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jonction PN
V
Electronique
I. Les semi-conducteurs.
1
Electronique
Si Si
Electrons de valence Trou
Liaison de valence
Si Si Si Si Si Si
2
Les diodes à jonction PN
2. Les semi-conducteurs extrinsèques.
Pour augmenter la conductivité des semi-conducteurs et les rendre utilisables, un cer-
tain nombre d'impuretés (atomes étrangers) sont introduits dans la structure cristalline. Le
processus d'introduction d'impuretés (par diffusion, épitaxie ou implantation ionique) s'ap-
pelle dopage, et donne naissance aux semi-conducteurs dopés (ou extrinsèques).
L'ordre de grandeur pour le dopage est d'un atome d'impureté pour 106 à 109 atomes
de semi-conducteur, soit une densité d'impureté de l'ordre de 1019 à 1022 m-3.
Ainsi la conductivité du semi-conducteur dopé est déterminée par la nature et la con-
centration en atomes d'impuretés. Ces atomes d'impuretés sont des éléments chimiques de
troisième valence (trois électrons périphériques - groupe III: B, Bore; In, Indium) ou de
cinquième valence (cinq électrons périphériques - groupe V: P, Phosphore; As, Arsenic;
Sb, Antimoine).
Si Si Trou
Si P Si Si B Si
Electron libre
Si Si
Structure du silicium dopé par un atome Structure du silicium dopé par un atome
donneur: semi-conducteur de type N. accepteur: semi-conducteur de type P.
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Les diodes à jonction PN
Il en résulte, au niveau de la transition des segments, l'apparition d'une zone exempte
de charges mobiles, où seuls demeurent les atomes d'impuretés fixes (ions accepteurs dans
le segment P, ions donneurs dans le segment N) et les atomes de semi-conducteur neutres.
Les charges constituées par les ions fixes sont à l'origine d'un champ électrique E dans la
zone de transition, et par la même d'une différence de potentiel Vo (appelée barrière de
potentiel) aux bornes de cette zone. Le champ électrique E tend à maintenir les porteurs
majoritaires dans leurs régions respectives et s'oppose ainsi à la cause qui lui donne nais-
sance, ce qui conduit à un état d'équilibre.
Electron Zone de
Trou Vo
libre transition
Courant de saturation Is
+ + + + + + + dû aux porteurs minoritaires
E
+ + + + + + + Porteur
minoritaire
Courant d'équilibre dû
P + + + + + + N (trou) P N
aux porteurs majoritaires
Vo = kT ln NAND
q ni²
Vo = kT ln NAND = 0,681 v
q ni²
4
Les diodes à jonction PN
-
Calculez la valeur de la barrière de potentiel pour une jonction PN
germanium à 300 K.
ni = 2,4 1013 cm-3
NA = 7 1017 cm-3
ND = 8 1013 cm-3
1. Présentation.
La diode à jonction PN est un composant formé par la succession suivante de maté-
riaux: métal, semi-conducteur de type P, semi-conducteur de type N, métal. L'électrode
métallique en contact avec le semi-conducteur de type P s'appelle anode (A), celle au con-
tact du semi-conducteur de type N, cathode (K).
Symboles normalisés
Couche métallique ID
de contact Vo A K
+ + VD
ID Région Région ID
A K A K
neutre + + neutre
P + + N VD
ID
A K
VD
VD
2. Polarisation de la diode.
Puisque la diode possède deux électrodes, deux possibilités de polarisation existent.
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Les diodes à jonction PN
Une diode est polarisée en direct lorsque la tension VD (imposée par un circuit exté-
rieur) appliquée entre l'anode et la cathode est positive (VD=VAK). Cette tension provoque
une diminution de la barrière de potentiel de la jonction PN, favorisant une circulation des
porteurs majoritaires à travers la jonction: un courant ID positif apparaît entre l'anode et la
cathode, dépendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite passante.
Par convention, la tension et le courant de diode sont qualifiés de tension et courant
direct (d) ou forward (F).
E V D>0 Vd VF
E>0 K K
K
0v
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Les diodes à jonction PN
3. Caractéristique de la diode.
La caractéristique théorique de la diode (polarisée en direct ou en inverse) peut être
approchée par une seule équation:
IF
ID = IsCaractéristique
[Exp(V en direct
D/Ut) - 1]
IF = f(VF) à T = 300 K
Is: courant de "saturation" de la jonc-
tion PN
Ut = kT/q # 25 mV à 300 K
-
Calculez l'expression Exp(VD/Ut) pour une température de 300 K et pour
une tension VD égale à 0,1 Volt puis à -0,1 Volt.
Déduisez-en les expressions simplifiées de l'équation liant I D à V D lors-
que la diode est polarisée en direct; lorsque la diode est polarisée en inverse.
