Instituto Tecnolgico de la Laguna

Electrnica de Potencia

Historia de la Electrnica de Potencia

Alumna: Gabriela Mayte Escobar Salinas - 11130160

Profesor: Ing. Miguel Marn Hernndez

Viernes 31 de enero de 2014

Historia de la electrnica de potencia

Se inicia en 1990 con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Despus se introdujeron en forma gradual el rectificador de tanque metlico, el de tubo al vaco controlado por la rejilla, el ignitrn, el fanotrn y tiratrn. Estos dispositivos se aplicaban para el control de potencia hasta la dcada de 1950. La primera revolucin electrnica comenz en 1948, con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Labortories, por Bardeen, Brattain y Schockeley. La mayor parte de las tecnologas modernas de electrnica avanzada se pueden rastrear a partir de los semiconductores de ese invento. La microelectrnica moderna ha evolucionado a travs de los aos a partir de los semiconductores de silicio. El siguiente adelanto, en 1956, tambin fue logrado en los Bell Laboratorios, sea la invencin del transistor de disparo PNPN, que defini como tiristor, o rectificador controlado de silicio (SRS). La segunda revolucin electrnica comenz en 1958, con el desarrollo del tiristor comercial, por la General Electric Company. Fue el principio de una nueva era de la electrnica de potencia. LA revolucin microelectrnica nos permitir tener la capacidad de procesar una cantidad gigan3esca de informacin con una rapidez increble. La revolucin en la electrnica de potencia nos est permitiendo conformar y controlar grandes cantidades de potencia con una eficiencia siempre creciente. Dentro los siguientes 20 aos, la electrnica de potencia conformara y acondicionara la electricidad en algn lugar de la red de transmisin entre generacin y todos los usuarios. La revolucin de la electrnica de potencia ha adquirido impulso desde las postrimeras de la dcada de 1980 y a principios de 1990.

Dispositivos Semiconductores de Potencia

Desde que se desarroll el primer tiristor de SCR a finales de 1987, ha habido progresos impresionantes en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban usado exclusivamente para el control de potencia en aplicaciones industriales. A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia, que se fabrican, ya sea con silicio o con carburo de silicio. Sin embargo, los dispositivos de carburo de silicio todava estn en desarrollo, y la mayor parte de los dispositivos se fabrican con silicio. Estos dispositivos se pueden dividir en forma general en tres clases:

Diodo de Schottky

Diodos

Diodo epitaxial (PIN)

