Apostila Materiais Dielétricos Parte A

Apostila:
Materiais Dieltricos
Correlao: Propriedades e
Defeitos
LaCCeF
Verso 1
Leandra Oliveira Salmazo

Wellington Alves
Prof. Dr. Marcos Augusto de Lima Nobre
Laboratrio de Compsitos e Cermicas Funcionais - LaCCeF
Departamento de Fsica, Qumica e Biologia - DFQB
Faculdade de Cincias e Tecnologia - FCT
Universidade Estadual Paulista - UNESP
Presidente Prudente
2006
______________________________________Materiais Dieltricos Correlao: Propriedades e Defeitos
Sumrio
1
Materiais Dieltricos..........................................................................
1.1 Eletrocermicas............................................................................
1.1.1 Termistores .................................................................................
1.1.1.1 Termistores com Coeficiente de Temperatura Negativo

(NTC)...................................................................................................
1.1.1.1.1 Aplicaes........................
1.1.1.2 Termistores com Coeficiente de Temperatura Positivo

(PTC)...................................................................................................
1.1.1.2.1 Aplicaes.........................
9
13
1.1.2 Varistores de xidos Metlicos..................................................
14
1.1.2.1 Aplicaes....................
16
1.2 Capacitores e Dieltricos ..............................................................
17
1.2.1Introduo....................................................................................
17
1.2.2 Caractersticas de um Capacitor..................................................
18
1.2.3 Capacitncia ...............................................................................
20
1.2.3.1 Fatores que afetam a capacitncia .........................................
21
1.2.4 Comportamento Dieltrico...................................... ...................
23
1.2.4.1 Polarizao Dieltrica .............................................................
23
1.2.4.2 Efeitos da Freqncia Sobre a Polarizao..............................
25
1.2.5 Perda Dieltrica ..........................................................................
26
1.2.5.1 Efeitos da Freqncia sobre a Perda Dieltrica ......................
29
1.2.6 Propriedades Dieltricas ............................................................
30
1.2.6.1 Resistncia...............................................................................
30
1.2.6.2 Intensidade Dieltrica .............................................................
34
LaCCeF
LaCCeF - Laboratrio de Compsitos e Cermicas Funcionais
I
Salmazo, L.O. e Nobre, M.A.L.
1.2.6.3 Envelhecimento........................................................................
35
1.2.7 Acoplamento Eletro-Mecnico...................................................
37
1.2.7.1 Absoro Dieltrica .................................................................
38
Referncias Bibliogrficas............................................................................
39
Dieltricos Lineares ..........................................................................
40
2.1 Introduo ...................................................................................
40
2.2 Classes de Dieltricos ..................................................................
41
2.2.1 Dieltricos de Classe I ................................................................
41
2.2.2 Dieltricos de Classe II ..............................................................
43
2.3 Padro Visual para Capacitores Chip ..................................
46
2.3.1 Padro Visual externo.................................................................
46
2.3.2 Padro da Microestrutura interna ...............................................
46
2.3.3 Separao em lminas ................................................................
46
2.3.4 Vcuo .........................................................................................
47
2.3.5 Ruptura .......................................................................................
48
2.3.6 No-Uniformidades ....................................................................
48
2.3.7 Defeitos de Preparao das Amostras ........................................
49
Referncias Bibliogrficas ............................................................................
51
Propriedades Dieltricas ...................................................................
52
3.1 Introduo.....................................................................................
52
3.2 Comportamento Eltrico em Cermicas ...................................
54
3.2.1 Capacitncia ...............................................................................
54
3.2.2 Indutncia ...................................................................................
56
3.2.3 Unidades .....................................................................................
57
3.2.4 Polarizao .................................................................................
57
LaCCeF
II
3.2.5 Fator de Perda ............................................................................
65
3.2.6 Fora Dieltrica .........................................................................
72
3.3 Constantes Dieltricas em Cristais e Materiais Vtreos..... .....
73
3.3.1 Polarizabilidade Inica ...............................................................
73
3.3.2 Salto da Polarizao Inica.....................................................
75
3.3.3 Efeitos da Freqncia e da Temperatura ....................................
77
3.4 Perda Dieltrica em Cristais e Vidros .......................................
80
3.5 Condutividade Dieltrica ............................................................
90
3.6 Cermicas Policristalinas e Polifsicas .....................................
91
3.6.1 Misturas .....................................................................................
91
3.6.2 Classes de Dieltricos ...............................................................
96
3.6.3 Polarizao de Carga Espacial ...................................................
98
3.7 Intensidade Dieltrica .................................................................
103
3.8 Cermicas Ferroeltricas ...........................................................
107
LaCCeF
Referncias Bibliogrficas............................................................................. 116
Defeitos e Imperfeies em Slidos ................................................... 117

4.1 Introduo ...................................................................................
117
4.2 Defeitos Pontuais .........................................................................
118
4.2.1 Lacunas Auto-Intersticiais .........................................................
118
4.3 Imperfeies Diversas .................................................................
119
4.3.1 Discordncias - Defeitos Lineares .............................................
119
4.4 Superfcies Externas ...................................................................
123
4.5 Contornos de Gro ...................................................................... 124

4.6 Contorno de Macla .....................................................................
127
4.6.1 Aplicaes: Contorno de Macla em Cermicas - Anlise 128

Microestrutural.....................................................................................
III
4.6.1.1 Introduo ...............................................................................
128
4.6.1.2 Materiais e Mtodos utilizados ...............................................
133
4.6.1.3 Resultados Obtidos .................................................................
134
4.7 Defeitos Interfaciais ....................................................................
138
4.8 Defeitos em xidos cermicos...................................................... 139

4.8.1 Introduo ................................................................................. 139
4.8.1.1 Defeitos Atmicos e Dipolos ..................................................
139
4.8.1.2 Teoria Inelstica e Relaxao Dieltrica ................................. 140

4.8.2 Mtodos Experimentais ...........................................................
143
4.8.3 xidos com Estrutura do Tipo Fluorita.................................
145
4.8.3.1 Trio e Crio ...........................................................................
145
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4.8.3.1.1 ThO2 e CeO2 dopado com CaO............................................. 145

4.8.3.1.2 CeO2 dopado com Y2O3........................................................
151
4.8.4 Zircnia .....................................................................................
154
4.8.4.1 Policristais de Zircnia Tetragonal ......................................... 156

4.8.4.2 Zircnia Cbica ....................................................................... 169
4.8.5 Concluso................................................................................... 163
Referncias Bibliogrficas ............................................................................ 164
Glossrio.........................................................................................................
166
ndice Remissivo............................................................................................
172
IV
Lista de Figuras
FIGURA 1.1 Variao da resistncia eltrica dos sensores xidos em funo da
umidade...............................................................................................
FIGURA 1.2 - Esquema da estrutura mostrando a superfcie do mineral
hidroxiapatita em sensores de umidade. A conduo ocorre via uma
reao em cadeia de Grotthus com a adsoro de camadas de
gua...............................................................................................................
FIGURA 1.3 - Evoluo da resistncia eltrica em termistores. Resistncia em
funo da temperatura para diversas ordens de grandeza...................
FIGURA 1.4 - Variao estrutural nas posies atmicas da cermica de VO2. Na
transio de metlico-semicondutor, a resistncia varia em diversas
ordens de grandeza na extenso das ligaes qumicas. Em alta
temperatura, a estrutura metlica isomrfica do tipo rutilo
tetragonal, porm ocorre mudana para o estado monoclnico
semicondutor abaixo de 80 C.............................................................
FIGURA 1.5 - Termistores de xido de nquel dopado. (a) O cristal consiste em
ons Ni2+, Ni3+ e Li+ em soluo slida semelhante ao sal de rocha.
(b) A resistividade eltrica diminui com o aumento do contedo de
ltio......................................................................................................
FIGURA 1.6 - Resistncia em funo da temperatura para termistores NTC. Onde a
resistncia decresce em aproximadamente 4% para cada grau de
elevao da temperatura. .....................................................................
FIGURA 1.7 - Foto de um Termistor NTC..................................................................
FIGURA 1.8 - (a) Resistividade eltrica do titanato de brio dopado com crio,
Ba1-x CexTiO3, plotada em funo da composio. (b) Resistividade
de trs cermicas de titanato de brio dopadas com crio, medida
em funo da temperatura. Uma grande anomalia do tipo PTC
ocorre prxima temperatura de Curie, que para este material 130
C.........................................................................................................
FIGURA 1.9 - Viso esquemtica da estrutura do Ba1-xLaxTiO3 prxima
superfcie de um contorno de gro. A atmosfera de oxignio difunde
e dissociase rapidamente ao longo de um contorno de gro, onde
os
tomos
atraem
os
eltrons,
formando
barreiras
isolantes...............................................................................................
FIGURA 1.11: Foto de um termistor PTC....................................................................
FIGURA 1.12 - Relao I versus V para ZnO. A corrente aumenta de forma abrupta
na voltagem e ruptura VB.....................................................................
FIGURA 1.13 - Clula unitria hexagonal da estrutura de ZnO utilizada em
varistores. Os parmetros de rede so a = 3,24 e c =5,19 ............
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V
FIGURA 1.14 - (a) Barreira de Schottky gerada pela dupla camada em varistores de 16
ZnO. (b) Em baixas voltagens, a conduo ocorre por ativao
trmica. (c) Para a voltagem de ruptura, inicia-se o tunelamento, o
qual gera um aumento considervel na corrente.tunelamento, o qual
gera um aumento considervel na corrente.........................................
FIGURA 1.15 - Os varistores so utilizados para proteger contatos eltricos e
carregar de forma oposta os osciladores indutivos.............................. 17
FIGURA 1.16 - Placa de um capacitor simples............................................................. 19
FIGURA 1.17 - Capacitor de Multi-Camada............................................................. 22
FIGURA 1.18 - Polarizao versus Freqncia............................................................ 26
FIGURA 1.19 - Tangente de perda em um capacitor ideal........................................... 28
FIGURA 1.20 - Efeitos de relaxao sobre a constante dieltrica e perda dieltrica.... 30
FIGURA 1.21 - Fora dieltrica versus densidade dieltrica........................................ 35
FIGURA 1.22 -Envelhecimento ferroeltrico. (a) taxa de envelhecimento = -5% /5
dcadas. (b) Taxa de envelhecimento = -15% /6 dcadas................. 36
FIGURA 2.1 - Coeficiente de Temperatura (C.T) para dieltricos lineares................. 42
FIGURA 2.2 - Tolerncia para o coeficiente de temperatura ...................................... 43
FIGURA 2.3 - Coeficiente de temperatura (C.T) para dieltricos de classe II............ 45
FIGURA 3.1 - Representao esquemtica da polarizao por cadeia dipolar e salto
de cargas............................................................................................ 59
FIGURA 3.2 - Polarizao P designada em ambas densidades das cargas e
excedendo o momento dipolar por unidade de volume....................... 60
FIGURA 3.3 - Modelo para o clculo do campo interno........................................... 62
FIGURA 3.4 - Representao esquemtica dos diferentes mecanismos de
polarizao........................................................................................... 63
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FIGURA 3.5 - Dependncia da freqncia em vrios intervalos de polarizabilidade. 64

FIGURA 3.6 - Comportamento do movimento de formao de cargas e o fluxo da
corrente em (a) um dieltrico ideal e (b) um dieltrico....................... 65
FIGURA 3.7 - Corrente de carregamento e corrente de perda em um capacitor........ 68
FIGURA 3.8 - Espectro de relaxao da constante dieltrica, condutividade e fator
de perda para um processo de relaxao simples com um nico
tempo de relaxao.............................................................................. 70
FIGURA 3.9 - Reorientao de pares de vacncia na rede cristalina. Outros pares
de defeitos em cristais fornecem resultados similares......................... 76
FIGURA 3.10 - Fonte de potencial em estrutura vtria................................................. 77
FIGURA 3.11 - Efeito da freqncia e da temperatura sobre a constante dieltrica no
cristal de Al2O3 com o campo eltrico normal ao longo do eixo c..... 78
FIGURA 3.12 - Efeitos da freqncia e da temperatura na constante dieltrica no
sistema carbonato de sdio xido de clcio silicato vtreo............ 79
FIGURA 3.13 -Efeito de diferentes mecanismos de perdas dieltricas sobre a tg
em intervalos de temperatura de temperatura...................................... 82
FIGURA 3.14 - Aumento da tg com o aumento da temperatura para o sistema
carbonato de sdioxido de clciosilicato vtreo e para silicatos 84
vtreos fundidos...................................................................................
VI
FIGURA 3.15 - (a) tg versus freqncia em diferentes temperaturas e (b) log max
versus 1 / T...........................................................................................
FIGURA 3.16 - Variao dos parmetros tg e k em funo da substituio de
MgO e Na2O no silicato vtreo............................................................
FIGURA 3.17 - Variao da tg em funo da freqncia para alguns silicatos
vtreos..................................................................................................
FIGURA 3.18 - Disperso dieltrica e curva de absoro, correspondendo
condutividade em corrente contnua c.c., para em sistema composto
tipicamente por carbonato de sdiooxido de clciosilicato
vtreo....................................................................................................
FIGURA 3.19 - Curva de perda dieltrica reduzida para alguns materiais vtreos.
Vidro 1: 0,12 Na2O,88SiO2; vidro 4: 0,24Na2O.0,76SiO2; vidro 18:
0,10Na2O.0,20CaO.0,70SiO2;
vidro
19:
0,18Na2O.
0,10CaO.0,72SiO2.......................................................................................................................
FIGURA 3.20 -Resistividade para um sistema de composio carbonato de sdio
xido de clcio silicato vtreo medida por diversos mtodos.............
85
86
87
88
89
90
FIGURA 3.21 - Configurao de camadas contendo dieltricos am capacitores.......... 92
FIGURA 3.22-Expresses para a constante dieltrica resultante em diversas
misturas e dois dieltricos................................................................... 93
FIGURA 3.23 - Comparao entre dados experimentais e expresses tericas para
constantes dieltricas de misturas com duas fases de misturas de 94
duas fases............................................................................................
FIGURA 3.24 - Efeito da porosidade na constante dieltrica de TiO2 policristalino.... 95
FIGURA 3.25 - Constante dieltrica e tg para uma cermica esteatita em extenses
superiores de temperatura e freqncia............................................... 96
FIGURA 3.26 -Constante dieltrica e tg para uma porcelana alumina em funo da
temperatura e da freqncia.................................................................. 97
FIGURA 3.27-Circuito equivalente para (a) um capacitor de duas camadas e (b)
para observao macroscpica . .......................................................... 98
FIGURA 3.28 - Variao da polarizao interfacial em valores relativos de contorno
em camada caractersticos................................................................... 99
FIGURA 3.29 - Constante dieltrica, resistividade e tg para Ni0,4Zn0,6Fe2O4 ........... 102
FIGURA 3.30 - Efeito da temperatura e durao dos testes sobre a rigidez dieltrica
em vidros tipo pyrex........................................................................ 105
FIGURA 3.31-Rigidez dieltrica em dois dixidos de titnio excitado para
diferentes densidades e testado em eletrodos...................................... 106
FIGURA 3.32 - Curva de histerese tpica de materiais ferroeltricos........................... 109
FIGURA 3.33 - Histerese ferroeltrica para a cermica titanato de brio
ferroeltrico em diversas temperaturas............................................... 110
FIGURA 3.34 - Lei de Curie-Weiss para uma composio de titanato de brio e
estrncio.............................................................................................. 111
FIGURA 3.35 - Posio dos ons em uma estrutura perovskita ideal........................... 112
FIGURA 3.36 - (a) Parmetro de rede para a clula unitria do BaTiO3. (b)
Dependncia da constante dieltrica em funo da 113
temperatura..........................................................................................
VII
LaCCeF
FIGURA 3.37 - Estrutura tetragonal para o BaTiO3, mostrando o on Ti4+ deslocado

da posio de equilbrio....................................................................... 114
FIGURA 4.1 - (a) Uma discordncia espiral no interior de um cristal. (b) A
discordncia espiral em (a) vista por cima. A linha de discordncia
se estende ao longo da linha AB. As posies atmicas acima do
plano de deslizamento so designadas por Crculos abertos.
Enquanto aquelas abaixo do plano so designadas por crculos
preenchidos.......................................................................................... 120
FIGURA 4.2 - (a) Representao esquemtica de uma discordncia que possui
caracteres de discordncia aresta, espiral e mista. (b) Vista superior,
onde os crculos abertos representam posies atmicas acima do
plano de deslizamento. Os crculos pretos representam tomos
abaixo do plano. No ponto A, a discordncia puramente espiral,
enquanto no ponto B ela puramente aresta. Para as regies
localizadas entre esses pontos, onde existe uma curvatura na linha
da discordncia, o carter de uma discordncia mista entre aresta e
espiral................................................................................................... 121
FIGURA 4.3 - As posies atmicas em torno de uma discordncia aresta. Semiplanos
atmicos
adicionais
esto
mostrados
em 122
perspectiva...........................................................................................
FIGURA 4.4 - Uma micrografia eletrnica de transmisso de uma liga de titnio na
qual as linhas escuras so discordncias. Ampliao de
51.450X............................................................................................... 122
FIGURA 4.5 - Demonstrao de como um contorno inclinado que possui um
ngulo de desorientao e resulta de um alinhamento de
discordncia em cunha......................................................................... 125
FIGURA 4.6 - Diagrama esquemtico mostrando contornos de gro de baixo e de
alto ngulos e as posies atmicas adjacentes................................... 126
FIGURA 4.7 - Diagrama esquemtico mostrando um plano ou contorno de macla e
as posies atmicas adjacentes (crculos escuros)............................. 127
FIGURA 4.8 - Campo eltrico em funo da densidade de corrente para o sistema
Zn4MnCoCrSb2O12 sinterizado por 2 h ao ar e 3 resfriado sob
diversas taxas...................................................................................... 135
FIGURA 4.9 - Micrografia (MEV) do varistor composto ZnO-10% em peso de
Zn4MnCoCrSb2O12 sinterizado a 1160 C; (a) e resfriado
rapidamente at a temperatura ambiente (800x de aumento); gro de
ZnO selecionado com macla (b) (30.000x de aumento)...................... 136
FIGURA 4.10 - Imagem digital da micrografia MEV do gro de ZnO contendo uma
macla mostrada na Figura 4.9b: (a) anlise do contraste topogrfico
envolvendo um pequeno aumento no plano de rotao xy, (b)
anlise do contraste topolgico com alto grau de rotao do plano
xy......................................................................................................... 137
FIGURA 4.11 - (a) pndulo de toro invertido; (b) determinao de Q-1 de livre
LaCCeF
VIII
decrscimo da amplitude...................................................................
FIGURA 4.12 - Mecanismo de perda do ThO2 puro e ThO2 1,5 % mol CaO. (fml =
1390 Hz.). O grfico o produto de Q-1 vs 1/T.................................
FIGURA 4.13 - Perda dieltrica (tg ) do ThO2 puro e ThO2- 1,5% mol CaO...........
FIGURA 4.14 - Comparao entre as perda mecnicas (Q-1 versus T) e dieltricas
(tg versus T) para ThO2- 1,5% mol CaO. Medidas de freqncia
para perdas mecnicas a 1390 Hz, e perdas dieltricas em 695
Hz.........................................................................................................
FIGURA 4.15 - Perda mecnica do CeO2- 1,6% mol CaO (fml = 9,76 Hz)..................
FIGURA 4.16 - Perda dieltrica em CaO- 1,5% mol CaO. O grfico representa a
parte imaginria da capacitncia (C) versus 1/T. A freqncia de
100 Hz..................................................................................................
FIGURA 4.17 - Modelo da oitava posio para uma vacncia de oxignio ( ) em
torno de uma baixa valncia de ction dopante (posio 1)................
FIGURA 4.18 - Perda mecnica (frao interna) em CeO com vrias quantidades de
Y2O3 (em % mol). Freqncia 8 kHz............................................
FIGURA 4.19 - Relaxao dieltrica (corrente de despolarizao versus 1/T) de
CeO com vrias quantidade de Y2O3................................................
FIGURA 4.20 - Modelo para o defeito de vacncia do trio-oxignio dois com o par
Y-Y na configurao (1,0,0). Menciona esses nico segundo
oxignio cbico na estrutura fluorita contendo um ction no centro,
como demonstrado na Figura 4.12......................................................
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..
FIGURA 4.21 - Arranjo de dipolos Y' V (+) e defeitos Y (-) em um estrutura do
tipo NaCl em um par inapropriado...................................................