7
Les diodes à jonction PN
15mA
10mA
5mA
0.8nA
0.6nA
0.4nA
0.2nA
0A
0V 5V 10V 15V 20V
-I(D1)
VR
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Les diodes à jonction PN
ì Influence de la température:
IR La température ne peut qu'influencer la caractéristique d'une diode à jonction, par la
nature même des matériaux utilisés pour la réaliser: semi-conducteur de type P et de type
N. L'équation théorique de la caractéristique de la diode montre la grande dépendance de
celle-ci vis à vis de la température. Le courant de "saturation" Is double tous les 7°C pour
Caractéristique en inverse
le silicium et tous les 10°C pour le germanium, provoquant une diminution de la tension
à T1, T2 et T3
VD de l'ordre de 2 mV/K pour un courant ID donné.
-
Analysez les résultats de simulation pour différentes températures de
jonction:
T1 = 300 K (27°C)
T2 = 363 K (90°C)
T3 = 398 K (125°C)
15mA
T3 T2 T1
10mA
5mA
0A
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V
I(D1)
VF C1 = 533.646m, 5.0000m
C2 = 717.159m, 5.0000m
dif= -183.513m, 0.000
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Les diodes à jonction PN
10nA
T3
8nA
6nA
4nA
2nA
T2
T1
-0nA
0V 5V 10V 15V 20V
-I(D1)
VR C1 = 12.000, 9.0433n
C2 = 12.000, 315.158p
dif= 0.000, 8.7281n
4. Modélisation de la diode.
Un modèle est une représentation simplifiée d'une chose complexe. Les modèles sont
utilisés pour faciliter l'analyse des phénomènes, des processus, des systèmes et des
éléments.
La diode, par exemple, est un élément non linéaire (elle est décrite par une équation
non linéaire). L'analyse d'un circuit électrique comportant des diodes est difficile, parce
que le système d'équations décrivant le circuit est non linéaire. Pour faciliter cette analyse,
les diodes sont remplacées par des modèles linéaires.
Les modèles linéaires des composants et des circuits électriques sont composés exclu-
sivement d'éléments linéaires: générateurs de tension ou de courant idéaux, courts-cir-
cuits, circuits ouverts, résistances, capacités et inductances linéaires.
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Les diodes à jonction PN
v Pour analyser le comportement de ce circuit par rapport à des signaux analogi-
ques de petite amplitude, des modèles dynamiques ou des modèles petits signaux des com-
posants sont usités.
v Pour analyser le même circuit en hautes fréquences, des modèles dynamiques
hautes fréquences sont utilisés.
Chaque modèle ne comporte que des éléments pertinents pour le régime considéré. Et
les éléments pertinents sont différents pour les différents régimes.
Les modèles des composants et des circuits électriques peuvent être représentés sous
forme graphique, sous forme analytique ou sous forme de schémas équivalents.
7 Le modèle idéal.
Ce modèle est le plus simple, mais également le moins précis. Il est utilisé pour des
estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes.
v Forme analytique.
En direct, la diode est considérée comme un court-circuit: VD = 0 pour ID ≥ 0
En inverse, la diode est considérée comme un circuit ouvert: ID = 0 pour VD ≤ 0
v Forme graphique.
La caractéristique directe de la diode réelle est remplacée par une ligne verticale et la
caractéristique inverse par une ligne horizontale.
ID A A
Caractéristique ID ID
idéalisée de la diode Diode Diode
polarisée VD VD polarisée
en directe en inverse
0 K K
VD
7 Le modèle à seuil.
Ce modèle prend en compte la valeur de la barrière de potentiel Vo (Vo est compris
entre 0,6v et 0,7v pour une diode silicium) comme tension de seuil de conduction de la
diode.
v Forme analytique.
La forme analytique de ce modèle est exprimée par les équations:
VD = Vo pour ID ≥ 0
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Les diodes à jonction PN
ID = 0 pour VD ≤ Vo
v Forme graphique.
La forme graphique de ce modèle et les schémas équivalents sont caractérisées par la
présence de la tension de seuil Vo.
ID A A
Caractéristique ID ID
à seuil de la diode Diode Diode
polarisée VD Vo VD polarisée
en directe en inverse
0 K K
Vo VD
7 Le modèle linéarisé.
Ce modèle est le plus précis, mais également le plus complexe. Il représente une très
bonne approximation linéaire de la caractéristique d'une diode réelle.
v Forme analytique.
La forme analytique de ce modèle est exprimée par les équations:
VD = Vo + rD.ID pour ID ≥ 0
ID = 0 pour VD ≤ Vo
v Forme graphique.
Caractéristique A A
linéarisée ID ID ID
de la diode Diode Diode
∆ID polarisée VD Vo VD polarisée
en directe en inverse
∆VD rD
0
Caractéristique Vo VD
en direct K K
IF = f(VF) à T = 300 K
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Les diodes à jonction PN
-
Déterminez le modèle linéarisé de la diode 1N4148 valable pour des cou-
rants ID supérieurs à 5 mA (à T = 300K).
