MOSFET

Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun !"# . MOSFET men$akup kanal dari %ahan semikonduktor tipe&' dan tipe&P( dan dise%ut 'MOSFET atau PMOSFET (juga %iasa nMOS( pMOS). )ni adalah transistor *ang paling umum pada sirkuit digital maupun analog( namun transistor pertemuan d+ikutu% pada satu +aktu le%ih umum. Komposisi ,iasan*a %ahan semikonduktor pilihan adalah silikon( namun %e%erapa produsen )-( terutama ),M( mulai menggunakan $ampuran silikon dan germanium (Si.e) se%agai kanal MOSFET. Sa*angn*a( %an*ak semikonduktor dengan karakteristik listrik *ang le%ih %aik daripada silikon( seperti galium arsenid (.a/s)( tidak mem%entuk antarmuka semikonduktor& ke&isolator *ang %aik sehingga tidak $o$ok untuk MOSFET. 0ingga kini terus diadakan penelitian untuk mem%uat isolator *ang dapat diterima dengan %aik untuk %ahan semikonduktor lainn*a.

1ntuk mengatasi peningkatan konsumsi da*a aki%at ke%o$oran arus ger%ang( dielektrik 2 tinggi menggantikan silikon dioksida se%agai isolator ger%ang( dan ger%ang logam kem%ali digunakan untuk menggantikan polisilikon3 4.

.er%ang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator *ang se$ara tradisional adalah sili$on dioksida( tetapi *ang le%ih maju menggunakan teknologi sili$on o5*nitride. ,e%erapa perusahaan telah mulai memperkenalkan kom%inasi dielektrik 2 tinggi 6 ger%ang logam di teknologi 7# nanometer. Simbol sirkuit ,er%agai sim%ol digunakan untuk MOSFET. 8esain dasar umumn*a garis untuk saluran dengan kaki sum%er dan $erat meninggalkann*a di setiap ujung dan mem%elok kem%ali sejajar dengan kanal. .aris lain diam%il sejajar dari kanal untuk ger%ang. 9adang&kadang tiga segmen garis digunakan untuk kanal peranti moda penga*aan dan garis lurus untuk moda pemiskinan. Sam%ungan %adan jika ditampilkan digam%ar tersam%ung ke %agian tengan kanal dengan panah *ang menunjukkan PMOS atau 'MOS. Panah selalu menunjuk dari P ke '( sehingga 'MOS (kanal&' dalam sumur&P atau su%strat&P) memiliki panah *ang menunjuk kedalam (dari %adan ke kanal). Jika %adan terhu%ung ke sum%er (seperti *ang umumn*a dilakukan) kadang&kadang saluran %adan di%elokkan untuk %ertemu dengan sum%er dan meninggalkan transistor. Jika %adan tidak ditampilkan (seperti *ang sering terjadi pada desain )- desain karena umumn*a %adan %ersama) sim%ol in:ersi kadang&kadang digunakan untuk menunjukkan PMOS( se%uah panah pada sum%er dapat digunakan dengan $ara *ang sama seperti transistor d+ikutu% (keluar untuk 'MOS( masuk untuk PMOS).

9anal& P

9anal& '

JFET

MOSFET penga*aan

MOSFET pemiskinan

1ntuk sim%ol *ang memperlihatkan saluran %adan( di sini dihu%ungkan internal ke sum%er. )ni adalah konfigurasi umum( namun tidak %erarti han*a satu&satun*a konfigurasi. Pada dasarn*a( MOSFET adalah peranti empat saluran( dan di sirkuit terpadu %an*ak MOSFET *ang %er%agi sam%ungan %adan( tidak harus terhu%ung dengan saluran sum%er semua transistor. Operasi MOSFET 1ntuk informasi le%ih lanjut( lihat referensi %erikut3"4. Struktur SemikonduktorLogamOksida