Diodo de doble difusion(PIN) NPN PNP

Diodo de union bipolar

Convencional

Ampliacion de canal N MOSFET Ampliacion de P Transistores NPT

S_FET

Cool-MOS

Bajo Vc(sat) PT IGBT Silicio Convencional Alta velocidad

IGBT de zanja

Tiristores para control de fase

Simetrica

Tiristor rpido

Asimetrica

Inversa Conduccion

Simetria

GTO Tiristores

Asimetrica

Inversa Conduccion

Asimetrica IGCT Inversa Conduccion

Tipo P MCT Tipo N MTO Semiconductores de Potencia Diodos de Schottky

Diodos

Diodos JBS Poca Importancia en el mercado

Carburo de Silicio

Diodos PIN

Transistores

MOSFET

1) Diodos de potencia. Son de tres tipos de propsito general, de alta velocidad (o recuperacin rpida), y de Schotkty. Se consiguen para 6000V y 4500A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre .1 y 5 s. Son esenciales para una conmutacin de alta frecuencia de los convertidores de potencia. Los diodos Schotkty tienen bajo voltaje de estado activo(o de conduccin) y un tiempo de recuperacin muy pequeo, de nanosegundos, en forma caracterstica. La corriente de fuga, o corriente de prdida, aumenta al subir la capacidad de voltaje, y sus capacidades se limitan a 100 V y 300A. Un diodo conduce cuando su voltaje de nodo es mayor que el del ctodo, y la cada de voltaje directo de un diodo de potencia es muy pequea, en el caso normal de .5 a 1.2 v. Si el voltaje del ctodo es mayor al del nodo, se dice que est en modo de bloqueo. 2) 3) 4) 5) Transistores. Transistores de unin bipolar BJT. Transistores de efecto de campo de xido de metal semiconductor MOSFET. Transistores bipolares de compuerta aislada IGBT y transistores de induccin esttica. Los transistores tienen tres terminales: un nodo, un ctodo y una compuerta. Cuando se hace pasar corriente pequea por la terminal de la compuerta, hacia el ctodo, el tiristor conduce siempre que la terminal del nodo tenga mayor potencial que el ctodo. Una vez que un tiristor est en modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene control, y el tiristor continuo conduciendo. Cuando un tiristor est en modo de conduccin, la cada de voltaje directo es muy pequea, en forma caracterstica de .5 a 2V. Un tiristor que conduce se puede apagar haciendo que el potencial del nodo sea igual o menor que el potencial del ctodo. Los tiristores se pueden dividir en once tipos: a) Tiristor conmutado forzado. b) Tiristor conmutado por lnea. c) Tiristor de abertura de compuerta (GTO). d) Tiristor de conduccin inversa.(RCT) e) Tiristor de induccin esttica.(SITH) f) Tiristor de abertura de compuesta asistida (GATT). g) Rectificadora foto activada controlada de silicio (LASCR). h) Tiristor abierto por MOS (MTO). i) Tiristor abierto por emisor (ETO). j) Tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT). k) Tiristores controlados por MOS (MCT)

Tipos de Dispositivo Dispositivo

Diodos potencia

de Diodos de potencia

Transistores de Transisto potencia res bipolares MOSFE T COOLM OS

Capacidad de Frec corriente/voltaj uenc e ia Max . Propsito 4000 V/4500 1k general A 1k 6000 V/3500 1k A 20k 600 V/9570 A 2800 V/1700 A Alta 4500 V/1950 20k velocidad A 20k 6000 V/1100 20k A 600 V/80 A Schotkty 150 V/80 A 30k Sencillos 400 V/250A 30k 400 V/40 A 25k 630 V/50 A 30k Darlington 1200 V/400 A 20k Sencillos 800 V/7.5 A 100k Sencillos 800 V/40 A 600 V/40 A 1000 V/6.1 A 2500 A

Tiempo de Resistenci conmutaci a en n estado cerrado () 50 100 0.32m 50 100 0.6m 50 100 0.1m 5 10 0.4m

5 10 5 100 0.2

1.2m 1.96m 0.14m

0.2 9 6 2 30 1.6

8.63m 4m 31m 15m 10m 1 1.2m 0.12m 2 2.3m 0.13

125k 2 125k 1 125k 1.5

IGBT

Sencillos

V/2400 100k 5 10 100k 5 10

1200 V/52 A 100k 5 10 1200 V/25 A 100k 5 10 1200 V/80 A 100k 5 10 1800 V/2200 A SIT Tiristores Tiristores (rectificadores de controlados) de control silicn. de fase 1200 V/300 A Conmutad 6500V/4200 A os por 2800 V/1500 lnea, baja A velocidad. 5000 V/4600 A 5000 V/3600 A 5000 V/5000 A Tiristores Alta 2800 V/1850 de velocidad A abertura bloqueo 1800 V/2100 forzada inverso A 4500 V/2100 A 6000 V/23000 A 4500 V/3700 A Bidireccio nal RCT 4200 A 2500 A 100k 60 60 60 60 60 0.5 100 400 100 400 100 400 100 400 100 400

