O transistor de efeito de campo

Nos Juno Bipolar Transistor tutoriais, vimos que a sada do coletor de corrente do transistor proporcional entrada de corrente que flui para o terminal de base do dispositivo, tornando o transistor bipolar uma "CURRENT" dispositivo (modelo Beta) funcionava como uma corrente menor pode ser utilizado para exibir uma corrente de carga maior. O transistor de efeito de campo , ou simplesmente FET no entanto, utiliza a tenso que aplicado ao seu terminal de entrada, a chamada porta para controlar a corrente que flui atravs delas, resultando na corrente de sada proporcional tenso de entrada. Tal como o seu funcionamento baseia-se um campo elctrico (da o nome de efeito de campo) gerado pela entrada de porta de voltagem, isto faz com que, em seguida, o transistor de efeito de campo de um "TENSO" dispositivo operado.

Tpico de Efeito de Campo Transistor O transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor de trs terminais unipolar que tem caractersticas muito semelhantes s dos seus Bipolar Transistor homlogos ou seja, alta eficincia, funcionamento instantneo, robusta e barata e pode ser utilizada na maioria das aplicaes de circuito electrnico, para substituir os transistores de juno bipolar equivalentes (BJT) primos. Transistores de efeito de campo pode ser muito menor do que um transistor BJT equivalente e, juntamente com o seu baixo consumo de energia e dissipao de energia os torna ideais para uso em circuitos integrados, como a gama CMOS de chips lgicos digitais. Lembramo-nos dos tutoriais anteriores que existem dois tipos bsicos de construo Bipolar Transistor, NPN e PNP , que descreve basicamente o arranjo fsico do tipo P e materiais semicondutores tipo N a partir do qual elas so feitas. Isso tambm verdade para FET de como h tambm duas classificaes bsicas de efeito de campo de transistores, chamados a FET N-channeleo FET P-canal . O transistor de efeito de campo um dispositivo de trs terminais que construdo sem PN-junes dentro do caminho de corrente principal entre o dreno e os Fonte terminais, que correspondem em funo do coletor eo emissor, respectivamente, do transistor bipolar. O trajecto da corrente entre os dois terminais

chamado "canal", que pode ser feito de um tipo P ou um material semicondutor de tipo N. O controlo da corrente que flui neste canal conseguido fazendo variar a tenso aplicada porta . Como seu nome sugere, Transistores Bipolares so dispositivos "Bipolar", porque eles funcionam com os dois tipos de portadores de carga, buracos e eltrons. O transistor de efeito de campo, por outro lado um dispositivo "unipolar", que depende apenas da conduo de eltrons (N-canal) ou buracos (canal P). O transistor de efeito de campo tem uma grande vantagem sobre as suas primos transistor bipolar padro, em que a sua impedncia de entrada, ( Rin ) muito elevada, (milhares de ohms), ao passo que o BJT comparativamente baixo. Esta impedncia de entrada muito elevada torna muito sensvel a sinais de tenso de entrada, mas o preo desta elevada sensibilidade tambm significa que elas podem ser facilmente danificada por electricidade esttica. Existem dois tipos principais de efeito de campo, o transistor de efeito de campo de juno do transistor ou JFET eo Duplas-gate transistor de efeito de campo ou IGFET) , que mais comumente conhecido como o padro Metal Oxide Semiconductor Campo Efeito Transistor ouMOSFET para breve.

O transistor de efeito de campo de juno

Vimos anteriormente que um transistor bipolar de juno construdo usando dois PN junes no caminho de conduo de corrente principal, entre o emissor e os terminais de coletor. A juno de Efeito de Campo Transistor (JUGFET ou JFET) no tem PN-junes mas tem um pedao estreito de material semicondutor de alta resistividade formando um "canal" de qualquer tipo N ou tipo P de silcio para os portadores majoritrios a fluir atravs de dois conexes eltricas hmicas em cada extremidade comumente chamado de drenagem ea Fonte respectivamente. H duas configuraes bsicas de efeito de campo de juno do transistor, o JFET Nchannel eo JFET de canal P. O canal de JFET canal N dopado com impurezas de doadores o que significa que o fluxo de corrente atravs do canal negativo (da o termo N-canal) em forma de eltrons. Da mesma forma, o canal de JFET canal P dopado com impurezas aceitadoras que significa que o fluxo de corrente atravs do canal positivo (da o termo canal P) sob a forma de buracos. N-canal JFET de ter uma condutividade canal maior (menor resistncia) do que os seus tipos de canal P equivalentes, uma vez que os eltrons tm uma maior mobilidade atravs de um condutor em relao a buracos. Isso faz com que um condutor mais eficiente do N-channel do JFET em comparao com os seus homlogos da P-canaleta. Dissemos anteriormente que existem duas conexes eltricas hmicas em cada extremidade do canal chamado de drenagem ea Fonte . No entanto, dentro deste canal, h uma terceira ligao elctrica, que chamado o porto terminal e este

tambm pode ser do tipo P ou do tipo N, formando um material de PN-juno com o canal principal. A relao entre as ligaes de um transistor de efeito de campo de juno e um transistor bipolar de juno so comparados abaixo.