Struktur Semikonduktor;Logam;Oksida pada silikon tipe&P Struktur semikonduktor;logam;oksida sederhana diperoleh dengan menum%uhkan selapis oksida silikon diatas su%strat silikon dan mengendapkan selapis logam atau silikon polikristalin. 9arena oksida silikon merupakan %ahan dielektrik( struktur MOS serupa dengan kondensator planar dengan salah satu elektrodan*a digantikan dengan semikonduktor. 9etika tegangan diterapkan mem%entangi struktur MOS( tegangan ini mengu%ah pen*e%aran muatan dalam semikonduktor. 1mpamakan se%uah semikonduktor tipe&p (dengan NA merupakan kepadatan akseptor( p kepadatan lu%ang< p = NA pada %adan netral)( se%uah tegangan positif VGB dari ger%ang ke %adan mem%uat lapisan pemiskinan dengan memaksa lu%ang %ermuatan positif untuk menjauhi antarmuka ger%ang&isolator=semikonduktor( meninggalkan daerah %e%as pem%a+a. Jika VGB $ukup tinggi( kepadatan tinggi pem%a+a muatan negatif mem%entuk lapisan in:ersi di%a+ah antarmuka antara semikonduktor dan isolator. 1mumn*a( tegangan ger%ang dimana kepadatan elektron pada lapisan in:ersi sama dengan kepadatan lu%ang pada %adan dise%ut tegangan am%ang. Struktur %adan tipe&p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe&n( *ang mana mem%utuhkan penam%ahan daerah sum%er dan $erat tipe&n.

Struktur MOSFET dan formasi kanal

)risan 'MOS tanpa kanal *ang ter%entuk (keadaan mati)

)risan 'MOS dengan kanal *ang ter%entuk (keadaan hidup) Se%uah transistor efek&medan semikonduktor;logam;oksida (MOSFET) adalah %erdasarkan pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS diantara elektroda %adan dan elektroda ger%ang *ang terletak diatas %adan dan diisolasikan dari semua daerah peranti dengan se%uah lapisan dielektrik ger%ang *ang dalam MOSFET adalah se%uah oksida( seperti silikon dioksida. Jika dielektrikn*a %ukan merupakan oksida( peranti mungkin dise%ut se%agai FET semikonduktor;logam;terisolasi (M)SFET) atau FET ger%ang;terisolasi ().FET). MOSFET men*ertakan dua saluran tam%ahan *aitu sum%er dan $erat *ang disam%ungkan ke daerah dikotori %erat tersendiri *ang dipisahkan dari daerah %adan. 8aerah terse%ut dapat %erupa tipe&p ataupun tipe&n( tetapi keduan*a harus dari tipe *ang sama( dan %erla+anan tipe dengan daerah %adan. 8aerah sum%er dan $erat *ang dikotori %erat %iasan*a ditandai dengan >6> setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah *ang dikotori ringan tidak di%erikan tanda. Jika MOSFET adalah %erupa kanal&n atau 'MOS FET( lalu sum%er dan $erat adalah daerah >n6> dan %adan adalah daerah >p>. Maka seperti *ang dijelaskan diatas( dengan tegangan ger%ang *ang $ukup( diatas harga tegangan am%ang( elektron dari sum%er memasuki lapisan in:ersi atau kanal-n pada antarmuka antara daerah&p dengan oksida. 9anal *ang menghantar ini merentang diantara sum%er dan $erat( dan arus dialirkan melalui kanal ini jika ada tegangan *ang dikenakan diantara sum%er dan $erat. Jika tegangan ger%ang di%a+ah harga am%ang( kanal kurang terpopulasi dan han*a sedikit arus %o$oran praam%ang *ang dapat mengalir dari sum%er ke $erat. Moda operasi Operasi dari MOSFET dapat di%edakan menjadi tiga moda *ang %er%eda( %ergantung pada tegangan *ang dikenakan pada saluran. 1ntuk mempermudah( perhitungan di%a+ah merupakan perhitungan *ang telah disederhanakan3?4374.

