin y recombinacin. Ambos procesos son aleatorios por lo que se suman en cuadratura, proporcionando un ruido de mayor amplitud que el de disparo. As la desviacin estndar de la ecuacin (4.5.13) aparecer multiplicada por .2, por lo que en igualdad del resto de factores del sistema (flujo de fotones, eficiencia cuntica, ancho de banda, etc) los sensores fotnicos presentarn un mayor SNR que los fotoconductores. Ruido Jonson y 1/f

El ruido Jonson tiene un origen estrictamente trmico que afecta principalmente a los componentes del circuito asociado al sistema. Mediante argumentos estadsticos, puede demostrarse que una resistencia R a una temperatura T, presenta una corriente aleatoria i(t) cuyo valor promedio es nulo, y su desviacin estndar es

(4.5.16) valor que habr que sumar al resto de contribuciones al ruido (ecuacin (4.5.2)). El ruido 1/f aparece cuando tenemos una corriente de polarizacin atravesando el circuito. Esta clase de ruido tiene una densidad espectral de potencia inversamente proporcional a la frecuencia, con lo que ser dominante a frecuencias bajas, por debajo de 1 KHz

(4.5.17) Lo habitual para estos casos es emplear un filtro electrnico para eliminar las frecuencias bajas de la seal. En caso de contar con detectores con ganancia, habra que tenerla en cuenta en la desviacin estndar asociada a cada tipo de ruido. Como el propio proceso de ganancia tambin es aleatorio, habr que considerar las fluctuaciones de ganancia a travs del factor de exceso de ganancia

(4.5.18)

de forma que se emplear el valore medio de la ganancia y este factor F en la ecuacin (4.5.13), de forma que

(4.5.19)

Por ejemplo, para el caso de un APD, el valor del exceso de ganancia viene dado por

(4.5.20)