0.14 44m 1.76m

1.2 0.58m 0.72m 0.48m 0.50m 0.45m

20k 20k 20k 20k 20k

20 100 20 100 20 100 20 100 20 100

0.87m 0.78m 0.5m 0.52m 0.77m

V/1920 20k 20k V/1000 20k

20 100 20 100 10 -50 200 400 50 - 100 50 110 50 -110 5 10

2.1m 2.2 0.53m

GATT Foto accionado s Tiristores GTO de auto cerrado HD-GTO

1200 V/400 A 400 6000 V/1500 10k A 4500 A 4500 A V/4000 10k V/3000 10k

0.48m 1.07m

1.07m 0.48m

Pulso GTO SITH MTO ETO

5000 V/46000 20k A 4000 A 4500 A 4500 A V/2200 5k V/2200 5k V/4000 K

5.6m

80 -110 80 - 110 80 - 110

10.2m 0.5m 0.8m

IGCT TRIAC MCT Bidireccio nales Sencillos

4500 V/3000 400 A 1200 V/300 A 5k 1400 V/65 A 5k

200 400 50 110 50 110

3.6m 10.4 28m

Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar en base en: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Cerrado y abertura no controlado.(diodo) Cerrado controlado y abertura no controlado.(SCR) Caractersticas controladas de cerrado. (BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT.) Necesidad de seal contina en compuerta. (BJT, MOSFET, IGBT, SIT). Necesidad de impulso en compuerta. (SCR, TO, MCT). Capacidad de resistencia a voltaje bipolar.(SCR,GTO) Capacidad de resistencia a voltaje bipolar. (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT) Capacidad de corriente bidireccional. (TRIAC, RCT). Capacidad de corriente unidireccional. (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH).

Tipo de Dispositiv Dispositivo o

Compu erta continu a

Com puert a puls ada

Cerr ado contr olad o

Abertur a controla da

Volt aje unip olar X

Volt Corriente aje unidireccion bipol al ar X X

Corrient e bidirecc ional.

Diodos Transistores

Diodo de potencia BJT MOSFET COOLMO S IGBT SIT SCR RCT TRIAC GTO MTO ETO IGCT SITH MCT

X X X X X

X X X X X

X X X X X

X X X X X

X X X X

Tiristores

X X X X X X X X X

X X X X X X X X X

X X X X X X

X X X X X X X X X

X X X X X X X X X

Caractersticas Ideales
Las caractersticas de un interruptor ideal son las siguientes: 1. En el estado cerrado , cuando el interruptor est cerrado, debe tener: a) La capacidad de conducir una gran corriente directa, (If), que tienda a infinito. b) Una cada de voltaje baja en estado cerrado,(Von), que tienda a cero c) una baja resistencia en estado cerrado, Ron), que tienda a cero. Una baja Ron causa poca perdida de potencia Pon en estado cerrado. Esos smbolos se usan normalmente bajo condiciones de cd de estado estable. 2. En el estado abierto, cuando el interruptor est abierto, debe tener: a) La capacidad de resistir un voltaje alto, directo o inverso, Vbr, que tienda al infinito.

