INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

Alimentacin de un motor de induccin con un inversor
fuente de voltaje de seis pasos


TESIS


QUE PARA OBTENER EL GRADO DE:

INGENIERO ELECTRICISTA.

P R E S E N T AN:


Linares Miranda Fernando Daniel
Rivera Reyes Marcos Isain



Mxico, D.F.



Abril de 2009
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AGRADECIMIENTOS.

Agradezco a mis padres Jos Antonio y Eugenia a mis hermanos Fabiola, Antonio y
Barbara, por el apoyo incondicional, los consejos, paciencia y el amor que siempre han
demostrado. S que siempre puedo contar con ellos.
Agradezco a todos mis amigos que siempre me apoyaron, por sus nimos, por la
compaa y por los consejos.
Agradezco al laboratorio de electrnica de SEPI por todas las facilidades que nos
brindaron para la realizacin del proyecto.
Agradezco al profesor Domingo Almendares por el apoyo y por las facilidades
brindadas.
Agradezco a mi asesor Manuel Garca por todo el apoyo, consejos y por todas las
asesoras que nos dio para comprender mejor el tema.
Agradezco a esta gran institucin que es el Instituto Politcnico Nacional y a todos los
profesores que fueron parte de mi formacin.
Agradezco a Dios por todas las bendiciones, llenar mi vida da dichas y por permitirme
llegar hasta estos momentos de mi vida .
Y a todas aquellas personas que de una u otra forma, colaboraron o participaron en la
realizacin de esta investigacin, hago extensivo mi ms sincero agradecimiento.


Levntate y mira el sol por las maanas y respira la luz del amanecer. Tu eres parte de la fuerza de tu
vida; ahora despierta, lucha, camina, decdete y triunfars en la vida; nunca pienses en la suerte, porque la
suerte es: 'el pretexto de los fracasados'.
Pablo Neruda.

Fernando Daniel Linares Miranda.
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AGRADECIMIENTOS
Son muchas las personas especiales que me gustara agradecer su amistad, apoyo,
nimo, tiempo, consejos, compaa en sus diferentes etapas de mi vida, algunas
personas estn aqu conmigo y muchas otras en mi recuerdo. Siempre les estar
profundamente agradecido por formar parte de m, por todo lo que me han brindado y
por sus buenos deseos.
Dedicatorias:
Mi tesis la dedico con mucho amor y cario a ti DIOS que me diste la oportunidad de
estar aqu y darme una maravillosa familia.
Con mucho cario a ti mam y pap que siempre han estado al pendiente de mi, por
esperarme cada noche a que llegara con bien a casa, por sus palabras que siempre me
alientan a seguir adelante y sobre todo por tanto amor que me han demostrado, aunque
hemos pasado momentos difciles siempre han estado apoyndome y brindndome todo
su cario, gracias por cada llamada de atencin que no dejaron que fuera por mal
camino, les agradezco de todo corazn el que estn a mi lado.
A mi hermano por confiar en m, por estar conmigo en la mayor parte de mi carrera, por
cada consejo y ayuda que me dio durante mi preparacin, por saber darme un buen
ejemplo, pero sobre todo por hacerme to de una linda nia.
Abuelitos, tos, primos, sobrinos, cuada, quisiera nombrarlos a todos pero son muchos,
eso no significa que no me acuerde de cada uno de ellos, gracias por todo su apoyo y
por cada momento que pasamos juntos en familia.
Con mucho cario a mi novia que es una persona especial en mi vida, por confiar en
m, por su amor, comprensin, por cada palabra de aliento, por estar a mi lado, por
regalarme momentos alegres, por dejarme entrar a su familia y por cada momento que
compartimos juntos. Gracias por todo lo que has hecho por m.



Marcos Isain Rivera Reyes.
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RESUMEN

El trabajo describe un diseo y una implementacin de alimentacin a un motor de
induccin por medio de un inversor trifsico que acta con un control, este inversor se
compone de dispositivos electrnicos de potencia los cuales son encargados de generar
las seales para alimentar a nuestro inversor. Se utiliza una modulacin por ancho de
pulsos convirtiendo de cc. a ca, teniendo un voltaje y una frecuencia de salida constante.
El control de este inversor esta basado en el mtodo de conduccin a 180. Se presenta
el diseo de los circuitos necesarios as como hardware necesario del inversor,
explicando cada una de las etapas.















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Contenido de trabajo
En el captulo uno, se fijan los objetivos, la justificacin, se establece el estado del arte
y alcance.
En el captulo dos se describe como se alimenta un motor trifsico de induccin con un
VSI trabajando en modo de seis pasos. Tambin, se describe el principio de operacin
de los principales semiconductores.
En el capitulo tres se describe el diseo del circuito inversor de potencia trifsico, de
los circuitos de control, de los semiconductores de potencia, de la etapa de aislamiento y
de las seales de control.
En el capitulo cuatro se describe los resultados y conclusiones.














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CONTENIDO
RESUMEN
Contenido de trabajo

CAPITULO 1. INTRODUCCIN. ...1
1.1. Objetivo General..1
1.2. Justificacin..2
1.3. Estado del Arte.....2
1.4. Alcance..7


CAPITULO 2. ALIMENTACION DE UN MOTOR DE INDUCCION CON UN
INVERSOR DE SEIS PASOS8

2.1. Introduccin8
2.2. Tipos de inversores.8
2.3. El inversor monofsico en puente completo9
2.3.1. El inversor con modulacin por onda cuadrada.11
2.4. Inversor trifsico fuente de voltaje.13
2.4.1. Formas de onda de voltaje.18
2.4.2. Formas de onda de corriente24
2.4.3. Funcionamiento de los IGBTs y Diodos.27





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2.5. Elementos semiconductores del VSI..................................................................28
2.5.1. Dispositivos semiconductores de potencia.. 28
2.5.2. Diodos de potencia..28
2.5.3. Diodos de propsito general.29
2.5.4. IGBT....31

CAPITULO 3. DISEO DEL INVERSOR..34

3.1. Descripcin de los circuitos utilizados..34
3.2. Etapa de control (generador de pulsos).34
3.2.1. Fuente 15 V de CA34
3.2.2. Fuente 5 V de CC.35
3.2.3. Generador de pulsos.35
3.3. Etapa de aislacin38
3.4. Diseo y montaje del los circuitos manejadores de compuerta.40
3.4.1. Manejador de salida IR2130.40
3.4.2. Proteccin al IR2130..42
3.4.3. Tiempo muerto...43
3.5. Etapa de potencia (INVERSOR).....44

CAPITULO 4. ANLISIS DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS.....47

4.1. Resultados del diseo del VSI ...47
4.2. Seales de entrada del IR2130...48
4.3. Seales de salida del IR2130....................49
4.4. Resultados de forma de onda de voltaje con carga....51
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CONCLUSIONES57
REFERENCIAS...58
GLOSARIO..59
ANEXOS...61





















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LISTADO DE FIGURAS.

Figura 1.1. Constitucin de la Mquina Asncrona Trifsica.
Figura 1.2. Estator de un motor de induccin.
Figura 1.3. Rotor de un motor de induccin.
Figura 1.4. Circuito equivalente por fase del motor de induccin.
Figura 1.5. Diagrama fasorial del circuito equivalente.
Figura 2. Circuito elctrico de un inversor en puente completo.
Figura 2.1. Inversor en puente completo representado con interruptores
Figura 2.2. Circuitos equivalentes del inversor en puente completo (a) S1 y S2
cerrados, (b) S3 y S4 cerrados, (c) S1 y S3 cerrados, (d) S2 y S4 cerrados.
Figura 2.3. Formas de onda de tensin en la carga del inversor en puente controlado
por onda cuadrada.
Figura 2.4. Inversor trifsico como fuente de voltaje (VSI) conduciendo S1, S5 y S6.
Figura 2.5aFormas de onda del os interruptores conduciendo a 180.
Figura 2.5b tensiones de fase al neutro desplazado 120
Figura 2.6. Seales complementarias para los interruptores.
Figura 2.7a Topologas definidas por las combinaciones de los transistores superiores.
Representacin de 6 topologas de voltaje diferente de cero (1)+V
a
V
b
+ V
c
; (2)+V
a

V
b
-V
c
;