FIGURA 4.22 - Medidas de perda mecnica (Q-1 versus. T) para ZrO2 3 mol %
Y2O3 (ZPT e Y). (a) Oscilao torsional, f = 2,7 Hz. (b) Oscilaes
de flexo, f = 3,06 kHz. ......................................................................
FIGURA 4.23 - Medidas de perda dieltrica (tg versus T) para ZrO2 3 % mol
Y2O3 com diferentes medidas de freqncia.......................................
FIGURA 4.24 - Grfico de Arrhenius para o tempo de relaxao (ln vresus. 1/T)
proveniente das medidas de perda mecnica e dieltrica de ZrO2 3
% mol Y2O3.........................................................................................
FIGURA 4.25 - Perda mecnica espectral da cermica zirconia tetragonal com
varias quantidades de Y2O3 (2-4 % mol) e um cristal cbico (10%
mol Y2O3)............................................................................................
FIGURA 4.26 - Perda mecnica no espectro do ZrO2 cbico (10% mol Y2O3) para a
oscilao torcional (f = 3 Hz) com diferentes orientaes no eixo
longitudinal..........................................................................................
FIGURA 4.27 - Espectro de perdas mecnicas para o ZrO2 cbico (10 % mol Y2O3)
para oscilaes de flexo (f = 3 kHz) e diferentes
orientaes...........................................................................................
FIGURA 4.28 - Variao da amplitude de relaxao G-1 e E-1 de mxima I em
ZrO2 10% mol Y2O3 com parmetros de orientao .....................
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IX
Lista de Tabelas
TABELA 1.1 - Constantes Dieltricas para vrios materiais....................................
TABELA 1.2 - Padro mnimo IR versus Capacitncia...........................................
TABELA 2.1 - Designao EIA (Eletronic Industries Association) para
Dieltricos de Classe I......................................................................
TABELA 2.2- Designao EIA (Eletronic Industries Association) para
Dieltricos de Classe II....................................................................
TABELA 3.1 - Valores de Constante Dieltrica em alguns gases............................
TABELA 3.2 - Relao entre colapso trmico e resistividade eltrica.....................
TABELA 4.1 - Relao de produtos e regentes envolvendo as reaes parciais
dos sistemas de varistor tradicional considerando-se as vrias
relaes Sb2O3/Bi2O3.......................................................................
TABELA 4.2 - Caractersticas fsicas e qumicas de alguns xidos..........................
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X
1
Materiais Dieltricos
1.1
Eletrocermicas
O termo eletrocermica utilizado para descrever os materiais cermicos que
possuem propriedades eltricas, magnticas, ou ticas especficas, podendo atuar como

isoladores, materiais ferroeltricos, cermicas altamente condutoras, eltrodos, sensores e
atuadores.
LaCCeF
Neste captulo sero discutidas as propriedades estruturais relacionadas aos
termistores, varistores e transformadores de energia. Em adio, as propriedades de

capacitores de multicamadas sero abordadas. Os materiais eletrocermicos de aplicao
tecnolgica incluem ferrita, substratos eletrnicos para capacitores de multicamadas,
transdutores piezoeltricos e uma variedade de termistores. A compreenso dos fenmenos
em cristais de ferrita de grande relevncia, bem como dentro do campo da
ferroeletricidade, onde podem ser utilizados como capacitores e transformadores de
energia piezoeltrica. Nos termistores com coeficiente de temperatura negativo NTC (da
sigla em ingls Negative Temperature Coefficient), a resistncia diminui com o aumento da
temperatura. Em sensores de zircnia, a condutividade eltrica controlada pelos gros,
sendo o contorno de gros determinante nas propriedades dos termistores com coeficiente
de temperatura positivo PTC (da sigla em ingls Positive Temperature Coefficient), para os
quais o coeficiente de variao da resistncia com a temperatura positivo, isto , a
resistncia aumenta com o aumento da temperatura. Camadas superficiais so de grande
importncia para sensores de umidade e catalisadores cermicos.
Alguns tipos de sensores cermicos como o de temperatura (termistores), presso,
eletricidade, magnetismo, atmosfera, aplicaes eletroqumicas e troca inica so pouco
estudados na maioria dos pases.
Sensores de umidade so utilizados para regular as descargas eltricas em

automveis. A resistncia superficial (Figura 1.1) varia em relao a umidade atravs de
um fator da ordem de quatro vezes.
108
107
Sal sensibilizado
106
R( )
105
104
xido metlico
103
102
LaCCeF
0
100
Umidade (%)
Figura 1.1 -
Variao da resistncia eltrica dos sensores xidos em funo da umidade.
Substratos (ZnO, TiO2, Fe3O4) com rea superficial elevada e com adsoro de sais
possuem em particular camadas sensveis umidade. O mecanismo fsico para o processo

de conduo superficial mostrado na equao (1.1).
2 H2O (H 3O) + + (OH)
(1.1)
A conduo ocorre por meio da reao em cadeia de Grotthuss*, para a qual os

prtons so transferidos de uma molcula de gua para a prxima atravs de um
mecanismo de adsoro fsica na superfcie da gua, onde um on hidrxido liberado na
superfcie da reao. Cermicas de hidroxiapatita (Figura 1.2) exibem umidade nos
sensores devido presena de foras atrativas entre a superfcie de grupos hidroxila e as
molculas de gua adjacentes.
*Cadeia de Grotthuss: mecanismo de condutividade do prton em gua.
A camada de adsoro qumica precedida por uma camada de adsoro fsica em

que os portadores tomam lugar. Considerando altos ndices de umidade, onde mais de uma
camada superficial formada, h uma permuta do mecanismo de conduo.
Cadeia Grotthus
LaCCeF
Oxignio ( O )
Clcio ( Ca )
Figura 1.2 -
Fsforo ( P )
Hidrognio ( H )
Esquema da estrutura mostrando a superfcie do mineral hidroxiapatita em
sensores de umidade. A conduo ocorre via uma reao em cadeia de

Grotthus com a adsoro de camadas de gua.
1.1.1 Termistores
Termistores so semicondutores sensveis temperatura. Trs tipos de termistores
cermicos so muito utilizados: Termistores com coeficiente de temperatura negativo
NTC, Termistores com coeficientes de temperatura positivo PTC e Termistores de
temperaturas crticas. A tpica variao da resistncia em funo da temperatura ilustrada
na Figura (1.3). Em geral, o dixido de vandio (VO2) usado em termistores de
temperaturas crticas. Abaixo dessa temperatura, VO2 um semicondutor com coeficiente
de temperatura negativo em relao resistncia. Acima dessa temperatura, tal material
exibe um grande aumento na condutividade (cerca de duas ordens de grandeza) e uma
variao muito pequena com a temperatura. A temperatura crtica de 80 C pode ser
modificada somente por variao na composio qumica.
O on V4+ na estrutura do VO2 possui uma configurao eletrnica com camada

eletrnica externa 3d e estrutura de empacotamento compacto. Em baixas temperaturas, os
ons adjacentes V4+ formam ligaes, gerando um band gap* e comportamento
semicondutor. Uma transio de fase ocorre em torno de 80 C, para a qual os eltrons do
orbital 3d so liberados da ligao, tornando-se livres para conduo da eletricidade. Como
mostra a Figura 1.4, variaes na estrutura dos cristais acompanham a transio de fase. A
estrutura do tipo rutilo para o VO2, encontrada em altas temperaturas, transforma-se numa
estrutura monoclnica distorcida abaixo de 80 C.
10
10
R( )
10
Temperatura
Crtica de
Termistores
Termistores
PTC
LaCCeF
10
10
Termistores
NTC
10
Figura 1.3 -
8
16
12
oC)
Temperatura (
Evoluo da resistncia eltrica em termistores. Resistncia em funo da

temperatura para diversas ordens de grandeza.
*band gap: diferena de energia entre a banda de valncia e a banda de conduo.

Termistores de temperatura crtica

Semicondutor (VO2)
de baixa temperatura
2.7
VO2 metlico de
alta temperatura
par de
eltrons
ligados
o
3.1 Ao
2.9A
eltrons de
conduo
estrutura
rutlo
vandio
oxignio
LaCCeF
Figura 1.4
Variao estrutural nas posies atmicas da cermica de VO2. Na

transio de metlico-semicondutor, a resistncia varia em diversas ordens
de grandeza na extenso das ligaes qumicas. Em alta temperatura, a
estrutura metlica isomrfica do tipo rutilo tetragonal, porm ocorre
mudana para o estado monoclnico semicondutor abaixo de 80 C.
1.1.1.1
Termistores com Coeficiente de Temperatura Negativo (NTC)

A resistncia eltrica decresce de forma exponencial com o aumento da temperatura
nos termistores NTC [1]. Diferente dos termistores de temperaturas crticas, ele no
contm transio de fase. Grande parte dos termistores NTC so compostos por xidos de
metais de transio. Podemos obter um destes semicondutores atravs da reao entre
Fe2O3 e TiO2 em atmosfera de ar, segundo a equao (1.2).
(1-x) Fe2O3 + x TiO2
Fe3+(2-2x) Fe2+xTi4+xO3
(1.2)
Nos termistores NTC [2], a resistncia decresce regularmente com o aumento da

temperatura, porm as variaes repentinas na transio de fase so envolvidas nos
termistores PTC e termistores de temperaturas crticas. Um dos tipos de semicondutor o
do tipo-n, no qual tomos com nmero maior de eltrons de valncia so inseridos
provocando um excesso de eltrons. Neste caso os eltrons so transferidos entre tomos
de ferro com diferentes valncias.
Fe
3+
+ e-
Fe 2+
(1.3)
A concentrao de eltrons e a resistividade eltrica so controladas atravs da

quantidade de titnio. Em termistores tipo-p, tomos com um nmero menor de eltrons de
valncia so inseridos na rede de tomos causando falta de eltrons. Esta falta de eltrons
chamada de vacncia. Neste caso pode ser obtido xido de nquel dopado com ltio.
LaCCeF
x
(1-x) NiO + _ Li2O
2
Ni2+1-x NiO3+x Li+x O
(1.4)
A vacncia envolvida no processo de conduo devido transferncia de cargas
entre ons trivalentes e bivalentes do nquel, pode ser representada por:
Ni
2+
+h
Ni 3+
(1.5)
Onde, h+ (smbolo de origem inglesa hole) representa o buraco eletrnico na estrutura do

xido de nquel.
xido de nquel dopado possui estrutura de sal de rocha (Figura 1.5a), sendo que
o on ltio ocupa a posio do nquel no stio catinico. Os raios inicos para Ni2+ (0,84 ),
Ni3+ (0,74 ) e Li+ (0,88 ), favorecem uma coordenao octadrica com tomos de
oxignio. A Figura 1.5b mostra o caso onde a resistividade decresce com o aumento da
quantidade de ltio. A cor um indicador do aumento da condutividade. A cor verde do
xido de nquel puro evolui para preto com o aumento da dopagem. Para semicondutores
de composio prxima a do Ni0,95Li0,050, o espao vazio da ligao de aproximadamente
0,15 eV. Esta abertura atribuda s foras atrativas entre ons de Li+ dopados e ons de
Ni3+ compensados. A carga neutralizada de forma mais eficiente em relao ao prximo
on.
Ni2+
O2-
Ni2+
O2-
Ni2+
O2-
Ni2+
O2-
Li+
O2-
10
O2-
Ni2+
10
10
Ni2+
O2-
Ni2+
O2-
Ni2+
O2-
O2-
Ni2+
O2-
Li+
O2-
Ni2+
Ni2+
O2-
Ni3+
O2-
Ni2+
O2-
O2-
Ni2+
O2-
Ni2+
O2-
( .cm)
Ni2+
10
4
3
10
1
0.1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
Frao Molar do Lix Ni1-xO
(a)
(b)
Figura 1.5 - Termistores de xido de nquel dopado. (a) O cristal consiste em ons Ni2+,
LaCCeF
Ni3+ e Li+ em soluo slida semelhante ao sal de rocha. (b) A resistividade
eltrica diminui com o aumento do contedo de ltio.
A condutividade eltrica proporcional a carga externa, densidade de portadores
(n), a cada carga externa portadora (q) e a mobilidade ( ):
= nq
(1.6)
Em materiais termistores, a dependncia da condutividade em relao temperatura

relevante. Os parmetros n e , dependem da temperatura. Para um semicondutor, a
densidade de portadores de carga varia de forma exponencial com a temperatura,
n exp (-E / KT) , onde E a energia necessria para a liberao das cargas externas. A
mobilidade tambm depende da temperatura. Para muitos processos de disperso, a
mobilidade o inverso da lei de ligao ( T-b), na qual a mobilidade decresce com o
aumento da temperatura devido a vibrao trmica dos tomos. Uma diferente dependncia
da temperatura verificada para processos de salto. Esta mobilidade depende da
excitao trmica e do aumento exponencial com a temperatura, exp( E' / kT ) . A
condutividade eltrica dependente da temperatura:
(T ) T b e
( E + E' ) / KT
= T b e E" / KT
(1.7)
Visto que a curva exponencial tende a predominar, a resistncia eltrica em um

termistor NTC pode ser descrita por:
R = Ae / T
(1.8)
Para termistores (Figura 1.6), R compreende valores da ordem de 1-104 Ohms e B

valores no intervalo de 2000 a 6000 K. O coeficiente de temperatura () descreve a
mudana percentual da resistncia com o aumento da temperatura:
1 dR 1 d
=
( Ae B / T ) = 2
R dT R dT
T
(1.9)
LaCCeF
Em que B = 3600 K e T = 273 K, sendo aproximadamente 4 % / C [3].
10
10
R ( )
10
15.000 (Ohms)
400
10
50 ( Ohms)
50
10
10
1
0
Figura 1.6 -
40
80
o
T ( C)
120
160
Resistncia em funo da temperatura para termistores NTC. Onde a

resistncia decresce em aproximadamente 4% para cada grau de elevao
da temperatura.
1.1.1.1.1.1
Aplicaes
Termistores NTC [4,2] so utilizados como fluxmetro, para os quais a velocidade

de fluxo medida por monitoramento de diferentes temperaturas entre dois termistores.
Um aquecedor posicionado entre os dois termistores determinam diferentes temperaturas.
Assim, termistores so utilizados como controlador de fluxo para proteger diodos, fusveis,
interruptores e lmpadas eltricas. A corrente altera-se repentinamente, a qual ocorre
quando a intensidade da luz em uma lmpada eltrica alterada com freqentes rupturas
do filamento. Em um termistor NTC ligado em srie com uma lmpada eltrica, a energia
de oscilao da corrente inicial dissipada com o aquecimento no termistor.
LaCCeF
Figura 1.7: Foto de um Termistor NTC [6].
1.1.1.2 Termistores com Coeficiente de Temperatura Positivo (PTC)

Termistores do tipo PTC diferem dos termistores do tipo NTC
em diversos
aspectos. A resistncia de um termistor PTC aumenta com a temperatura, porm somente

em um intervalo limitado, o qual ocorre prximo a uma transio de fase. A variao da
resistncia muito grande nestas temperaturas devido aos efeitos do contorno de gro [2].
Cermicas de titanato de brio so utilizadas de forma ampla em termistores PTC. Quando
dopadas com ons doadores, tais como La3+ ou Ca3+ (para Ba2+) ou Nb5+ (para Ti4+), a
resistividade do material exibe um pronunciado efeito do tipo PTC (Figura 1.8a e Figura
1.8b), se aquecido na presena de ar. O nico comportamento normal do NTC observado
em cermicas preparadas em atmosfera redutora.
A interpretao do efeito tipo PTC baseia-se na compreenso da estrutura de

defeitos. Quando sintetizada em temperatura elevada, BaTiO3 dopado com lantnio tornase um semicondutor do tipon.
Ba 1 x La x TiO 3 = Ba 2 + 1 x La 3+ x Ti 4 + 1 x Ti 3+ x O 2 3
(1.10)
O processo de conduo ocorre via transferncia de eltrons entre ons titnio,

Ti 4+ + e-
Ti 3+ . Deste modo, os gros de titanato de brio so condutores e a
conduo permanece desde o resfriamento at a temperatura ambiente. Porm, a estrutura

da regio do contorno de gro varia durante o processo de resfriamento. O oxignio
adsorvido na superfcie da cermica e difunde para os stios de contorno de gro, alterando
a estrutura de defeitos ao longo do contorno do gro. Os ons oxignio adicionados atraem
eltrons dos ons Ti3+ vizinhos, atravs disso gera-se uma barreira isolante entre os gros.
LaCCeF
Se um excesso de oxignio (y) adicionado por unidade de frmula, a regio de contorno

de gro pode ser descrita como segue:
(Ba
2+
1 x
)(
La 3+ x Ti 4+ 1 x + 2y Ti 3+ x 2y O 2 3+ y
(1.11)
Uma ilustrao dos defeitos da estrutura perovskita demonstrada na Figura 1.9. O
resultado deste processo que a cermica consiste de gros semicondutores separados por
finos contornos de gro isolantes. A resistncia eltrica da cermica inversamente
proporcional ao tamanho do contorno de gro devido ao pequeno tamanho de gro. Uma
vez que gros pequenos implicam em contorno de gros mais isolantes e com uma maior
resistncia.
Para explicar o efeito PTC necessrio considerar a transio da fase ferroeltrica
no BaTiO3 e seus efeitos sobre as barreiras isolantes entre os gros.
10
1010
1010
Ba1-x Cex TiO3
108
Ba1-x Cex TiO3
108
0.05%
0.1%
106
106
104
104
102
102
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Contedo de Crio (at %)
0.3%
40
80 120 160
Temperatura (oC)
(a)
(b)
Figura 1.8 - (a) Resistividade eltrica do titanato de brio dopado com crio, Ba1-x
LaCCeF
CexTiO3, plotada em funo da composio. (b) Resistividade de trs
cermicas de titanato de brio dopadas com crio, medida em funo da

temperatura. Uma grande anomalia do tipo PTC ocorre prxima
temperatura de Curie, que para este material 130 C.
O titanato de brio cbico e paraeltrico acima de 130 C, isto , acima de sua
temperatura de Curie. Abaixo desta temperatura, a estrutura perovskita distorcida para

um estado ferroeltrico tetragonal, para o qual ocorre o desenvolvimento de grande
polarizao espontnea (Ps) ao longo da direo (001). A constante dieltrica atinge um
ponto mximo na temperatura de Curie (Tc), a partir da qual diminui com a transio para
o estado paraeltrico. Em altas temperaturas, o comportamento de relaxao em cermicas
pode ser representado de acordo com a lei CurieWeiss:
K=
C
T Tc
(1.12)
onde, T a temperatura na fase paraeltrica e Tc a temperatura de Curie. A constante de

Curie (C) compreende valores da ordem de 105 C.
11
Gro de BaTiO3
Contorno de gro
O2
Titnio (Ti)
Brio (Ba)
Oxignio (O)
Lantnio (La)
Eltrons
LaCCeF
Figura 1.9 -
Viso esquemtica da estrutura do Ba1-xLaxTiO3 prxima superfcie de um

contorno de gro. A atmosfera de oxignio difunde e dissociase
rapidamente ao longo de um contorno de gro, onde os tomos atraem os
eltrons, formando barreiras isolantes.
A anomalia do tipo PTC em BaTiO3 dopado ocorre em temperaturas prximas de
Tc, sendo fortemente afetada pelo comportamento ferroeltrico. Ambas polarizao

espontnea e a lei de CurieWeiss caracterizam-se como uma funo importante no efeito
do tipo PTC.
Na temperatura ambiente, a resistncia de um termistor do tipo PTC baixa devido
ao aprisionamento do eltron na regio de contorno de gro, que neutralizada de forma
parcial pela polarizao espontnea.
Sendo que o domnio da estrutura posiciona-se de maneira vantajosa e a
polarizao da carga positiva cancelar a carga negativa entre as barreiras de conduo do
gro, estabelecendo assim uma baixa resistncia no caminho atravs da cermica. (Figura
1.10a)
12
+
+
(a)
Tc
(b)
Figura 1.10 (a) Em temperaturas abaixo de Tc, as cargas devido a polarizao

espontnea neutralizam as barreiras de energia potencial. (b) Acima de Tc,
a constante dieltrica decresce e este decrscimo gera um aumento na
resistncia eltrica.
LaCCeF
Acima da Tc, a polarizao espontnea extingue-se e a resistividade aumenta,
gerando o efeito do tipo PTC. Um primeiro aumento muito lento devido elevada
constante dieltrica na temperatura de Curie. A altura da barreira inversamente
proporcional a constante dieltrica do meio; um meio altamente polarizvel blinda a
camada externa do contorno de gro, reduzindo a altura da barreira e a resistncia eltrica.
Como o aumento da temperatura favorece Tc; a constante dieltrica decresce rapidamente
de acordo com a lei CurieWeiss. Um decrscimo no valor de gera um aumento da
extenso da barreira entre os gros e na resistncia eltrica. Em geral, a resistncia aumenta
a nveis mais elevados, de modo que esse aumento na constante dieltrica gera uma
diminuio na intensidade do efeito em termistores do tipo PTC nos gros semicondutores.
1.1.1.2.1 Aplicaes
Termistores PTC so utilizados em protees contra sobre-tenso e curto-circuito.
Ao conectar-se em srie com a resistncia, um termistor PTC faz com que a corrente opere
em nveis mais baixos. Correntes elevadas geram altas temperaturas em termistores PTC, a
qual proporciona um aumento da resistncia e diminuio da corrente. Aplicaes
adicionais incluem indicadores no nvellquido e controle dos elementos dos termistores.
13
Figura 1.11: Foto de um termistor PTC [7].
1.1.2 Varistores de xidos Metlicos

Varistores so cermicas semicondutoras que exibem um comportamento
voltagemcorrente no linear (Figura 1.12). Em baixas voltagens, o varistor comportarse
LaCCeF
de modo semelhante aos termistores NTC, com pequena dependncia da corrente em

relao temperatura. Porm, em uma determinada voltagem crtica (de ruptura) VB, a
resistncia diminui de forma repentina e a corrente aumenta de forma abrupta. O fenmeno
difere da ruptura eltrica normal, de modo que as caractersticas de I versus V so
reversveis e controladas pela estrutura da cermica. Semelhante ao termistor PTC, as
propriedades eltricas so controladas atravs de estreitas barreiras isolantes nos contornos
de gros.
103
1
-3
I (A) 10
10-6
90 C
10-12
VB
25 C
10-9
10
100
1000
V (V)
Figura 1.12 -
Relao I versus V para ZnO. A corrente aumenta de forma abrupta na

voltagem e ruptura VB.
14
A maioria dos varistores so obtidos atravs do xido de zinco e aditivos em

diversas porcentagens. ZnO com estrutura hexagonal (estrutura do quartzo) possuem
tetraedros de ZnO ligados (ver Figura 1.13), sendo o comprimento de ligao igual a 1,97
. A composio tpica de varistores pode ser representada por:
(100 x )ZnO + x (Bi 2 O 3 + 2Sb 2 O 3 + Co 2 + MnO 2 + Cr2 O 3 )

6
(1.13)
Sendo x a quantidade de aditivos em mols percentuais. Varistores de excelente

desempenho podem ser obtidos para valores de x no intervalo 310%.
LaCCeF
Oxignio
Zinco
Figura 1.13 Clula unitria hexagonal da estrutura de ZnO utilizada em varistores. Os

parmetros de rede so a = 3,24 e c =5,19 .
A microestrutura dos varistores consiste de gros de ZnO dopados separados por
regies de contorno de gros de Bi2O3 dopados. Em geral, a camada de xido de bismuto
so de pequena espessura (< 30 ). Isto desempenha uma funo relevante no processo de
conduo. Eletricamente, os varistores cermicos consistem de gros semicondutores de
ZnO com resistividade prxima a 1 Ohm.cm, separados por contornos de gro ricos em
Bi2O3. Os gros e contornos de gro exibem caractersticas de condutores do tipo-n e tipop, respectivamente. Eltrons prximos ao contorno so capturados nas regies
intergranulares ricas em Bi2O3 gerando doadores ionizados em ambos os lados do contorno
de gro. O resultado uma barreira do tipo Schottky simtrica de aproximadamente 0,8
eV.
15
O comportamento no-linear de I versus V (Figura 1.12) em um varistor pode ser

explicado em termos do modelo de barreira do tipo Schottky. Em baixas voltagens, na
regio de prruptura, os portadores de carga superam a barreira de Schottky atravs de
ativao trmica (Figura 1.14), gerando uma pequena elevao no valor da corrente em
funo da temperatura. Quando a voltagem aplicada aproxima-se de VB, a voltagem de
ruptura passa para um estado preenchido na regio inicial intergranular atravs de uma
unio na clula unitria hexagonal da estrutura de ZnO, utilizada em varistores. Os
parmetros de rede so a = 3,24 e c = 5,19.
V=O
Bi2O
Faixa de
conduo
ZnO
Ativao
Trmica
ZnO
Ajustamento
Faixa de
valncia
LaCCeF
(a)
Figura 1.14 -
(b)
(c)
(a) Barreira de Schottky gerada pela dupla camada em varistores de ZnO.

