ELECTRNICA BSICA TRABAJO COLABORATIVO

MARTHA LILIANA IDROBO SANTARUZ Cdigo 1061748588

Tutor JAIRO LUIS GUTIERREZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)

INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES POPAYAN-CAUCA 2014

INTRODUCCION

Con el siguiente trabajo se demostrara la temtica de la unidad N1, resolviendo los ejercicios planteados sobre los diodos y transistor BJT, donde se mostraran pantallazos sobre el trabajo; con la ayuda del programa de PSPICE, uno de los simuladores en el diseo y anlisis de circuitos tanto analgicos como digitales.

TABLA DE CONTENIDO

Pag,

Introduccin. .2 Fase 1. Diodos..4 Fase 2. Transistor BJN11 Conclusiones. ..14 Bibliografa.15

FASE 1: LOS DIODOS Conociendo que el voltaje de entrada VP (Voltaje Pico) es de 9 Volts se inicia el diseo de un circuito rectificador. Dada las Formulas Relacionadas al Rectificador de Onda Completa tipo puente:

Vrms = VP / 2

PIV = VP (Sal) + 0.7V

Vrms = VP x 0.707

VProm = 2VP /

VP (Sec) = VP (Sal) + 1.4V

Definiciones: Vrms (Ent): Valor eficaz del voltaje de entrada al rectificador. VProm (Ent): Valor promedio del voltaje de entrada al rectificador. VP (Sal): Valor pico de salida del rectificador. Vrms (Sal): Valor eficaz del voltaje de salida del rectificador. PIV: Voltaje de Pico Inverso.

1.1 Complete luego de los clculos la siguiente tabla:

Vrms(ent) 6.3640Vlts

Vprom(ent) 5.7295 Volst

Vp(sal) 7.6Volts (sal)

Vrms(sal) 6.363Volts

PIV 9.7 V (Sal)

Vrms = VP / 2 Vrms = 9 V / 2 Vrms = 9 V / 1.4142 Vrms = 6.3640Vlts

VProm = 2VP / VProm = 2(9)/ 3.1416 VProm = 5.7295 Volst

VP (Sec) = VP (Sal) + 1.4V VP (Sal) =VP (sec) - 1.4V VP (Sal) = 9V-1.4V VP (Sal) = 7.6Volts (sal)

Vrms = VP x 0.707 Vrms = 9V x 0.707 Vrms = 6.363Volts

PIV = VP (Sal) + 0.7V PIV = 9 V (Sal) + 0.7V PIV = 9.7 V (Sal) 1.2 Construir en Pspice Student 9.1 y Simular en anlisis transitorio dibujando al menos 4 ciclos de la seal de entrada y salida del circuito de la Figura No.1, debe anexar pantallazo de grficas resultado de la simulacin dentro del informe y exponer las conclusiones de lo observado durante el experimento.

1.3 Agregar un condensador de 1200uF en paralelo con R1 al circuito de la figura No.1 y volver a simular, anexar nueva grfica y comentar que cambio nota.

El cambio fue en la seal de salida de R1 el cual al llegar a su punto mximo de la cresta mantiene una lnea recta lo que significa que permanece un voltaje constante respecto a la seal de entrada de V1

1.4 Mencione si la siguiente afirmacin es falsa o verdadera y justifique su respuesta:

El circuito de la figura No.1 es llamado rectificador de Onda completa con derivacin central!

Rta: La afirmacin es falsa, porque si bien el circuito es un rectificador de onda completa no es con derivacin central puesto que estos utilizan entre la fuente y los diodos un transformador para convertir corriente alterna en continua.

1.5 Disear un Regulador Zener que cumpla estas condiciones: Tensin de fuente Vs = 15Vdc corriente necesitada en la carga IRL= 10mA. En este diseo se debe implementar el Diodo 1N750.Completar luego de los clculos la siguiente tabla.

Izmin
11.25mA

Rsmin
137

Rsmax
309

Rs
223

RL
4680

Is
46mA

Iz
24mA

Pz
112.8mA

Dadas las formulas: PZ = VZ IZ IZmx = PZ / VZ IZmn = IZmx *0,15 RSmn = (VS - VZ) / IZmx RSmx = (VS - VZ) / (IZmn + IRL) RS = (RSmn + RSmx) / 2 RSmn <RS <RSmx VL = VZ IRL = VL / RL IZ = IS IRL IS = IZ + IRL IS = (VS - VZ) / RS

DATOS: VS=15Vdc IRL=22mA

VZ=4.7

IZmax=75mA

IZmn = IZmx *0,15 IZmn = 75mA*0,15 IZmn = 11.25mA RSmn = (VS - VZ) / IZmx RSmn = (15Vdc- 4.7) / 75mA RSmn = (10.3)/75mA RSmn= 0.1373=137 8

RSmx = (VS - VZ) / (IZmn + IRL) RSmx = (15Vdc- 4.7) / (11.25mA+ 22mA) RSmx = (10.3) / (33.25) RSmx = 0.31 =309

RS = (RSmn + RSmx) / 2 RS = (137+309) / 2 RS = (446) / 2 RS = 223

IRL = VL / RL RL=IRL/VL RL=22mA/4.7 RL=4.68=4680 IS = (VS - VZ) / RS IS = (15Vdc- 4.7) / 223 IS = (10.3) / 223 IS = 0.046=46mA IZ = IS IRL IZ = 46mA 22Ma IZ = 24mA PZ = VZ IZ PZ = 4.7 * 24 Pz=112.8mA Definiciones: VS: valor de la fuente de tensin no regulada VZ: Voltaje Zener (parmetro en hoja del fabricante) PZmx: potencia mxima soportada por el Zener (parmetro en hoja del fabricante) PZ: potencia disipada por el Zener IZ: corriente en el Zener RS: valor ptimo para el resistor limitador de corriente RSm n: mnimo valor para el resistor limitador de corriente RSmx: mximo valor para el resistor limitador de corriente

RL: carga RZ: resistencia del Zener IRL: corriente necesitada en la carga IZmn: corriente Mnima Zener IZmx: corriente Mxima soportada por el Zener (parmetro en hoja del fabricante) IS: corriente en el resistor limitado

1.6 Construir en el Simulador Pspice Student 9.1 el Regulador Zener incluya imagen capturada desde la aplicacin mostrando los valores medidos de Voltaje y Corriente.

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FASE 2: EL TRANSISTOR BJT. 2.1 DADAS LAS FORMULAS: VCE = VC Beta = IC / IB IB= (VBB VBE) / RB PD= VCE * IC

Dado el circuito Transistor BJT NPN Emisor Comn:

Completar la siguiente Tabla: VC 7.5V Clculos VCE = VC=7.5V Beta = IC / IB= IB = Ic/Beta=100Ma/118=0.848mA PD= VCE * IC=7.5V*100Ma=750Mw IB= (VBB VBE) / RB =(VBB-VBE)/IB= RB=(6V-0.7)/0.848=6.25K VCE=VCC-( IC*RC)=RC=(VCC- VCE)/IC= 75 75 RC IB 0.848mA VB 5.3V RB 6.25K PD 750mW

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2.2 Mencionar las zonas de trabajo del Transistor BJT y aplicacin de cada una de ellas.

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imax)

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En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor est en saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=IcIb ) no se cumple. De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero. Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica (especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente. Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran: Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM). Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores). Se usan generalmente en electrnica analgica y en la electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

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CONCLUSIONES

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BIBLIOGRAFIA

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