(3) +V
a
+V
b
- V
c
; (4) -V
a
+V
b
- V
c
; (5) -V
a
+V
b
+ V
c
; (6) -V
a
V
b
+ V
c
.
Figura 2.7b Representacin de las dos topologas con salida de voltaje cero.
Figura 2.8. Forma de voltaje de lnea para un puente inversor trifsico de seis pasos:
(a), (b), (c) voltajes polares: (d), (e), (f) voltajes de lnea; (g) secuencia de disparos del
IGBT.
Figura 2.9. Circuito equivalente para un inversor trifsico con carga balanceada con
carga resistiva.
Figura 2.10. Forma de onda de voltaje del inversor trifsico con carga balanceada (a),
(b), (c) voltaje polar; (d) voltaje de fase; (e) voltaje entre el neutro de la carga y a
medio punto de dc.
Figura 2.11. Inversor trifsico con carga balanceada, conectada en estrella.
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Figura 2.12. Formas de onda de voltajes y corrientes con un inversor trifsico de seis
pasos con carga RL balanceada conectada en delta: (a) voltaje de lnea, (b), (c), (d)
corriente de fase; (d) corriente de lnea de ca.
Figura 2.13. Formas de onda de la corriente en el inversor trifsico de seis pasos con
carga balanceada conectada en delta (a) corriente de lnea ac; (b) corriente del IGBT;
(c) corriente del diodo 4.
Figura 2.14 La curva caracterstica.
Figura 2.15. Curva de transferencia de media onda
Figura 2.16. Curva de transferencia de onda completa
Figura 2.17. Smbolo de un IGBT.
Figura 2.18 Circuito de un IGBT.
Figura 2.19. Caractersticas tpicas de salida y de transferencia de los IGBT (tensin
colector emisor)
Figura 2.20. Caractersticas tpicas de salida y de transferencia de los IGBT (tensin
compuerta emisor)
Figura. 3.1. Diagrama de bloques
Figura 3.2.Fuente de alimentacin de 15V de cc.
Figura 3.3. Generador de pulsos 5 V de C.A. con medio puente rectificador.
Figura 3.4. Pulsos de media onda para activar el transistor.
Figura 3.5. Generador de pulsos positivos y negativos
Figura 3.6. Pulsos cuadrados de 5 volts de la fase A.
Figura 3.7. Diagrama elctrico del opto acoplador HCPL2531.
Figura 3.8. Circuito equivalente de los generadores de pulsos y de la etapa de
aislacin.
Figura 3.9. Diagrama a bloques del IR2130.
Figura 3.10. Seales de entrada de driver ir2130.
Figura 3.11. Tiempo muerto generado por el ir2130.
Figura 3.12. Seales de los 6 IGBTs conectados a la fuente de cc.
Fuente 3.13 Fuente de 320 V de cc.
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Figura 3.14. Circuito elctrico de la etapa de potencia del inversor
Figura 3.15. Diagrama completo del circuito utilizado.
Figura 4.1. Se muestra el esquema general de la implementacin del puente inversor.
Figura 4.2. Pulsos cuadrados medidos para las entradas HIN01 y LIN01 del IR2130
para una fase.
Figura 4.3. Seales de disparo para el IGBT.
Figura 4.4. Pulsos trifsicos con una separacin de 120.
Figura 4.5. Tiempo muerto de salidas del IR2130.
Figura 4.6. Voltaje polar de una fase V
A0
.
Figura 4.7. Tiempo muerto del voltaje polar V
A0
.
Figura 4.8. Voltaje de fases V
AN
.
Figura 4.9. Voltaje de lnea V
AB
.
Figura 4.10. Espectro de voltaje a la frecuencia fundamental 60 Hz.
Figura 4.11. Foto de la etapa de control.
Figura 4.12. Inversor funcionando con una carga resistiva.
Figura 4.13. Inversor funcionando con un motor como carga










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TABLAS
Tabla 2.1. Muestra la tensin de salida que se obtiene al cerrar determinadas parejas de
interruptores.
Tabla 2.2. Estados de interruptor para inversor trifsico de fuente voltaje (VSI).



















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ANEXOS

ANEXO 1. IRG4PC40UD



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ANEXO 2. IR2130


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ANEXO 3. HCPL2531



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ANEXO 4. TRANSISTOR BC237



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ANEXO 5. COMPUERTA NOT. DM 7404

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ANEXO 6. DIODO 11DF4




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CAPITULO 1.
1. Introduccin.
Histricamente los accionamientos con corriente continua (cc) de velocidad variable
han sido usados por dcadas, sin embargo en los ltimos 30 aos se han ido
desplazando por los accionamientos con corriente alterna (ca). En 1990 la proporcin
fue del 40% de cc vs 60 % de ca, en 1995 fue del 30% de cc vs 70 % de ca y en el
2000 del 25% cc vs 75% de ca. Este desplazamiento radical ha sido fundamentalmente
debido al desarrollo de los nuevos algoritmos de control del par en motores de
induccin, y al desarrollo de la electrnica de potencia, de la microelectrnica y de los
sistemas digitales (microprocesadores y procesadores digitales de seales) [10]. Con
este avance tecnolgico casi todos los procesos donde se utilic fuerza de traccin se
han visto beneficiado como son: las mquinas herramientas, extrusoras de plsticos,
trenes de laminacin, mecanismos de elevacin, transportadores y elevadores de
jmateriales, equipos de aire acondicionado, bombas, ventiladores, hornos rotativos o
lineales, embotelladoras, norias frigorficas, molinos, agitadores, etc. En dichas
mquinas se requiere un control preciso del par y de la velocidad para lograr una
adecuada productividad, una buena terminacin del producto elaborado, evitar bruscas
aceleraciones, diferentes productos a fabricar o garantizar la seguridad de personas y
bienes. Este avance tecnolgico nos ha motivado para tener un convertidor en el cual
podamos lograr experiencia en el control de la energa elctrica con el objeto de
accionar un motor de induccin.
1.1. Objetivo.
Disear y montar un inversor fuente de voltaje (VSI del ingles Voltage Inverter Source)
trifsico. Basndose en los semiconductores de potencia G4PC40UD (IGBT`s), el
manejador para puente trifsico IR2130, as como los opt acopladores transistorizado
de alta velocidad HCPL2531. EL VSI es alimentado con una fuente de corriente
continua de 320 Vcc y a su vez este trabajara en modo de seis pasos y alimentar a un
motor de corriente alterna como carga.


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1.2. Justificacin
El presente trabajo es para tener un prototipo de un inversor fuente de voltaje trifsico
para que posteriormente se monte sobre una tarjeta impresa y poder hacer prcticas de
laboratorio, as como el estudio del comportamiento del accionamiento del Motor de
Induccin (MI), con diferentes tcnicas de modulacin del ancho de los pulsos (PWM
del ingles Pulse Wide Modulation), Para el control de la velocidad y del par.

1.3 Estado del Arte.
El desarrollo de la electrnica en sus diferentes reas junto con la teora del control y el
proceso de seales ha conformado herramientas indispensables para transformar y
controlar la energa elctrica. Una de las formas de obtener una fuente de voltaje
corriente es utilizando un puente inversor, el cual permite transformar la energa
elctrica de cc. a ca. de magnitud y frecuencia variable. Con el invento del transistor
surgieron otros dispositivos semiconductores como el IGBT y el MOSFET, con los
cuales las complicaciones tcnicas del SCR fueron superadas y el control de la energa
resulto de una manera sencilla desde el punto de vista tcnico. En un principio el SCR
fue muy complicado de controlar, ya que para que se ponga en conduccin se logra de
forma relativamente sencilla pero, cuando ste tiene que dejar de conducir, es necesario
aplicar un voltaje inverso (conmutacin forzada), por lo que se requiere implementar
circuitos complejos que realicen esta operacin.