(b) Em baixas voltagens, a conduo ocorre por ativao trmica. (c) Para
a voltagem de ruptura, inicia-se o tunelamento, o qual gera um aumento
considervel na corrente.
1.1.2.1 Aplicaes
Varistores cermicos de xidos metlicos so utilizados para proteger elementos de
circuitos contra ondas indutivas, as quais muitas vezes danificam os contatos, ondas e
retificadores. Atravs de varistores ligados em paralelo com um elemento de circuito (ver
Figura 1.15), em qualquer ponto com voltagem maior que VB, geram correntes que fluem
atravs dos varistores. Varistores de xido de zinco tm demonstrado potencial como praraios [8].
16

Primrio
Secundrio
Carga
Figura 1.15 -
Os varistores so utilizados para proteger contatos eltricos e carregar de

forma oposta os osciladores indutivos.
1.2 Capacitores e Dieltricos

1.2.1 Introduo
LaCCeF
A tecnologia de capacitores cermicos compreende variedade de produtos baseados
em materiais dieltricos e configuraes fsicas, porm, todos so destinados a

armazenagem de energia eltrica, utilizados em diversas aplicaes nas indstrias
eletrnica, incluindo as que se seguem:
Descarga de energia armazenada: uma das aplicaes mais relevantes para um

capacitor, envolve a generalizao de um pulso de corrente por descarga em um
capacitor no circuito.
Bloqueio de corrente direta: Capacitores, uma vez carregados, possuem elevados

elementos de impedncia, devido a um bloqueio na corrente direta em algumas
posies de um circuito.
Ligao dos componentes do circuito: Em um circuito c.a (circuito de corrente

alternada), um capacitor carregado e descarregado com polaridade oposta do sinal de
absoro, permite a atuao da corrente alternada em cada lado do componente, onde
as sees de um circuito podem ser ligadas.
17
A corrente no flui de forma direta no capacitor. Devido caracterstica isolante do

dieltrico a corrente contnua oscila, sendo este resultado da voltagem da carga atravs
do capacitor.
Passagemvia um sinal de corrente alternada c.a.: Em razo dos capacitores permitirem

a passagem e alternncia em barreiras diretas na corrente, o modelo pode ser utilizado
em paralelo com o elemento do circuito adicional, permitindo a passagemvia dos
elementos fora da poro do sinal de corrente contnua c.c.
Distino da freqncia: Um sinal de entrada, com uma mistura de freqncias, pode

ser separado pelo uso de um capacitor que no responde (devido a seus valores de
capacitncia) ao sinal de baixa freqncia.
LaCCeF
Para capacitores em circuitos de c.a., o fluxo de corrente aumenta com a freqncia,
isto , a resistncia flui alternando a corrente, que inversamente proporcional aos

valores da capacitncia. No modo de menor oposio, a corrente flui para o sinal de
freqncia elevada em um espao de tempo, onde oferece um aumento na oposio na
corrente de baixa freqncia. Este modo pode ser usado para discriminar e filtrar a
extenso da freqncia desejada.
Transiente de voltagem e supresso do arco: Os capacitores so utilizados para

estabilizar circuitos que mudam, de maneira indesejada, a oscilao do transiente de
voltagem e para eliminar curvas de pontos de contatos. O capacitor absorve a energia
gerada por oscilao da voltagem.
1.2.2 Caractersticas de um Capacitor

O modelo bsico de um capacitor consiste em uma nica placa plana com dois
condutores, ou eletrodos, separados por um material dieltrico (como ilustrado na Figura
1.16). O dieltrico deve ser um material puro, sendo esta a propriedade bsica que
determina o comportamento eltrico do aparelho.
18
eletrodo
dieltrico
Figura 1.16 - Placa de um capacitor simples.
Os materiais dieltricos so caracterizados pela habilidade de armazenar carga
LaCCeF
eltrica (elevada capacitncia) e suas respostas inertes em relao a um campo eltrico, isto
, variao da capacitncia, caractersticas de perda, resistncia ao isolamento, fora
dieltrica, taxa de envelhecimento e dependncia da temperatura em relao s
propriedades mencionadas.
Em geral, os capacitores utilizam o ar como material dieltrico (possui constante
dieltrica prxima a do vcuo, definida como 1) ou naturalmente dieltricos, como mica,

com uma constante dieltrica () de 4-8, ou materiais preparados, como os grupos
cermicos, com valores de constante ( = 9), para valores elevados como = 18000,
como ilustrado na Tabela 1.1. Os materiais cermicos, baseados em titanatos e niobatos,
exibem altas constantes dieltricas e assim podem ser formulados com caractersticas
eltricas adequadas, sendo deste modo a base da tecnologia dos capacitores em forma de
chip. Todo processamento e materiais utilizados na fabricao dos capacitores em forma de
chip so orientados rumo a otimizao das propriedades eltricas desses dieltricos.
19
Tabela 1.1- Constantes Dieltricas para vrios materiais.

Constante Dieltrica para vrios materiais
Vcuo
1,0
Ar
1,004
Milonito
Papel
4-6
Mica
4-8
Vidro
3,7-19
Alumina (Al2O3)
Dixido de Titnio (TiO2)
85-170, (com vrios cristais no eixo)
Titanato de Brio (BaTiO3)
1500
Cermicas Formuladas com caractersticas
20-18.000
distintas
LaCCeF
1.2.3 Capacitncia
Uma das principais caractersticas que um capacitor possui a sua habilidade em
armazenar carga eltrica (Q), a qual diretamente proporcional aos valores da capacitncia
(C) e da voltagem aplicada (V).
Q = CV
(1.14)
A corrente eltrica I definida como:
I=
dQ CdV
=
dt
dt
(1.15)
Os valores da capacitncia so medidos no Sistema Internacional como Farad,

sendo a voltagem que atravessa o capacitor medida em Volt e a corrente em Ampre.
C=
Q
= Coulomb/Volt = Farad
V
(2.16)
20
O Farad uma importante unidade de medida, no possuindo aplicaes prticas.

Mltiplos do Farad so comumente usados, isto :
Picofarad (pF) = 10-12
Nanofarad (nF) = 10-9
Microfarad (mF) = 10-6
1.2.3.1 Fatores que afetam a capacitncia

Para algumas voltagens caractersticas, os valores da capacitncia em uma placa
simples (Figura 1.16) so diretamente proporcionais geometria e a constante dieltrica do
material:
LaCCeF
C=
kA
f (t )
(1.17)
onde, a constante dieltrica, A a rea do eletrodo, t a densidade do dieltrico e f

um fator de converso. No sistema Ingls de unidades, f igual a 4,452, e usando
dimenses em polegadas para A e t, os valores da capacitncia expresso em picofarads
(pF). Por exemplo, para uma amostra com rea de 1,0 X 1,0, densidade dieltrica de 0,56
e constante dieltrica de 2500, tem-se:
C = 2500 (1.0)(1.0) /4.452(.0 56) = 10,027 pF

Utilizando o Sistema Mtrico, o fator de converso f igual a 11,31 e as dimenses
esto em centmetros.
C = 2500 (2,54)(2,54) /11,31(,1422) = 10,028 pF
Como mostra a relao acima, capacitncia em funo da geometria, um maior

valor de capacitncia pode ser alcanada atravs do aumento da rea dos eletrodos e uma
diminuio da espessura do dieltrico.
21
Como fisicamente impraticvel aumentar a rea de uma nica placa do

dispositivo, o conceito de capacitores conectados em paralelo foi utilizado para produzir
dispositivos com maior capacitncia por unidade de volume, como ilustrado na Figura
1.17.
cermica dieltrica
eletrodo (interno)
Terminal
LaCCeF
Figura 1.17 - Capacitor de multicamadas.
Nas configuraes de multicamadas, a rea A aumenta em razo de muitos
eletrodos com arranjo em paralelo, possuindo uma construo que permite dieltricos de
espessura mais fina entre eletrodos opostos, tal que a capacitncia (C) aumenta por um
fator N (nmero de camadas dieltricas) e a espessura dieltrica (t) seja reduzida, onde A
a rea de superposio dos eletrodos opostos.
C=
KA' N
4, 452 (t')
(1.18)
Os valores de capacitncia obtidos para o quadrado da polegada por 056 em uma

placa simples da amostra, podem ser agora produzidos em um mesmo dieltrico em uma
unidade de multicamada de dimenso 0,050 x 0,050 x 0,040 e trinta (30) camadas de
dieltricos de densidade 0,001 (onde A, o eletrodo envolvido, possui dimenses de
0,030 x 0,020).
C = 2500 (0,030) (0,020)30/ 4,452(0,00 1) = 10,107 pF
22
Este exemplo mostra a construo de capacitores de multicamadas que podem

resgatar algumas capacitncias em volumes de 700 vezes menores em comparao aos de
uma placa simples da amostra. Capacitores do tipo chip so, portanto, designados e
fabricados para maximizar o efeito volumtrico da capacitncia atravs da otimizao da
geometria por selees de formulaes dieltricas com alta constante dieltrica e
propriedades eltricas satisfatrias.
1.2.4 Comportamento Dieltrico

O comportamento dieltrico est presente em todos os isolantes slidos, lquidos e
gasosos, porm sua total compreenso no foi atingida, em especial onde observa-se a
ocorrncia de agregados, como em cermicas policristalinas.
LaCCeF
1.2.4.1 Polarizao Dieltrica
A polarizao dieltrica desenvolve-se devido atuao de foras atmicas e
moleculares. Tal polarizao ocorre quando as cargas em um material so levemente

deslocadas em relao a uma influncia externa, tal como um campo eltrico. Em um
capacitor, as cargas negativas dentro do dieltrico so deslocadas em direo ao eletrodo
positivo, enquanto as cargas positivas deslocam-se na direo oposta. Como as cargas no
so livres para deslocarem-se em um isolante, as foras so restauradas e ativadas por
qualquer outro trabalho, isto , a energia transferida. No carregamento de um capacitor,
sob a atuao de um campo aplicado, a polarizao influencia de maneira oposta as cargas
sobre os eletrodos, armazenando a energia. Quando ocorre a descarga, tal energia
dissipada. Um resultado da interao descrita acima pode ser aplicado a certos materiais,
os quais possuem cargas com relativa facilidade para gerar polarizao, o que ser de
grande influncia na quantidade de carga eltrica que poder ser armazenada em um
capacitor. A relao entre a habilidade de armazenagem de um dieltrico e a do vcuo
definida como a constante dieltrica do material.
A polarizao P pode ser representada em funo da constante dieltrica e do
campo eltrico E por:
23
P = o (K 1 )E
(1.19)
onde, o (= 8,85x10-12 Fm-1) a permissividade do vcuo.

A polarizao total de um dieltrico pode ocorrer em funo de quatro fontes de
deslocamento de cargas: (a) deslocamento eltrico, (b) deslocamento inico, (c) orientao
de dipolos permanentes e (d) deslocamento de cargas espaciais. Assim, a contribuio total
da polarizao pode ser representada pela soma entre as quatro formas de polarizao:
P = Pe + Pi + Pd + Ps
(1.20)
Deslocamento eltrico: Este efeito comum para todos os materiais, pois envolve
distores no centro de cargas dos tomos. A influncia de um campo aplicado no
ncleo de um tomo e no centro de carga dos eltrons gera um pequeno dipolo. Este
LaCCeF
efeito de polarizao pequeno, apesar do vasto nmero de tomos dentro do material,

devido ao momento de dipolo ser muito breve, sendo o deslocamento da ordem de
Angstrom (1 = 10-10 m).
Polarizao inica: O deslocamento inico comum em materiais cermicos que

possuem rede cristalina ocupada por ctions e nions. Sob a influncia de um campo
eltrico, os momentos de dipolo so gerados pelo deslocamento dos ons para as
respectivas polaridades (opostas) em relao ao campo. O deslocamento inico pode ser
relativamente grande em comparao com o deslocamento eltrico e por esta razo pode
induzir a altas constantes dieltricas em algumas cermicas.
Orientao de dipolos: Este um fenmeno que envolve a rotao de dipolos
permanentes na aplicao de um campo inferior. Apesar da existncia de dipolos
permanentes em compostos cermicos, como no SiO2, que no possui centro de simetria
para cargas positivas e negativas, a orientao de dipolos no ocorre, uma vez que os
dipolos so restritos a deslocarem-se somente ao longo de determinadas direes na rede
cristalina. A reorientao dos dipolos impedida e resultar no desarranjo da rede
cristalina. A orientao dos dipolos muito comum em polmeros, que em razo de suas
estruturas atmicas, permitem a reorientao. Observa-se que o mecanismo de dipolos
permanente no o mesmo em dipolos induzidos na polarizao inica.
24
Polarizao de cargas espaciais: Este mecanismo intrnseco em qualquer rede cristalina.

O fenmeno surge devido gerao de cargas com a presena de impurezas ou devido
geometria irregular nas interfaces de cermicas policristalinas, sendo sua contribuio
extrnseca. Tais cargas so em parte mveis e deslocam-se sob a atuao de um campo
eltrico.
1.2.4.2 Efeitos da Freqncia sobre a Polarizao

Os mecanismos de polarizao so processos, cujo tempo de resposta varia com a
freqncia do campo eltrico aplicado, sendo que a contribuio da rede de polarizao
para a constante dieltrica depende da freqncia. O deslocamento eltrico responde
rapidamente a inverso do campo e no retarda a contribuio da polarizao que ocorre
LaCCeF
acima de 1017 Hz. Como esperado, os ons que so grandes dentro da estrutura do cristal,
so menos mveis, possuindo um tempo de resposta menor. O efeito da polarizao por
deslocamento inico decresce em torno de 1013 Hz. Em tal freqncia, o deslocamento
inico inicia-se, sendo o campo eltrico de elevada intensidade, aumentando o fator de
perda e contribuindo para a menor constante dieltrica. Em altas freqncias, os campos
reversos so tais que os ons no deslocam-se em relao ao campo (a freqncia de
oscilao dos ons menor que a freqncia do campo), e a contribuio do fator de perda
ocorre atravs de deslocamentos inicos. A orientao dipolar e a polarizao de cargas
espaciais diminuem em resposta a freqncia do campo aplicado. O efeito total da rede de
polarizao ilustrado na Figura 1.18. Os picos de polarizao inica e eletrnica que
ocorrem prximo s mudanas de freqncia devem-se a pontos de ressonncia, para os
quais a freqncia aplicada iguala-se a freqncia de oscilao do material.
25
P
o
l
a
r
i
z
a
Carga Espacial
Dipolo
Inico
Eletrnico
10 -4
1010
1014
1017
Hz
Figura 1.18 - Polarizao versus Freqncia.
LaCCeF
A variao da freqncia durante o mecanismo de polarizao refletida em
medidas da constante dieltrica do capacitor. Em geral, os valores da capacitncia e da

constante dieltrica decrescem com o aumento da freqncia para todos os materiais
cermicos, embora tal diminuio dependa do tipo de mecanismo de polarizao.
1.2.5 Perda Dieltrica
Em um circuito do tipo c.a. (corrente alternada), a relao entre a voltagem e a

corrente transversal, fora de fase entre si, em um capacitor ideal pode ser representada
por:
Q = CV
(1.21)
Para a aplicao de um campo eltrico alternado tem-se:
V =Vo sent
(1.22)
onde, Vo a amplitude da tenso senoidal, e a freqncia angular.
26
Dessa forma, pode-se escrever:
Q = CVo sen t
(1.23)
Sendo que a corrente (I) pode ser representada atravs da equao:
I = dQ/dt =
d
(CVo sen t)
dt
(1.24)
Assim:
I = CVo cos t
(1.25)
LaCCeF
A equao que descreve a variao peridica dada por:
cos t = sen ( t + 90 )
(1.26)
Dessa forma, o fluxo da corrente 90 fora de fase em relao voltagem. Porm,
dieltricos reais no so dispositivos perfeitos, uma vez que a resistividade do material

finita e o retardo ou tempo de relaxao do mecanismo da polarizao com a freqncia
gera perdas. Um modelo prtico de capacitor real pode ser considerado como um capacitor
ideal ligado em paralelo com um resistor ideal.
Novamente, para o capacitor, a voltagem pode ser considerada como:
V = Vo sen t
(1.27)
Sob a atuao de um campo eltrico alternado, tem-se:

I c = CVo cos t
(1.28)
27
Para um resistor ideal:

I r = V/R = Vo /R sen t
(1.29)
O fluxo de corrente na rede cristalina , portanto:

I c + I r = I rede = CVo cos t + Vo/R sen t
(1.30)
As duas pores da corrente que flui indica que alguma corrente (contribuda por
uma poro da resistncia do capacitor) no estar 90 fora de fase com a voltagem. O
ngulo em que a corrente sai de fase para um capacitor ideal pode ser determinada e a
tangente deste ngulo definida como a tangente de perda ou fator de disperso, como
ilustrado na Figura 1.19.
LaCCeF
Vetor corrente para

um capacitor real
Voltagem
Figura 1.19 - Tangente de perda em um capacitor ideal.
A tangente de perda (tg ) uma propriedade do material e no depende da

geometria do capacitor. Ela possui grande influncia na utilidade do dieltrico em
aplicaes eletrnicas. Na prtica, tal parmetro pode ser determinado pela perda do fator
de disperso em materiais de baixa constante dieltrica.
O desenvolvimento de tais propriedades deve-se a elevada constante dieltrica ()
do material, em razo dos mecanismos de polarizao exibindo alto fator de disperso.
28
1.2.5.1 Efeitos da freqncia sobre a perda dieltrica

A freqncia utilizada em um dieltrico importante devido ao efeito no
mecanismo de polarizao, sendo notvel o processo de relaxao ou retardo exibido
pelo material em razo da inverso do campo, em um circuito de corrente alternada. O
pequeno tempo de relaxao associa-se a processos de polarizao instantnea, sendo um
grande tempo de relaxao caracterizado por processos de relaxao demorados.
Cermicas dieltricas so compostas por tomos e ons, os quais contribuem para uma
grande perda dieltrica. O fenmeno de perdas maximizado em uma determinada
freqncia, para a qual o campo aplicado possui o mesmo perodo do processo de
relaxao. Para um estado mais simples da matria, as pequenas perdas so observadas
para determiandos tempos de relaxao, sendo que o perodo da amplitude do campo difere
grandemente, de modo que se:
LaCCeF
(a)
tempo de relaxao >> freqncia do campo: a perda pequena
(b)
tempo de relaxao << freqncia do campo: a perda pequena
(c)
tempo de relaxao = freqncia do campo: a perda mxima
A situao (a) gera uma pequena perda, como o mecanismo de polarizao muito
reduzido durante a inverso do campo, e os ons no se alinham com o campo em sua

totalidade, estes no geram mecanismos de perda por aquecimento. O inverso ocorre na
situao (b), onde o processo de polarizao pode seguir a freqncia do campo, que no
atrasa. No caso (c), de qualquer modo, os ons podem seguir o campo, mas limitado por
seu tempo de relaxao, deste modo gerando uma alta perda com a freqncia.
As formulaes das cermicas dieltricas sempre demonstram uma extenso no
tempo de relaxao superior ao espectro de freqncia, uma vez que estes materiais exibem
aspecto policristalino. A variao da perda dieltrica em funo da freqncia coincide
com a variao da constante dieltrica, de forma que os dois associam-se aos mecanismos
de polarizao, como demonstrado na Figura 1.20. Em altas aplicaes da freqncia, uma
figura de informao de fator Q freqentemente utilizada, em que recproco a
tangente de perda:
Q=
1
tg
(1.31)
29
Constante
dieltrica
Perda
dieltrica
Figura 1.20 - Efeitos de relaxao sobre a constante dieltrica e perda dieltrica.
1.2.6 Propriedades Dieltricas

1.2.6.1 Resistncia
LaCCeF
A resistncia definida como uma grandeza que mede a capacidade de um
determinado material em resistir passagem de corrente abaixo de um potencial limite

Vc.c.. Os isolantes so materiais que possuem eltrons livres na estrutura atmica e que
esto livres para deslocarem-se, em algumas intensidades baixas de campo aplicado. Os
eltrons esto unidos atravs de ligaes inicas e covalentes entre os tomos, sendo que
por definio, tais materiais possuem resistividade eltrica quase infinita.
Na realidade, de qualquer modo, os isolantes no exibem infinitas, mas limites de
resistividade, como estes so impuros e o defeito na estrutura da rede atmica possibilita

uma elevada carga.
Em xidos cermicos, assim como os titanatos, o portador da carga pode elevar a
imperfeio para estequiometria dois, isto , a razo de ons para ctions no balanceada,
e a rede cristalina do material poder ter vacncias (orifcio) na posio da rede e dos ons
intersticiais. Estas imperfeies podem ocorrer devido a substncias impuras substitudas
por outros ctions fora do balanceamento suficiente das cargas. Como exemplo, um ction
Al3+ repe um ction Ti4+, partindo de uma carga de rede negativa. Tambm, a razo do
oxignio para outros ons pode ser insuficiente para manter a valncia ideal, criando uma
rede de carga positiva. Isto pode ocorrer facilmente na presso parcial do oxignio durante
o aquecimento do material que insuficiente, existindo assim a condio de reduo. A
reduo severa, em fato, abaixar a resistividade dos titanatos no ponto onde as
propriedades dos semicondutores tornamse evidentes.
30
Os ons intersticiais resultam, como dito acima, de uma definio de mobilidade ao

acaso, que dependente da temperatura, da difuso do on que aumenta com a temperatura,
devido soma da energia trmica que supera as barreiras da energia de difuso.
Em um campo inferior aplicado, a difuso no mais ao acaso, mas ao longo do
gradiente de potencial do campo ocorre um vazamento na corrente.
A resistncia isolante do capacitor chip , portanto, dependente da formulao,
processamento (aquecimento) e medidas de temperatura. Em todos os dieltricos, a
resistividade decresce com a temperatura e uma considervel queda observada da baixa (55 C) para a alta (125 C) em uma temperatura especfica.
Uma importante considerao quanto medida da resistncia isolante dos
capacitores a relao entre I e R e os valores da capacitncia em teste de unidades
inferiores. Eles seguem valores de capacitncia que irreversivelmente proporcional
resistncia isolante, isto , altas unidades de valores exibem baixa resistncia isolante. A
LaCCeF
razo para este comportamento que a capacitncia e a disperso da corrente so

diretamente proporcionais para um corrente adicional, como pode ser demonstrado usando
a lei de Ohm e a relao da capacitncia geomtrica. A lei Ohm no estado em que a
corrente (I) em um condutor est associada a aplicao da voltagem (V) e a resistncia (R)
do condutor representada como:
I=
V
R
(1.32)
A resistncia (R) uma dimensionalidade dependente das propriedades do material

e est relacionada resistividade intrnseca do mesmo (), como a seguir:
R =
L
A
(1.33)
onde, L o comprimento do condutor e A a rea seccional cruzada do condutor.

A corrente (I), portanto, pode ser expressa, como:
I=
VA
L
(1.34)
31
Quando considerado um capacitor cermico, a disperso da corrente (I) completa o

isolamento, que pode ser expresso como na frmula acima:
I=
VA'
t
(1.35)
onde V o teste de voltagem, A a rea do eletrodo ativo, a resistividade dieltrica e t a

densidade dieltrica.
Para relaes chip, em alguns teste de voltagem (V), a disperso da corrente
diretamente proporcional rea de atividade do eletrodo no capacitor, sendo inversamente
proporcional densidade (e resistividade) da camada do dieltrico, isto :
A'
t
LaCCeF
De modo similar, a capacitncia (C) diretamente proporcional a rea de atividade
do eletrodo e inversamente proporcional densidade dieltrica, para:
C=
KA'
4,452t
(1.36)
onde, K a constante dieltrica, Aa rea ativa do eletrodo e t a densidade dieltrica.