Comparao de ligaes entre um JFET e um BJT

Transistor Bipolar Efeito de Campo Transistor

Emissor - (E) >> Fonte - (S) Base de Dados - (B) >> Porto - (L) Collector - (C) >> Escorra - (D)
Os smbolos e construo de base para ambas as configuraes de JFETs so mostrados abaixo.

O "canal" de semicondutores da Juno de Efeito de Campo Transistor um caminho de resistncia, atravs do qual uma tenso V DS faz com que uma corrente I D a fluir e, como tal, o campo de juno efeito transistor pode conduzir corrente igualmente bem em qualquer direo. Como o canal resistivo na natureza, um gradiente de tenso , assim, formada ao longo do comprimento do canal com esta tenso se tornar menos positivo como vamos partir do terminal de drenagem para o terminal de fonte. O resultado que a juno PN-, portanto, tem uma alta polarizao inversa, no terminal de drenagem e uma polarizao reversa inferior, no terminal de fonte. Este

enviesamento provoca uma "camada de depleo" a ser formado no interior do canal, e cuja largura aumenta com o vis. A magnitude da corrente que flui atravs do canal de ligao entre o dreno e os terminais de fonte controlado por uma tenso aplicada ao terminal de porta, que uma polarizao reversa. Em um JFET N-channel esta tenso Gate negativa, enquanto para um JFET de canal P a tenso da porta positiva. A diferena principal entre o JFET e um dispositivo BJT que quando a juno JFET inversamente polarizado a corrente de porta praticamente zero, visto que a corrente de base do BJT sempre algum valor superior a zero.

Polarizao de um JFET N-channel

O diagrama acima mostra em corte transversal de um canal do semicondutor do tipo N, com uma regio de tipo P a chamada porta difunde para o canal do tipo N, formando uma juno PN tendenciosa inversa e nesta juno que forma a regio de depleo em torno da rea da porta quando sem tenses externas so aplicadas. JFETs so, portanto, conhecidos como dispositivos de modo de depleo. Esta regio de depleo produz um gradiente de potencial que de espessura varivel em torno da juno PN, e restringir o fluxo de corrente atravs do canal, reduzindo a sua largura efectiva e assim aumentar a resistncia global do prprio canal. Ento, podemos ver que a parte mais empobrecido da regio de depleo entre o porto eo Drain, enquanto a rea menos empobrecido entre o Gate e da Fonte. Em seguida, o canal do JFET realiza com zero de tenso aplicada (isto , a regio de depleo tem perto de largura zero). Sem tenso Porto externo ( V G = 0 ), e uma pequena tenso ( V DS ), aplicada entre o dreno ea fonte, corrente de saturao mxima ( I DSS ) fluir atravs do canal do dreno para a fonte restrito apenas pela regio esgotamento pequeno em torno das junes.

Se uma pequena tenso negativa ( V- GS ) agora aplicada porta do tamanho da regio de exausto comea a aumentar a reduo da rea eficaz total do canal, reduzindo assim a corrente que flui atravs dele, de uma espcie de efeito de "apertar" leva lugar. Assim, atravs da aplicao de uma tenso de polarizao inversa aumenta a largura da regio de depleo que, por sua vez reduz a conduo do canal. Desde o PN-juno tendenciosa reversa, pouca corrente ir fluir para a conexo porto. Como a tenso Gate ( -V GS ) torna-se mais negativa, a largura do canal diminui at que no haja fluxos mais atuais entre o dreno ea fonte eo FET dito ser "beliscado-off" (semelhante ao de corte regio para um BJT). A tenso a que o canal fecha chamado de "tenso pinch-off", ( V P ).

JFET Canal Pinched-off

Nesta regio pinch-off da tenso da porta, V GS controla a corrente do canal e V DS tem pouco ou nenhum efeito.

JFET Modelo O resultado que o FET actua mais como uma resistncia de tenso controlada que tem resistncia zero quando V GS = 0 e mxima resistncia "ligada" ( R DS ) quando a tenso de porta muito negativo. Sob condies normais de funcionamento, a porta JFET sempre polarizado negativamente em relao fonte. essencial que a tenso da porta nunca positivo, pois se tudo o canal fluiro para a porta e no para a Fonte, o resultado dano ao JFET. Depois de fechar o canal:

Sem tenso Gate ( V GS ) e V DS aumentada de zero. No V DS e Porto controle diminuda negativamente a partir de zero.