Los circuitos inversores pueden tener dos topologas diferentes, es decir pueden
funcionar como una fuente de voltaje (VSI) como una fuente de corriente (CSI). El
VSI mantiene el voltaje de entrada al inversor constante y la corriente de carga es
variable en dependencia de las variaciones de la carga, mientras que en el CSI el efecto
es contrario, es decir la corriente se mantiene constante y el voltaje es variable en
funcin de la potencia que demanda la carga. El VSI es el ms usado y puede ser de dos,
tres o ms niveles de voltaje. Cuando un motor de induccin es alimentado con un
inversor de dos niveles, cada fase puede ser conectada a solo dos niveles de voltaje
(+Vcd - Vcd). Mientras que en los inversores de tres niveles, cada fase del motor
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puede ser conectada a tres niveles de voltaje (Vcc, cero y -Vcc ) [13,14].Otra posibilidad
de obtener un terminal neutro (cero volts) se logra al aadir una cuarta rama al inversor .
La transformacin de la energa elctrica de cc. a ca, es un proceso complejo,
especialmente cuando se requiere que las seales de ca. generadas sean senoidales. Otro
aspecto tcnico muy importante es el grado de aprovechamiento de la fuente de cc,
durante el proceso de conversin de la seal continua en corriente alterna. Se han
desarrollado diferentes tcnicas que permiten lograr lo anterior, por ejemplo la
modulacin del ancho de los pulsos senoidal (PWM senoidal). De la tcnica de control
utilizada para el inversor depende, el aprovechamiento de la fuente de cc y la distorsin
de la seal de la corriente a la salida del inversor [15]. Por lo que, la operacin de los
interruptores estticos del inversor est definida por el tipo de estrategia de modulacin
del ancho de los pulsos (PWM). Los avances obtenidos en el control de la energa
elctrica, permitieron el desarrollo de los accionamientos de cc y ca. Los primeros
accionamientos que se utilizaron fueron los de corriente continua, debido a sus
caractersticas [11]. Sin embargo, las desventajas de la mquina de cc al tener un
conmutador mecnico y escobillas, provocan que sea necesario realizar un
mantenimiento frecuente, otra caracterstica de la mquina de cc que limita su uso en
algunas operaciones son los bajos niveles de voltaje y de velocidad a los que puede
operar.
Estos factores han ocasionado que estos accionamientos sean poco atractivos en algunas
aplicaciones industriales. El desarrollo de la electrnica de potencia, de la
microelectrnica y de los sistemas digitales (microprocesadores), ha permitido tener
otra alternativa, como es la utilizacin del motor de corriente alterna.
Los primeros accionamientos de ca fueron implementados utilizando el control escalar
(voltaje/frecuencia, v/f), el cual se basa en mantener al flujo en el entre-hierro constante,
esto sucede si se mantiene la relacin v/f constante [1,10,12,]. Esta consideracin no es
exacta, ya que existen variaciones en el flujo magntico, especialmente a bajas
velocidades y con variaciones en el par electromagntico.
Las deficiencias en el control escalar, son superadas con la innovacin del control
vectorial (control por campo orientado y control directo par). El control por campo
orientado se basa en orientar el flujo del rotor, del estator o del entre hierro en un eje
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ortogonal rotatorio, logrndose de esta forma ecuaciones dinmicas del motor de
induccin, semejantes a las ecuaciones de la mquina de cc.
Mediante la orientacin del flujo magntico de la mquina, en una de las componentes
ortogonales de la corriente del estator, es posible desacoplar la mquina y lograr
controlar el flujo magntico y el par desarrollado, de forma semejante a como se realiza
en la mquina de cc [16,17]. El desarrollo de sistemas para controlar la velocidad en
motores de induccin se ha venido dando desde hace muchos aos.
Las mquinas asncronas (como el motor de induccin) se basan en el principio de la
accin de un campo magntico giratorio sobre un arrollamiento en cortocircuito.


Figura 1.1. Constitucin de la Mquina Asncrona Trifsica.

El sistema magntico de una mquina asncrona consta de 2 ncleos: el ncleo exterior
fijo que tiene la forma de un cilindro hueco y el ncleo cilndrico interior giratorio. La
parte fija de la mquina se llama estator y la parte giratoria rotor. En las figuras1.2 y
1.3, se muestran el estator y el rotor de un motor de induccin, respectivamente.
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Figura 1.2. Estator de un motor de induccin


Figura 1.3. Rotor de un motor de induccin
Para el anlisis en estado estable, se utiliza el circuito equivalente del motor mostrado
en la figura 1.4. U
s
es el voltaje en las terminales del estator y ser diferente de la
fuerza electromotriz (f.e.m) U m, debido a la cada en la resistencia R
s
y en la reactancia
de dispersin X
LS
del estator. La corriente de excitacin sin carga I
o
, se compone de: la
corriente de perdidas en el ncleo (I
o
= U
m
/ R
m
) y la corriente de magnetizacin (I
m
=
U m / X
Lm
) siendo R
m
la resistencia que representa a las prdidas en el ncleo y X
Lm
la
reactancia de magnetizacin.
En el rotor se induce una fuerza electromotriz, Ur , que provoca la circulacin de la
corriente Ir (el smbolo ( ) representa que son magnitudes referidas al estator). La
corriente del estator Is es la suma fasorial de las corrientes Io e I r [1,12,].

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Figura 1.4. Circuito equivalente por fase del motor de induccin.
El diagrama fasorial del circuito equivalente se muestra en la figura 1.5. Del circuito
equivalente, se obtiene la siguiente ecuacin (1.1);


(1.1)
Donde:
S =
S1
/ e - deslizamiento.
S
1
- frecuencia del rotor en rad/s.

e
= 2 f
1

f
1
- frecuencia del estator en Hz.
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Figura 1.5. Diagrama fasorial del circuito equivalente.

1.4. Alcance.
El alcance que proponemos es presentar un diseo de VSI para que se puedan hacer
pruebas de laboratorio e implementar diferentes tcnicas de modulacin.








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CAPITULO 2
ALIMENTACION DE UN MOTOR DE INDUCCION CON UN INVERSOR DE
SEIS PASOS
2.1 Introduccin
Los convertidores de cc a ca se llaman inversores. La funcin de un inversor es cambiar
un voltaje de entrada de cc a un voltaje simtrico de salida de ca, con la magnitud y
frecuencia deseadas. El voltaje y frecuencia de salida podran ser fijos o variables. Un
voltaje variable de salida se puede obtener haciendo variar el voltaje de entrada de cc
manteniendo constante la ganancia del inversor. Por otra parte, si el voltaje de cc de
entrada es fijo y no es controlable, se puede obtener un voltaje variable de salida
haciendo variar la ganancia del inversor, lo que se consigue normalmente con control
por modulacin de ancho de pulso (PWM). La ganancia del inversor se puede definir
como la relacin entre el voltaje de salida de ca y el voltaje de entrada de cc
Las aplicaciones tpicas de los inversores de potencia pueden ser:
Accionamientos de motores de CA de velocidad ajustable.
Sistemas de alimentacin ininterrumpida (SAI)
Dispositivos de corriente alterna que funcionan a partir de una batera.
Hornos de induccin., etc.

2.2 Tipos de inversores.
Los inversores pueden ser fuente de voltaje (VSI Voltage Source Inverter) o fuente de
corriente (CSI current Source Inverter). Los primeros estn alimentados por una fuente
de cc de baja impedancia como puede ser una batera o un rectificador, en el que a la
salida tendr un filtro LC. El filtro capacitivo en paralelo con las terminales del
inversor mantiene un voltaje constante.
El inversor de corriente est alimentado por una corriente controlada desde una fuente
cc de alta impedancia. Tpicamente un rectificador de tiristores controlados por fase
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alimenta este inversor con una corriente regulada a travs de un inductor en serie; por lo
tanto, la corriente de carga es controlada y el voltaje de salida del inversor es
dependiente de la impedancia de la carga

2.3 El inversor monofsico en puente completo.
El inversor en puente completo est formado por dos medios puentes, estos a su vez
formados por dos semiconductores de potencia totalmente controlados, tpicamente;
transistores, MOSFETs o IBGTs, tal y como se muestra en la figura 2.0.


Fig. 2.0. Circuito elctrico de un inversor en puente completo.

Los transistores S1, S2, S3 y S4, pueden representarse con interruptores como se
muestra en la Figura. 2.1.

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Figura 2.1. Inversor en puente completo representado con interruptores.


Figura 2.2. Circuitos equivalentes del inversor en puente completo: (a) S1 y S2
cerrados, (b) S3 y S4 cerrados, (c) S1 y S3 cerrados, (d) S2 y S4 cerrados.
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La tensin en la carga Vc puede ser + Vcc, -Vcc, 0, dependiendo del estado de los
interruptores. Las figuras 2.2a a 2.2d muestran los circuitos equivalentes para las
posibles combinaciones de los interruptores.