Conseqentemente:
A'
eI C
t
A disperso da corrente (I) o inverso da resistncia isolante, desta maneira:

IR 1/C
A resistncia isolante uma funo do teste de voltagem, como a disperso da

corrente diretamente proporcional voltagem aplicada:
32
I=
VA'
t
/, ou IR =
VA'
t
(1.37)
Para um dado capacitor, a resistncia isolante dependente da resistividade () do

dieltrico, que proporcional ao material e depende da formulao e da medida da
temperatura, como descrito anteriormente.
A medida de IR inversamente proporcional aos valores da capacitncia, isto , IR
uma funo da capacitncia, e por isso o critrio para IR em indstrias so estabelecidos
com produto de resistncia (R) e capacitncia (C), (RxC), como demonstrado na Tabela
1.2.
A especificao EIA (Aliana das Indstrias Eletrnicas - Electronic Industries
Alliance, credenciada para desenvolver padres e especificaes tcnicas de componentes
eletrnicos, telecomunicaes, Internet) requer que o produto (RxC) exceda 1000 OhmFarad (depois expresso como 1000 Megohm-Microfarad) em 25oC, e 100 Ohm-Farad em
LaCCeF
125oC, (10% dos valores da Tabela 1.2).De maneira geral, os dieltricos possuem uma
resistncia eltrica alevada e as medidas so associadas em vrios mltiplos de Ohm:
1 Tera-ohm (T) = 1012 Ohm
1 Giga-ohm (G) = 109 Ohm
1 Mega-ohm (G) = 106 Ohm
Em adio, o material e as variaes da geometria so outros fatores fsicos que

influenciam na resistncia isolante dos capacitores.
Superfcie de Resistividade: As superfcies dos dieltricos podem possuir diferentes
resistividades no tamanho do material, devido a impurezas absorvidas ou umidade da
gua.
Defeitos: Formulaes dieltricas que esto presentes em cermicas policristalinas
agregadas, contendo contornos de gro e poros volumosos em sua microestrutura,
causando decrscimo da resistividade intrnseca do material. Estatisticamente, a
ocorrncia desses defeitos fsicos diretamente proporcional ao volume da partcula e a
complexidade de sua estrutura.
33
Tabela 1.2- Padro mnimo IR versus Capacitncia.
Capacitncia
Padro mnimo IR versus Capacitncia

Mnimo IR (G)
Mnimo RxC () a 25 C
0,1 pF
0,015
0,022
0,033
0,047
0,068
0,100
0,150
0,220
0,330
0,470
0,680
1,00
100,00
66,67
45,45
30,30
21,28
14,71
10,00
6,67
4,55
3,03
2,13
1,47
1,00
100
LaCCeF
1.2.6.2 Intensidade Dieltrica
A intensidade dieltrica a medida da capacidade do material em resistir a uma
grande fora do campo fora do desarranjo eltrico, sendo expressa em volts por mil
(0,001) ou volts por cm do dieltrico. A perda dieltrica ocorre em isolantes, onde o
campo aplicado num ponto de distncia limiar e a fora de restaurao dentro da rede
cristalina so superadas, causando emisso dos eltrons do campo, produzindo um nmero
suficiente de eltrons livres e criando um avano nas colises, onde resulta em uma rpida
ruptura da corrente reduzindo a eficincia do dieltrico.
Esses tipos de deficincia em dieltricos, em altas voltagens e aquecimento com
baixas resistividades do material podem desenvolver um enfraquecendo no dieltrico. A
dependncia da temperatura observada, devido ao decrscimo da intensidade dieltrica
com a temperatura.
A intensidade dieltrica intrnseca em alguns isolantes reduzida por defeitos
fsicos na microestrutura do material. Como a resistncia isolante, uma dependncia
geomtrica observada com medidas presentes.
34
A intensidade dieltrica inversamente proporcional camada dieltrica, como o

aumento do volume do material aumenta a probabilidade de defeitos ao acaso, como
ilustrado na Figura 1.21.
Volts/Mil
pequena unidade
1200
600
grande unidade
2,0
4,0 6,0 8,0
Densidade Dieltrica
Figura 1.21 - Fora dieltrica versus densidade dieltrica.
LaCCeF
De maneira similar, a intensidade dieltrica inversamente proporcional soma da
camada do eletrodo de um capacitor chip e a rea deste capacitor.
Capacitores chip so designados em uma margem de proteo baseada em
consideraes que possa impedir o uso e o teste de voltagem da resistncia.

1.2.6.3 Envelhecimento
Os capacitores cermicos podem exibir formulaes ferroeltricas que exibem um

decrscimo na capacitncia e a perda dieltrica com o tempo. Este fenmeno, chamado
envelhecimento, reversvel, e ocorre devido a mudanas cristalogrficas dos
ferroeltricos com a temperatura.
O principal representante do grupo de materiais dieltricos ferroeltricos o
titanato de brio (BaTiO3). Tal material sofre transies no cristal ou possui simetrias que
possibilitam um aumento nos domnios e elevao ferroeltrica.
Na temperatura de Curie, 120 C, o BaTiO3 sofre uma transio defase para a forma
cristalina cbica, onde no ocorre polarizao espontnea. No resfriamento abaixo do
ponto de Curie, o material novamente transformado de cbico para tetragonal, onde a
rede no possui centro da simetria e o ction Ti4+ pode ocupar um dos dois stios
assimtricos, aumentando os dipolos eltricos.
35
Estes dipolos possuem configurao espontnea e so pouco ordenados, conforme

as unidades de clulas adjacentes que possuem uma influncia adicional suficiente para a
reao e a criao de domnios de polaridade similares. Os domnios de polaridade eltrica
so orientados ao acaso (fora da influncia do campo eltrico) e concedem uma certa
energia de deslocamento para o sistema. A relaxao desta energia deslocada atribuda
pela existncia do mecanismo de envelhecimento da constante dieltrica, sendo encontrada
a seguinte relao chip:
K = K o m log t
(1.38)
onde, K a constante dieltrica no tempo t, Ko constante dieltrica no tempo t, (to < t) e

m a razo de diminuio.
A equao (1.38) uma relao logartmica, sendo os dados aproximados para uma
LaCCeF
linha plana (uma reta) como mostrado na Figura 1.22.
A variao percentual de K (ou capacitncia) por srie de dez pode ser calculada e
utilizada como um diagrama no valor da formulao dieltrica.
Os detalhes da microestrutura que afetam a polarizao (material puro, tamanho do
gro, sinterizao, limitesreas de gros, porosidade, tenso interna) tambm determinam

a independncia dos domnios, a dificuldade dos movimentos e reorientao. Ele
fundamentado por medidas de envelhecimento, cuja composio dependente do processo,
que sensvel para variveis que tambm influenciam na constante dieltrica do material.
C %
0
(a)
-5
-10
(b)
-15
10
102 103 104 105 106
Tempo (h)
Figura 1.22 - Envelhecimento ferroeltrico. (a) taxa de envelhecimento = -5% /5 dcadas.

(b) Taxa de envelhecimento = -15% /6 dcadas.
36
A perda de capacitncia com o tempo torna-se inevitvel nas composies

ferroeltricas, embora possa ser revertida atravs do aquecimento do dieltrico acima da
temperatura de Curie, onde o material passa para um estado cbico. Sob resfriamento, a
polarizao espontnea ocorrer novamente, devido transformao do material para a
forma de cristal tetragonal, onde novos domnios recomeam o processo de
envelhecimento.
Como esperado, nenhum envelhecimento observado somente em formulaes
paraeltricas, semelhante ao NPO, que no possui o mecanismo de polarizao espontnea.
A razo pela qual ocorre o envelhecimento pode ser a influncia por condicionamento de
voltagem do capacitor. Ele fundido devido a tenso por uma voltagem dc em elevadas
temperaturas (abaixo do ponto Curie), assim possuir uma perda da capacitncia e um
baixo envelhecimento. Ele teorizado por voltagens de tenso em elevadas temperaturas
no processo de relaxao dos domnios. Este condicionamento dos efeitos da voltagem ,
LaCCeF
no processo, eliminados em unidades experimentais, sempre excedendo as temperaturas no

ponto Curie.
A fabricao do capacitor compensa a perda da capacitncia de dieltricos
ferroeltricos por ajustamento testando os limites. Semelhante s unidades de no

oposio, de tolerncia superior ao longo de um perodo de tempo. Como exemplo, para
um dieltrico com taxa de envelhecimento de 1,5 % /dcada, os limites de testes so
elevados 3 % , isto , duas dcadas. Unidades de teste de 100 horas depois das ltimas
exposies da temperatura de Curie, conseqentemente permanecer na tolerncia interior
para duas dcadas adicionais ou 10.000 horas.
1.2.7 Acoplamento Eletro-Mecnico

Em geral, os materiais dieltricos exibem uma deformao elstica quando
tencionados sob a atuao de um campo eltrico, devido ao deslocamento dos ons dentro
da rede cristalina. Os mecanismos de polarizao, isto , o deslocamento dos ons na
direo do campo aplicado, resulta em uma contrao dos ons, como foras de restaurao
concedidas entre tomos para o balanceamento do sistema. Este comportamento chamado
de eletrostrio, sendo comum para todos os cristais doadores que exibem um centro de
simetria.
37
A eletrostrio um elemento de composio relao chip, em que um campo

eltrico gera uma deformao, como os centros de cargas no deslocam a tenso mecnica
aplicada no induz um campo eltrico.
Os materiais piezoeltricos exibem uma segundo elemento de composio da
relao chip para a relaxao mecnica e polarizao, a qual ocorre em cristais que no
exibem centro de simetria. Devido atuao de um campo eltrico externo, o centro de
simetria deslocado, gerando um momento de dipolo, o qual resulta na polarizao do
material. Tais dipolos desenvolvem-se de forma linear, uma vez que a fora elstica
observada proporcional intensidade do campo aplicado e a polarizao obtida
proporcional tenso mecnica aplicada.
O titanato de brio, possui uma deficincia no centro de simetria da rede cristalina
em temperaturas abaixo do ponto de Curie (120 C). Portanto, tal material pode ser
considerado como sendo um piezoeltrico.
LaCCeF
Quando aquecido antes da temperatura Curie, a rede cristalina muda de tetragonal
para uma configurao cbica, que possui um centro de simetria e efeitos piezoeltricos
que no so longamente observados.
1.2.7.1 Absoro Dieltrica
A absoro dieltrica uma medida de uma carga residual em um capacitor depois
de descarregado. Ela expressa como uma razo percentual da voltagem para uma
voltagem da carga inicial.
A voltagem ou carga residual caracterstica para o fenmeno de relao da
polarizao. A polarizao mecnica pode restaurar o campo aplicado. O inverso da
situao, por meio da restaurao uma despolarizao, ou descarga, tambm aplicada.
Uma pequena frao de polarizao, em fato, pode permanecer depois da descarga por um
longo tempo e pode ser medido em paralelo com a alta impedncia do voltmetro.
Os dieltricos que possuem altas constantes dieltrica e conseqentemente maiores
mecanismos de polarizao, exibem maior quantidade de absoro dieltrica do que os
materiais de baixa K [9].
38
Referncias Bibliogrficas
[1] NOBRE, M.A.L.; LANFREDI, S. Thermistor ceramic with negative temperature
coefficient based on Zn7Sb2O12: An inverse spinel-type phase, Applied Physics
Letters, v. 81, n. 3, p. 451-453, 2002.
[2] NOBRE, M.A.L.; LANFREDI, S. Negative temperature coefficient thermistor based on
Bi3Zn2Sb3O14 ceramic: An oxide semiconductor at high temperature, Applied Physics
Letters, v. 82, n. 14, p. 2284-2286, 2003.
[3] DU, H.; YAO, X.; WANG, H. Dielectric properties of pyrochlore (Bi1,5Zn0,5 )O7
(Nb0,5M1,5)O7 (M = Ti, Sn, Zr, e Ce) dielectrics, Applied Physics Letters, v. 88, p. 1-3,
2006.
LaCCeF
[4] S, LANFREDI; NOBRE, M.A.L. Conductivity mechanism analysis at high temperature

in bismuth titanate: A single crystal with sillenite-type structure, Applied Physics
Letters, v.86, p. 1-3, 2005.
[5] NOBRE, M.A.L.; LANFREDI, S. Grain boundary electric characterization of
Zn7Sb2O12 semiconducting ceramic: A negative temperature coefficient thermistor,
Journal of Applied Physics, v. 93, n. 9, p. 5576- 5582, 2003.
[6] www.thermistor.com
[7] www.itm.com.cn
[8] NEWMAN, R.E, Eletroceramics, Rep. Prog. Phys 52, pg. 123 156 (1989).
[9] GALLIATH, A. P. Technical Brochure A Practical Reference to MLC Properties and

Behavior, Novacap.
39
2
Dieltricos Lineares
2.1 Introduo
Os dieltricos lineares so no-ferroeltricos e mostram uma relao linear entre
polarizao e voltagem, possuindo um coeficiente de temperatura linear. Estes materiais
consistem primariamente de TiO2 e exibem baixas constantes dieltricas (< 150), baixas
LaCCeF
perdas dieltricas e o no envelhecimento da capacitncia com o tempo. Estas propriedades

possuem uma dependncia desprezvel da capacitncia com voltagem ou freqncia.
Estes modelos dieltricos so teis para aplicaes em capacitores, onde
necessria rigorosa tolerncia e alta estabilidade.
Dieltricos lineares so tambm referidos como materiais de temperatura
Compensada (C.T), uma vez que o coeficiente de temperatura pode ser modificado para
predizer a inclinao da temperatura (C.T.) excedendo o intervalo de - 55oC a 125oC. Esta
inclinao varia de aproximadamente em 100 partes por milho por grau C (ppm/C) para
uma inclinao tipicamente negativa 750 ppm/oC. Estes valores so relacionados com o
P100 ou N750, respectivamente. Uma srie de dieltricos lineares conhecidos como o tipo
de extenso C.T. varia de N750 to negativo quanto N5600. Estes valores so obtidos por
uso de dieltricos em que a temperatura de Curie ser abaixo a -55oC em baixos limites de
especificao MIL. Assim, a poro C.T. entre -55oC para 125oC aproximadamente
linear.
40
2.2 Classes de Dieltricos

As composies de dieltricos so identificadas e classificadas na indstria pela
capacitncia do coeficiente de temperatura dos materiais. Dois grupos bsicos (Classe I e
Classe II) so usados na fabricao de placas de capacitores cermicos. Uma terceira
(Classe III) inclui o titanato de brio utilizado na produo de capacitores em forma de
disco.
Os coeficientes de temperatura so determinados atravs de medidas da variao da
capacitncia em diversas temperaturas a partir da temperatura ambiente (25oC). O
coeficiente de temperatura (C.T.) expresso como a porcentagem da variao da
capacitncia (% C) ou partes por milho por grau Celsius (ppm/oC). As caractersticas
C.T. so usualmente ilustradas graficamente nos intervalos de temperatura EIA e MIL com
extenso de temperatura (-55 C para 85 C e -55 C para 125 C, respectivamente).
LaCCeF
2.2.1 Dieltricos de Classe I
Este grupo compreende os dieltricos lineares. Estes materiais exibem
caractersticas estveis por serem de formulao no-ferroeltricas (paraeltricas),

baseados em TiO2, que possui uma constante dieltrica inferior a 150. As cermicas com
compensao de temperatura extendida so um subgrupo de formulaes que utilizam
pequenas adies de outros xidos (ferroeltrico), como CaTiO3 ou SrTiO3, exibem nolinearidade de temperatura associadas a constante dieltrica de 500. Ambas as categorias
so utilizadas em circuitos que requerem uma estabilidade do capacitor, isto , no h
envelhecimento da constante dieltrica, baixa perda (DF < 0,001 ou < 0,002 C.T.
extendidos), no h variao na capacitncia ou perda dieltrica em funo da voltagem ou
freqncia mostrando um comportamento linear com a temperatura dentro da tolerncia
prescrita.
O cdigo letra-nmero-letra que define o coeficiente de temperatura dos dieltricos
de Classe I tem sido desenvolvimento pela Associao de Indstrias Eletrnicas (Eletronic
Industries Association (EIA)) Modelo 198, como mostrado na tabela 2.1.
41
Tabela 2.1 - Designao EIA (Eletronic Industries Association) para Dieltricos de Classe
I.
Designao EIA para Dieltricos de Classe I
(b)
(a)
figura
significante
do coef. de
temperatura
da
capacitncia
(ppm/ oC)
cdigo de
Letra (a)
0.0
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
7.5
__
__
__
C
M
P
R
S
T
U
__
__
__
(c)
(d)
tolerncia
multiplicador
cdigo
para o coef.
aplicado para numrico para
de
temperatura
a coluna (a)
a coluna (c)
(ppm/ oC)
-1.0
-10
-100
-1000
-10000
+1
+10
+100
+1000
+10000
(f)
(e)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
30
60
120
250
500
1000
2500
__
__
__
cdigo de
letra para a
coluna (e)
LaCCeF
G
H
J
K
L
M
N
__
__
__
A maior parte de dieltricos de Classe I para capacitores chip a designao COG,
isto , 0 ppm/ C 30 ppm/ C de coeficiente de temperatura, que o NPO (negativapositiva-zero) especificao MIL, para o plano de coeficiente de temperatura.
%C
6.0
4.0
2.0
0
-2.0
-4.0
-6.0
MG7
COG
R2G
S2H
-8.0
U2H
- 50 -25
25 50 75 100 125
Temperatura,0 C
Figura 2.1 - Coeficiente de Temperatura (C.T) para dieltricos lineares.
42
As medidas do coeficiente de temperatura podem no ser necessariamente linear,

porm so admissveis nos dados dentro dos limites de tolerncia da permissividade
especificados na ultima letra do cdigo EIA, como ilustrado para dieltricos COG na
Figura 2.2.
%C
0.3
0.2
+/- 30 ppm/o C
tolerncia
envolvida
0.1
0
COG
-0.1
-0.2
-0.3
LaCCeF
-50
-25
0
50 75
25
Temperatura,o C
100
125
Figura 2.2 - Tolerncia para o coeficiente de temperatura.
2.2.2 Dieltricos de Classe II
Os dieltricos de Classe II, incluindo composies ferroeltricas, so materiais que

possuem constantes dieltricas maiores que nos Dieltricos de Classe I, porm com
propriedades menos estveis como temperatura, voltagem, freqncia e tempo. As diversas
extenses das propriedades das cermicas ferroeltricas requererem uma subclassificao
em duas categorias, definidas pelas caractersticas de temperatura:
Dieltricos de Classe II com estabilidade mdia de K: exibe um coeficiente de

temperatura mxima de 15% a partir de 25oC em um intervalo de temperatura de
-55 oC a 125 oC. Tais materiais possuem tipicamente uma constante dieltrica
intervalo de 600 a 4000 e possuem caractersticas EIA X7R.
43
Dieltricos de Classe II com Altos valores de K: Dieltricos com coeficientes de

temperatura que excedem os requerimentos X7R. Esta formulao exibe constante
dieltrica entre 4000 e 18000, em muitos excedem o coeficiente de temperatura,
pois o ponto de Curie varia a partir da temperatura ambiente para a maximizao da
constante dieltrica.
A Tabela 2.2 mostra as descries EIA 198 para estes dieltricos. A caracterstica
mais comum de K mdios utilizada na fabricao de capacitores chip a designao

X7R (mximo de 15% C de -55 oC a 125 oC). Na categoria com elevado K, as
caractersticas Z5U (+22% para -56% mxima C de +10 oC a +85 oC) e Y5V (+22% a 82% mxima C em 30 oC a 85 oC) so comuns.
Tabela 2.2- Designao EIA (Eletronic Industries Association) para Dieltricos de Classe
II.
LaCCeF
(a)
Designao EIA para Dieltricos de Classe II

(b)
(d)
(c)
(e)
Condio a
baixas
Temperaturas
Cdigo de (a)
+10
-30
-55
__
__
__
__
__
__
__
__
__
Z
Y
X
__
__
__
__
__
__
__
__
__
Mxima
cdigo
Condio a
(+/-)% oC
Sobre
numrico para
altas
Temperaturas a coluna (c) Temperatura
+45
+65
+85
+105
+125
__
__
__
__
__
__
__
2
4
5
6
7
__
__
__
__
__
__
__
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
7.5
10.0
15.0
22.0
+22-33
+22-56
+22-82
(f)
Cdigo
de letra
para a
coluna
(e)
G
H
J
K
L
M
N
__
__
__
__
__
44
A especificao militar para cermicas de capacitores chip (MIL-C-55681) tambm

define dieltricos com valores mdios de K (constante dieltrica) e designada como
caracterstica BX. A especificao BX possui limites de voltagem/temperatura em
adio aos limites de temperatura padro.
O dieltrico BX limitado em uma capacitncia mxima de 15% com variao de
-55% a 125%, e para uma variao mxima de +15%-25% que opera em uma voltagem
aplicada. As caractersticas BX so similares designao X7R, sendo que os coeficientes
de voltagem e temperatura combinados, no excedem +15%-25%. Curvas do coeficiente
de temperatura em Dieltricos de Classe II (C.T) so mostradas na Figura 2.3.
T.C. de Dieltricos Lineares de Classe II

%C
+10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
XR7
X7R relacionado
LaCCeF
BX TVC relacionado
Z5U
Y5V
-70
- 50 -25
25 50 75 100 125
Temperatura,0 C
Figura 2.3 - Coeficiente de temperatura (C.T) para dieltricos de classe II.
45
2.3
Padro Visual em Capacitores Chip
2.3.1 Padro Visual Externo

Muitos capacitores de multicamadas (MLC) possuem um fino acabamento e
integridade fsica. Inspees visuais de capacitores chip envolvem observaes de produtos
em um aumento inferior de 20x para maiores e menores defeitos na capacidade do
capacitor e na metalizao final. Os padres visuais so detalhados em MIL-C-123B, e
aplicados na estrutura do chip, terminaes metlicas, extremidade do chip, superfcie e
marcao, se aplicvel.
A inspeo da amostra somente quantitativa, de acordo com MIL STD 105, Nvel
II, 0.65. A aceitao ou rejeio do padro de produo baseado na variao dos defeitos
(nvel AQL ou nvel ppm).
LaCCeF
2.3.2 Padro da Microestrutura Interna
As caractersticas visuais externas so aplicadas ao padro de qualidade para a
microestrutura interna do capacitor chip, como observao em perfeio das sees opostas
da amostra dos capacitores. Unidades so divididas em curtas dimenses dos capacitores
para proporcionar duas extremidades visveis dos eletrodos internos e terminais.
Apesar de algumas medidas possurem defeitos internos considerados indesejados,
estes tipos de imperfeies ocorrem ocasionalmente em diferentes graus de rigorosidade.
Tipicamente, delimitaes, vcuo interno, ruptura e outras irregularidades so classificadas
com rigor e so consideradas como defeitos constitudos se ele exceder o seguinte, como
baseado em EIA 469.
2.3.3 Separao em Lminas

Este mtodo consiste em separar a camada da estrutura do capacitor na forma de
uma cavidade planar entre os eletrodos e a cermica, ou no prprio dieltrico. Algumas
delimitaes que podem ser consideradas prejudiciais integridade eltrica e integridade
mecnica do capacitor e so classificadas como defeitos, geralmente envolve o seguinte:
46
Qualquer laminao na rea ativa (envolvida pelo eletrodo), de extenso maior de 20%
do comprimento do eletrodo, ou excedendo 0,254 mm, quaisquer que seja o tamanho;
Algumas separaes em laminas maiores que 0,127mm, dentro da rea envolvida pelo
eletrodo e associado com o deslocamento dos eletrodos adjacentes e a reduo da
camada dieltrica por 50% maior da sua espessura;
A separao em laminas que excede 50% da margem entre a terminao e os eletrodos
de polaridade oposta;
Duas ou mais separaes entre laminas excedem 0,010 que envolve as outra na rea do
eletrodo ativo e as camadas adjacentes.
LaCCeF
2.3.4 Vcuo
O vcuo que pode ser considerado danoso para a integridade eltrica e fsica dos
capacitores e classificado como defeitos, que geralmente envolve os seguintes:
Vcuo entre os eletrodos de polaridade oposta reduz a espessura do dieltrico acima de

50 %.
Um vcuo ou bolha na terminao, no ligada superfcie dieltrica, que excede 30 % da
dimenso final do chip;
Um vcuo ou bolha na terminao, contendo o dieltrico, que excede 0,508 mm.
47
2.3.5 Ruptura
Algumas rupturas podem ser consideradas danos a integridade eltrica e fsica do
capacitor sendo classificada como um defeito, geralmente envolve:
Algumas rupturas conectando dois eletrodos quaisquer;
Algumas rupturas conectando eletrodos para algumas superfcies superiores do chip, ou
para terminaes;
Rupturas conectando eletrodos a alguma superfcie externa do chip.
LaCCeF
2.3.6 No-uniformidades
Irregularidades na construo do capacitor do tipo chip no afetam necessariamente
a integridade mecnica e eltrica de um determinado dispositivo, porm pode influenciar

em aplicaes que necessitem de dispositivos de alto desempenho. Seguem-se as principais
irregularidades estruturais encontradas nas configuraes de capacitores, de acordo com o
EIA 469:
Um lado ou extremidade com dimenso menor que 0,076 mm, compreendendo valores
superiores ou iguais a 90% das dimenses dos eletrodos e da superfcie exterior do
dieltrico;
Na cobertura da densidade da cermica, que menor em densidades dieltricas entre
eletrodos adjacentes;
Deposio de eletrodos espessos, excedendo 2,5 vezes o valor da espessura mdia do
dieltrico e comprimentos maiores que a metade do comprimento do dieltrico;
Deposio de eletrodos espessos, compreendendo valores de 0,127 mm, os quais
reduzem em mais de 30 % a espessura das camadas adjacentes do dieltrico.
48
2.3.7 Defeitos na Preparao das Amostras