1ntuk se%uah MOSFET kanal-n moda pengayaan( ketiga moda operasi adalah@ Moda Inversi Lemah 8ise%ut juga moda Titik&Potong atau Pra&/m%ang( *aitu ketika VGS < Vth dimata ABth adalah tegangan am%ang peranti. ,erdasarkan model am%ang dasar( transistor dimatikan dan tidak ada penghantar antara sum%er dan $erat. 'amun pada ken*ataann*a( distri%usi ,oltCmann dari energi elektron memungkinkan %e%erapa elektron %erenergi tinggi pada sum%er untuk memasuki kanal dan mengalir ke $erat( menghasilan arus praam%ang *ang merupakan fungsi eksponensial terhadan tegangan ger%ang;sum%er. Dalaupun arus antara $erat dan sum%er harusn*a nol ketika transistor minatikan( se%enarn*a ada arus in:ersi&lemah *ang sering dise%ut se%agai %o$oran praam%ang. Pada in:ersi&lemah( arus %eru%ah eksponensial terhadap panjar ger%ang&ke&sum%er A.S ( dimana )8E F arus pada VGS F Vth dan faktor landaian n didapat dari n F 6 CD = COX( dengan CD F kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan COX F kapasitansi dari lapisan oksida. ,e%erapa sirkuit da*a&mikro didesain untuk mengam%il keuntungan dari %o$oran praam%ang.3G43H43!4 8engan menggunakan daerah in:ersi&lemah( MOSFET pada sirkuit terse%ut mem%erikan per%andingan transkonduktansi terhadap arus *ang tertinggi (gm = ID F = (nVT))( hampir seperti transistor d+ikutu%. Sa*angn*a le%ar&jalur rendah dikarenakan arus penggerak *ang rendah.3 E43 4

arus $erat MOSFET :s. Tegangan $erat&ke&sum%er untuk %e%erapa harga VGS I Vth( per%atasan antara moda linier (Ohmik) dan penjenuhan (aktif) diperlihatkan se%agai lengkung para%ola diatas

)risan MOSFET dalam noda linier (ohmik)( daerah in:ersi kuat terlihat %ahkan didekat $erat

)risan MOSFET dalam moda penjenuhan (aktif)( terdapat takik didekat $erat Moda trioda 8ise%ut juga se%agai daerah linear (atau daerah Ohmik3 VGS - Vth )
"43 ?4

) *aitu ketika VGS > Vth dan VDS < (

Transistor dihidupkan dan se%uah kanal di%entuk *ang memungkinkan arus untuk mengalir diantara sum%er dan $erat. MOSFET %eroperasi seperti se%uah resistor( dikendalikan oleh tegangan ger%ang relatif terhadap %aik tegangan sum%er dan $erat. /rus dari $erat ke sum%er ditentukan oleh@

dimana Jn adalah pergerakan efektif pem%a+a muatan( W adalah le%ar ger%ana( L adalah panjang ger%ang dan Cox adalah kapasitansi oksida ger%ang tiap unit luas. Transisi dari daerah eksponensial praam%ang ke daerah trioda tidak setajam seperti *ang diperlihatkan perhitungan. Moda penjenuhan Juga dise%ut dengan Moda /ktif3
743 #4

9etika VGS > Vth dan VDS > ( VGS - Vth ) Transistor dihidupkan dan kanal di%entuk( memungkinkan arus untuk mengalir diantara sum%er dan $erat. 9arena tegangan $erat le%ih tinggi dari tegangan ger%ang( elektron men*e%ar dan penghantaran tidak melalui kanal sempit tetapi melalui kanal *ang jauh le%ih le%ar. /+al dari daerah kanal dise%ut pen*empitan untuk menunjukkan kurangn*a daerah kanal didekat $erat. /rus $erat sekarang han*a sedikit %ergantung pada tegangan $erat dan dikendalikan terutama oleh tegangan ger%ang;sum%er.