Observe que S1 y S4 no deberan estar cerrados al mismo tiempo, ni tampoco S2 y S3
para evitar un cortocircuito en la fuente de cc es. Los interruptores reales no se abren y
se cierran instantneamente, por tanto debe tenerse en cuenta los tiempos de
conmutacin al disear el control de los interruptores. El tiempo permitido para la
conmutacin se denomina tiempo muerto (dead time). Para obtener una tensin en la
carga Vc igual a cero se pueden cerrar al mismo tiempo los interruptores S1 y S3 o bien
S2 y S4. Otra forma de obtener una tensin cero a la salida sera eliminando las seales
de control en los interruptores, es decir, manteniendo abiertos todos los interruptores.
2.3.1. El inversor con modulacin por onda cuadrada
La tcnica de modulacin o el esquema de conmutacin ms sencillo del inversor en
puente completo es el que genera una tensin de salida en forma de onda cuadrada. En
ste caso los interruptores conectan la carga a + VCC cuando S1 y S2 estn cerrados
(estando S3 y S4 abiertos) y a - VCC cuando S3 y S4 estn cerrados (estando S1 y S2
abiertos). La conmutacin peridica de la tensin de la carga entre + VCC y - VCC
genera en la carga una tensin con forma de onda cuadrada. Aunque esta salida alterna
no es senoidal pura, puede ser una onda de alterna adecuada para algunas aplicaciones,
como por ejemplo impulsores (variadores, reguladores o controles) de motor de
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ca y velocidad variable, o en calentamiento por induccin, fuentes de alimentacin de
reserva y fuentes de alimentacin ininterrumpible.
La forma de onda de la corriente en la carga depende de los componentes de la carga.
En una carga resistiva, la forma de onda de la corriente corresponde con la forma de la
tensin de salida. Una carga inductiva tendr una corriente ms senoidal que la tensin,
a causa de las propiedades de filtrado de las inductancias. Una carga inductiva requiere
ciertas consideraciones a la hora de disear los interruptores del inversor, ya que las
corrientes de los interruptores deben ser bidireccionales ya que la corriente de una carga
inductiva se retrasa con respecto al voltaje. Para ello, se suelen poner diodos en
antiparalelo con cada uno de los interruptores. En el caso del inversor en puente
completo se utilizan cuatro diodos en anti paralelo, uno por cada interruptor.
La figura 2.3. Muestra la forma de onda de la tensin de salida Vcc para un inversor en
puente de onda completa con modulacin por onda cuadrada. ste tipo de modulacin
no permite el control de la amplitud ni del valor eficaz de la tensin de salida, la cual
podra variarse solamente si la tensin de entrada Vcc fuese ajustable.


Figura 2.3. Forma de onda de tensin en la carga del inversor en puente controlado
por onda cuadrada.




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2.4. Inversor trifsico fuente de voltaje.
Este inversor es formado por tres medios puentes como se muestra en la figura 2.4, en
esta se muestra uno de los ocho estados que puede tomar. Vcc es la tensin de corriente
continua. VaN, VbN y VcN son tensiones de fase con respecto al neutro de la carga que
est conectada en estrella. Cada transistor conducir durante 180. Tres transistores se
mantienen activos durante cada instante de tiempo. Cuando el transistor S1 est
activado, la terminal Va, se conecta con la terminal positiva del voltaje de entrada.
Cuando se activa el transistor S4, la terminal Va se lleva a la terminal negativa de la
fuente de cd. La figura 2.5a) indica intervalos de 180 para el estado cerrado y el estado
abierto de cada interruptor S1, S2, S3, S4, S5, S6. La secuencia y el desplazamiento de
120 de Van, Vbn y Vcn de la figura 2.5b) se genera por el orden establecido para la
conmutacin de los interruptores de cada rama o medio puente.


Figura 2.4. Inversor trifsico como fuente de voltaje (VSI) conduciendo S1, S5 y S6.
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Figura 2.5(a) Formas de onda de los interruptores conduciendo a 180. Figura 2.5(b)
tensiones de fase al neutro desplazado 120
El periodo (360) se divide en seis intervalos, en cada intervalo hay tres interruptores o
transistores conduciendo; uno por cada rama siguiendo la secuencia (S5,S6,S1),
(S1,S2,S6), (S1,S2,S3), (S2,S3,S4), (S3,S4,S5) y (S4,S5,S6). Las seales de control (las
cuales que se muestran en la figura 2.5(a)) para el transistor superior e inferior de una
misma rama deben ser complementarias para evitar que los transistores
correspondientes conduzcan al mismo tiempo provocando un corto en la fuente de
voltaje de C.C.
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15

Figura 2.6. Seales de control para los interruptores.
Esta correspondencia opuesta en la seal de control simplifica el anlisis de la secuencia
de encendido y apagado de los interruptores. Las explicaciones siguientes estarn
enfocadas para los pulsos de los transistores superiores. Como convenio se asocia el
estado lgico 1 cuando el transistor superior conduce y 0 cuando el transistor
superior est apagado, es decir, x = 2 estados lgicos. Tomando a S1, S3 y S5 como tres
variables con x = 2 estados lgicos (1,0); se calcula entonces que 2 = 8 combinaciones
de las cuales seis generan voltajes diferentes de cero (figura 2.7(a)). Las dos restantes
producen configuraciones que producen voltaje cero porque no hay una ruta para el
flujo de la corriente (figura 2.7.(b)). La secuencia de los interruptores superiores
cerrados de la figura 2.7. se ordena en la tabla 2.2; en esta se indica que fases quedan
conectadas a la terminal positiva y la representacin binaria de las combinaciones
generadas por los estados lgicos de los IGBTs.




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Figura 2.7.(a) Topologas definidas por las combinaciones de los transistores
superiores. Representacin de las seis configuraciones de voltaje diferente de cero
(1)+V
a
V
b
+ V
c
; (2)+V
a
V
b
-V
c
;

(3) +V
a
+V
b
- V
c
; (4) -V
a
+V
b
- V
c
; (5) -V
a
+V
b
+ V
c
;
(6) -V
a
V
b
+ V
c
.

Figura 2.7b Representacin de las dos topologas con salida de voltaje cero.
Las configuraciones (1) hasta la (6) de la tabla 2.2, generan las seales trifsicas de la
figura 2.5b).

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Tabla 2.2. Estados de los interruptores para inversor trifsico de fuente
de voltaje (VSI)
Estados Estado
No.
Estados de
Interruptor
Superiores
Vab Vbc Vca
S6, S1 y S5 estn cerrados
y S3, S4 y S2 estn abiertos
1 101 Vd -Vd 0
S1, S2 y S6 estn cerrados,
y S4, S5 y S3 estn abiertos
2 100 Vd 0 -Vd
S2, S3 y S1 estn cerrados
y S5,S6 y S4 estn abiertos
3 110 0 Vd -Vd
S3, S4 y S2 estn cerrados
y S6,S1 y S5 estn abiertos
4 010 -Vd Vd 0
S4, S5 y S3 estn cerrados
y S1, S2 y S6 estn abiertos
5 011 -Vd 0 Vd
S5,S6 y S4 estn cerrados
y S2, S3 y S1 estn abiertos
6 001 0 -Vd Vd
S4, S2 y S6 estn cerrados
y S1, S5 y S3 estn abiertos
7 000 0 0 0
S1, S3 y S5 estn cerrados
y S4, S6 y S2 estn abiertos
8 111 0 0 0

La tabla muestra ocho estados de conmutacin. Los transistores de S
1
a S
6
de la figura
2.6 actan como interruptores. Si dos interruptores, uno superior y uno inferior,
conducen al mismo tiempo de tal modo que la tensin de salida sea +/- Vcc, el estado de
conmutacin es 1, mientras que si esos interruptores estn abiertos al mismo tiempo, el
estado de conmutacin es cero. Los estados de 1 a 6 producen tensiones de salida
distintos a cero. Los estados 7 y 8 producen tensiones de lnea cero.

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2.4.1. Formas de onda de voltaje.
El punto medio de la fuente de cc, (punto 0 del VSI; mostrado en la figura 2.6.) se toma
como referencia para definir los voltajes polares V
a0
, V
b0
y V
c0
los cuales tienen forma
de onda cuadrada como se muestra en la figura 2.8 (a, b y c). Los tres voltajes polares
son naturales por cambios en la carga o frecuencia de operacin y son generados por el
estado de conmutacin de los interruptores (IGBTs) del medio puente correspondiente.
Como en el puente monofsico el voltaje polar es +V
d
/2 para la mitad del puente esto
ocurre cuando los IGBTs superiores estn conduciendo (los IGBTs inferiores no
conducen), y es V
d
/2, cuando los IGBTs inferiores estn conduciendo ( los IGBTs
superiores no conducen)
Cada voltaje de lnea se obtiene de la diferencia de los voltajes.
V
AB
= V
A0
-V
B0
V
BC
= V
B0
-V
C0
V
CA
= V
C0
-V
A0
(2.1)
Las formas de onda de voltaje de lnea se observa en la figura 2.8(d, e y f) y tiene
intervalos de 0 a 60 en cada medio ciclo de voltaje.
La forma de onda de voltaje polar es una onda cuadrada de amplitud V
d
/2, y puede ser
expresada por las series de Fourier de acuerdo con la siguiente ecuacin (2.2)
V
A0
=
4

.

2
sin +
1
3
sin3 +
1
5
sin5 +
1
7
sin7 +
1
9
sin9 +. (2.2)
Esta es similar para V
B0
con un desplazamiento de 120 y es expresada en la ecuacin
(2.3)
V
B0
=
4

.