ID
4.2. Les modèles dynamiques de la diode: régime linéaire (ou petits signaux)
Le fonctionnement en régime linéaire de la diode est obtenu lorsqu'un courant id im-
posé à travers la diode provoque une variation vd à ses bornes de même forme.
Eo VD Eo+e VD
1N4148 1N4148
Eo=5v Eo=5v
K K
0v 0v
Point de repos: I D = I Do ID = IDo + id
VD = VD o VD = VDo + vd
-
Déterminez l'équation de la droite de charge de la diode liant ID à VD et
déduisez-en graphiquement la valeur du point de repos (IDo, VDo).
Un générateur e délivrant un signal sinusoïdal basse fréquence d'ampli-
tude 1v est associé à Eo. Déterminez graphiquement l'amplitude des varia-
VD tions id et vd, validez-les aux vues des résultats obtenus sous Pspice.
Déduisez-en la valeur de la résistance dynamique rd liant id à vd et dessinez
le schéma équivalent de la diode en régime dynamique basse fréquence.
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Les diodes à jonction PN
15mA
10mA
5mA
0A
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V
I(D1)
VF
13mA
12mA
11mA (55.784n,10.443m)
10mA
9mA
VD0
8mA
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms
I(D1)
Time C1 = 3.2270m, 12.803m
C2 = 2.7272m, 8.0820m
dif= 499.741u, 4.7213m
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Les diodes à jonction PN
880mV
860mV
840mV
(1.1571u,823.607m)
820mV
800mV
780mV
760mV
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms
V(VF)
Time C1 = 3.2260m, 866.557m
C2 = 2.7257m, 778.689m
dif= 500.355u, 87.869m
Selon la polarisation de la diode, directe ou inverse, les capacités parasites qui sont à
prendre en compte sont différentes.
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Les diodes à jonction PN
Vo
+ + ID CT
ID Région Région
A neutre + + neutre K A K
P + + N VD
VD
-
Soit une diode à jonction PN définie par les caractéristiques suivantes à
la température de 25°C: Vo = 0,6v CT0 = 25 pF à VD0 = 0v
Calculez la valeur de la capacité de transition CT à VD = -5v.
Remarque: Cette capacité de transition est normalement considérée comme une ca-
ractéristique dégradante de la diode réelle par rapport à la diode idéale, sauf pour les dio-
des VARICAP (étudiées ultérieurement) qui exploitent au contraire cette caractéristique.
ì Conclusion.
En hautes fréquences, les schémas équivalents petits signaux de la diode, en inverse et
en direct, doivent être complétés par une capacité parasite entre l'anode et la cathode.
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Les diodes à jonction PN
K K
5. La diode en commutation.
Les capacités parasites de la diode à jonction PN non seulement limitent le fonction-
nement en régime dynamique petits signaux de la diode, mais elles limitent également le
fonctionnement en régime de commutation, puisque la tension aux bornes d'une capacité
ne peut varier brusquement.
0 t
e vD
-E2
K
0v
En considérant la diode idéale, le courant i à travers le circuit serait nul dés que la
tension de commande serait négative (diode bloquée) et serait égal à E1/R dés que la ten-
sion de commande serait positive (diode passante).
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Les diodes à jonction PN
Pratiquement, la valeur du temps de stockage ts est bien supérieur à tous les autres
temps de commutation de la diode et limite l'emploi de la diode en commutation vers les
fréquences hautes.
e(t)
E1
0 t
-E2
i(t)
E1/R Diode idéale
0 t
i(t)
E1/R Diode réelle
ts
0 t
-E2/R
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Les diodes à jonction PN
Ces limitations indiquées pour chaque type de diode dans les documentations cons-
tructeurs caractérisent les grandeurs (courant, tension et puissance) à ne pas dépasser sous
peine de destruction du composant, dans les conditions suivantes:
v valeurs maximales en régime continu (VRm, IRm, VFm, IFm...)
v valeurs de pointe répétitives (VRRm, IRRm, VFRm, IFRm...)
v valeurs de pointe non répétitives (VRSm, IRSm, VFSm, IFSm...). Elles représentent
les valeurs extrêmes que peut supporter la diode pendant un temps spécifié (1 µs, 10ms ou
1 s).
IF
IFSm
(qq 10A)
IFRm
IFm
VRSm
VRRm
VRm
VR 0 VF
(qq 100v) VFSm (1v)
VFRm
VFm
IR
Le document constructeur suivant explicite les différents paramètres utilisés dans les
documentations techniques.
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Les diodes à jonction PN
IV. Spécifications techniques des diodes de commutation.
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