Uma variedade de imperfeies observadas na espcie secionada pode surgir
devido a mtodos de preparao das amostras, e muitos so identificados, para impedir
interpretaes incorretas dos resultados. Algumas observaes e precaues podem ser
seguidas para segregar preparaes positivas dos problemas em defeitos atuais. Primeiro,
ele essencial em espcies observadas por uma montagem anterior na seo, para
determinar se alguns mecanismos bvios de falhas que esto presentes. Usualmente isto
acompanhado por inspees das propriedades eltricas bsicas. Muitas unidades podem ser
resumidas em uma no-contrao (e conseqentemente uma tenso-livre) da resina e so
modos e polidos em gros finos de abrasivo inferior em presso controlada, para evitar
rachadura. Muitas sees so polidas para remover todo vestgio de irregularidade nas
partes utilizadas para reduzir as espcies, e so limpas completamente em observaes
LaCCeF
anteriores. Este procedimento minimizar a ocorrncias de mximas sees de defeitos

induzidos.
Os seguintes critrios so utilizados para caractersticas dos defeitos em mtodos
secionados:
Padro linear de defeitos no vcuo, isto , eles so induzidos por atrao de gros fora
do material durante a moagem da cermica, conseqentemente maior polimento
necessrio. Nas formaes do vcuo em uma linha paralela para a camada estrutural do
aparelho, como assim chamado knit line (unio de linha), pode no estar dentro desta
categoria.
Grande presena de vcuo, em uma no distoro visual do padro do eletrodo ou
camadas: A preciso da estrutura ao redor deste vcuo indicada como uma ausncia da
origem da unidade no-secionada; em um processamento trmico que resultar em um
diferente colapso do eletrodo e/ou uma distoro da camada ao redor deste vcuo. Desta
maneira os defeitos so causados pela sada da fora de tenso excessiva durante a
operao, particularmente na rea entre as camadas do eletrodo, onde esta a mnima
camada dieltrica na camada ligante.
49
Unidades que exibem cobertura na ruptura da lmina, e/ou separao da cobertura da

lmina cermica de exibio do eletrodo, ainda no evidente em exames usuais da
seo do plano anterior. Estes defeitos surgem devido ao suporte insuficiente no
condensador, e/ou mtodos de opresso excessiva. Desta maneira a ruptura pode
tambm aparecer em paralelo com a terminao final, como as terminaes para a
interface da cermica, onde so mecanicamente reduzidas. Medidas de capacitncia, DF
(do termo em ingls dissipation factor, cuja traduo - fator de dissipao) e
isolamento da resistncia, podem ser usados como uma favorvel fora de atrao para
confirmar a ausncia desses defeitos em produtos no-secionados.
Um excessivo polimento circular na extremidade e na margem resulta em
profundidades no campo de distoro em observaes, com favorvel dificuldade e
iluminaes. Defeitos que aparecem inferiormente nestas condies podem n o existir
LaCCeF
e demonstram ser indiferentes.
A avaliao visual e microscpica qualitativa dos capacitores chip muito subjetiva
e surge uma dificuldade na correlao das opinies entre os observadores, especialmente

onde se considera a menor categoria dos defeitos descritos acima. Em adio, diferentes
imagens podem ocorrer num produto de viso inferior diferindo a origem do brilho em um
microscpio. Luzes fluorescentes podem ser encontradas, estando superiores a
incandescncia da luz exterior em detalhes de defeitos.
A aceitao ou rejeio dos capacitores em alguns recursos visuais ou defeitos na

microestrutura usualmente especificado ou determinado por um chip, baseado na
aplicao do produto. Deve-se encontrar no modelo da corrente, elevada confiabilidade ou
altas voltagens [1].
50
[1] GALLIATH, A. P. Technical Brochure A Practical Reference to MLC Properties and
Behavior, Novacap.
LaCCeF
51
3
Propriedades Dieltricas
3.1 Introduo
Dieltricos (no-condutores) com caractersticas magnticas em materiais
cermicos so de crescente importncia e so expandidos rapidamente com o campo no
estado slido em eletrodos contnuos. Alguns destes campos possuem limitaes
LaCCeF
disponveis do material que so freqentemente previstas pelas condies que retardam um

melhor progresso. Alm disso, a confiana no componente de grande importncia para
muitas aplicaes; a falta de um componente pode causar um decrscimo no custo total do
projtil, por exemplo. Ao mesmo tempo estes realizam um extensivo esforo para reduzir o
tamanho da comunicao total do aparelho. Todos estes fatores possuem indicaes para
um aumento da atrao em cermicas isoladoras e semicondutores.
A principal aplicao para cermicas dieltricas como elementos capacitivos em
circuitos de eletrodos e como isolantes eltricos. Para essas aplicaes, as propriedades da

maioria de interesse so as constantes dieltricas, perda do fator dieltrico e da intensidade
dieltrica. Novos aparelhos e novas aplicaes aumentam continuamente com uma faixa de
freqncia e em uma faixa circundante de condies em temperaturas particularmente, pois
so de interesses prticos. Conseqentemente, essas variveis aproximam-se com uma
pequena extenso no ponto de vista das foras requeridas para tecnologias isoladas
presentes. A resistividade depende da freqncia de isolantes e semicondutores. Muitos
esto relacionados em aplicaes em alta freqncia e com propriedades eltricas, que so
utilizados em dieltricos, sendo este aspecto de condutividade adaptado naturalmente.
Para aplicaes em capacitores e em isolantes eltricos, so avaliados plsticos
orgnicos, onde eles so usualmente reduzidos e podem ser fabricados em dimenses
superiores em cermicas.
52
Uma das vantagens dos materiais cermicos so as propriedades eltricas

superiores, de acordo com as freqncias utilizadas, ausncia deformao em pequenas
tenses em um intervalo de temperatura, aumentando a resistncia circundante das
variaes (particularmente com altas temperaturas em plsticos oxidados, gaseificados ou
decompostos) e por possuir uma habilidade de formar um lacre em metais e tornar-se
uma parte integral de um aparelho eletrnico. Eles demonstram ser notvel em uma seo
particular freqentemente dieltrica que depende de suas habilidades para ser formado com
uma lacre, operando em condio circundante incomum, onde eles so adequados a
caractersticas de expanso trmica, satisfatoriamente resistente a tenses trmicas,
resistentes a impactos e possuem habilidades para ser formado dentro de uma forma
complexa com caractersticas dimensionais e em outra caracterstica que so
completamente independentes do comportamento eltrico, mas so essencialmente prticos
para o processo do aparelho.
LaCCeF
53
3.2 Comportamento Eltrico em Cermicas

So definidas agora algumas propriedades dieltricas interessantes para aplicaes
de cermicas. Estas incluem a constante dieltrica, permeabilidade magntica, fator de
perda dieltrica, resistividade dieltrica e fora dieltrica. Estes so essenciais para a
compreenso dos ceramistas, como engenheiros eltricos, em busca de descobrir seu
conjunto particular de propriedades e formulaes benficas. Este aspecto discutido a
seguir, partindo das formulaes matemticas necessrias s atuais aplicaes para o
modelo de circuito.
3.2.1 Capacitncia
LaCCeF
Em geral, materiais dieltricos so abordados principalmente considerando-se a
atuao de capacitores em circuitos eltricos. Uma das principais caractersticas de um

capacitor a carga eltrica armazenada (Q), a qual pode ser representada pela equao
abaixo:
Q = CV
(3.1)
onde, V a voltagem aplicada e C a capacitncia. A voltagem diretamente proporcional

soma das cargas armazenadas:
V=
Q I dt
=
C
C
(3.2a)
dV
dt
(3.2b)
e a corrente no capacitor dada por:
I =C
54
A voltagem senoidal pode ser escrita como:

V = Vo exp it
(3.3)
Como ocorre em um circuito de corrente alternada (c.a), uma corrente de

carregamento resulta em:
Ic = iCV
(3.4)
A corrente alternada avanada por um ngulo de fase de 90 em relao

voltagem aplicada. Na equao (3.3) e (3.4), i = 1 , e = 2f, sendo f a freqncia em
ciclos por segundo (Hz).
A capacitncia C pode ser descrita por um fator geomtrico e um fator material.
LaCCeF
Para uma placa de capacitor de rea A e densidade d, a capacitncia geomtrica no vcuo

dado por:
Co =
A
o
d
(3.5)
onde, o a permissividade do vcuo.
Se um material cermico de permissividade for introduzido entre as placas do

capacitor, tem-se:
C = Co
'
= Co k '
o
(3.6)
onde, k a permissividade relativa ou constante dieltrica relativa. Esta a propriedade

determinante do material, uma vez que define a capacitncia de um elemento do circuito,
sendo de fundamental interesse para determinar suas aplicaes tecnolgicas.
55
3.2.2 Indutncia
Paralelo a capacitncia, nos elementos de um circuito, pode-se definir a indutncia
L, a qual pode ser considerada como um dispositivo para armazenagem de corrente.A
capacidade de armazenar corrente de uma espira resulta do deslocamento das cargas na
espira, onde se observa a gerao de um campo magntico paralelo ao eixo da espira. A
variao da corrente em uma indutncia produz voltagens opostas, sendo representada
como:
V =L
dI
dt
(3.7)
onde, a voltagem senoidal aplicada por uma indutncia e a magnetizao da corrente

retardada por um ngulo fase de 90 em relao a voltagem resultante:
LaCCeF
Im =
V
i L
(3.8)
Esta uma diferena direta para capacitncia, onde a carga da corrente avana em
um ngulo de 90o da voltagem aplicada. A indutncia L, de forma semelhante

capacitncia, contm ambos um fator geomtrico e um fator material. Este fator pode ser
escrito como:
L = Lo
'
= Lok 'm
o
(3.9)
onde, Lo a indutncia geomtrica de uma longa espira de N rotaes, Lo = N 2 A / d o .

Combinando esta com a equao (3.9), obtemos para uma indutncia em uma longa espira
com material real:
L = N2
A
'
d
(3.10)
56
Nesta equao ' a permissividade mdia, o a permissividade no vcuo, e km a

permissividade relativa.
3.2.3 Unidades
Diversas unidades so utilizadas para designar propriedades s dieltricas e
magnticas. Trs grupos bsicos de unidades so utilizados. No sistema de unidades
eletrostticas (eletrostatic-units system eus), a energia eltrica relacionada energia
trmica e mecnica referente lei de Coulomb para foras exercidas entre as cargas
eltricas. A constante dieltrica arbitrariamente obtida como um simples nmero. Em
unidades eletromagnticas (emu) a permissividade tomada como um nmero plano. Estas
formulaes so indicadas para a soma incompatvel e fracionria em expresses de
LaCCeF
equaes dimensionais; este pode ser eliminado por ganhos de carga eltrica como uma
unidade de quarta dimenso. Este feito em um sistema de racionalidade para unidades
prticas em metros (m), quilograma (kg), segundos (s), e Coulomb (C), que so usadas
como unidades primrias. Este mencionado em mks ou sistema Georgi. Vrias unidades
derivadas, desta maneira como Ampres e Ohms so utilizados por convenincia. Neste
sistema a constante dieltrica no vcuo vem a ser o = 36-1 x 10 -9 = 8.854 x 10-12 F/m; a
permissividade no vcuo o= 4 x 10-7 = 1.257 x 10 6 H/m.
3.2.4 Polarizao
As reaes dos materiais dieltricos sob um campo eltrico aplicado so diferentes
para a aplicao no vcuo, devido presena de cargas portadoras que podem ser
deslocadas e cargas com deslocamento dieltrico que podem neutralizar uma parte do
campo aplicado, de forma que V = Q / C e C = k ' Co : Pode-se escrever para um capacitor
contendo um dieltrico:
V=
Q / k'
Co
(3.11)
57
Esta uma nica frao da carga total, a carga livre Q/k, onde eleva-se o campo
eltrico e a voltagem exterior. O excesso de cargas neutralizado pela polarizao do
dieltrico. Na Figura 3.1 representada esquematicamente a densidade do fluxo eltrico
total D como a soma do campo eltrico E e a carga de dipolo P, como:
D = oE + P = ' E
(3.12)
onde a polarizao numericamente igual densidade superficial de carga no contorno. A

polarizao dada pelo momento dipolar por unidade de volume do material:
P = N
(3.13)
onde, N o nmero de dipolos por unidade de volume e o momento dipolar. O

momento dipolar correspondente para duas cargas eltricas de polaridade oposta Q
LaCCeF
separadas por uma distncia d dado como:
= Qd
(3.14)
Deste modo a polarizao pode designar, de forma equivalente, cada densidade de
salto de carga ou de momento dipolar por unidade de volume (Figura 3.2). A partir da
equao (3.12),
P = ' E o E = o (k '1) E
(3.15)
Uma medida para a razo da polarizao e o campo aplicado a susceptibilidade

eltrica:
= k' 1 =
P
oE
(3.16)
A susceptibilidade a razo da densidade de carga no contorno para a densidade de

carga livre.
58

-
Carga Livre
Dipolo
- Carga Limite
Figura 3.1 Representao esquemtica da polarizao por cadeia dipolar e salto de

cargas.
LaCCeF
O momento dipolar das partculas elementares proporcional ao campo eltrico
local E:
= E '
(3.7)
O fator de proporcionalidade , a polarizabilidade, uma medida do excesso de
momento dipolar por unidade de fora eltrica. As dimenses so em metros cbicos no

sistema mks ou centmetros cbicos no sistema esu. Uma expresso alternativa para a
polarizao
P = N E '
(3.18)
59
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
Eletrodos Metlicos
-
Unidade Cbica do Dieltrico
Limite P
da carga por
unidade de
1
rea
Figura 3.2 Polarizao P designada em ambas densidades das cargas e excedendo o
LaCCeF
momento dipolar por unidade de volume.
Para gases a baixas presses, onde as interaes entre as molculas so
desprezveis, a representao do campo local E a soma do campo externo aplicado E.

Para slidos, a polarizao pode ser envolvida por um efeito na ao do campo local, em
uma molcula particular. Este campo local pode ser calculado (Figura 3.3) por meio
molcula particular envolvida por uma grande esfera imaginria em um dieltrico superior,
sendo tratado como contnuo. Se esta esfera cortada saindo do slido, os traos da
polarizao exterior so inalterados. A ao do campo no centro da partcula na molcula
eleva-se para trs fontes livres de cargas no eletrodo, E, livres no fim da srie do dipolo na
posio da parede da cavidade, E1, e contribuindo assim para as molculas dentro da esfera
bloquearem suas posies que pode ser considerada individual, E2. Deste modo pode-se
escrever:
E ' = E + E1 + E2 + E3
(3.19)
onde, E por definio a intensidade do campo aplicado. A contribuio para a polarizao

E1 determinada por uma componente normal de um vetor de polarizao superior
superfcie da cavidade esfrica. Este dado como:
60
(k '1) E
P
=
3 o
3
E1 =
(3.20)
A contribuio do surgimento do campo para a interao individual da molcula

pode ser adotada para igual a zero se eles forem arranjados em completa desordem ou em
uma ordem simtrica. Tem-se a primeira suposio, produzida por Mosotti, onde obteve
para o campo local :
E' = E +
P
E
= (k '+2)
3 o 3
(3.21)
Por insero este campo local de Mosotti na equao (3.16) e (3.18), obtemos uma
relao entre a polaridade por unidade de volume N e a constante dieltrica relativa k,
LaCCeF
que dada como:
N k '1
=
3 o k '+2
(3.22)
onde, N o nmero de molculas por unidade de volume, N = N o / M , onde M o peso

molecular e a densidade. Substituindo na equao (3.22), obtemos:
3 o k '1 M 3 o
=
Pm
N o k '+2
No
(3.23)
onde, Pm a polarizao molar, diretamente proporcional polarizao atmica. Esta

relao chip pode ser comparada com a equao (3.23) para a capacidade de frao molar.
Estas so vrias possibilidades de mecanismos para polarizao de materiais
dieltricos (Figura 3.4). Um processo comum para a maioria dos materiais a polarizao
eletrnica ou o deslocamento do centro de gravidade da nuvem eletrnica negativa em
relao ao ncleo atmico positivo em um campo eltrico.
61

+
+
+
+ +
+
Figura 3.3 - Modelo para o clculo do campo interno.
Um segundo mecanismo o deslocamento dos ons positivos e negativos em
LaCCeF
relao a um outro qualquer, demonstrado pela polarizao inica ou atmica. Uma

terceira classe de polarizao, incomum em cermicas, est associada presena de
dipolos eltricos permanentes que existem para compensar a ausncia de um campo
eltrico.
Uma distribuio de carga desigual entre as associaes em uma molcula ou on
complexo no muito comum, onde um campo aplicado e tende para um movimento de

alinhamento dos dipolos eltricos em direo ao campo, elevando a orientao da
polarizao. Uma origem importante da polarizao a movimentao das cargas que
esto presentes devido ao impedimento por interfaces, por esta razo elas no so
fornecedoras em um eletrodo ou descarregadas, ou presas no material. O espao de cargas
resultante neste fenmeno mostra um aumento na participao da capacitncia distante do
circuito exterior. A polarizao total do dieltrico pode ser representada como a soma:
= e + i + o + s
(3.24)
onde, e, a polarizabilidade eletrnica, i, a polarizabilidade inica, o a polarizabilidade

de orientao e s a polarizabilidade espao de cargas polarizadas.
62
Polarizao Eletrnica
+
E=0
Polarizao Atmica
+
E=0
Orientao da Polarizao
E=0
Polarizao de Espao de Cargas

+
+
+
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+ + +
+
+
+ +
LaCCeF
E=0
Figura 3.4 Representao esquemtica dos diferentes mecanismos de polarizao.
Uma classe especial de comportamentos que antecipa a fora o desenvolvimento

da polarizao espontnea ou a elevao do revestimento espontneo em dieltricos ou
dipolos magnticos fora da aplicao de algum campo externo. Isto pode ocorrer em
polarizaes resultantes de dipolos vizinhos exercem uma influencia. Este processo
observado em ferromagnetismo e em ferroeletricidade. Em um capacitor ideal a carga
eltrica adaptada instantaneamente para algumas mudanas de voltagens. Na prtica, esta
uma inrcia para o movimento da carga, onde demonstra um elevado tempo de relaxao
para o transporte de cargas. Como observado em foras elsticas, seguidas de uma tenso
aplicada, tendo como justificativa, uma relaxao e uma no-relaxao de mdulo elstico
que depende da constante dieltrica em intervalos de freqncia.
63
A polarizao eletrnica o nico processo suficientemente rpido para um campo

na parte visvel do espectro; como resultados do ndice de refrao, por exemplo, depende
de um nico processo. A polarizao inica um processo capaz de seguir uma aplicao
de alta freqncia do campo que contribui para uma elevao da constante dieltrica por
meio da freqncia no infravermelho na regio do espectro. A orientao e polarizao da
carga espacial possuem um tempo de relaxao que corresponde um sistema e processos
particulares, em geral, o nico que est relacionado a baixas freqncias.
LaCCeF
Figura 3.5 Dependncia da freqncia em vrios intervalos de polarizabilidade.
A gerao de calor em um dieltrico linear proporcional ao produto da voltagem e

corrente, que zero para um dieltrico ideal, mas possuir alguns valores apreciveis em
alguns dieltricos com tempo de resposta finito.
Para a situao descrita na Figura 3.6, a variao da polarizao com o tempo
semelhante variao da carga com o tempo. Esta variao pode ser representada por
modelos fsicos simples. Durante a carga, por exemplo, se a razo da mudana de
polarizao com o tempo proporcionalmente adotada para a diferena entre seus valores
finais e seus valores atuais, tem-se:
d (Pt P ) 1
= [(Ps P ) (Pt P )]
dt
(3.25)
64
Assim:
Pt P = (Ps P ) 1 e t /
(3.26)
onde, Pt a polarizao no tempo t, P a polarizao instantnea num campo aplicado,