2
sin(
2
3
) +
1
3
sin3 +
1
5
sin5(
2
3
) +
1
7
sin7(
2
3
+
19sin9+(2.3)
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Figura 2.8. Forma de voltaje de lnea para un puente inversor trifsico de seis pasos:
(a), (b), (c) voltajes polares: (d), (e), (f) voltajes de lnea; (g) secuencia de disparos del
IGBT.
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20
El voltaje de lnea V
AB
se obtiene entre la diferencia de V
A0
y V
B0,
y no contienen
ningn tercer armnico o mltiplos de tres. Las armnicas restantes de la forma de onda
del voltaje de lnea son de orden k = 6 n - 1, donde n es un numero entero positivo. La
serie de Fourier completa para V
AB
es:
V
AB
=
23

. sin
1
5
sin5
1
7
sin 7t +
1
11
sin11 +
1
13
13 .
(2.4)
El valor de rms de voltaje de lnea es
2
3
o 0.816 V
d
y el valor fundamental de rms es

o 0.78 V
d
.
Si el inversor alimenta una carga balanceada, el voltaje de lnea a neutro o voltaje de
fase tiene una forma de onda de seis distintos pasos por ciclo por lo que es llamada
onda de seis pasos o conduccin a 180, esto es fcilmente demostrado en el caso de una
carga resistiva, el circuito equivalente de cada una de las conexiones que toma para una
carga trifsica conectada en estrella es mostrado en la figura 2.9.
Los voltajes de lnea son V
AB
= + V
d
, V
BC
= - V
d
, V
CA
= 0, el voltaje de fase es
deducible por la accin simple de potencia p y son; V
AN
= V
CN
= + V
d
/3 y V
BN
= -2
V
d
/3. Este proceso es repetido por los cinco intervalos restantes resultando seis pasos
para el voltaje de fase.
La forma de onda de la figura 2.9. muestra el voltaje de fase, Van, para una carga
resistiva balanceada trifsica. Esta figura tambin muestra las diferentes conexiones de
la carga que se dan en cada intervalo de 60

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22

Figura 2.9. Circuito equivalente para un inversor trifsico con carga trifsica
balanceada con carga resistiva.
Esta ecuacin general relata las tensiones de lnea a neutro, estas cargas no son
dependientes. Como se muestra en la siguiente ecuacin (2.5).

V
AN
=
1
3
(2 V
A0
- V
B0
- V
C0
)
V
BN
=
1
3
(2 V
B0
V
C0
V
A0
)
V
CN
=
1
3
(2 V
C0
V
A0
V
B0
) (2.5)
El voltaje instantneo del neutro de la carga a cero volts de la fuente de corriente directa
es dada por la ecuacin (2.6).
V
N0
=
1
3
(V
A0
- V
B0
- V
C0
) (2.6)



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23

Figura 2.10. Forma de onda de voltaje del inversor trifsico con carga balanceada (a),
(b), (c) voltaje polar; (d) voltaje de fase; (e) voltaje entre el neutro de la carga y la
fuente de corriente continua al punto medio.
Los armnicos que contienen del voltaje fase de seis pasos no son lo mismo que el de la
forma de onda del voltaje de lnea y la diferencia entre forma de onda entre los dos
voltajes es debido a la diferente relacin de fases entre la fundamental y la de las
armnicas. Se puede ver la serie de Fourier que expresa para V
AN

V
AN
=
2

. sin +
1
5
sin5 +
1
7
sin 7t +
1
11
sin11 +
1
13
13 .
(2.7)
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24
La forma de onda para V
N0
(ver figura 2.10 (e)), se muestra la tercera armnica
suprimida, ahora aparecen entre la carga del neutro y la mitad del punto de cc. Como
una forma de onda cuadrada del voltaje de tres tiempos.

2.4.2. Formas de onda de corriente.
En el inversor de seis pasos se pueden usar transistores (SCRs, IGBTs, MOSFETs,
etc) pero la forma de onda del inversor de corriente es determinada por las
caractersticas de la carga y son independientes de la potencia del dispositivo que
manejen, excepto en el momento que los dispositivos estn en el periodo de
conmutacin.
La forma de onda de corriente de los inversores pueden tener una carga RL (resistiva e
inductiva) balanceada, conectada en estrella, esta se muestra en la figura 2.11, la
direccin positiva de la corriente i
A
, i
B
, i
C
, y la corriente de fase i
a
, i
b
, i
c
, son indicadas
en la figura 2.12.

Figura 2.11. Inversor trifsico con carga balanceada, conectada en estrella
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25
La forma de onda de voltaje de lnea de la figura. 2.8 muestra que cada fase conectada
en estrella est sujeta a la forma de onda cuadrada del voltaje con niveles de + Vd, cero
y Vd. La corriente de fase, para las tres consiste en una serie de cambios exponenciales
producidos por los cambios en la aplicacin de voltaje, origina un tiempo que se toman
en el instante cuando el S4 es apagado y el S1 es encendido, saliendo S5, S6 y S1 para
los tres IGBTs. El voltaje aplicado para la fase A de la conexin, la carga ahora tiene
una forma de onda para V
AB
de la figura 2.12 (a) con + Vd aplicado a los primeros 120
del ciclo, esto produce que la corriente cambie y se puede ver en la fig. 2.12 (b).
Despus de los tres ciclos S3 esta conmutando y S6 est apagado de tal modo
conectando ambas terminales de fase A para la fuente positiva y reduciendo el voltaje
de fase a cero, sin embargo la corriente inductiva puede circular alrededor del circuito
compuesto de S1 y D3.
As la corriente de fase decae por i
2
y se puede notar en la figura 2.12 (b). El medio
ciclo que es completado despus de 180, cuando el S4 est conduciendo y el voltaje V
d

es aplicado a travs de la fase A con polaridad contraria. Las dos formas de onda
restantes de fase son similares a la fase A solo que desplazadas 120 y 240
respectivamente. La corriente de lnea se obtiene generalmente de la diferencia de las
dos corrientes de fase.

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26

Figura 2.12. Formas de onda de voltajes y corrientes con un inversor trifsico de seis
pasos con carga RL balanceada conectada en estrella: (a) voltaje de lnea, (b), (c), (d)
corriente de fase.
2.4.3. Funcionamiento de los IGBTs y Diodos
En la figura 2.11 Se origina un tiempo muerto cuando S4 no est conduciendo y S1 est
conduciendo. Sin embargo, la corriente de lnea i
A
es negativa, y esta debe llevarse por
una realimentacin por el D1 reduciendo la corriente neta sealada en la fuente de cc.
Subsiguientemente i
A
inverso y S1 empieza a conducir, como empieza al instante de la
corriente inversa esta carga es dependiente y el IGBT es muy fiable para dedicarse a
llenar 180 durante la conduccin.
Al final de este medio periodo, la I
L
permanece positiva para que ese tiempo deba
llevarse por el D4, la forma de onda de la I
L
es repetida en la figura 2.13(a) con el
dispositivo conduciendo indicado por cada posicin de los ciclos de ac. As el IGBT y
la forma de onda de la corriente de lnea se muestra en la figura 2.13 (b) y (c). La
retroalimentacin de los diodos tambin conduce por una porcin de cada medio ciclo
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destacando el factor de potencia de la carga y conmutando la operacin de la carga con
los IGBTs, el inversor es factible.

Figura 2.13. Formas de onda de la corriente en el inversor trifsico de seis pasos con
carga balanceada (a) corriente de lnea ac; (b) corriente del IGBT; (c) corriente del
diodo 4.









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28
2.5. ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DEL VSI.
2.5.1. Dispositivos semiconductores de potencia.
Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura,
pudiendo comportarse como conductores o como aislantes, su conductividad elctrica
aumenta con la temperatura. A la temperatura ambiente, los semiconductores presentan
conductividades elctricas intermedias entre la de los metales y la de los aislantes. Sin
embargo se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino ser
controlados con voltaje o corriente.
Desde que se desarroll el primer tiristor, el SCR a finales de 1957, ha habido progresos
impresionantes en los dispositivos semiconductores de potencia [2], como el manejo de
corrientes ms altas, rpidos tiempos de activacin y desactivacin, esto permite que
estos dispositivos operen a frecuencias muy altas, como resultado los inductores y
capacitores asociados sean ms pequeos y ms baratos.

