Tcnicas do Processo de Deposio Trmica Um dos blocos de construo bsicos no processamento MEMS a capacidade de deposio de filmes finos de material.

. Neste texto assumimos uma pelcula fina para ter uma espessura qualquer lugar entre alguns nan metros e cerca de !"" micr metros . # pelcula pode posteriormente ser gra$ado localmente utili%ando processos descritos na litografia e sec&es Etc'ing desta guia . (ecnologia Micro)Electro)Mec'anical S*stem MEMS deposio podem ser classificados em dois grupos+ ,epoimentos que acontecem por causa de uma reao qumica + -'emical .apor ,eposition /-., 0 eletrodeposio Epitaxia # oxidao trmica Estes processos criam materiais s lidos directamente a partir de reac&es qumicas em gases e 1 ou de composi&es lquidas ou com o material de substrato. 2 material s lido geralmente no o 3nico produto formado pela reaco . Subprodutos pode incluir gases 4 lquidos e at mesmo de outros s lidos . ,epoimentos que acontecem por causa de uma reao fsica+ 5'*sical .apor ,eposition /5.,0 moldagem -omum a todos estes processos so de que o material depositado mo$ido fisicamente para o substrato. Em outras pala$ras 4 no ' reaco qumica que forma o material sobre o substrato. 6sso no totalmente correto para processos de fundio 4 embora se7a mais con$eniente pensar neles dessa maneira. 6sto no de forma alguma uma lista exausti$a4 uma $e% as tecnologias e$oluem continuamente. 8uando que eu quero usar -., 9 5rocessos -., so ideais para usar quando $oc: quer um filme fino 4 com boa cobertura passo . Uma $ariedade de materiais pode ser depositada com esta tecnologia 4 no entanto 4 alguns deles so menos populares porque com fbricas de subprodutos perigosos formados durante o processamento . # qualidade do material $aria de processo para processo 4 no entanto4 uma boa regra de ouro que a maior temperatura do processo produ% um material com maior qualidade e menos defeitos . eletrodeposio Este processo tambm con'ecido como ; gal$ani%ao ;4 e tipicamente restringido a materiais electricamente condutores . Existem basicamente duas

tecnologias para re$estimento + gal$ani%ao e c'apeamento electroless . No processo de gal$anoplastia 4 o substrato colocado em soluo lquida / electr lito 0 . 8uando um potencial elctrico aplicado entre uma rea de conduo sobre o substrato e um contra)elctrodo / geralmente de platina 0 4 no lquido 4 um processo redox qumica ocorre resultando na formao de uma camada de material sobre o substrato e 4 geralmente4 algum de gerao de gs no contra)eletrodo . No processo de re$estimento sem elctrodos uma soluo qumica mais complexa usada 4 em que a deposio ocorre espontaneamente em toda a superfcie que forma uma suficientemente ele$ado potencial eletroqumico com a soluo . Este processo dese7$el 4 uma $e% que no necessita de qualquer potencial eltrico externo e contacto com o substrato durante o processamento . 6nfeli%mente 4 tambm mais difcil de controlar no que di% respeito < espessura da pelcula e uniformidade . Um diagrama esquemtico de uma configurao tpica para a gal$anoplastia mostrada na figura abaixo . 8uando que eu quero usar eletrodeposio 9 2 processo de electrodeposio bem adequada para fa%er pelculas de metais 4 tais como cobre 4 ouro e nquel . 2s filmes podem ser feitos em qualquer espessura de ! um para = !"" um . # deposio mel'or controlada 4 quando utili%ado com um potencial elctrico externo 4 no entanto4 requer o contacto elctrico com o substrato 4 quando mergul'ado no ban'o de lquido . Em todo o processo 4 a superfcie do substrato de$e ter um re$estimento electricamente condutor4 antes da deposio pode ser feito . Epitaxia Esta tecnologia muito semel'ante ao que acontece em processos -., 4 no entanto 4 se o substrato um cristal semicondutor ordenadas / isto 4 de silcio 4 arsenieto de glio 0 4 poss$el com este processo para continuar a construo sobre o substrato com a mesma orientao cristalogrfica com o substrato actuando como uma semente para a deposio . Se uma superfcie do substrato amorfo 1 policristalino usado 4 o filme ir tambm ser amorfo ou policristalino . Existem $rias tecnologias para a criao das condi&es no interior de um reactor para suportar o crescimento epitaxial 4 das quais a mais importante a >ase .apor Epitax* / .5E 0 . Neste processo 4 um certo n3mero de gases so introdu%idos num reactor aquecido a induo 4 onde apenas o substrato aquecido . # temperatura do substrato de$e ser normalmente 4 pelo menos4 ?" @ do ponto de o material a ser depositado de fuso . Uma $antagem de epitaxia a ele$ada taxa de crescimento de material 4 o que permite a formao de filmes com espessuras consider$eis / = !"" um 0 . Epitax* uma tecnologia amplamente utili%ada para a produo de silcio em substratos isolantes4 / S26 0 . # tecnologia utili%ada principalmente para a deposio de silcio . Um diagrama esquemtico de uma fase de $apor do reactor epitaxial tpico mostrada na figura abaixo .