Ps o valor final da polarizao, e uma constante que possui dimenses de tempo. Esta
constante chamada de tempo de relaxao e uma medida do tempo de atraso do
sistema. A resposta da maior parte dos materiais dieltricos reais para um campo aplicado
no representada por um s tempo de relaxao.
Carga
Voltagem
Corrente
LaCCeF
Tempo
Tempo
Tempo
(a)
Tempo
Tempo
Tempo
(b)
Figura 3.6 Comportamento do movimento de formao de cargas e o fluxo da corrente

em (a) um dieltrico ideal e (b) um dieltrico real.
3.2.5
Fator de Perda
Para um campo alternado, o tempo necessrio para a polarizao mostra uma
elevao com uma fase de retardao da corrente carregada. Em vez de ser 90o avanado,
como indicado na equao (3.4), este avanado por um ngulo 90-, onde o ngulo de
perda comparado com o fator de perda devido fora mecnica. Representando o
campo eltrico e o deslocamento (densidade do fluxo) em notao complexa, tem-se:
65
E = E o e i t
(3.27)
D = Do ei (t )
(3.28)
D = *E
(3.29)
Usando a relao
Obtm-se:
* = se
= s (cos
i sen )
LaCCeF
(3.30)
onde, s = Do/Eo a constante dieltrica esttica. Em termos de uma constante dieltrica

complexa:
* = 'i " =
* 1
= ( 'i ")
o o
(3.31)
Para a equao (3.30):
' = s cos
(3.32)
" = s sen
(3.33)
onde, para a equao (3.32) e (3.33), a tangente de perda dada por

tg = " / ' = " / '
(3.34)
66
Esta fase corresponde ao deslocamento a um tempo de atraso entre uma voltagem

aplicada e a corrente induzida, causada pela perda da corrente e a dissipao no circuito do
tipo ca que no requer uma migrao da carga portadora. Para um capacitor simples com
uma voltagem senoidal aplicada, a corrente carregada dado por Ic = iE e a corrente de
perda por Ii = E = E, onde a condutividade eltrica. Estes componentes so
demonstrados na Figura 3.7, sendo representados:
I = (i '+ ")
Co
V = iCo *V
(3.35)
A perda da energia correspondente por ciclo :
W = 2 '
Vo2
tg
2
por ciclo
LaCCeF
(3.36)
A perda de energia por segundo :
Vo2
Vo 2
Vo 2
Vo 2
P =
= '
= '
tg = 2f '
tg
2
2
2
2
(3.37)
onde, Vo voltagem mxima.
Como indicado na equao (3.36) e (3.37), o fator que determina a perda da energia
do material em um dieltrico o produto da constante dieltrica e o ngulo da tangente de
perda. Este o fator de perda ou fator de perda relativo indicado na equao (3.34).
O fator de perda o critrio principal para a utilidade do dieltrico como um
material isolante. Para este propsito importante devido a sua baixa constante dieltrica e
particularmente um ngulo de perda muito pequeno. Uma outra aplicao importante
para a obteno em alta capacitncia em um pequeno espao fsico, onde a alta constante
dieltrica do material deve ser utilizada. Para esta aplicao um importante por possuir
um baixo valor no fator de dissipao, tg .
67
iCV = i '
Ic
Co
I l = GC = "
Co
LaCCeF
I l = I c tg
Figura 3.7 Corrente de carregamento e corrente de perda em um capacitor.
Como uma alternativa para esta expresso, a situao ilustrada na Figura 3.7
equivalente a uma capacitncia paralela e a resistncia do circuito que pode ser

representada em termos de permissividade dieltrica ' e da condutividade dieltrica .
Como para a inelsticidade mecnica, podemos representar de vrias maneiras o fato da
inrcia do movimento das cargas que causa um tempo de atraso da corrente, seguindo o
campo aplicado e resulta em uma dissipao de energia. Tem havido grande interesse com
o poder da gerao com a constante dieltrica ' e o fator de perda dieltrico, ' tg .
Freqentemente, para aplicaes a altas freqncias, trabalha-se com a constante dieltrica
' e a tangente de perda, tg . Muitos tambm com o inverso da tangente de perda, Q = 1/

tg , que utilizado como uma figura de mrito. Tais parmetros, convenientes para
engenheiros na utilizao de determinado material e referindo a alguns diferentes
fenmenos como o desenvolvimento de materiais.
68
Como mostrada a Figura 3.5, em dieltricos utiliza-se um efeito do ponto crtico na

importncia dos diferentes fenmenos de relaxao. A perda de energia mecnica, a
mxima perda dieltrica ocorre no perodo do processo de relaxao, que equivalente ao
perodo do campo aplicado, onde o tempo de relaxao longo comparado com o perodo
do campo aplicado, onde as perdas so pequenas. De maneira similar, onde o processo de
relaxao rapidamente comparado com a freqncia do campo aplicado, as perdas so
pequenas. A variao relativa do fator de perda dieltrico, da constante dieltrica e da
condutividade dieltrica so ilustradas na Figura 3.8. Apesar da constante dieltrica
diminuir os valores de relaxao em baixas freqncias, para estes valores no relaxados
em altas freqncias, a condutividade eltrica um exemplo de idia, aumentando de zero
a baixas freqncias para valores no relaxados a altas freqncias.
Em termos de constante dieltrica , referente a polarizao espontnea P (a
constante dieltrica a altas freqncias maiores que 1/ ), a constante dieltrica complexa
LaCCeF
pode ser expressa como:
* = +
s
1 + i
(3.38)
Dividindo em parte real e imaginria, como na equao (3.31),
' = +
"=
s
1 + i 2 2
( s )
1 + 2 2
(3.39 a)
(3.39 b)
Tem-se:
tg =
" ( s )
=
' s + 2 2
(3.40)
69
LaCCeF
Figura 3.8 Espectro de relaxao da constante dieltrica, condutividade e fator de

perda para um processo de relaxao simples com um nico tempo de
relaxao.
A equao (3.38) pode ser escrita em termos da equao de Debye. A variao de
' e " em funo da freqncia pode ser determinada atravs de curvas dos parmetros
k ' e k " , como mostra a Figura 3.8. A curva de Debye para a disperso dieltrica () e a
absoro ( " ) so quase simtricas, sendo = 1. O ponto mximo na curva de absoro e
o ponto central da curva de disperso ocorrem em uma freqncia dada por max = 1 .A
equao de Debye baseia-se na hiptese de valores de polarizao, os quais podem ser
representados por uma relao do tipo exponencial com um nico tempo de relaxao.
Como conseqncia, alguns modelos podem predizer uma relao exponencial crescente
em relao polarizao atravs da aplicao de um campo eltrico alternado (c.a.) para a
disperso dieltrica, sendo a forma da curva de absoro dada pelas equaes (3.39) e
(3.40).
70
Para a maioria dos materiais, os dados experimentais no so bem descritos pela

equao de Debye. Antes, a disperso da constante dieltrica ocorria num intervalo de
freqncia superior e a curva de absoro apresentava-se estendida como mostrado na
Figura 3.8. Em geral, tais diferenas para o mesmo tempo de relaxao associam-se ao fato
de que as fases condensadas em um meio com diferentes ons no so idnticas. Mesmo no
cristal, a magnitude da interao entre ons e a variao trmica no so idnticas para
todas as fases ou tempos de relaxao. Como conseqncia, o cristal parece ressonante
numa propagao do tempo de relaxao, distribudo durante a maior parte do tempo de
relaxao.
A variao no meio de diferentes ons relativos a vidros e cristais pode ser utilizada
para explicar a extenso do tempo de relaxao, usualmente necessrio para descrever o
fenmeno de relaxao em materiais amorfos.
Em cristais uma distribuio do alcance finito pode ser esperada em lquidos, onde
LaCCeF
o comportamento finito similar ao modelo predito observado por um nico tempo de

relaxao.
Para a distribuio do tempo de relaxao, a equao (3.38) torna-se:
* = + ( s -
) 0 G ()d
1 + i
(3.41)
onde, G () a distribuio do tempo de relaxao, sendo G () d a frao da espcie sob

relaxao para um determinado intervalo de tempo do relaxao entre e + d. Uma
funo com simetria do tipo gaussiana pode ser assumida pelo parmetro G (), sendo
representada como:
G ( )d =
2 2
e b z dz
(3.42)
onde, b e z (= ln(/o)) so constantes, sendo o a maior parte do tempo de relaxao.

Apesar das curvas de perda dieltrica, para muitos materiais, compreenderem um
grande intervalo de freqncia e serem preditas pelas equaes de Debye, estas usualmente
no exibe a simetria esperada para uma distribuio do tipo gaussiana do tempo de
relaxao.
71
Em trabalhos encontrados na literatura, dados experimentais indicam que perdas

dieltricas exibem comportamento assimtrico a altas freqncias, com base nas perdas
mximas de superfcie (a perda em freqncias de 100max maior que em uma freqncia
de max/100).
3.2.6 Fora Dieltrica

Uma importante propriedade dos materiais dieltricos sua habilidade em resistir a
uma grande intensidade de campo eltrico, contanto que seja menor que o campo eltrico
de ruptura. Em baixas intensidades de campo aplicado, ocorre uma certa condutividade
c.c., a qual corresponde a mobilidade de um nmero limitado de portadores de carga
relacionados s imperfeies inicas e eletrnicas. Quando a intensidade do campo
LaCCeF
aumenta, tal condutividade c.c. tambm aumenta, alcanando valores suficientemente

elevados. No incio da aplicao do campo, os eletrodos podem disponibilizar eltrons
suficientes para uma ruptura da corrente, que produzo canais de ruptura, vacncias
dentadas, ou metal dendrite que atravessa o dieltrico. Diversos processos podem
contribuir para tais fenmenos de ruptura dieltrica, sendo que diferentes medidas induzem
a uma considervel disperso nos resultados.
Para um cristal simples testados em eletrodos, valores acima de 10000 V/mm
(aproximadamente 4x106 V/cm) so observados. Para cermicas policristalinas polifsicas

testadas atravs de tcnicas usuais fora das precaues extensivas, valores to baixos
quanto
100
V/mm
podem
ser
observados
em
intervalos
de
temperatura
consideravelmente baixos valores em altas temperaturas. Para muitas aplicaes,

particularmente em intervalos de altas temperaturas, baixos valores de fora dieltrica so
observados.
72
3.3 Constantes Dieltricas em Cristais e Materiais Vtreos

A constante dieltrica observada em cristais ou em amostras vtreas, as quais
contribui para as polarizabilidades de orientao eltrica, inica e dipolar. As contribuies
apresentadas na Figura 3.5, constituem as principais contribuies em intervalos de
freqncias pticas. Atravs da comparao com a equao de Lorentz, a equao (3.23) e
a equao de Clausius Mosotti, equao (3.23), tem-se que a intensidade da constante
dieltrica relativa igual ao quadrado do ndice de refrao:
k 'e = n 2
(3.43)
Para um cristal do tipo silicato ou vtreo, n = 1,5, de modo que k seja igual a 2,25.
Em comparao, um tpico valor de k a baixas freqncias compreende valores no
LaCCeF
intervalo de 5 a 10, indicando em aproximadamente um tero da polarizabilidade

correspondente a usuais processos dieltricos em estruturas de silicatos.
Para materiais que exibem altos ndices de refrao, a polarizabilidade eletrnica
aumenta. Um exemplo o xido de brio, para o qual ke equivalente a n2, assumindo

valores prximos a 4. Para materiais com altas constantes dieltricas, os quais contribuem
para proteo da parte eletrnica, os valores de constante dieltrica assumem valore
prximos a 34. Em contraste aos para cristais inicos, estruturas covalentes no exibem
mecanismo para a polarizabilidade inica. Este ilustrado em germnio, por exemplo,
com ke = n2 = 16.
3.3.1 Polarizabilidade Inica

A polarizabilidade inica ocorre devido ao deslocamento de ons com sinais
opostos para novas posies dentro da rede cristalina, sob a atuao de um campo,
induzindo a deformaes na clula unitria.
Para ons que podem ser considerados como uma esfera rgida, o momento de
dipolo por molcula pode ser representado por ze (+ - -), sendo ze a carga inica e + e os deslocamentos a partir das posies de equilbrio.
73
Para a estrutura do cloreto de sdio (NaCl), o volume por clula unitria dado por
2a3, onde a a dimenso da clula unitria. Isto pode ser demonstrado para a estrutura
cristalina do cloreto de sdio, para a qual um campo eltrico uniforme E induz a um
deslocamento inico dado por:
'+ ' =
zeE 1
vo 2 mCl
1
m Na
(3.34)
onde, vo a freqncia da vibrao na regio do infravermelho e, mCl e mNa so as massas

dos ons cloreto e sdio, respectivamente. Esta relao permite o clculo do deslocamento
ionico, resultando em um momento de dipolo por molcula (equao 3.13). O resultado
obtido para o cloreto de sdio uma constante dieltrica inica, k1 3, qual prxima
aos valores experimentais, k1 = k ke = 5,62 2,25 = 3,37. Tais parmetros so
LaCCeF
calculados considerando-se um modelo de esferas rgidas para o cloreto de sdio. Estas so

trs das maiores partes dos silicatos e aluminatos de interesse em cermicas para a
constante dieltrica no intervalo de 5 a 15.
Para ons altamente polarizveis, esta uma contribuio adicional para os valores
de constante dieltrica, resultando em uma deformao na parte eletrnica externa

seguindo o deslocamento inico. Tal contribuio dificilmente calculada, porm pode ser
qualitativamente determinada, sendo de crescente importncia para ons que so
polarizados e para estruturas para as quais possvel considerar a deformao gerada pelo
deslocamento dos ons. Deste modo, encontra-se a relao entre a constante dieltrica
baixa freqncia e a constante dieltrica ptica. A razo k/ke, prxima a 2,5 para o
cloreto de sdio e aproximadamente 8,5 para o xido de brio (BaO). A constante
dieltrica depende da temperatura para um grande nmero de cristais slidos, alm de
gases de interesse em cermicas, as quais so listados na Tabela 3.1.
74
Tabela 3.1- Valores de Constante Dieltrica para alguns materiais.

Constante Dieltrica em alguns Cristais e Gases em 25 C e 106 Hz
k"
Material
K
Tan =
k'
LiF
MgO
KBr
NaCl
TiO2 ( eixo-c)
TiO2 ( eixo-c)
Al2O3 (eixo-c)
Al2O3 ( eixo-c)
BaO
KCl
Diamante (C)
Mulita (3Al2O3.2SiO2)
Mg2SiO4 (forsterita)
Slica vtria fundida (SiO2)
Gs Vycor (96 SiO4 4 B2O3)
9,00
9,65
4,90
5,90
170,0
85,8
10,55
8,6
34,0
4,75
5,68
6,60
6,22
3,78
3,85
0,0002
0,003
0,0002
0,0002
0,0016
0,0002
0,0010
0,0010
0,001
0,0001
0,0002
0,0003
0,0001
0,0008
LaCCeF
3.3.2
Salto na Polarizao Inica
Os efeitos da orientao da polarizao so de grande relevncia tanto em lquidos
como molculas de gua, quanto a molculas slidas e gasosas. Tal parmetro ocorre em
materiais vtreos e em cristais, para os quais existem duas ou mais posies equivalentes
para os ons. Esta uma grande possibilidade quando se considera cristais slidos
associados a vacncias e a valncia dos ons. Por exemplo, a adio de pequenas
quantidades de cloreto de clcio a um cristal de KCl induz um aumento na concentrao de
vacncias de ctions. Esta uma tendncia para os ons Ca2+ em cristais, sendo associados
a uma vacncia de on positivo e a pares de momentos de dipolo. Quando um campo
eltrico aplicado, a vacncia de Ca2+ pode permutar entre diferentes posies atravs de
um simples salto do ction para uma posio adjacente. Tal processo mostrado de
forma esquemtica na Figura 3.9.
75
+
+
+
+
+
+
+
+
Figura 3.9 Reorientao de pares de vacncia na rede cristalina. Outros pares de defeitos
em cristais fornecem resultados similares.
A polarizabilidade mdia por partcula para este processo dada por:
1 ( zed )
j =
1 + i kT
(3.45)
LaCCeF
onde, d a distancia entre as duas posies atmicas, ze a carga do on, e o tempo de

relaxao para o processo de conduo (salto).
Considerando a equao para a constante dieltrica complexa, (k* = k ik), tem-
se
k * 1 N
n
=
e + i + j
k * +2 3 o
N
(3.46)
onde, n o nmero de pares de ons. N o nmero de ons por unidade de volume, e o a

permissividade do vcuo igual a 8,85 x 10-12 F/m.
Um efeito similar pode ocorrer em gases onde existem posies mltiplas para um
mesmo on dopante, o qual no pode contribuir para a condutividade c.c.. Tal idia est
ilustrada na Figura 3.10, que mostra duas posies equivalentes que um on dopante pode
ocupar. O deslocamento de cargas ocorre atravs de um intenso salto do tomo prximo
a posio de equilbrio.
76
Figura 3.10 Fonte de potencial em estrutura vtrea.
Estes efeitos observados em cristais no dependem da temperatura, porm podem

ser utilizados como ferramenta til para a investigao do fenmeno de relaxao. Em
gases, tal processo gera um aumento moderado na constante dieltrica a baixa freqncia.
Para o sistema carbonato de sdio-xido de clcio-silicato vtreo, por exemplo, a constante
LaCCeF
dieltrica aumenta de 6,90 a 1 MHz para 8,30 a 100 MHz. Considerando a fuso do gs
slica, a constante dieltrica de 3,78 verificada independente da freqncia no intervalo
de 102 a 1010 Hz. O efeito pronunciado em gases de silicato de sdio em que para uma
composio de 30Na2O-70SiO2 a constante dieltrica aumenta de 8,5 a 106 Hz para 18 a
102 Hz. Como pode ser esperado com base no tamanho do on, para a razo da taxa de mol
constante, o efeito diminui na ordem Li+>Na+>K+>Rb+.
3.3.3 Efeitos da Freqncia e da Temperatura

Para os valores de polarizao eletrnica e inica, o efeito da freqncia
desprezvel em freqncias acima de 1010 Hz. De forma similar, o efeito da temperatura
sobre a polarizao eletrnica e inica baixo. Em alta temperatura, h um aumento da
contribuio devido mobilidade inica e a mobilidade das imperfeies do cristal
(Figuras 3.9 e 3.10). Assim, em alta temperatura os efeitos da condutividade c.c.,
aumentam espontaneamente com a temperatura.
A associao entre os efeitos dada por uma rpida elevao da constante dieltrica
em baixa freqncia com o aumento da temperatura, correspondente aos efeitos de
orientao do salto inico e os efeitos da carga espacial, resultando em uma crescente
concentrao dos portadores de carga.
77
Os efeitos dos portadores de carga geram um aumento na constante dieltrica em

cristais simples e vtreos, a qual depende de forma crtica do material usado como
eletrodos, efeitos de polarizao nos eletrodos, e a carga espacial de resultante. Para as
reaes de condutividade inica no eletrodo necessrio que na superfcie do eletrodo
obtenha uma fonte de dissipao de portadores de carga. Tal reao no pode possuir um
nmero elevado de portadores de carga vindo ou partindo de um eletrodo durante cada
parte do ciclo, pois resultar em um aumento da polarizao e da constante dieltrica
aparente. Em geral, isto verificado em solues aquosas em que muitas das medidas da
constante dieltrica so portadoras em freqncia acima de 1000 Hz, para evitar esta
espcie de efeito de polarizao do eletrodo.
A combinao dos efeitos de temperatura e freqncia so ilustrados para o xido
de alumnio na Figura 3.11 e para o sistema carbonato de sdio-xido de clcio silicato
vtreo na Figura 3.12.
LaCCeF
20
103 Hz
15
k' = _ ' 10
o
106 Hz
100
20
300
400
500 600
Temperatura ( C)
Figura 3.11 Efeito da freqncia e da temperatura sobre a constante dieltrica no cristal

de Al2O3 com o campo eltrico normal ao longo do eixo-c.
78
20
5 x 102 Hz
15
104 Hz
10
8 x 104 Hz
0
0
100
300
200
oC)
Temperatura (
400
LaCCeF
Figura 3.12 Efeitos da freqncia e da temperatura na constante dieltrica no sistema

carbonato de sdio xido de clcio silicato vtreo.
A altas temperaturas so plotadas am comparao com a freqncia, elas possuem
um aumentando da constante dieltrica aparente em baixa freqncia, devido ao eletrodo

de polarizao. Como conseqncia, no depende apenas da propriedade do material, mas
tambm do eletrodo utilizado para as medidas e possveis aplicaes.
79
3.4 Perda Dieltrica em Cristais e Vidros

A potncia dissipada em um isolante ou capacitor diretamente proporcional ao
fator de perda dieltrica, tg . Assim, tal fator o grande interesse para muitas
aplicaes em materiais cermicos. Certamente, uma das vantagens em usar cermicas
como dieltricos que tal fator de perda pequeno em comparao com outros materiais
disponveis, tais como os plsticos. As perdas de energia em dieltricos resultam de trs
processos primrios:
1. Perda devido ao deslocamento inico.
a. Perda devido condutividade c.c.
b. Perda devido relaxao dipolar dos ons.
2. Vibrao dos ons e perdas devido deformao.
LaCCeF
3. Perda devido polarizao eletrnica.
As perdas devido polarizao eletrnica induzem uma elevao na absoro e
colorao do espectro visvel. A vibrao dos ons e as perdas devido deformao

tornam-se importantes na regio do infravermelho, no sendo de grande interesse para
valores de freqncia prximos e abaixo de 1010 Hz. Um dos fatores mais relevantes para o
uso de cermicas a perda devido ao deslocamento inico, a qual tende a aumentar em
baixa freqncia com o aumento de temperatura.
O fator de perda pode ser representado em termos da condutividade eltrica como:
" = = ' tg
(3.47)
Sendo escrito de forma mais completa de acordo com a equao abaixo:
tg =
=
2fk' o (8,85 10 14 )(2f )k'
(3.48)
onde, a condutividade dada em unidades de (-cm)-1. Em geral, tais perdas devido ao

processo de conduo so pequenas.
80
Para o sistema carbonato de sdio-xido de clciosilicato vtreo tem-se que =

10-12 (.cm)-1 e k= 9 para uma freqncia de 1000 Hz. A tg pode ser calculada como 20
x 10-4, o que corresponde a um valor experimental abaixo de 250 x 10-4. Em geral, as
perdas por conduo so pequenas em freqncia de 100 Hz, aumentando em um intervalo
de temperatura constante para o sistema carbonato sdio-xido de clcio silicato vtreo,
porm so muito importantes em baixa freqncia e alta temperatura.
Como indicado na equao (3.48), o fator de perda aumenta em baixas freqncias,
sendo inversamente proporcional a freqncia. Em geral, a relaxao devido a saltos dos
ons entre dois stios equivalentes responsvel pelo amplo fator de perda dieltrica em
cristais e vidros para freqncias moderadas. O tempo de relaxao para o salto de um
determinado tomo dado por , sendo que a energia de perda mxima ocorre para uma
freqncia igual ao salto de freqncia, 1/. Uma vez que a freqncia do campo
alternado aplicado muito pequena no salto de freqncia, o deslocamento atmico dos
LaCCeF
tomos na direo do campo e a perda de energia so pequenos. De forma similar, a

freqncia do campo aplicado muito grande no salto da freqncia, os tomos no esto
em disposio para o salto em sua totalidade, e as perdas so pequenas. As expresses
resultantes a em , , e tg so dadas nas equaes (3.38) e (3.40).
Para um salto inico (Figura 3.10) o salto de freqncia correspondente depende
da barreira de energia que separa as duas posies do on. A ttulo de simplificao

assume-se que o tempo de relaxao dado por:
U
= o exp
kT
(3.49)
onde, o o perodo de vibrao atmica, da ordem de 10-13 segundos.