2.5.2. Diodos de potencia.
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, que
es un dispositivo de unin pn con dos terminales (nodo y ctodo). Cuando el potencial
es positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo esta polarizado directo, y
conduce. Un diodo conductor tiene una cada directa de voltaje a travs de l
relativamente pequea; la magnitud de esta cada depende del proceso de manufactura y
de la temperatura de la unin. Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al
nodo, se dice que el diodo esta polarizado inverso.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad de corriente con una pequea cada de tensin.
En sentido inverso, deben ser capaces de soportar un nivel elevado de tensin negativa
de nodo respecto al ctodo, con una pequea intensidad de corriente inversa.
Los diodos de potencia son de dos tipos: a) de propsito general y b) de alta velocidad
(o recuperacin rpida). [2]

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Figura 2.14 La curva caracterstica.
Donde:
V
RRM
: tensin inversa mxima. De acuerdo a las especificaciones del IGBT(
G4PC40UD) la tensin inversa mxima es de 600 V
V
D
: tensin de codo. Tpicamente de 1 a 3 V

2.5.3. Diodos de propsito general.
Los diodos rectificadores de propsito (o uso) general, tienen un tiempo de recuperacin
inversa relativamente grande, en el caso tpico de unos 25s, y se usan en aplicaciones
de baja velocidad, donde no es crtico el tiempo de recuperacin (por ejemplo, en
rectificadores y en convertidores de diodo, para aplicaciones con una frecuencia de
entrada baja, hasta de un 1kHz, y para convertidores conmutados por lnea). [2]
Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que emplean,
se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase de la red
elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases.
Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se utiliza
uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son
aprovechados.

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Figura 2.15. Curva de transferencia de media onda
La curva de transferencia, que relaciona las tensiones de entrada y salida, tiene dos
tramos: para tensiones de entrada negativas la tensin de salida es nula, mientras que
para entradas positivas, la tensin se reduce en 0.6V. El resultado es que en la carga se
ha eliminado la parte negativa de la seal de entrada.


Figura 2.16. Curva de transferencia de onda completa.
Como acabamos de ver, la curva de transferencia, que relaciona las tensiones de entrada
y salida, tiene dos tramos: para tensiones de entrada positivas las tensiones de entrada y
salida son iguales, mientras que para tensiones de entrada negativas, ambas son iguales
pero de signo contrario. El resultado es que en la carga se ha eliminado la parte negativa
de la seal de entrada transformndola en positiva. La tensin mxima en el circuito de
salida es, igual a la tensin del secundario del trasformador.




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2.5.4. IGBT.
En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFETS. Un IGBT tiene
alta impedancia de entrada, como los MOSFETS, y pocas prdidas por conduccin en
estado activo, como los BJT, el rendimiento de un IGBT se parece ms al de un BJT
que al de un MOSFET.
Un IGBT es un dispositivo controlado por tensin, parecido a un MOSFET de potencia.
Como en un MOSFET (canal N), para el encendido se hace positiva la compuerta con
respecto al emisor, los portadores n son atrados al canal p, cerca de la regin de la
compuerta; esto produce una polarizacin en directa de la base del transistor npn, que
con ello se enciende. Un IGBT slo se enciende aplicndole una tensin de compuerta
positiva, para que los portadores n formen el canal, y se apaga eliminando la tensin de
compuerta, para que el canal desaparezca. Requiere un circuito de control muy simple.
Tiene menores prdidas de conmutacin y de conduccin, y al mismo tiempo comparte
muchas de las propiedades adecuadas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de
excitacin de compuerta, corriente pico, buenas caractersticas y robustez. Un IGBT es
ms rpido que un BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin de los IGBT es
menor que la de los MOSFETS [2].
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de
control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
En la Figura 2.17 se ve el smbolo y en la figura 2.18 se observa el circuito de un IGBT
interruptor. Las tres terminales son compuerta, colector y emisor, en lugar de
compuerta, drenaje y fuente de un MOSFET.

Figura 2.17. Smbolo de un IGBT.
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Figura 2.18. Circuito de un IGBT.


Figura 2.19. Caractersticas tpicas de salida y de transferencia de los IGBT
(tensin colector emisor)
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Figura 2.20. Caractersticas tpicas de salida y de transferencia de los IGBT
(tensin compuerta emisor)
Las curvas caractersticas de salida tpicas de i
C
en funcin de v
CE
, se ve en la figura
2.19 para diversas tensiones v
CE
de compuerta a emisor. La caracterstica tpica de
transferencia de i
C
en funcin de de V
GE
se ve en la figura 2.20, la corriente de colector
en un IGBT es mucho ms alta que en un MOSFET, por consiguiente, el IGBT puede
manejar ms potencia. Los parmetros y sus smbolos se parecen a los de los MOSFET,
excepto que se cambian a los subndices para fuente y drenaje, a emisor y colector, en
forma respectiva. La especificacin de corriente de uno solo IGBT puede llegar hasta
1200V, 400 Amp y la frecuencia de conmutacin puedes ser hasta de 20kHz [2]. Los
IGBTs estn encontrando aplicaciones crecientes, como por ejemplo propulsores de
motor de cd y de ca, fuentes de corriente, relevadores de estado slido y contactores. A
medida que los lmites superiores de las especificaciones de los IGBT disponibles en el
comercio aumentan, estn encontrando aplicaciones donde se usan los BJT y los
MOSFET convencionales principalmente como interruptores, y los estn sustituyendo.




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34
CAPITULO 3. DISEO DEL INVERSOR.

3.1. Descripcin de los circuitos utilizados.
En el siguiente captulo se presenta la descripcin de los circuitos utilizados en la
implementacin del sistema. Parte de los circuitos fueron diseados y montados durante
el trabajo en el laboratorio. En la figura 3.1. Se muestra el diagrama de bloques de un
inversor trifsico de seis pasos.



Figura. 3.1 Diagrama de bloques
3.2 Etapa de control.
Para nuestro caso esta etapa est compuesta por un generador de pulsos y para realizarlo
necesitamos una fuente de 5 V de C.C. y una fuente de 15 V de C.C as como
diferentes elementos electrnicos que se describirn enseguida.

3.2.1. Fuente 15 V de CC.
Para generar las seis seales de entrada, tres en LOUTN y tres HOUT, de nuestro
IR2130; necesitamos una fuente monofsica de 15 V de CC. para que nuestro IR2130
genere pulsos cuadrados de 15 volts estos son llevados hasta la compuerta de nuestro
IGBT. Para estas fuentes utilizamos una alimentacin monofsica. Empleamos un
transformador de 120/18 VCA regulndolo a 15V con un LM7815.

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Figura 3.2.Fuente de alimentacin de 15V de cc.
3.2.2. Fuente 5 V de CC.
Esta fuente es diseada de acuerdo a la fig.3.2 en donde son utilizadas las
recomendaciones del LM7815. Esta fuente es utilizada para alimentar el colector de los
transistores generara los pulsos del control del VSI, a continuacin se explica ms
detalladamente.
3.2.3. Generador de pulsos.
Para generar tres pulsos senoidales de 5V necesitamos una fuente trifsica de CA para
tener una simetra entre fases, cada fase pasara por un transformador 120/5 VCA.
Despus de tener el voltaje adecuado, tenemos que utilizar un rectificador de media
onda trifsico, esto lo lograremos con un diodo IN4001, para tener pulsos de media
onda senoidal por fase, se agrega una resistencia para limitar la corriente y pueda saturar
la base del transistor, un transistor en saturacin tiene una corriente de colector mxima
y un voltaje colector emisor casi nulo. Para lograr que el transistor entre en saturacin,
el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se est
operando. El transistor utilizado es el BC 237 del tipo NPN, sus caracterstica se
anexaran, para escoger el valor de la resistencia tenemos que tomar en cuenta la
corriente del transistor. Para calcular la resistencia adecuada y con los datos de las
tablas de sus caractersticas tenemos que: I = 10mA, V = 5V, y una cada de tensin de
0.2V. Utilizando la ecuacin 3.1.
=

(3.1)
Calculo de la resistencia:
=

=
5 0.2
10
= 480
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36

Figura 3.3. Generador de pulsos 5 V de C.A. con medio puente rectificador.
Teniendo un pulso como se muestra en la figura 3.4 para que el transistor pueda
conducir.

Figura 3.4. Pulsos de media onda para activar el transistor.

Para alimentar a los opto acopladores necesitamos pulsos cuadrados de 5 V de C.C.,
para generar estos pulsos, utilizamos los pulsos senoidales que generamos con el
circuito implementado en la figura 3.3, estos pulsos alimentan la base del transistor.
Para obtener pulsos cuadrados, se alimenta el colector del transistor que tiene una
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37
resistencia enserie, con 5V. Para este clculo tenemos los siguientes datos obtenidos del
transistor I
c
= 5mA, V
CE
= 5V
cc
, utilizando la ecuacin 3.1. Tenemos.
=

=
5
5
= 1000
Los pulsos los generan los positivos de la onda senoidal, cada pulso va a generar una
salida de 5 y 0 V de cc y as obtenemos una seal cuadrada como se muestra en la figura
3.6, as sucede para los dos transistores restantes.
Como necesitamos tres seales positivas y tres negadas, utilizamos una compuerta not
(DM7404) para cada transistor. Del colector de cada transistor tenemos que obtener una
seal positiva y una negada para negar la seal se alimenta a una compuerta not para
negar la seal y con esto obtener una seal positiva y una negativa por cada transistor
mostrndolas en la figura 3.6, y as tenemos las seis seales. El circuito implementado
se muestra en la figura 3.5.