8uando que eu quero usar epitaxia 9 Este tem sido e continua a ser uma tecnologia emergente no processo de MEMS . 2 processo pode ser utili%ado para formar pelculas de silcio com uma espessura de ! um para = !"" um. #lguns processos requerem exposio a alta temperatura do substrato 4 enquanto que outros no requerem aquecimento significati$o do substrato . #lguns processos podem ainda ser utili%ados para reali%ar a deposio selecti$a 4 dependendo da superfcie do substrato . # oxidao trmica Esta uma das tcnicas mais bsicas de deposio . A simplesmente a oxidao da superfcie do substrato numa atmosfera rica em oxig:nio . # temperatura ele$ada para B"" C - )!!"" C - para acelerar o processo . Esta tambm a 3nica tecnologia de deposio que realmente consome algum do substrato 4 uma $e% que prossegue . 2 crescimento da pelcula repelido por difuso de oxignio para o substrato 4 o que significa o crescimento do filme , na verdade, para baixo, para o substrato . D medida que a espessura da camada aumenta oxidados 4 a difuso de oxignio para o substrato torna)se mais difcil que condu% a uma relao parab lica entre a espessura da pelcula e o tempo de oxidao para pelculas mais espessas do que E !""nm . Este processo 4 naturalmente4 limitada a materiais que podem ser oxidados 4 e s pode formar filmes que so xidos de que o material . Este o processo clssico usado para formar o di xido de silcio sobre um substrato de silcio . Um diagrama esquemtico de um forno tpico de oxidao bolac'a mostrada na figura abaixo . 8uando que eu quero usar oxidao trmica 9 Sempre que $oc: puderF Este um processo simples 4 o que 4 infeli%mente4 produ% pelculas com utili%ao de certa forma limitada em componentes MEMS . A tipicamente utili%ado para formar filmes que so utili%ados para o isolamento elctrico ou que so usados para outros fins depois do processo numa sequ:ncia de processo . 5'*sical .apor ,eposition /5.,0 5., abrange uma srie de tecnologias de deposio em que o material lanado a partir de uma fonte e transferido para o substrato. 2s dois mais importantes tecnologias so e$aporao e deposio cat dica . 8uando que eu quero usar 5., 9 5., compreende as tecnologias con$encionais de deposio de metais . A muito mais comum do que a -., de metais 4 uma $e% que pode ser reali%ado no processo de risco mais baixo e mais barato em relao aos custos dos materiais. # qualidade das pelculas inferior ao de -., 4 o que significa que para metais mais ele$ada resisti$idade e para isolamento de mais defeitos e armadil'as . # cobertura de passo tambm no to bom como -., .