Os valores da energia de ativao podem variar consideravelmente, porm similar
para o processo de migrao, sendo da ordem de 1,7 eV, fornecendo uma perda mxima
superior no intervalo correspondente ao espectro de 103 a 106, numa regio de interesse
particular para muitas aplicaes dieltricas.
81
A vibrao do on e a perda devido deformao tornam-se importantes nos

intervalos de temperatura somente em freqncias correspondem ao infravermelho em 1012
para 1014 Hz. Alm disso, esta extenso da freqncia normalmente importante para em
aplicaes eletrnicas. Este processo torna-se aparente para medidas em altas freqncias,
1010 Hz.
O valor total para tg dado pela soma das contribuies individuais. Em
determinados intervalos de temperatura, os resultados da curva para materiais vtreos ou
cristalinos que esto relacionados s impurezas ou defeitos como ilustrado na Figura 3.13.
Em baixas freqncias a perda por conduo torna-se relevante, sendo que em freqncias
moderadas o on salta e as perdas dipolares tornam-se importantes. Em freqncias
intermedirias as perdas dieltricas so pequenas. Para altas freqncias o efeito da
polarizao inica gera uma absoro de energia.
Para um isolante, a condutividade aumenta exponencialmente com o aumento de
LaCCeF
temperatura. Como conseqncia, para este processo espera-se que a tg aumente

exponencialmente com a temperatura, como indicado na equao (3.48).
Total
tg
100
Pico de relaxao do on
Vibrao e
deformao de on
Conduo
102
104
106
108 1010
Frequncia (Hz)
1012
1014
Figura 3.13 Efeito de diferentes mecanismos de perdas dieltricas sobre a tg em

intervalos de temperatura
Um parmetro significante para o aumento da tg no sistema carbonato de sdioxido de clcio-silicato vtreo indicado na Figura 3.14, sendo que tal parmetro
corresponde perda por conduo.
82
A condutividade gera uma elevao na curva com um campo alternado (c.a.), o qual
est em fase com a voltagem e gera perdas dieltricas que so independentes de
mecanismos de absoro. Para uma compresso em um dieltrico vtreo, representado por
uma resistncia R (equivalente a uma resistncia do tipo c.c.) em paralelo com um
capacitor de capacitncia C, a tg em um campo alternado inversamente proporcional
freqncia, a saber:
tg =
1
RC
(3.50)
Em alguns intervalos de temperaturas, tal perda por conduo relativamente baixa

quando comparada com outras perdas, para uma freqncia menor que 50 e maior que 100
Hz.
Um exemplo o carbonato de sdio-xido de clcio-slicato vtreo, o qual possui
LaCCeF
resistividade prxima a 1012 Hz Ohm.cm e uma constante dieltrica de 9 para uma

freqncia de 103 Hz, sendo que a tg exibe valores abaixo de 2 x 10-5, o que
considerado como um valor pequeno para a tg . Em contraste, para uma temperatura de
200 C, onde a resistividade est abaixo de 2 x 107 Ohm.cm, a tg so unidades de perdas
por conduo c.c. em unidades abaixo, quando comparada a extenso em perdas no
material. Em geral, as perdas por conduo em vidros tornam-se importantes a
temperaturas elevadas, com o aumento da condutividade c.c. e em baixas freqncias.
83
10
Slicato vtreo fundida
5 x 10 2
5 x 10 3 10
1.0
tg
8x
102 103
104
104
0.1
0.01
0.001
0.0001
Carbonato de sdio xido de clcio Slicato vtreo
100
200
300
400
500
Temperatura (oC)
LaCCeF
Figura 3.14 Aumento da tg com o aumento da temperatura para o sistema carbonato

de sdioxido de clciosilicato vtreo e para silicatos vtreos fundidos.
Para o processo de salto inico com uma nica energia de ativao, tal energia de
pode ser derivada de uma determinao simultnea com dependncia da tg em

temperaturas ou freqncias, utilizando as equaes (3.40) e (3.49). Esta afirmao foi
concluda para perdas dieltricas por J. Van Keymeullen e W. D. Dekeyser, onde
determinaram valores da tg em intervalos freqncias em diferentes temperaturas. Tais
valores so mximos em diferentes freqncias correspondendo a valores de = 1, onde
a energia de ativao descrita pela equao 3.49 pode ser determinada pelo grfico log
max x 1/T. Os resultados so ilustrados na Figura 3.15. Estes autores descobriram para um
par de ons formado por uma substituio de um on de alumnio por um ction bivalente,
formao de vacncias em um stio de hidrxido normalmente ocupado. Experimentos
similares podem ser descritos em cloreto de sdio dopado com diversos ons bivalentes
(M2+).
84
(a)
Figura 3.15
(b)
(a) tg versus freqncia em diferentes temperaturas e (b) log max

versus 1 / T .
LaCCeF
As perdas dieltricas em monocristais so pequenas e determinadas por impurezas
inferiores que no podem ser extensivamente ou satisfatoriamente investigadas, exceto

para casos especiais. Em contraste, as perdas dieltricas em materiais vtreos variam em
uma amplo intervalo, mostrando uma relao similar com a estrutura e composio vtrea.
A natureza das modificaes dos ctions possui um efeito relevante na perda
dieltrica de vidros. Por exemplo, a magnitude da mobilidade dos ons alcalinos obedece a
ordem Li+ > Na+ > K+ > Rb+. Um exemplo o vidro com composio 53,3 % de SiO2, 32
% de M2O, 10,2 % de PbO3 e 4,5 % de CaF2, com valores para a tg (em 1,5 x 106 Hz) de
0,0132 para o ltio, 0,0106 para o sdio e 0,0052 para o potssio. Em geral, a substituio
de ons bivalentes como o xido de brio, admitem formulaes alcalinas ressonantes com
baixa fuso dos vidros, possuindo baixos valores de tg . Vidros com 20 % a 30 % de BaO
ou de 30 % a 50 % de PbO possuem valores de tg abaixo de 0,0005.
Em adio, o uso de ons bivalentes apenas com modificadores, efetivo em
pequenas quantidades, como srie de ons; tais dopantes prevem a mobilidade dos ons
alcalinos pela completa adio de stios crticos, onde os ons alcalinos passam
normalmente.
85
A Figura 3.16 mostra a variao da tg para o silicato vtreo alcalino de xido de

sdio
que
substitudo
por
xido
de
magnsio.
Pequenas
adies
de
oxido de sdio tem pouca influencia e aumentam o fator de perda, desde que a migrao do
sdio (Na+) esteja bloqueada por ons magnsio (Mg2+).
LaCCeF
Figura 3.16 Variao dos parmetros tg e k em funo da substituio de MgO e

Na2O no silicato vtreo.
Alguns valores tpicos do fator de perda dieltrico observado em monocristais
vtreos so dados na Tabela 3.1. Como discutido tais valores so geralmente inversamente
proporcionais condutividade. A tangente de perda (tg ) dependente da freqncia para
alguns vidros caractersticos, como mostrado na Figura 3.17.
86
0,1
tg
0,01
Carbonato de
sdio-slica de
xido de clcio
xido de clcioalumina-slica
hidrxido de potssio-chumbosilicato
0,001
slica fundida
0,0001
101 102 103 104 105 106 107 108 109 1010 1011 1012
Frequncia (Hz)
Figura 3.17 Variao da tg em funo da freqncia para alguns silicatos vtreos.
LaCCeF
Estudos sobre perdas dieltricas podem ser importantes no nmero de sada em
vidros xido do sistema. H.E. Taylor estudou um nmero de silicatos vtreos de sdio
como um tpico sistema carbonato de sdioxido de clciosilicatos vtreos em um
intervalo de freqncia e temperatura superiores. Posteriores perda por conduo obtmse curvas de disperso e absoro (Figura 3.18), as quais so amplas, onde so preditas por
um modelo com um nico tempo de relaxao (equaes 3.39 e 3.40). Estes dados tambm
eram verificados em diferentes temperaturas, onde pode ser sobreposta ao longo do
deslocamento da curva no eixo da freqncia por resultados calculados conforme a energia
de ativao e temperatura. Estes resultados indicam os tempos de relaxao diferentes em
vrias ordens de magnitude e so caracterizadas por vrias energias de ativao. Tal
energia de ativao similarmente prxima conduo tipo c.c. em alguns vidros, tambm
verificada em curvas de perda dieltrica para todos os vidros e podem ser observadas em
uma escala reduzida. A escala de freqncia baseia-se em mx, a freqncia de perda
mxima, sendo a perda em escala de s - . Uma curva mostrada na Figura 3.19
indicando a distribuio de tempos de relaxao na maior parte dos vidros mencionados.
87
Os dados da Figura 3.19 so indicados em um intervalo de alta freqncia onde

compreende oito dcadas de freqncia alm do pico. Isso permite o equilbrio para a
contribuio de outros mecanismos de perda em alta freqncia e indicam resultados
relacionados s perdas de relaxao inica que envolve um intervalo de freqncia.
LaCCeF
Figura 3.18 Disperso dieltrica e curva de absoro, correspondendo condutividade

em corrente contnua c.c., para em sistema composto tipicamente por
carbonato de sdiooxido de clciosilicato vtreo.
Algumas das composies investigadas por Taylor do subseqncia a
demonstrao da pronunciada fase de separao, mas resultados semelhantes so obtidos
em uma variedade de outros gases, onde ambos so homogneos e possui uma fase de
separao. Os efeitos da fase separao em perda dieltrica so investigados por R.J.
Charles em vidros no sistema de Li2OSiO2. Para um gs contendo 6.7% de mols de Li2O,
caracterizado por uma sub-microestrutura distinta contendo uma segunda fase e so
verificados dois picos na perda dieltrica versos a relao da freqncia. Para outras
composies investigadas, algumas so caracterizadas pela interligao morfolgica da
segunda fase e algumas pela homogeneidade, no possuem traos caractersticos de submicroestrutura, somente em um nico pico de perda observado.
88
Figura 3.19
Curva de perda dieltrica reduzida para alguns materiais vtreos. Vidro 1:

0,12
Na2O,88SiO2;
vidro
4:
0,24Na2O.0,76SiO2;
vidro
18:
0,10Na2O.0,20CaO.0,70SiO2; vidro 19: 0,18Na2O. 0,10CaO.0,72SiO2.

A parte descrita das derivadas do tempo de relaxao obtida por mudanas
LaCCeF
empricas na equao (3.38), de modo a obter uma constante dieltrica skewed

(destorcida):
* = +
s
(1 + i )
(3.51)
Onde, * a permissividade complexa.
Para vidros silicatos-alcalinos observados, os valores de compreende o
intervalo de 0,21 a 0,29. Cole e R.H Cole descreveram dados de relaxao dieltrica em
uma variedade de materiais, considerando um processo de relaxao envolvendo difuso
dos defeitos nas espcies relaxantes. Embora este modelo no possa ser aplicado
diretamente para processos de perda em vidros xidos que envolvem o de deslocamento
local modificando os ctions, atuando de forma ressonante na relaxao de um dado on
dependente de outros stios vizinha com vacncia e a probabilidade do on relaxante
aumenta quando um stio vizinho torna-se vago por difuso adicional ou processo de
relaxao, deste modo introduzindo uma forma apropriada no processo de relaxao. Em
alguns casos, deve ser enfatizado em distribuies observadas em tempos de relaxao que
no podem refletir, correspondendo distribuio dos processos moleculares.
89
3.5 Condutividade Dieltrica

O fenmeno de perda dieltrica pode ser descrito conforme um modelo de
condutividade do tipo c.a em slidos [1]. Tal modelo est de acordo com a equao (3.47),
a qual define a condutividade eltrica como ( = ). Como ilustrado na Figura 3.8, a
condutividade aumenta com a freqncia. Neste caso, um conjunto de expresses
matemticas alternativas para o comportamento do material pode ser formulado para a
condutividade. Para aplicaes cermicas, tal corrente carregada particularmente
importante quando determinada a condutividade de vidros em baixas temperaturas.
Aproxima-se do intervalo de temperatura de correntes de cargas irregulares, resultando em
um salto inico ou em alguns saltos inicos que no contribuem para a condutividade c.c.
do chumbo em tempos de relaxao. Como resultado, a medida da condutividade depende
da freqncia utilizada, medidas c.a. fornecem maiores valores que medidas c.c. Em altas
LaCCeF
temperaturas, a frao de ons que contribuem para a condutividade c.c. torna-se prxima
igualdade para a frao contribuda para a condutividade c.a., se no existir uma camada
bloqueada nos eletrodos. Como resultado, em temperaturas acima de 250o, as medidas de
condutividade c.a. e de condutividade c.c. so comparveis. Tal efeito para um sistema de
composio carbonato de sdiooxido de clciosilicato vtreo mostrado na Figura 3.20.
Figura 3.20 Resistividade para um sistema de composio carbonato de sdioxido

de clcio silicato vtreo medida por diversos mtodos.
90
3.6 Cermicas Policristalinas e Polifsicas

Para a compreenso do comportamento da maioria dos materiais cermicos,
policristalinos e polifsicos, faz necessrio entender ou considerar um monocristal para
compreender os efeitos de contorno de gro, porosidade e fase da mistura. Isto requer
primeiro, consideraes de propriedades dieltricas de misturas e segundo, consideraes
da polarizao espacial de cargas que pode resultar de misturas de componentes contendo
diferentes resistividades.
3.6.1 Misturas
As misturas de um dieltrico ideal podem ser considerada com base em camadas de
LaCCeF
materiais, sendo qualquer camada em paralelo a um campo normal aplicado (Figura 3.21).
Quando as camadas esto em paralelo s placas do capacitor, a estrutura corresponde a
elementos capacitivos em srie e o inverso das capacitncias so aditivos, como ocorre
para o inverso da condutividade ( = k). Dessa forma:
1 1 2
=
+
k ' k '1 k '2
1 1 2
=
+
k " k "1 k "2
(3.52a)
(3.52b)
onde, 1 e 2 so as fraes de cada fase, correspondente a espessura relativa da placa . Em

contraste, quando os elementos da placa so arranjados de forma normal s placas do
capacitor, o campo aplicado semelhante para cada elemento. Deste modo, a capacitncia
pode ser representada pela soma:
k ' = 1k '1 + 2 k '2
(3.53a)
k " = 1k "1 + 2 k "2
(3.53b)
91
As equaes (3.52a, 3.52b,3.53a e 3.53b) so casos especiais em uma relao

emprica. Assim:
k n = i kin
(3.54)
onde, n (-1 na equaes 3.52a e 3.52b e +1 nas equaes 3.53a e 3.53b) e i a frao em
volume de fase i. Como n aproxima-se de zero, k igual a (1 + n log k), de modo que:
log k = i log ki
(3.55)
Onde so dados alguns valores intermedirios entre os extremos ilustrado na equao

(3.52a e 3.52b) e (3.53a e3.53b).
LaCCeF
Eletrodos
Dieltrico
(a)
(b)
Figura 3.21 Configurao de camadas contendo dieltricos am capacitores.
Representando a constante dieltrica por km, Maxwell derivou a relao abaixo:

2 k'
m k 'm + d + d k 'd
3 3k '
m
k'=
2 k 'd
m +
3 3k '
(3.56)
92
Como mostra a Figura 3.22, se tal relao chip for precisa para a expresso
logartmica, equao (3.55), a fase dispersa possui uma constante dieltrica mais elevada
do que a matriz da material.
A. Buchner obteve alguns dados para o TiO2, a qual possui uma alta constante
dieltrica, com uma mistura de diversos materiais com matrizes obtendo um bom teste para
a relao ship. Como mostrado na Figura 3.23, a configurao geomtrica de partculas de
TiO2, em uma matriz contnua aparentemente controlada. Para estas misturas e o
equilbrio da maior parte da variao entre a constante dieltrica pequeno, sendo
demonstrando resultados similares no logaritmo da ralao ship na equao (3.56). Para a
mistura TiO2, aparentemente com um resultado da microestrutura e porosidade, as quais
no so descritas, as equaes (3.52) na maior parte descreve os resultados experimentais
de forma adequada. Se os dados da microestrutura so avaliados, estes so preferveis para
interpretar a constante dieltrica em termos das estruturas observadas, (equao 3.56).
LaCCeF
Figura 3.22 Expresses para a constante dieltrica resultante em diversas misturas e
dois dieltricos.
Esta condio inferior a regra da mistura logartmica (equao 3.55), que
simples e representa experimentalmente.
93
A porosidade um exemplo de propriedade importante em que a fase de baixa

constante dieltrica dispersa em uma matriz de alta constante dieltrica. A equao (3.53)
ou (3.56) satisfatria para a pequena porosidade encontrada. Utilizando-se a equao
(3.53), podem-se encontrar resultados satisfatrios. Se a fase slida e suas distribuies de
constante dieltrica caracterstica so conhecidas, estas podem ser combinadas de maneira
adequada para corrigir a frao em volume de porosidade. Na Figura 3.24, a constante
dieltrica de um TiO2 policristalino decresce com o aumento da porosidade. Alguns
exemplos de decrscimo da porosidade com aumento do tempo de aquecimento
observado, indicando a passagem da superfcie do contorno de gro resultando em uma
tenso no contorno. A variao na microestrutura na amostra ilustrada em intervalos de
valores verificados em algumas porosidades particulares.
LaCCeF
Figura 3.23
Comparao entre dados experimentais e expresses tericas para

constantes dieltricas de misturas com duas fases.
Dados experimentais so insuficientes, mas eles so probabilidades em TiO2

dados de argila na Figura 3.23, embora a equao (3.56) apresente certas fraes de
porosidade. Uma frao do poro de 15 a 20% no inteiramente compreendido. Este
exemplo de preciso para um simples descrio e a avaliao microestrututal para
interpretar as propriedades dos materiais cermicos.
94
LaCCeF
Figura 3.24 Efeito da porosidade na constante dieltrica de TiO2 policristalino.
A maioria das composies cermicas consiste de fases cristalinas dispersas em
uma matriz vtrea ou separada por uma camada vtrea limitante. Como resultado, suas
propriedades so intermedirias entre monocristais vtreos. Em geral, as medidas de
constante dieltrica e do fator de perda aumentam com a temperatura, particularmente em
baixas freqncias. Dados tpicos para uma composio de esteatita e para uma porcelana
so ilustrados nas Figuras 3.25 e 3.26. A parte vtrea a principal contribuio para perda
dieltrica [2], e a composio da fase vtrea deve ser cuidadosamente controlada para a
obteno de baixas perdas cermicas. Este habitualmente feito para evitar o uso do
feldspato e outros fluxos alcalinos, substituindo misturas de argila, talco (silicato de
magnsio), e xidos matrias alcalinos.
95
LaCCeF
Figura 3.25
Constante dieltrica e tg para uma cermica esteatita em extenses
superiores de temperatura e freqncia.
3.6.2 Classes de Dieltricos
A maioria das cermicas podem ser classificada como (1) materiais isolantes, as
quais possuem uma constante dieltrica abaixo de 12, (2) capacitor dieltrico com
constante dieltrica acima de 12 e (3) cermicas ferroeltricas e ferromagnticoas. Uma
parte do primeiro grupo consiste em isolantes de baixas e altas tenses eltricas compostas
principalmente por porcelanas de argila triaxiais e feldspato. Estes isolantes so baratos e
so facilmente manufaturados para aplicaes de alta voltagem e absoro de gua, sendo
de ordem zero para proteger a alta fora dieltrica e tambm a alta fora mecnica. Esta
menos importante para aplicaes de baixa tenso, embora verifica-se um aumento
vantajoso na qualidade. Um segundo grupo de materiais desta classe a porcelana de alta
temperatura, utilizada como apoio para elementos de aquecimento eltrico; estes devem ser
livres de deformao de cargas mecnicas inferiores e possurem uma alta resistividade
operando em altas temperaturas. Para estes, na fase vtrea devem ser protegida para um
mnimo, e na maior parte a perda dos produtos porosos so geralmente utilizados.
96
Uma importante aplicao como descarga eltrica de plugues para alta

compresso de automveis e instrumentos de aeronaves. Estes exibem alta resistncia
trmica e eltrica e operam em temperaturas de aproximadamente 1000 oC.
Para aplicaes com isolantes de alta freqncia, os produtos verificados so os de
dimenses estveis, possuindo considervel fora mecnica e baixo fator de perda. O fator
de perda em esteatita utilizado na maior parte das aplicaes, a qual incomparvel
devido a economia no processo de produo, como por exemplo tem-se a produo de
talco. Os produtos resultantes consistem de clinoestatita, ou de formas polimrficas, em
uma matriz vtrea. Para baixas perdas dieltricas, a cermica forsterita contendo Mg2SiO4
utilizada. O elevado coeficiente de expanso prejudicial ao colapso trmico, porm
vantajoso para a formao de proteo para o metal cermico, contanto que permita a
unio entre alguns ons e a liga de nquel-ferro. Outras fases cristalinas utilizadas so o
zirco (ZrSiO4) e a cordierita (Al3(Mg,Fe)2Si5AlO18). Ambos os materiais possuem um
LaCCeF
baixo coeficiente de expanso e conseqentemente uma excepcional resistncia ao choque

trmico.
Figura 3.26 - Constante dieltrica e tg para uma porcelana alumina em funo da

temperatura e da freqncia.
97
3.6.3 Polarizao de Carga Espacial

Agregados policristalinos e polifsicos exibem polarizao interfacial ou de carga
espacial, as quais deve-se a diferenas na das diversas fases presentes. Tal polarizao
resulta de uma heterogeneidade, sendo relevante para as composies semelhantes a
semicondutores frricos, nos quais a condutividade aprecivel. O mesmo aplica-se para
materiais policristalinos e polifsicos a altas temperaturas. Tal caracterstica associada a
uma alta constante dieltrica, gera um pico no fator de perda.
Para uma configurao com duas camadas, as quais apresentam diferentes
condutividades, como mostrado na Figura 3.21a, o movimento das cargas portadoras
ocorre de maneira fcil e direta em uma fase, porm interrompido quando alcana uma
fase limite. Esta causa um desenvolvimento nas interfases, correspondendo a uma grande
polarizao e constante dieltrica. Eletricamente o sistema assemelha-se a um circuito
LaCCeF
ligado em srie como ilustrado na Figura 3.27a, mas as propriedades dieltricas

macroscpicas so correlativas em diferentes circuitos equivalentes, como ilustrado na
Figura 3.27b.
R1
C1
R2
C2
(a)
(b)
Figura 3.27 - Circuito equivalente para (a) um capacitor de duas camadas e (b) para
observao macroscpica .
A formao geomtrica e distribuio das fases de grande importncia, como

discutido por R.W. Sillars. As possibilidades de maior importncia dos fenmenos ocorre
para os materiais semicondutores policristalinos em que o contorno de gro, possui uma
alta resistncia eltrica.
98
Neste caso, a estrutura corresponde a uma diminuio das camadas do contorno de

gro do material. Se a capacitncia individual dos elementos na Figura 3.27 considerada,
a constante de tempo para o fluxo da corrente pode ser representada como 1 = C1 R1 e
2 = C2 R2 . Estes podem ser correlacionados atravs de valores relativos de resistncia e

capacitncia, utilizando as constantes a e b, de forma que 2 = aRbC1 = ab 1 . A
resistividade resultante e a constante dieltrica para o circuito combinado variam com a
freqncia (Figura 3.28); a condutividade um exemplo de idia da constante dieltrica.
Como mostra a Figura 3.28, a constante dieltrica a baixa freqncia ou
resistividade resultante da polarizao interfacial pode ser de grande magnitude para
valores em altas freqncias.
LaCCeF
Figura 3.28 Variao da polarizao interfacial em valores relativos de contorno em
camada caractersticos.
Sendo 1 e 2 as resistividades e k1 e k2 as constantes dieltricas para as camadas
1 e 2, e x a razo entre as densidades de forma que x << 1 (correspondendo frao do
material em uma camada limite), podem ser definidos as equaes abaixo:
99
= o +
o
2
1 + 2
(3.57a)
'
1 2 (k1' + x1k 2 )
=
'
1k1'2 + x1 2 k 22
(3.57b)
o = x1 1 + 2
(3.57c)
'
1 2 1k1'2 + x1 2 k 22
o = o
x1 1 + 2
1/ 2
(3.57d)
Considerando de forma anloga para a constante dieltrica, tem-se:
LaCCeF
'
k ' = k +
(3.58a)
'
k1' k 2
'
k1' + x1k 2
(3.58b)
2 '
x1 12 k1' + 2 k 2
(x1 1 + 2 )2
(3.58c)
'
k =
'
ko =
'
ko k '
1 + k2' 2
k' = o
'
1 2 (k1' + x1k 2 )
x1 1 + 2
(3.58d)
1/ 2

k' =

o
(3.58e)
Onde, para a equao (3,58e), tem-se (x << 1)

Para estruturas mais comuns, a resistividade da camada do contorno grande
quanto comparada resistividade do gro:
100
k1 = k2
= 2
k1 = k2
x1 << 1
1 >> 2
o = x1 1 + 2
'
'
ko = k 2
'
k ' = o k2
(3.59a)
2
x1 12 + 2
(x1 1 + 2 )2
(3.59b)
1 2
x1 + 2
(3.59c)
Para o Ni0,4Zn0,6Fe2O4, C. G. Koops verificou que a constante dieltrica e a

resistividade caracterstica pode ser satisfatoriamente representada pela equao (3.59b),
sendo k1 = k2 = 17, 1 = 3,3 x 106 (-m), 2 = 5,0 x 103 (-m), e x = 0,45 x 10-2. Os
LaCCeF
resultados experimentais associados a equao (3.59) so ilustrados na Figura (3.29).