Figura 3.5. Generador de pulsos positivos y negativos.


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Figura 3.6. Pulsos cuadrados de 5 volts de la fase A.

3.3. Etapa de aislacin.
En esta etapa se encuentran los opto acopladores (HCPL2531), El opto acoplador se
compone de dos diodos leds y dos fototransistores, de manera de que cuando los leds
emiten luz, iluminen el fototransistor y este conduzca [9]. Esta etapa es muy
importante, ya que con ella se asla la etapa de control de la etapa de potencia, por si
ocurre alguna faya no se quemen los elementos el control.
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Figura 3.7. Diagrama elctrico del opto acoplador HCPL2531.
Los opto acopladores se alimentan con una seal de 5V, como se muestra en la figura
3.7, aqu se observan las seales que utilizaremos para accionar el optoacoplador, esta
seal va al nodo del optoacoplador y su ctodo pasa por una resistencia que esta
aterrizada, con la finalidad de ajustar la corriente a 4.3mA que es suficiente para
accionar el led interno del optoacoplador, la resistencia se calcula con la corriente
mencionada y la tensin es de 5V, utilizando la ecuacin 3.1. Tenemos que tomar en
cuenta la cada de tensin del diodo emisor de luz del optoacoplador.[9]
Calculo de la resistencia para el opto acoplador.
=

=
50.7
4.3
= 1000
Quedando nuestro diagrama elctrico como se muestra en la figura 3.8.

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Figura 3.8. Circuito equivalente de los generadores de pulsos y de la etapa de
aislacin.
3.4. Diseo y montaje del los circuitos manejadores de compuerta (driver).
Para disear un circuito conocido como driver, se deben de tomar en cuenta las dos
consideraciones que ayudan a proteger al inversor, que el manejador sea capaz de
suspender la conmutacin de los dispositivos cuando se haya producido una situacin
de riesgo para el convertidor, y que debe de sujetarse a las necesidades de activacin del
interruptor.

3.4.1. Manejadores de salida IR2130.
Como se puede observar en la figura 3.8 el circuito consta de 6 seales de salida los
cuales reciben sus seales de los 3 generadores de pulsos, cada generador provee dos
salidas, las tres seales bajas de salida estn manejados directamente por el generador
de seales L1, L2, L3. Pero las seales que maneja el lado alto H1, H2, H3 necesitan ser
cambiadas de nivel antes de ser aplicada a los manejadores del lado alto.



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Un circuito detector de bajo voltaje esta en todo momento monitoreando el nivel de Vcc
el cual provee una seal para inhibir las seis salidas de seales. Adems hay circuitos
individuales detectores de bajo voltaje para cada una de las salidas del lado alto.


Figura 3.9 Diagrama a bloques del IR2130.[4]






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3.4.2. Protecciones del IR2130.
Proteccin de bajo voltaje (UV)

Una condicin de bajo voltaje en el nivel de Vcc definido como menos de 8.9 volts
(cuando el VCC est reducido) y menos de 9.3 volts nominal cuando Vcc es
incrementado, causa que toda las salidas sean apagadas.[5][7]


Figura 3.10. Seales de entrada de driver IR2130. (LIN=low in, HIN=high in)
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Proteccin de sobre corriente (ITRIP)
En caso de un corto circuito o una sobrecarga es deseable apagar todas las salidas del
IR2130. Esto se logra a travs de un comparador de corriente que monitora la cada de
voltaje en una resistencia de monitoreo (resistencia ITRIP), Instalada en el lado bajo y
que es comparada con una referencia de 0.5 volts. [5][7]

La salida del comparador de corriente y la del circuito de UV van a una compuerta OR,
de esta forma cualquiera de las dos puede hacer actuar el circuito de FAULT.
Circuito de falla (fault)
Este circuito consiste en un enclavamiento, el cual es puesto a 1 por cualquiera de las
dos combinaciones mencionadas anteriormente, esta condicin de 1 produce 2 seales
de salida una de estas es usada para inhibir las 6 salidas de control y la otra salida
aparece como un indicador de falla, esta condicin se expresa como un nivel lgico bajo
el cual es capaz de controlar un diodo led o un circuito externo. Esta condicin de falla
mantendr las salidas bloqueadas hasta que el usuario mantenga las entradas del lado
bajo en un nivel lgico 0 por ms de 10 microsegundos forzando Vcc esto quiere decir
eliminando la alimentacin del circuito [5][7].
3.4.3. Tiempo muerto.
El IR2130 tambin genera un tiempo muerto en las seales de salida, para que los
IGBTs de una misma rama no conduzcan al mismo tiempo y puedan causar un corto
circuito. Este tiempo muerto es de 1.2s, es suficiente para que no entren en conduccin
los IGBTs de la misma rama.[5][7]

Figura. 3.11. Tiempo muerto generado por el IR2130.
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3.5. Etapa de potencia (INVERSOR).
Para la implementacin del inversor utilizamos 6 IGBTs IRG4PC40UD, estos soportan
un voltaje de colector a emisor de 600 V, una corriente de 20 A [8]. Para asegurar un
buen funcionamiento de los IGBTs y que no tengan un exceso de temperatura se
montaron sobre un disipador de aluminio de 10 X 12 cm.

Figura 3.12. Seales de los 6 IGBTs conectados a la fuente de cc.
Como se observa en la figura 3.12, para la etapa de potencia se requiere una fuente de
corriente continua, la fuente que utilizamos es de 320 Vcc. Su alimentacin es a travs
de una fuente trifsica de corriente alterna.

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Fuente 3.13. Fuente de 320 V de cc.
Es importante sealar que el manejo de esta fuente se hizo con la mayor precaucin
debido a que se manejan voltajes y corrientes de niveles altos que representan un peligro
ocasionando daos. La terminal +Vcc de la fuente alimenta al colector de los tres
IGBTs de las ramas de arriba, y la terminal Vcc alimenta al emisor de los tres IGBTs
de las ramas de abajo, como se muestra en la figura 3.14.

Figura 3.14. Circuito elctrico de la etapa de potencia del inversor
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FIGURA 3.15. Diagrama completo del circuito realizado
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CAPITULO 4. ANLISIS DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS.

4.1. Resultados del diseo de VSI.
En este captulo se presentan los resultados obtenidos durante las pruebas realizadas en
el laboratorio con el accionamiento electrnico del motor de induccin. Inicialmente se
presentan las seales de entrada y salida del (IR2130) que sern aplicadas a las
compuertas de los IGBTs del puente inversor. Despus se muestran los resultados de la
implementacin de inversor de seis pasos. Por ltimo, se presentan los resultados de la
puesta en marcha del inversor fuente de voltaje con carga
Utilizamos una fuente de 320 cc, 60 Hz.

Figura 4.1. Se muestra el esquema general de la implementacin del puente inversor.








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4.2. Seales de entrada del IR2130.
Como se muestra en la figura 4.2. Existen 2 seales por fase es decir hay 6 seales de
entrada que corresponden 3 a seales positivas y 3 negadas las primeras tres son
positivas HIN01, HIN02, HIN03, las 3 seales restantes corresponden a las negadas
LIN01, LIN02, LIN03.
Las entradas del inversor se alimentan con una tensin de +5Vcc considerando nuestra
fuente de alimentacin con un 5% tenemos una tensin de pico a pico de 6.4,
calculando su valor eficaz tenemos Rms = 5 x 2 = 7.07V, en la figura 4.2 se observa
que las seales obtenidas son simtricas y opuestas.


Figura 4.2. Resultados de los pulsos cuadrados para las entradas HIN01 y LIN01 del
IR2130 para una fase.

4.3. Seales de salida del IR2130.
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Los pulsos de voltaje que controlan la conduccin de los IGBTs son aplicados a su
compuerta, debiendo tener un nivel de voltaje de +15 Vcc. En la generacin de estas
seales se tiene que evitar la conduccin simultnea de dos IGBTs de una rama del
puente inversor; si ocurre la conduccin de ambos IGBTs la fuente de corriente
continua se pondr en corto circuito a travs del inversor, provocando la destruccin del
IR2130. En la figura 4.3, se muestran las seales de disparo de dos IGBTs de una
misma rama del puente inversor esperando una tensin de +15 Vcc y calculando su
valor medio Vm = Valor Max. / 2 = 15/ 2 = 7.5V es el valor esperado.


Figura 4.3. Seales de disparo para el IGBT.