b) Una baja resistencia en estado abierto, Roff, que tienda a infinito. Una gran Roff causa baja perdida de potencia de estado abierto Poff. Estos smbolos normalmente se refieren a condiciones de estado estable de cd. 3. Durante el proceso de cerrado y abertura, se debe cerrar y abrir en forma instantnea, de modo que pueda funcionar con altas frecuencias. As, debe tener: a) Tiempo corto de demora td, que tienda a cero. b) Tiempo corto de subida tr, que tienda a cero. c) Tiempo corto de almacenamiento ts, que tienda a cero. d) Tiempo corto de cada tf, que tienda a cero. 4. Para cerrado y la abertura debe necesitar: a) Para el cerrado y la abertura debe necesitar poca potencia de activacin de compuerta Pg, Que tienda a cero. b) Un bajo voltaje de activacin de compuerta Ig, que tienda a cero. c) Una pequea corriente de activacin de compuerta Ig, que tienda a cero. 7. Debe tener dv/dt grande, que tienda a infinito. Esto es, el interruptor debe ser capaz de manejar un aumento rpido de la corriente que lo atraviesa. 8. Debe tener di/dt grande, que tienda a infinito. Esto es, El interruptor debe ser capaz de manejar un aumento rpido de la corriente que lo atraviesa. 9. Requiere impedancia termina muy pequea entre la unin interna y temperatura ambiente, Tja, que tienda a cero, para poder transmitir con facilidad calor al ambiente. 10. Se necesita la capacidad de sostener cualquier corriente de falla durante largo tiempo; esto es, debe tener un valor alto de i2t, que tienda infinito. 11. Se requiere un coeficiente trmico negativo para la corriente conducida, para obtener una divisin igual de corriente cuando los dispositivos se conectan en paralelo. 12. Es muy importante que su precio sea bajo, para construir equipos electrnicos de potencia de bajo costo. Caractersticas de los dispositivos prcticos Durante el proceso de cerrado y abertura, un dispositivo prctico de conmutacin, requiere un tiempo de demora (td) un tiempo de subida (tz), tiempo de almacenamiento (ts) Y tiempo de bajada (tf) finitos. Al aumentar la corriente isw por el dispositivo durante el cerrado, el voltaje Vsw a travs del mismo baja. Al bajar la corriente por el dispositivo durante la abertura o apagado, aumenta el voltaje a travs del mismo. El tiempo de cerrado (tene) de un dispositivo es la suma del tiempo de retardo y el tiempo de subida, mientras el proceso de cerrado y abertura que el tiempo de abertura (tapag) de un dispositivo, es la suma del tiempo de almacenamiento y del tiempo de bajada. En contraste con un interruptor ideal sin prdidas, un dispositivo prctico de interrupcin disipa algo de energa al conducir y al conmutar. La cada de voltaje a travs de un dispositivo conductor de potencia es, cuando menos, del orden de 1 V, pero con frecuencia puede ser mayor, hasta de varios volts. El objetivo de todo dispositivo novedoso es mejorar las limitaciones impuestas por los parmetros de interrupcin. La prdida promedio de potencia en la conduccin, PENE, se determina con: en la que Ts representa el perodo de conduccin y p es la prdida instantnea de potencia, es decir, el producto de la cada de voltaje Vsw a travs del interruptor y de la corriente conducida isw. Las prdidas de potencia aumentan durante el cerrado y la abertura del interruptor, debido a que durante la transicin de un estado de

conduccin a otro, el voltaje y la corriente tienen valores apreciables. La prdida de potencia por conmutacin que resulta, Psw, durante los perodos de cerrado y abertura se determina con:

fs = 1/Ts = frecuencia de conmutacin; t; t, Y tf son los tiempos de subida, almacenamiento y bajada, respectivamente. En consecuencia, la disipacin de potencia en un dispositivo de conmutacin se determina con:

en donde PG es la potencia de activacin de la compuerta. Especificaciones de interruptor Las caractersticas de los dispositivos semiconductores prcticos son distintas de las de los elementos ideales. Los fabricantes de los dispositivos suministran hojas de datos que describen los parmetros y las capacidades de sus productos. Hay parmetros importantes; los ms importantes entre ellos son: Capacidades de voltaje: voltajes pico repetitivos directo e inverso y cada de voltaje directo en estado cerrado. Capacidades de corriente: corrientes promedio, raz cuadrtica media (rms), de pico repetitivo, de pico no repetitivo y de fuga en estado abierto. Velocidad o frecuencia de interrupcin: transicin de un estado totalmente no conductor hasta un estado totalmente conductor (cerrado), y de uno totalmente conductor a uno totalmente no conductor (abertura); son parmetros muy importantes. El perodo Ts y la frecuencia fs de interrupcin se definen por:

en la que tapag es el tiempo durante el cual el interruptor permanece abierto. Capacidad de di/dt: el dispositivo necesita un tiempo mnimo para que toda su superficie conductora intervenga para conducir toda la corriente. Si la corriente aumenta con rapidez, el flujo de ella podra concentrarse en cierta regin y daar al dispositivo. La di/dt de la corriente a travs del dispositivo se limita, en el caso normal, conectando en serie al dispositivo un pequeo inductor llamado amortiguador en serie. Capacidad dv/dt: un dispositivo semiconductor tiene una capacitancia interna en la unin, CJ. Si el voltaje a travs del interruptor cambia con rapidez durante el cerrado, la abertura y tambin al conectar el suministro principal de la corriente inicial, la C y dv/dt de la corriente que pasa por CJ puede ser demasiado alta y causar daos al dispositivo. La dv/dt del volta-je a travs del dispositivo se limita conectando un circuito RC a travs del mismo, al que se llama amortiguador shunt, amortiguador en paralelo o simplemente amortiguador. Prdidas por conmutacin: durante el cerrado, la corriente directa aumenta antes de que el voltaje directo baje, y durante la abertura, el voltaje directo aumenta antes de que la corriente baje. Debido a su naturaleza repetitiva, re- presentan una parte apreciable de las prdidas, y con frecuencia son mayores que las prdidas de conduccin durante el estado cerrado. Requisitos de activacin de compuerta: el voltaje y la corriente de excitacin de compuerta son parmetros importantes para encender y apagar un dispositivo. Las necesidades de potencia y energa del excitador de la compuerta son partes muy importantes de las prdidas, y del costo total del equipo. Si se necesitan pulsos grandes y largos de corriente para cerrarla y abrir la, las prdidas por activacin de compuerta pueden ser importantes en comparacin de las prdidas totales, y el costo del circuito impulsor puede ser mayor que el del dispositivo mismo. rea de operacin segura (SOA, de sus siglas en ingls Safe Operating Area): la cantidad de calor generada en el dispositivo es

proporcional a la prdida de potencia; es decir, al producto del voltaje por la corriente. Para que ese producto sea P = vi constante, e igual al valor mximo admisible, la corriente debe ser inversamente proporcional al voltaje. Esto establece el lmite SOA de los puntos admisibles de operacin en estado estable en las coordenadas voltaje-corriente. f2t para proteccin con fusible: se necesita este parmetro para seleccionar el fusible. La f2t del dispositivo debe ser menor que la del fusible, para que el dispositivo quede protegido cuando hay condiciones de corriente de falla. Temperaturas: las temperaturas mximas de unin, caja y almacenamiento son normalmente entre 150C y 200C para la unin y la caja, y de - 50C hasta 175C para el almacenamiento. Resistencia trmica: resistencia trmica entre unin y caja QJ6 resistencia trmica entre caja y radiador, Qcs y resistencia trmica entre radiador y ambiente, QSA. La disipacin de potencia debe ser rpida desde la oblea interna, a travs del paquete y finalmente hacia el medio de enfriamiento. El tamao de los semiconductores interruptores de corriente es pequeo, no mayor de 150 mm, y la capacidad trmica de un dispositivo aislado es demasiado baja como para eliminar con seguridad el calor generado por las prdidas internas. En general, los dispositivos de potencia se montan en radiadores. Por lo anterior, la eliminacin del calor representa un alto costo de equipo.

Opciones de dispositivo
Aunque hay muchos dispositivos semiconductores de potencia, ninguno de ellos tiene las caractersticas ideales. En forma continua se mejoran los dispositivos existentes y se estn desarrollando otros nuevos. Para aplicaciones de alta potencia en la red de 50 a 60 Hz, los tiristores de control de fase y los bidireccionales son las opciones ms econmicas. Los COOLMOS y los IGBT son los reemplazos potenciales de MOSFET y BJT, respectivamente, en aplicaciones en potencias intermedias. Los GTO y los IGCT son ms adecuados para aplicaciones de gran potencia donde se requiera una conmutacin forzada. Con los continuos avances de la tecnologa, los IGBT se emplean cada vez ms en aplicaciones de grandes potencias, y los MCT pueden encontrar aplicaciones potenciales donde se requieran voltajes bidireccionales de bloqueo.