Prctica no.

8: La memoria SRAM 6116

E. Romero A I TSON Laboratorio de Sistemas Digitales I I (plan 2002)

PRCTICA No. 8

LA MEMORIA SRAM 6116


OBJETIVOS:

Identificar las terminales tpicas de una RAM esttica (SRAM).

Analizar los ciclos de lectura y escritura de la SRAM 6116.

Manipular adecuamente las lneas de direccin, las lneas de datos y las seales
de control de la SRAM 6116, para escribir y leer datos de una localidad de
memoria especfica.


INTRODUCCIN:

Las memorias son dispositivos de almacenamientos de datos binarios de largo plazo
(permanente) o corto plazo (temporal). La memoria es un componente fundamental en los
sistemas digitales programables y esta presente en una gran parte de los sistemas
actuales.

Existen en la literatura diversas formas en las que las memorias pueden clasificarse, tal
como lo sugiere la figura 8.1. De forma general, se puede clasificar en aquellas que tienen
acceso secuencial y las que tienen acceso aleatorio y a partir de ah, se desprenden todas
las dems variantes.



Figura 8.1 Clasificacin de las memorias

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E. Romero A I TSON Laboratorio de Sistemas Digitales I I (plan 2002)

Existen tres parmetros que caracterizan a toda memoria y son:

Capacidad:
Es el nmero total de localidades que posee una memoria y siempre debe ser un mltiplo
de 2
n
.

Anchura de la palabra:
Es la cantidad de bits individuales que es capaz de almacenar cada localidad de palabra.
Las anchuras tpicas en memorias comerciales son de 4 bits (nibble), 8 bits (byte) y 16
bits (word).

Tiempo de acceso (t
acc
):
Es el tiempo que tarda una memoria en entregar un dato vlido en su salida. De tal
forma, este parmetro define la rapidez de lectura de la memoria, por ejemplo un
t
acc
= 200 ns significa que la memoria es capaz de entregarnos hasta 5 millones de datos
en un segundo.


Memorias de acceso aleatorio

Las memorias de acceso aleatorio conocidas como RAM por sus siglas en ingles. Se
caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables
de direccin que permite seleccionar cualquier localidad de memoria en forma directa e
independiente de la posicin en la que se encuentra.

Por lo regular estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando
no hay energa y se clasifican en dos grandes grupos: RAM estticas (SRAM) y RAM
dinmicas (DRAM. En las SRAM la celda bsica est basada en un FF y en las DRAM las
celdas bsicas estn construidas con capacitores. En la tabla 8.1 se comparan las
caractersticas de ambos tipos de memoria.

Memoria Ventajas Desventajas Aplicaciones
SRAM
Menor tiempo de acceso.

No necesita regenerar su
contenido.

Son ms fciles de usar.

Menor densidad y capacidad

Mayor costo por bit

Mayor consumo de potencia
Memoria cache
DRAM
Mayor capacidad y
densidad

Menor costo por bit

Menor consumo de
potencia.
Mayor tiempo de acceso.

Es necesario regenerar
peridicamente su contenido.

Su uso requiere controladores
adicionales.
Memoria
principal para
PCs


Tabla 8.1: Resumen comparativo entre las SRAM y DRAM

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MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

Cantidad Descripcin

1 SRAM 6116
1 74LS04
1 74LS244
2 Conjunto de 8 microinterruptores
4 Leds
12 Resistencias de 1K
4 Resistencias de 330

1 Protoboard.
1 Fuente de alimentacin de 5 V
DC

1 Probador Lgico.


Pre-reporte:

Leer previamente toda la prctica.

Investigar el diagrama esquemtico de la SRAM a utilizar, as como de su tabla de
verdad y sus diagramas de tiempo para su ciclo de lectura y escritura.


DESARROLLO

1. Proceda a implementar el circuito de la figura 9.3, el cul nos permitir experimentar
con la SRAM. Como puede notarse, el cambio de la direccin de memoria, los datos de
entrada y las lneas de control se van a manipular por medio de interruptores, en tanto
que los datos de salida podrn visualizarse en los leds.

2. La SRAM 6116 es una memoria de 2K x 8, sin embargo en este circuito no es posible
direccionar esos 2K en su totalidad ni tampoco toda la anchura de palabra disponible,
explique a que se debe esto?

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Para cuanta capacidad y anchura de palabra esta configurada la SRAM?

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3. Junto con la RAM existe un inversor 74LS04, por qu es necesario incluirlo en el
circuito?

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Figura 8.2: Circuito experimental para la SRAM 6116

4. En el circuito tambin hay un 74LS244, escriba cul la f uncin que realiza en el
circuito?
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Es posible omitirlo?, justifique su respuesta.

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5. Con la ayuda de los microinterruptores, introduzca 0s en todas las lneas de direccin y
1s en todas las lneas del dato de entrada, la R/W y la de habilitar memoria. A
continuacin ponga la R/W en cero. Qu es lo que sucede en el circuito?

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Retorne R/W a un nivel alto. Describa que f ue lo que paso y porqu?

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6. Introduzca un nivel bajo en la lnea habilitar memoria y luego ponga R/W = 0. Modifique
el dato de entrada a 1111b, 0011b y 1010b. Despus retorne R/W a 1, Hubo algn
cambio en los leds?,

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Describa las operaciones que llevo a cabo la SRAM al manipular las seales en el inciso
anterior.

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7. Modifique el valor lgico de las lneas de direccin de tal forma que sea diferente a
00000b. Por qu cambio el estado de los leds (dato de salida)?

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8. Apague el circuito. Luego analice el diagrama de tiempos de la figura 8.3 y responda
las preguntas que se plantean.

Pines de
direcciones
Habilitar
memoria
Datos de
entrada
R / W
Datos de
entrada
00001b 10000b 11111b 00001b 10000b 11111b
1100b 0101b 1001b

Figura 8.3: Diagrama de tiempos a experimentar en la SRAM 6116

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La lnea vertical en el diagrama delimita los dos grandes ciclos contenidos en el diagrama.
Qu operaciones hace la SRAM en cada uno de ellos?

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Cuntas direcciones distintas de la SRAM y cuantos datos de entrada se plantean en el
diagrama?

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9. Escriba la secuencia en que se deben manipular las seales (microinterruptores) para
poder simular el diagrama de tiempos de la figura 8.3 en su circuito. En base a lo que se
observe, grafique la parte de correspondiente a los datos de salida. Recuerde que es muy
importante respetar la secuencia que guardan las seales en el diagrama. En caso de que
exista duda de cmo hacer este paso, consulte a su profesor.

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