Faktor tam%ahan men*ertakan K( *aitu parameter modulasi panjang kanal( mem%uat tegangan $erat mandiri terhadap arus( dikarenakan oleh adan*a efek Earl*. ( dimana kom%inasi Vo = VGS - Vth dinamakan tegangan o !"#"$ !.3 penting desain MOSFET adalah resistansi keluaran "O@

L4

Parameter

. Tipe MOSFET lainnya MOSFET ger!ang ganda MOSFET ger%ang ganda mempun*ai konfigurasi tetroda( dimana semua ger%ang mengendalikan arus dalam peranti. )ni %iasan*a digunakan untuk peranti is*arat ke$il pada penggunaan frekuensi radio dimana ger%ang kedua gerang keduan*a digunakan se%agai pengendali penguatan atau pen$ampuran dan pengu%ahan frekuensi.

FinFET

Peranti FinFET ger%ang ganda. FinFET adalah se%uah peranti ger%ang ganda *ang diperkenalkan untuk memprakirakan flek kanal pendek dan mengurangi perendahan sa+ar diinduksikan&$erat. MOSFET moda pemiskinan Peranti MOSFET moda pemiskinan adalah MOSFET *ang dikotori sedemikian pura sehingga se%uah kanal ter%entuk +alaupun tidak ada tegangan dari ger%ang ke sum%er. 1ntuk mengendalikan kanal( tegangan negatif dikenakan pada ger%ang untuk peranti kanal&n sehingga %m!m$&k$nkan% kanal( *ang mana mengurangi arus *ang mengalir melalui kanal. Pada dasarn*a( peranti ini eki:alen dengan sakelar normal&hidup( sedangkan MOSFET moda penga*aan eki:alen dengan sakelar normal&mati.3 G4 9arena peranti ini kurang %erdesah pada daerah MF dan penguatan *ang le%ih %aik( peranti ini sering digunakan pada peralatan elektronik MF. Logika "MOS MOSFET kanal&n le%ih ke$il daripada MOSFET kanal&p untuk performa *ang sama( dan mem%uat han*a satu tipe MOSFET pada kepingan silikon le%ih murah dan le%ih sederhana se$ara teknis. )ni adalah prinsip dasar dalam desain logika 'MOS *ang han*a menggunakan MOSFET kanal&n. Dalaupun %egitu( tidak seperti logika -MOS( logika 'MOS menggunakan da*a %ahkan ketika tidak ada pensakelaran. 8engan peningkatan teknologi( logika -MOS menggantikan logika 'MOS pada tahun !HE&an. MOSFET daya

)risan se%uah MOSFET da*a dengan sel persegi. Se%uah transistor %iasan*a terdiri dari %e%erapa ri%u sel. MOSFET da*a memiliki struktur *ang %er%eda dengan MOSFET %iasa. 3 H4 Seperti peranti semikonduktor da*a lainn*a( strukturn*a adalah :ertikal( %ukann*a planar. Menggunakan struktur :ertikal memungkinkan transistor untuk %ertahan dari tegangan tahan dan arus *ang tinggi. Mating tegangan dari transistor adalah fungsi dari pengotoran dan kete%alan dari lapisan epitaksial&n( sedangkan rating arus adalah fungsi dari le%ar kanal. Pada struktur planar( rating arus dan tegangan tem%us ditentukan oleh fungsi dari dimensi kanal(

menghasilkan penggunaan *ang tidak efisien untuk da*a tinggi. 8engan struktur :ertikal( %esarn*a komponen hampir se%anding dengan rating arus dan kete%alan komponen se%anding dengan rating tegangan. MOSFET da*a dengan struktur lateral %an*ak digunakan pada penguat audio hi&fi. 9ele%ihann*a adalah karakteristik *ang le%ih %aik pada daerah penjenuhan daripada MOSFET :ertikal. MOSFET :ertikal didesain untuk penggunaan pensakelaran. #MOS 8MOS atau semikonduktor;logam;oksida terdifusi;ganda adalah teknologi pen*empurnaan dari MOSFET :ertikal. 0ampir semua MOSFET da*a dikonstruksi dengan teknologi ini.