V DS e V GS varivel.

O canal P juno do transistor de efeito de campo opera o mesmo que o canal-N acima, com as seguintes excepes: 1). Canal atual positivo devido a buracos, 2). A polaridade da tenso de polarizao necessita de ser revertido. As caractersticas de um JFET N-canal com o porto de curto-circuito para a fonte de sada dada como

Sada caracterstico curvas VI de um FET juno tpica.

A tenso V GS aplicada porta controla a corrente que flui entre o dreno e os terminais Fonte. V GSrefere-se a tenso aplicada entre o porto ea Fonte enquanto V DS refere-se a tenso aplicada entre o dreno ea fonte. Porque uma juno de efeito de campo do transistor um dispositivo de tenso controlada,"nenhuma corrente flui para o porto!" , em seguida, o atual Fonte ( I S ) que flui para fora do dispositivo igual ao de drenagem corrente que flui para ele e, portanto, ( I D = I S ) .

O exemplo de curvas caractersticas mostradas acima, mostra as quatro regies diferentes de operao para um JFET e estes so dados como:

hmica Regio - Quando V GS = 0 a camada de depleo do canal muito

pequena eo JFET age como um resistor controlado por tenso.

Cut-off Regio - Este tambm conhecida como a regio de pinch-off foram

a tenso de porta, V GS suficiente para fazer com que o JFET para actuar como um circuito aberto como a resistncia ao escoamento no mximo.

Saturao ou Active Regio - O JFET torna-se um bom condutor e

controlado pela tenso porta-fonte, (V GS ), enquanto a tenso dreno-fonte, (V DS ) tem pouco ou nenhum efeito.

Regio Breakdown - A tenso entre o dreno ea fonte, (V DS ) alta o

suficiente para causa canal resistiva do JFET para quebrar e passar corrente mxima descontrolada.

As curvas caractersticas de um transistor de efeito de campo de juno P-canal so os mesmos que os acima, excepto que a corrente de drenagem I D diminui com um aumento da tenso de porta-fonte positiva, V GS . A corrente de dreno zero quando V GS = V P . Para a operao normal, V GS tendenciosa para estar em algum lugar entre V P e 0. Ento, podemos calcular a corrente Drain, eu D para qualquer ponto de polarizao dado na saturao ou regio ativa da seguinte forma:

Escorra corrente na regio ativa.

Note-se que o valor da corrente de dreno estar entre zero (pinch-off) e I DSS (intensidade mxima).Ao conhecer a corrente de drenagem I D e a tenso de dreno-fonte V DS a resistncia do canal ( I D ) dada como:

Fonte de dreno da resistncia do canal.

Onde: g m o "ganho de transcondutncia" desde o JFET um dispositivo controlado por tenso e que representa a taxa de variao da corrente de drenagem com respeito variao de tenso de porta-fonte.

O Amplificador de JFET
Assim como o transistor de juno bipolar, JFET de pode ser usado para fazer classe A fase nica circuitos amplificadores com o amplificador fonte comum JFET e caractersticas, sendo muito semelhante ao circuito emissor comum o BJT. As principais vantagens JFET amplificadores tm mais amplificadores BJT a sua alta impedncia de entrada, que controlada pela rede de polarizao resistiva porta formado por R1 e R2 , como mostrado.

Polarizao do JFET Amplificador

Esta fonte comum (CS) do circuito amplificador polarizado no modo de classe "A" pela rede divisora de tenso formado pelas resistncias R1 e R2 . A voltagem atravs da resistncia de fonte R S geralmente ajustado para ser cerca de um quarto de V DD , ( V DD / 4 ). A tenso de porta necessria pode ser calculada utilizando esta R S valor. Como a corrente Gate zero, ( I G = 0 ), podemos definir a tenso de repouso necessrio DC pela seleo adequada dos resistores R1 e R2 . O controlo da corrente de drenagem por um potencial negativo de porta faz com que o transistor de efeito de campo de juno til como um interruptor e que essencial que a tenso de porta nunca positivo para um JFET N-canal como o canal de corrente ir fluir para a porta e no o Escorra, resultando em danos ao JFET. Os princpios de funcionamento de um canal de JFET-P so os mesmos que para o JFET N-canal, excepto que a polaridade da voltagem precisa ser invertida. No prximo tutorial sobre Transistores , vamos olhar para um outro tipo de efeito de campo chamado de transistor MOSFET cuja conexo Gate est completamente isolado do principal canal de transporte atual.