# escol'a do mtodo de deposio /ou se7a4 a e$aporao $s sputtering 0 pode em muitos casos ser arbitrria 4 e pode depender mais sobre o que a tecnologia est dispon$el para o material especfico no momento . e$aporao Em e$aporao4 o substrato colocado dentro de uma cGmara de $cuo 4 em que um bloco / fonte 0 de material a ser depositado tambm locali%ado . 2 material de origem 4 em seguida4 aquecida at ao ponto onde comea a fer$er e e$aporou)se . 2 $cuo necessrio para permitir que as molculas se e$apore li$remente na cGmara4 e que posteriormente se condensam em todas as superfcies. Este princpio o mesmo para todas as tecnologias de e$aporao 4 apenas o mtodo utili%ado para o aquecimento / e$apora)se 0 os materiais de origem diferente . Existem duas tecnologias de e$aporao 4 que so populares e$aporao por feixe e e$aporao resisti$a cada referindo)se ao mtodo de aquecimento . Na e$aporao e)beam 4 um feixe de eltrons destinado a material de origem 4 causando aquecimento local e e$aporao. Na e$aporao resisti$a 4 um barco de tungstnio 4 que contm o material de origem 4 aquecida electricamente com uma corrente ele$ada para tornar o material de e$aporar . Muitos materiais so restriti$as em termos de o mtodo de e$aporao pode ser utili%ado / isto 4 o alumnio muito difcil de se e$aporar o uso de aquecimento por resist:ncia 0 4 que tipicamente se refere <s propriedades de transio de fase do referido material. Um diagrama esquemtico de um sistema tpico para a e$aporao de feixe)e mostrada na figura abaixo . Sputtering /,esintegrao do catodo0 5ul$eri%ao cat dica uma tecnologia em que o material lanado a partir da fonte de temperatura muito mais baixa do que a e$aporao . 2 substrato colocado numa cGmara de $cuo com a fonte de material 4 com o nome de um al$o 4 e um gs inerte / por exemplo rgon 0 introdu%ida a baixa presso . Um gs de plasma atingido usando uma fonte de energia de H> 4 fa%endo com que o gs se tornar ioni%ado . 2s i&es so acelerados em direco < superfcie do al$o 4 fa%endo com que os tomos do material de fonte de romper com o al$o na forma de $apor e condensar)se todas as superfcies4 incluindo o substrato . (al como para a e$aporao 4 o princpio bsico da pul$eri%ao o mesmo para todas as tecnologias de pul$eri%ao cat dica . #s diferenas referem)se tipicamente a solar 4 em que o bombardeamento de i&es do al$o reali%ada . Um diagrama esquemtico de um sistema de pul$eri%ao tpico de H> mostrada na figura abaixo . moldagem Neste processo4 o material a ser depositado dissol$ido em forma lquida no seio de um sol$ente . 2 material pode ser aplicado ao substrato por asperso ou por fiao . Uma $e% que o sol$ente e$aporado 4 um filme fino do material permanece sobre o substrato . 6sto particularmente 3til para materiais polimricos 4 que podem ser facilmente dissol$idos em sol$entes orgGnicos 4 e o mtodo comum usado para aplicar o material fotoresisti$o a substratos / em fotolitografia 0 . #s espessuras que podem ser expressos em uma srie de substrato por todo o camin'o a partir de uma 3nica monocamada de molculas

/promoo adeso0 a de%enas de micrImetros . Nos 3ltimos anos 4 a tecnologia de fundio 4 tambm tem sido aplicada para formar pelculas de materiais de $idro em substratos . 2 processo de moldagem rotacional ilustrado na figura abaixo . 8uando que eu quero usar fundio 9 # carcaa uma tecnologia simples4 que pode ser usado para uma $ariedade de materiais /principalmente polmeros0 . 2 controlo da espessura do filme depende das condi&es exactas 4 mas pode ser mantida dentro de J 1 )!" @4 numa $asta gama . Se $oc: esti$er plane7ando usar fotolitografia $oc: estar usando casting4 que parte integrante dessa tecnologia. Existem tambm outros materiais de interesse4 tais como poliimida 4 $idro spin)on 4 que pode ser aplicado por $a%amento 1. Asperso Trmica por Plasma P!" Espessura+ Komogeneidade+ ,enso ou 5oroso+ -ristalinidade+ #. Deposio $u%mica em &ase de 'apor ('D" ,efinio -riam materiais s lidos diretamente a partir de rea&es qumicas em gases e 1 ou de composi&es lquidas ou com o material de substrato. .antagens -., so ideais para usar quando $oc: quer um filme fino. # maior temperatura do processo produ% um material com maior qualidade e menos defeitos. ,es$antagens 2 material s lido geralmente no o 3nico produto formado pela reao. Subprodutos pode incluir gases 4 lquidos e at mesmo de outros s lidos. Espessura+ Komogeneidade+ ,enso ou 5oroso+ -ristalinidade+ ). Deposio &%sica em &ase de 'apor P'D" ,efinio 2 material lanado a partir de uma fonte e transferido para o substrato. 2s dois mais importantes tecnologias so e$aporao e deposio cat dica 2 material depositado mo$ido fisicamente para o substrato. No ' reao qumica que forma o material sobre o substrato. .antagens 5rocesso de baixo risco e mais barato em relao aos custos dos materiais. ,es$antagens

# qualidade das pelculas inferior ao de -., 4 o que para metais significa uma ele$ada resisti$idade e para os isoladores /ceramicos0 significa mais defeitos e armadil'as. Espessura+ Komogeneidade+ ,enso ou 5oroso+ -ristalinidade+ *. Deposio &%sica de 'apores por &eixe de +ltrons +,-P'D" Espessura+ Komogeneidade+ ,enso ou 5oroso+ -ristalinidade+ .. Deposio $u%mica de 'apores /rganomet0licos 1/-('D" Espessura+ Komogeneidade+ ,enso ou 5oroso+ -ristalinidade+ 2. Asperso por Plasma 0 '0cuo 'P!" Espessura+ Komogeneidade+ ,enso ou 5oroso+ -ristalinidade+ 3.