A constante de tempo para a polarizao interfacial e a freqncia em que esta se
torna relevante, proporcional ao produto da resistividade, como indicado nas equaes

3.57d e 3.59c. Para muitos dieltricos em alguns intervalos de temperatura, este produto
uma grande polarizao interfacial que desprezvel mantendo-se equilbrio em baixas
freqncias. Para semicondutores e semicondutores frricos tal resistividade gerada no
grande e o efeito importante em determinados intervalos de temperatura. Para outros
dieltricos, tal fator aumenta com a temperatura. Em alguns intervalos de tempos, a perda
por conduo e a perda por salto inico tambm aumentam. (este pode ser considerado
como uma polarizao de espao de carga local, resultante da mobilidade da barreira,
como ilustrado na Figura 3.10).
O resultado combinado que, como a condutividade aumenta em altas
temperaturas, a constante dieltrica aparente tambm aumenta, a perda dieltrica aumenta
o equilbrio rapidamente, e a efetividade do isolador diminu. Para minimizar tal aumento,
utilizada a baixa condutividade.
101
LaCCeF
Figura 3.29 Constante dieltrica, resistividade e tg para Ni0,4Zn0,6Fe2O4.
102
3.7 Intensidade Dieltrica

O colapso dieltrico (ruptura) em materiais isolante inferiores ocorre em funo do
campo aplicado sobre uma placa de duas diferentes formas. O primeiro de origem
eletrnica sendo referido como uma intensidade dieltrica intrnseca. O segundo processo
gerado por superaquecimento local, elevando a conduo eltrica. A condutividade local
aumenta em um ponto onde ocorre uma estabilidade e permite um avano na corrente,
fuso e buracos; este chamado de colapso trmico. A tendncia do trmico aumentar
em alta temperatura e quando as voltagens so aplicadas em um longo tempo.
A associao da intensidade do colapso como uma propriedade do material
complexa, devido s amplas variaes. Esta uma das dificuldades para evitar a no
homogeneidade durante os campos testados, sendo que o colapso tende a ser introduzido
em posies correspondentes a pontos nos eletrodo e por esta razo as medidas de
LaCCeF
equilbrio do campo so moderadamente baixas. Os efeitos das extremidades tambm so

importantes, como no exemplo de densidade. Em geral, como exemplo de aumento na
densidade, as medidas de intensidade dieltrica aumentam. De forma similar, testes com
eletrodos esfricos inferiores ou semicondutores lquidos inferiores do uma alta medida
da intensidade dieltrica. (a intensidade dieltrica calculada em termos de volts por
centmetro ou volts por metros).
As medidas de intensidade do colapso intrnseco so determinadas em condies do
eletrodo designadas e com valores aproximados de 107 V/cm.

No colapso eletrnico, ocorre uma deficincia quando um gradiente de voltagem
atinge alguns valores correspondentes para o colapso eltrico intrnseco. Eltrons no
interior da estrutura so acelerados pelo campo em uma certa velocidade ocasionando
colises, permitindo assim a liberao adicional de eltrons. Em baixas temperaturas a
fora do colapso intrnseco de materiais cristalinos aumenta com a temperatura,
correspondendo a um aumento da vibrao da rede cristalina e resultando em um aumento
da disperso pela rede. O aumento da fora do campo necessrio para acelerar os eltrons
em um ponto institudo em que eles se deslocam. Em contraste, a fora dieltrica intrnseca
dos gases independente da temperatura em baixas temperaturas, correspondendo a uma
rede cristalina aleatria, onde os eltrons de dispersam independentes da temperatura.
Estas caractersticas das estruturas vtreas so similares ao comportamento de
condutividade trmica (relacionado com uma disperso de fnon).
103
Em baixas temperaturas para solues slidas de materiais cristalinos, a disperso

dos eltrons aumenta e conseqentemente, aumenta a intensidade dieltrica. Como a
temperatura aumenta, a intensidade do colapso intrnseco passa diretamente no mximo
dos intervalos de temperatura, assim a maior parte dos eltrons contidos no isolante so
avaliados em caractersticas de formulaes semelhantes em variaes. A fora dieltrica
para colapsos eletrnicos em baixas temperaturas e a fora do colapso intrnseco do eltron
para vidros e cristais, compreende valores da ordem de 107 V/m.
As formas de colapso trmico podem ser diferenciadas por colapsos intrnsecos em
que est associada tenso eltrica durante alguns intervalos de tempo, para que ocorra um
aquecimento local em que a placa presa em alta temperatura a fim de aumentar a
condutividade eltrica. A perda de energia eltrica aumenta o favorecimento do equilbrio
da temperatura e aumenta a condutividade local.
Este causa uma corrente canal;
instabilidade local e resulta em um colapso na passagem de altas correntes proveniente da
LaCCeF
fuso e vaporizao, proporcionando uma reduo do isolamento.
Os efeitos do tempo de durao temperatura no colapso dos vidros dependem das
caractersticas de conduo, e conseqentemente da composio. Em geral, a forma

intrnseca usualmente verificada abaixo de -50 oC, considerando a ocorrncia de um
colapso trmico em temperaturas acima de 150 oC. Em temperaturas intermedirias, o
colapso depende das caractersticas da voltagem aplicada, do tempo de aplicao da
voltagem, e das condies dos testes como mostrada na Figura 3.30. Resultados para
alguns vidros com diferentes quantidades de carbonato de sdio so listados na Tabela 3.2.
O comportamento intrnseco da rigidez dieltrica pode ser analisado em baixas
temperaturas e possui composies aproximadamente independentes, considerando a
temperatura em que o colapso trmico inicia-se, sendo fortemente dependente da
resistividade e do contedo alcalino dos vidros. Alguns autores verificaram que a
intensidade do colapso dieltrico em vidros diminui com a freqncia, e como rigidez
dieltrica de 1000 V/m verificada a 60 Hz.
Para algumas das condies testadas, o esquema de eletrodos importante para a
determinao da rigidez dieltrica, heterogeneidade em uma composio cermica, onde
pode ser considerada uma diminuio na rigidez dieltrica. O mais comum a porosidade,
a qual tende a gerar variaes no campo eltrico local e na orientao. Isto ilustrado para
cermicas de dixido de titnio na Figura 3.31. Uma amostra que exibe porosidade de
14% possui rigidez dieltrica de aproximadamente metade do valor para uma amostra com
porosidade de 5%.
104
Figura 3.30 Efeito da temperatura e durao dos testes sobre a rigidez dieltrica em
vidros tipo pyrex.
De forma Similar, composies semivtreas do tipo porcelana, possuem rigidez
LaCCeF
dieltrica de um tero da densidade da porcelana vtrea. Alm dos efeitos de porosidade, o

fator que afeta a rigidez dieltrica em cermicas o colapso trmico gerado por perdas
dieltricas devido condutividade. Tais fatores favorecem valores elevados de
condutividade ou de perda dieltrica, como j discutido. Em geral, cermicas de alta
densidade e baixas perdas, possuem foras de colapso dieltrico adequadas para as
aplicaes dieltricas.
Tabela 3.2 - Relao entre colapso trmico e resistividade eltrica.

Nmero dos
Rigidez
Temperatura
Quantidade de
vidros
Dieltrica, Eb
Crtica, Tc (oC)
Na2O em
x106 (V/cm)
Resistividade a
200 C (cm)
vidros (%)
-150
12,8
2,0 x 108
11,2
-125
5,1
6,0 x 108
9,2
-60
3,5
1,25 x 109
9,9
150
0,9
2,5 x 1014
105
LaCCeF
Figura 3.31 Rigidez dieltrica em dois dixidos de titnio excitado para diferentes
densidades e testado em eletrodos .
106
3.8 Cermicas Ferroeltricas

A ferroeletricidade definida como o alinhamento espontneo de dipolos eltricos
por interaes mtuas. Tal processo semelhante ao alinhamento espontneo dos dipolos
magnticos observados no ferromagnetismo, sendo derivado com base nas similaridades
com este processo. A fonte da ferroeletricidade surge do fato de que a polarizao aumenta
com o campo local (E) . Para um material contendo aumento dos dipolos eltricos, a
polarizao do campo de polarizao do campo local aumenta e a polarizao espontnea
pode ser encontrada em alguns pequenos intervalos de temperaturas, onde o efeito da
energia trmica superado e torna-se aleatrio. Neste intervalo todos os dipolos eltricos
so lineares paralelos a matriz.
A polarizao espontnea pode ser definida com base na equao abaixo:
LaCCeF
P = (k '1) o E = N E'
(3.60)
Onde, k a constante dieltrica relativa.
O campo eltrico local pode ser representado como segue:
E' = E +
P
3 o
(3.61)
Onde, E o ampo local.

A polarizao e a suscetibilidade eltrica podem ser definidas como:
P=
= k '1 =
N E
1 - N / 3 o
(3.62)
N / o
P
=
o E 1 - N /3 o
(3.63)
Onde, N o nmero de ons por unidade de volume e a condutividade eltrica.

Se o termo no denominador das equaes (3.62) e (3.63), N /3 o , aproxima-se de
1, a polarizao e a susceptibilidade tendem para valores infinitos.
107
A polarizabilidade para um dipolo relaciona-se com a temperatura de acordo com a

equao:
o =
C
kT
(3.64)
Onde, k a constante de Boltsmany e C a capacitncia.

Considerando um sistema em que a polarizabilidade eletrnica maior que a poro
inica, temperatura critica de transio atingida quando:
N
N
=
3 o 3 o
kT = 1
(3.65)
Tal temperatura crtica estvel se:
LaCCeF
Tc =
NC N oT
=
3 o
3 o
(3.66)
Abaixo desta temperatura (Tc) temperatura de Curie, a polarizao espontnea em
algumas orientaes esto associadas a dipolos totalmente elementares.
Combinando as equaes (3.64) e (3.65) com a equao (3.66) obtm-se a
susceptibilidade dieltrica:
= k '1 =
3Tc
P
=
o E T Tc
(3.67)
Esta dependncia linear da susceptibilidade com o inverso de T Tc pode ser

compreendida de acordo com a lei Curie-Weiss, sendo Tc a temperatura de Curie. Embora
tais medidas sejam experimentais, elas so verificadas em temperaturas acima da
temperatura de Curie, em que a orientao dipolar est ao acaso, ocasionando uma ruptura
prxima temperatura de Curie. Estas condies compreendem a aproximao do campo
(E2 para equao 3.19) que zero na equao (3.21) e nos clculos subseqentes.
108
O valor da polarizao espontnea na temperatura Curie gera altas constantes

dieltricas (Figura 3.32). Isto similar curva de histerese observada em materiais
ferromagnticos e em resultados de diferentes domnios em que os dipolos eltricos esto
completamente alinhados. O limite entre domnios ferroeltricos so domnios
cristalogrficos divididos em ngulos de 90 ou 180, como em cristais titanato de brio.
Os domnios em uma cermica policristalina de titanato de brio possuem diferentes
orientaes, as quais podem ser observadas atravs de ataques qumicos (como cidos) .
LaCCeF
Figura 3.32 Curva de histerese tpica de materiais ferroeltricos.
Para baixas intensidades do campo eltrico, a polarizao inicialmente reversvel e
aproximadamente linear em relao ao campo aplicado. A inclinao da curva fornece a

constante dieltrica inicial de ki. Em campos eltricos de alta intensidade, a polarizao
aumenta mais rapidamente, como resultado do desligamento dos domnios ferroeltricos,
que a mudana da direo da polarizao nos domnios de 90 ou 180.
Em alta intensidade do campo a polarizao aumenta, atingindo um valor de
saturao, para qual os domnios possuem a mesma orientao do campo eltrico. A
extrapolao da curva para E = 0 fornece o valor de Ps. Quando o campo eltrico
reduzido, a polarizao no se torna nula, porm possui um valor finito denominado
polarizao remanescente, Pr. Os dos domnios orientados so impedidos de retornar ao
estado aleatrio original. A intensidade do campo eltrico necessrio para retornar a
polarizao zero denomina-se campo coercivo Ec. Em baixas temperaturas, a curva de
histerese torna-se achatada e o campo coercivo aumenta, correspondendo a uma grande
energia necessria para a reorientao da parede do domnio.
109
Em altas temperaturas o campo coercivo diminui at a temperatura de Curie na

histerese remanescente, e nesta posio a constante dieltrica possui um nico valor. As
curvas de
histerese para o titanato de brio, a qual possui temperatura de Curie de
aproximadamente 125 C so ilustradas na Figura 3.33. Na Figura 3.34, a dependncia da

susceptibilidade dieltrica em funo da temperatura para o de titanato de brio e estrncio
ilustrada, correspondendo lei de Currie-Weiss (equao 3.67).
P
Ec
Ec
Ec
E
-175 C
-65 C
0 C
(a)
(b)
(c)
LaCCeF
P
Ec
Ec
Ec
30 C
90 C
120 C
(d)
(e)
(f)
Figura 3.33 Histerese ferroeltrica para a cermica titanato de brio ferroeltrico em

diversas temperaturas.
O titanato de chumbo (PbTiO3) possui estrutura do tipo perovskita, assim como o

titanato de brio, sendo ferroeltrico. Outros ferroeltricos, incluem o sal de Rocha ( sdio
e potssio tetra-hidratado), dihidrogeno-fosfato de potssio (KH2PO4), dihidrogeno
arsenato de potssio (KH2AsO4), outras perovskitas (NaCdO3, KCbO3, NaTaO3, e KTaO3)
estrutura do tipo ilmenita (LiTaO3 e LiCdO3) e xido de titnio, (WO3).
110
Figura 3.34 Lei de Curie-Weiss para uma composio de titanato de brio e estrncio.
A estrutura do titanato de brio (estrutura perovskita) ilustrada na Figura 3.35.
LaCCeF
Cada on brio envolvido por aproximadamente doze ons de oxignio, cada on de titnio
circundado por seis ons oxignio em coordenao octadrica. Os ons brio e oxignio
formam uma estrutura cbica de face centrada, com ons titnios encaixados nos
interstcios octaedros. A caracterstica estrutural do titanato de brio e chumbo, em
contraste com diferentes perovskita, constituem em uma grande extenso de ons brio e
ons chumbo, aumentando a rea da clula cbica de face centrada do BaO3, assim a
estabilidade dos tomos de titnio so reduzidos nos interstcios octaedros. A hiptese
proposta da qualidade do titnio em posies mnimas de energia para o on titnio que
se encontra no centro e conseqentemente elevam dipolo eltrico.
Em altas temperaturas a energia trmica, onde o on titnio possui uma posio
simtrica, a posio do octaedro permite que o on titnio desenvolva um grande momento
dipolar quando sob a ao de um campo eltrico aplicado. A partir do resfriamento em
baixa temperatura de Curie, ocorre uma variao na posio do on titnio e na estrutura
octadrica, mudando de uma simetria cbica para uma simetria tetragonal, onde o on
titnio se encontra na posio de centro livre, correspondendo
a um dipolo eltrico
permanente. Estes dipolos so ordenados, gerando um domnio na estrutura, como visto

anteriormente. A transio do estado paraeltrico para o estado ferroeltrico pode ser
ilustrada em termos de variaes cristalogrficas e de constante dieltrica (Figura 3.36). A
anlise do deslocamento relativo dos ons na fase tetragonal do titanato de brio como
determinado por raio-X so ilustradas na Figura 3.37.
111
Figura 3.35 Posio dos ons em uma estrutura perovskita ideal.
LaCCeF
A elevada constante dieltrica do titanato de brio e outros materiais ferroeltricos
permite a obteno de alta capacitncia em capacitores de tamanhos pequenos. A variao

na polarizao com o campo aplicado requer uma orientao de nos domnios, sendo que
como ilustrado na Figura 3.33, a medida da constante dieltrica depende do campo
aplicado. Para alta intensidade do campo, os domnios so totalmente orientados,
resultando em altos valores de constante dieltrica. Em alguns intervalos de tempo, h uma
forte de dependncia da constante dieltrica com a temperatura e a variao das
caractersticas do circuito equilibra-se com o intervalo de temperatura moderado.
A dependncia com a temperatura da constante dieltrica e de propriedades
relacionadas pode ser modificada em solues slidas. A substituio de Ba2+ por Pb2+,
Sr2+, Ca2+ e Cd2+ na estrutura perovskita, pode ser feita, mantendo a caracterstica
ferroeltrica. De forma similar, o on Ti4+ pode ser substitudo por Sn4+, Hf4+, Zr4+, Ce4+ e
Th4+. As possibilidades de formar solues slidas em todas estas estruturas oferecem uma
enorme extenso de composies, constantes dieltricas, dependncia da temperatura, e
outras caractersticas para o desenvolvimento.
112
Figura 3.36 (a) Parmetro de rede para a clula unitria do BaTiO3. (b) Dependncia da
constante dieltrica em funo da temperatura.
LaCCeF
O deslocamento dos domnios em ferroeltricos chumbo possui dificuldades na
produo de materiais uniformes e consistentes. A intensidade de energia introduzida no

completo resfriamento e diminuio da temperatura de Curie, onde h variaes nas
orientaes dos domnios em relao a outros, causam uma constante dieltrica conhecida
como envelhecidas, que depende do tempo.
'
A constante dieltrica em funo do tempo, segue a relao; k ' = ko m log t , onde
k a constante dieltrica no instante t, ko a constante dieltrica inicial, e m uma

relao de dcada. A variao aumenta a constante dieltrica inicial. Detalhes sobre os
mecanismos de envelhecimento no so bem compreendidos, mas as variveis como
composies e tratamento com aquecimento resulta em grandes variaes nas medidas da
constante dieltrica. A facilidade do deslocamento de domnios depende da tenso imposta
por cristais vizinhos, bem como de extenso do prprio cristal. Em uma cermica
policristalina, a orientao dos domnios afetada pela tenso individual dos gros, pela
presena de impurezas e poros que impedem o movimento da parede de domnios, pela
tenso imposta por gros adjacentes, pelo aspecto do contorno de gro e pela presena de
outras fases. Os detalhes da microestrutura, a pureza inicial dos materiais, mtodo de
produo e o tratamento trmico constitui efeitos relevantes sobre as propriedades
resultantes. Estes no analisados em detalhes; como resultado, muitos produtos fabricados
por processo similares podem possuir grandes variaes, como de 15% a 20% nas medidas
da constante dieltrica em aplicao de voltagens fixas.
113
0,03 A
0,06 A
Ti4+
O2-
0,12 A
Ba2+
Figura 3.37 Estrutura tetragonal para o BaTiO3, mostrando o on Ti4+ deslocado da

posio de equilbrio.
Para aparelhos eletrnicos, o fator de perda relativo, (k1 tg ) intensificado por
LaCCeF
uma alta constante dieltrica. Como conseqncia, a presena de outras fases, como
vtreos, que contribuem para a perda, indesejvel. O titanato de brio e outras cermicas
ferroeltricas so produzidos por tcnicas de sinterizao no estado slido.
O titanato de brio extensivamente utilizado devido sua caracterstica
piezeltrica. O titanato de brio assemelha-se a outros cristais assimtricos, desenvolvendo

uma diferena de potencial em direes cristalogrficas especificas. A aplicao de uma
voltagem eltrica gera uma deformao mecnica.
Esta origina-se da natureza anisotrpica e das caractersticas dieltricas (Figura

3.36b). Na prtica, o titanato de brio policristalinos produzido por resfriamento
completo a partir da temperatura de Curie na presena de um campo eltrico de intensidade
elevada que gera uma orientao permanente dos dipolos, em cermicas, combinados ao
acaso de diferentes maneiras. A eficincia dos piezeltricos medida em termos do
coeficiente de acoplamento eletromecnico, a qual indica a eficincia da converso entre
energia mecnica e eltrica.
A vantagem do uso de titanato de brio est no alto coeficiente de acoplamento
(aproximadamente 0,5 quando comparado com o valor de 0,1 para o quartzo), e na
estabilidade trmica e mecnica. Outros ferroeltricos que possuem alto coeficiente de
acoplamento, como o sal de rocha, exibem propriedades mecnicas e trmicas
relativamente pobres. O titanato de brio pode ser produzido de diversas formas e
subseqentemente polarizado para obter eficincia ideal como elemento piezeltrico.
114
Transdutores de titanato de brio so amplamente utilizados para aplicaes em

tcnicas ultra-snicas, alm de ser utilizados em microfones, acelermetros e dispositivos
sanares [3].
LaCCeF
115
[1] NOBRE, M. A. L.; LANFREDI, S. Ac conductivity and conduction mechanism of
NaNbO3 semiconductor antiferroelectric ceramic: A relaxational approach at high
temperature, Applied Physics Letters, v. 83, n. 15, p. 3102-3104, 2003.
[2] NOBRE, M. A. L.; LANFREDI, S. Dielectric loss and phase transition of sodium
potassium niobate ceramic investigated by impedance spectroscopy, Catalysis Today,
v. 78, p. 529-538, 2003.
[3] KINGERY, W.D.; BOWEN, H.K.; WHLMANN, D.R., John Wiley & Sons,
Introduction to Ceramic, 2 ed.,capitulo 18, pg. 913-972, (1975).
LaCCeF
116

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Leandra Oliveira Salmazo

______________________________________Materiais Dieltricos Correlao: Propriedades e Defeitos

1.1.1 Termistores .................................................................................

1.1.1.1 Termistores com Coeficiente de Temperatura Negativo

1.1.1.2 Termistores com Coeficiente de Temperatura Positivo

1.1.2 Varistores de xidos Metlicos..................................................

1.2 Capacitores e Dieltricos ..............................................................

1.2.2 Caractersticas de um Capacitor..................................................

1.2.3 Capacitncia ...............................................................................

1.2.3.1 Fatores que afetam a capacitncia .........................................

1.2.4 Comportamento Dieltrico...................................... ...................

1.2.4.1 Polarizao Dieltrica .............................................................

1.2.4.2 Efeitos da Freqncia Sobre a Polarizao..............................

1.2.5 Perda Dieltrica ..........................................................................

1.2.5.1 Efeitos da Freqncia sobre a Perda Dieltrica ......................

1.2.6 Propriedades Dieltricas ............................................................

1.2.6.2 Intensidade Dieltrica .............................................................

______________________________________Materiais Dieltricos Correlao: Propriedades e Defeitos

1.2.7 Acoplamento Eletro-Mecnico...................................................

1.2.7.1 Absoro Dieltrica .................................................................

Dieltricos Lineares ..........................................................................

2.1 Introduo ...................................................................................

2.2 Classes de Dieltricos ..................................................................

2.2.1 Dieltricos de Classe I ................................................................

2.2.2 Dieltricos de Classe II ..............................................................

2.3 Padro Visual para Capacitores Chip ..................................

2.3.1 Padro Visual externo.................................................................

2.3.2 Padro da Microestrutura interna ...............................................

2.3.3 Separao em lminas ................................................................

2.3.4 Vcuo .........................................................................................

2.3.5 Ruptura .......................................................................................

2.3.6 No-Uniformidades ....................................................................

2.3.7 Defeitos de Preparao das Amostras ........................................

Referncias Bibliogrficas ............................................................................

Propriedades Dieltricas ...................................................................

3.2 Comportamento Eltrico em Cermicas ...................................

3.2.1 Capacitncia ...............................................................................

3.2.2 Indutncia ...................................................................................

3.2.3 Unidades .....................................................................................

3.2.4 Polarizao .................................................................................

______________________________________Materiais Dieltricos Correlao: Propriedades e Defeitos

3.2.5 Fator de Perda ............................................................................

3.2.6 Fora Dieltrica .........................................................................

3.3 Constantes Dieltricas em Cristais e Materiais Vtreos..... .....

3.3.1 Polarizabilidade Inica ...............................................................

3.3.2 Salto da Polarizao Inica.....................................................

3.3.3 Efeitos da Freqncia e da Temperatura ....................................

3.4 Perda Dieltrica em Cristais e Vidros .......................................

3.5 Condutividade Dieltrica ............................................................

3.6 Cermicas Policristalinas e Polifsicas .....................................

3.6.1 Misturas .....................................................................................

3.6.2 Classes de Dieltricos ...............................................................

3.6.3 Polarizao de Carga Espacial ...................................................

3.7 Intensidade Dieltrica .................................................................

3.8 Cermicas Ferroeltricas ...........................................................

Referncias Bibliogrficas............................................................................. 116

Defeitos e Imperfeies em Slidos ................................................... 117

4.2 Defeitos Pontuais .........................................................................

4.2.1 Lacunas Auto-Intersticiais .........................................................

4.3 Imperfeies Diversas .................................................................

4.3.1 Discordncias - Defeitos Lineares .............................................

4.4 Superfcies Externas ...................................................................