Como utilizamos una carga trifsica balanceada (motor de induccin) es necesario
comprobar que los tres pulsos tengan una separacin de 120 para que la carga no tenga
ningn problema al momento del arranque del motor. El oscilograma de la fig 4.4
muestra las seales obtenidas a la entrada del IR2130.
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Figura 4.4. Pulsos trifsicos con una separacin de 120.

La figura 4.5. Se puede apreciar el tiempo muerto, el cual es 1.6 s, este valor del
tiempo muerto es suficiente para evitar que dos IGBTs de una misma rama del inversor
conduzcan simultneamente. Este tiempo muerto es de mayor importancia para el buen
funcionamiento del inversor y hacer las conmutaciones adecuadas de lo contrario
provocaramos un corto circuito en nuestra rama ocasionando graves daos a nuestro
inversos (VSI) que estamos diseando.
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Figura 4.5. Tiempo muerto de salidas del IR2130.
4.4. Resultados de forma de onda de voltaje con carga.
El voltaje polar, como se menciono en el captulo 2 es Vd/2 y sustituyendo estos valores
tenemos 320 / 2 = 160, tenemos una frecuencia de 60 Hz. En esta medicin utilizamos
una atenuacin de X10.

Figura 4.6. Voltaje polar de una fase V
A0
.
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En la figura 4.7, hicimos un acercamiento para ver detalladamente el tiempo muerto del
voltaje polar, de la fuente de cc, tenemos un tiempo muerto de 1 s.

Figura 4.7. Tiempo muerto del voltaje polar V
A0
.
La figura 4.8. Muestra el voltaje de lnea V
AB
= V
A0
V
B0
, tenemos;
V
A0
= Vd/2, V
B0
= -Vd/2 , por lo tanto V
AB
= 160 (-160) = 320V

Figura 4.8. Voltaje de lnea V
AB
.
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En la figura 4.9 observamos el voltaje de lnea a neutro
V
BN
= Vd/3 = (-2* 320) / 3 =

213.33 es el valor esperado en el osciloscopio.


Figura 4.9. Voltaje de fase V
BN.


Observamos el espectro del voltaje (figura 4.10), escogiendo el rango de 25 Hz/div
observamos las armnicas que causa nuestro VSI diseado.
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Figura 4.10. Espectro de voltaje










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Figura 4.11. Etapa de control

figura 4.12. Inversor funcionando con una carga resistiva
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Figura 4.13. Inversor funcionando con un motor como carga










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CONCLUSIONES.
Se construyo el prototipo de un inversor trifsico de seis pasos de dos niveles,
obteniendo un circuito de potencia compacto. Para el manejo de los IGBTs se utilizo
un driver (IR2130) con sus protecciones trmicas y sobrecorriente. Sin embargo, se
presentaron serios problemas con el tiempo muerto, el cual es excesivamente grande, a
lo esperado por las especificaciones del IR2130, adems los HCPL2531 resultaron
sumamente sensibles a las seales de entrada, alterando las seales de salida del nuestro
elemento, los cuales daaron varios IGBTs y provoc retraso en el trabajo
experimental en el laboratorio.
Una vez construido el equipo, este fue sometido a pruebas prcticas, se tomaron los
valores de tensin (voltaje de lnea, voltaje de fase, voltaje polar) y se observaron sus
respectivas formas de onda, con resultados exitosos. El inversor construido est basado
en la conduccin a 180.
Para el sistema de control fue necesario disear un disparo bsico. Los medios puentes
se han formado empleando IGBTs como semiconductores de potencia. Los resultados
obtenidos en las pruebas realizadas fueron satisfactorios en todo sentido, pudindose
comprobar prcticamente las buenas propiedades de la tecnologa de los inversores.
Algunas de las prcticas que se pueden realizar, es obtener la curva de par velocidad de
los motores, (esto no se llevo a cabo por falta de equipo en el laboratorio y por falta de
presupuesto), se pueden hacer prcticas para observar y comprobar la forma de onda de
los voltajes de un inversor de dos niveles, tambin el prototipo puede servir como
antecedente para que los alumnos realicen su propio inversor.
La utilizacin del IR2130 de International Rectifier result sumamente apropiada y
facilit el trabajo debido al manejador, el cual permite la generacin de 6 seales y la
programacin del tiempo muerto. Adems, la compaa mantiene un magnifico soporte
tcnico por Internet, lo cual facilito la aplicacin en la cual trabajamos.


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REFERENCIAS
1 Power Electronic Control of AC motors. J.M.D. Murphy.
2 Electrnica De Potencia Circuitos, dispositivos y aplicaciones, Muhammad H.
Rashid
3 http://www.irf.com
4 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2130.pdf
5 http://www.freeweb.hu/majki/elektro/pic/project/fv600/ir2130app.pdf
6 http:// www.ate.uniovi.es/ribas/Docencia04_05/Electronica_de_Potencia_12750/
Presentaciones/Leccion9_inversores_trifasicos.pdf
[7] http:/www.yoreparo.com/foros/electrnica industrial/soluciones/diseo-de-un-
inversor-trifasico-dcac-t252122.html
[8] http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg4pc40ud.pdf
[9] http://www.littlediode.com/datasheets/Datasheets-HC/HCPL2531.PDF
[10] Bimal K. Bose. Power Electronics and Variables Frequency Drives. IEEE
PRESS.1997.

[11] Werner Leonard. Control and Electric Drives . 2nd Completely Revised and
Enlarged Edition, Springer. 1996. ISBN 3-540-59380-2.

[12] Bimal K. Bose. Power Electronics and AC Drives. by Prentice-Hall.1986.

[13] S. Halsz. Analysis of Pulsewidth Modulation Techniques for Induction Motor
Drives. IEEE 1993.

[14] S. Halsz, A.A.M. Hassan, B.T. Huu. Motor Voltage Spectrum and Torque
Pulsations of Optimized Three-Level Inverters. IEEE 1994.

[15] Joachim Holtz, Pulsewidth Modulation for Electronic Power Convertion
Proceeding of the IEEE, vol.82, No. 8, August 1994.

[16] Rupprecht Gabriel, Werner Leonhard and Craigj J. Nordby. Field-Oriented
Control of a Standard AC Motor Using Microprocessors.

[17] F. Blaschske. The method of field orientation for control of the rotating field
machine. Dr. Thesis. Techn. Univ. Braunschweig. Germany. 1984
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GLOSARIO
A Ampere.
V Volts.
HP Caballos de fuerza (Horse Power)
MOSFET Transistor de Efecto de Campo por MOS
(Metal Oxide Semiconductor Fiel Effect Transistors).
IGBT Transistor Bipolar de Compuerta Aislada.
(Insulation Gate Bipolar Transistor)
SCR Semiconductor rectificador controlado.
(Semiconductor-controlled Rectifiers).
VSI Inversor Fuente de Voltaje (Voltage Source Inverter).
CSI Inversor Fuente de Corriente (Current Source Inverter).
cc Corriente Continua.
ca Corriente Alterna.
rms Raz media cuadrtica (root mean square), valor eficaz.
PWM Modulacin del Ancho de los Pulsos (Pulse Wide Modulation).
V
AB
, V
BC
, V
CA
Voltajes de lnea a lnea.
V
A0
, V
B0
, V
C0
Voltajes polares.
+1/2 Vd (Un medio del Voltaje de alimentacin de c.c)
-1/2 Vd (Menos un medio del Voltaje de alimentacin de c.c).
Vd Voltaje de alimentacin de c.c.
V
AN
, V
BN
, V
CN
Voltajes de fase.
U s Voltaje en las terminales del motor.
U m Fuerza electromotriz (Voltaje de magnetizacin).
X LS Reactancia de dispersin del estator.
Io Corriente de excitacin sin carga.
I m Corriente de magnetizacin.
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Rs Resistencia del estator.
R m Resistencia que representa a las prdidas en el ncleo
S = sl / e Deslizamiento.
L Inductancia del estator.
Sl Frecuencia de deslizamiento en rad/s.
r Velocidad angular de la flecha en rad/s.
e = 2 f 1 Frecuencia en (rad/s) de la fuente de alimentacin.
f 1 Frecuencia del estator en Hz.
fmm Fuerza Magnetomotriz.
Flujo principal por polo del campo magntico del estator.
Flujo instantneo de concatenacin en una espira del estator.
T Par.
m 1 Nmero de fases del estator.
p Nmero de par de polos.
X 11 = X ls +X lm Reactancia total del estator a la frecuencia de alimentacin.
X 22= X lr + X lm Reactancia total del rotor a la frecuencia de alimentacin.
U fase, rms Voltaje rms de fase.
I linea rms, Corriente rms de fase.
R Resistencia del estator.
RL Resistiva e inductiva.
I
L
Corriente de lnea
s micro segundos.
V
CE
Voltaje colector emisor.
I
hfe
Corriente de ganancia .
I
c
Corriente del colector