CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

Objetivo: Conocer los parmetros ms importantes del transistor bipolar como base fundamental para el diseo. Material: - 1 resistencia de 100 K - 2 resistencias de 1 K - 1 transistor bipolar 2N2222 (o similar) - Multmetro y puntas para multmetro - Fuente de voltaje y puntas para fuente - Tablilla para conexiones (protoboard) - Un par de cables con banana y caimn

Introduccin
El transistor bipolar ha sido uno de los dispositivos electrnicos ms importantes de la industria electrnica; para el diseo de circuitos es necesario primero conocer los parmetros elctricos que lo caracterizan, stas caractersticas estn contenidas en el manual que brinda el fabricante o pueden obtenerse realizando pruebas elctricas.

Procedimiento
Verificacin del dispositivo Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las terminales (base, emisor y colector) usando el hmetro, reporte las mediciones entre terminales (polarizando directa e inversamente); verifique los resultados comprobndolos con la configuracin indicada en las hojas de especificacin del dispositivo.
Terminales Base-Emisor Base-Colector Colector-Emisor Zpol. directa ( ) Zpol. inversa ( )

Prctica 3. Caractersticas del Transistor de Unin Bipolar

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Electrnica I

Curva Caracterstica Base-Emisor Arme el circuito; coloque Vbb a cero y ajuste Vcc hasta tener un voltaje Vce=1 V, mida Vbe e Ib (aplique ley de ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); para cada nuevo valor de Vbb reajuste Vcc para mantener Vce=1 V y complete la tabla. Vcc
1 100
Vbb (Volts) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 Vce=1 V Vbe (Volts) Ib ( A)

Vce Vbb Ib Vbe

1

Ajuste de nuevo Vbb a 0 y repita el procedimiento manteniendo Vce=3 V, luego para Vce=5 V y por ltimo para Vce=7 V.
Vbb (Volts) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 Vce=3 V Vbe (Volts) Ib ( A) Vbb (Volts) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 Vce=5 V Vbe (Volts) Ib ( A)

Vbb (Volts) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 Vce=7 V

Vbe (Volts)

Ib ( A)

Grafique Vbe vs Ib (las 4 curvas en el mismo grfico).

Prctica 3. Caractersticas del Transistor de Unin Bipolar

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Electrnica I

Curva Caracterstica Colector-Emisor Arme el circuito; coloque Vcc a +12 Volts y ajuste Vbb hasta tener una corriente de base Ib=3 A (aplique ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); ajuste Vcc a cero y complete la tabla. Vcc Ic
100 1
Vcc (Volts) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Ib=3 A Vce (Volts) Ic (mA)

Vce Vbb Ib
1

Ajuste de nuevo Vcc en +12 Volts y repita el procedimiento para Ib=7 A, 8 A y 12 A.

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Electrnica I

Vcc (Volts) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Ib=7 A Vcc (Volts) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Ib=12 A

Vce (Volts)

Ic (mA)

Vcc (Volts) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Ib=8 A

Vce (Volts)

Ic (mA)

Vce (Volts)

Ic (mA)

Grafique Vce vs Ic (las 4 curvas en el mismo grfico).

Prctica 3. Caractersticas del Transistor de Unin Bipolar

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Electrnica I

Cuestionario
1.- Use un grfico y explique el significado fsico de los parmetros indicados as como la situacin en la que se utilizan: a) hFE c) fT b) hfe d) f 2.- A partir de las curvas caractersticas obtenidas determine hie, hre, hfe, hoe, y para el punto de operacin Q(6 V, 2 mA). 3.- Dibuje el modelo hbrido (parmetros h) equivalente para pequea seal y bajas frecuencias de ste transistor para el punto de operacin Q(6 V, 2 mA). 4.- Dibuje el modelo incremental (parmetros r) equivalente para pequea seal y bajas frecuencias de ste transistor para el punto de operacin Q(6 V, 2 mA). 5.- Escriba las ecuaciones que determinan los parmetros hbridos de colector comn (hic, hrc, hfc, hoc) y base comn (hib, hrb, hfb, hob) a partir de los de emisor comn (hie, hre, hfe, hoe).

Conclusiones

Prctica 3. Caractersticas del Transistor de Unin Bipolar

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