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SensoresTérmicos I
Professor Fabiano Fruett
www.dsif.fee.unicamp.br/~fabiano
IE 012 2
1
IE 012 3
Escalas de temperatura
T ( K ) − 273,15 T ( F ) − 32 T ( C )
D D
= =
5 9 5
IE 012 4
• Passivos (Auto-suficientes)
– Termopares (efeito termoelétrico)
• Ativos (Modulantes)
– “Termo”resistores,
– “Termo”diodos e
– “Termo”transistores
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∆V = α AB ∆T
IE 012 6
3
IE 012 7
Fonte: D.E. Gray (ed.), American Institute of Physics Handbook, McGraw-Hill, New York, 1982, 4.7-4.9
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Termopares padrão
Tipo Material positivo Material negativo
E Cromel Cosntantan
J Ferro Cosntantan
K Cromel Alumel
S Platina 10% Ródio Platina
T Cobre Cosntantan
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Não linearidade
∆T = a0 + a1∆V + a2 ∆V 2 + ... + an ∆V n
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α é o coeficiente de Seebeck
k é a condutividade elétrica
kT é a condutividade térmica
N é a densidade de portadores
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Coeficiente de Seebeck no Si a
temperatura ambiente
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A tensão termodinâmica
devido as junções Si-Al,
depende do nível de dopagem
do silício, podendo chegar a
1.4 mV/K.
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Termopilhas
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7
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8
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= ni q (µ n + µ p )
1
ρ
sendo que:
ni é a concentração de portadores intrínsecos
µn e µp são as mobilidades dos elétrons e lacunas
respectivamente.
ni(T), µn(T) e µp(T)
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Faixa de
interesse
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Resistor integrado
Difusão ou implantação p+
Epitaxia tipo n
Substrato tipo p
Isolação Camada enterrada
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Limitações tecnológicas
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11
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10000 0,008
0,007
1000 0,006
TCR[K-1]
0,005 Ω/
W/sqr
Ω /sqr
100 0,004
0,003 TCR
10 0,002
0,001
1 0
LN
se
N+
P+
ba
+B
P-
ub
Nt
ll+
we
N-
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102
1014
10 1015
1016
1
1017
10-1
1018
10-2
1019
10-3
12
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• Filmes finos
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Polisilício
• Estrutura formada por pequenos cristais
com distribuição aleatória, podendo ter um
certo número de orientações dominantes.
• Suas características (resistividade, TCR e
piezo constantes) são fortemente
dependentes do processo de deposição e
dopagem.
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IE 012 27
Parâmetros de um processo
industrial CMOS 1.2 um
Difusão n+ Difusão p+ Poly High res. Poly Metal
Resistência [Ω/sqr] 25 44 27 2700 0.070
TCR [×10-3 K-1] 1.9 1.9 0.7 -3.3 2.8
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Diodos
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Transistores
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Característica IC vs.VBE de um
transistor bipolar
VVBE VBE
I C = I S e T − 1 ≅ I S e VT
IC é a corrente de coletor
VT a tensão termodinâmica = kBT/q
kB é a constante de Boltzmann, kB=1,38062 × 10-23 [J/K]
T a temperatura em Kelvin
q a carga do elétron 1.60 × 10-19 [C]
portanto VT @ temperatura ambiente = 25 mV
IS corrente de saturação reversa
Fonte; Sedra & Smith, Microelectronics
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k BT WB
Dn = µn ∫ N (x )dx = N WB
q 0
A A
XC
qAE ni2 Dn
QB = qAE ∫ p(x )d
XE
x IS =
N AWB
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Efeito da temperatura em IS
V g = V g 0 − αT µ n ∝ T −n
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Ref: G.C.M.Meijer and K. Vingerling, IEEE JSSC, vol. Sc15, n2, April 1980
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T T k T T k T I (T )
VBE (T ) = Vg 0 1 − + VBE (Tr ) − η B ln + B ln C
Tr Tr q Tr q I C (Tr )
Normalmente IC é proporcional a temperatura.:
IC ∝ T m
Fazendo m=1 (diretamente proporcional), tem-se:
T T kT T
VBE (T ) = Vg 0 1 − + VBE (Tr ) − (η − m ) B ln
Tr Tr q Tr
Ref: G.C.M.Meijer and K. Vingerling, IEEE JSSC, vol. Sc15, n2, April 1980
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Tr
T [K]
Ref: G.C.M.Meijer and K. Vingerling, IEEE JSSC, vol. Sc15, n2, April 1980
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Exemplo considerando:
Vg 0 = 1166 mV η = 3.72 Tr = 323 K VBE (Tr ) = 630 mV m=0
-0.5
-1
[mV]
-1.5
-2
V BE,NL (T )
η-m=3.72
-2.5
T r=50oC=323 K
-3
η -m B =3
-3.5
-4
-50 0 50 100 150
o
Temperature [ C]
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Ic
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Comparação
Propriedade Resistor PT Termistor Termopar Transistor
Formato da Resistência Resistência Tensão Tensão
Saída
Faixa de Grande Média Muito grande Média
Operação -260 a -80 a +180 -270 a +3500 -50 a +180
(ºC) +1000
Sensibilidade Média 0,4% Alta 5% / K Baixa 0,05 a Alta ~2mV /
/K 1mV / K K
Linearidade Muito Boa < Muito Não- Boa ±1K Boa ± 1K
±0,1K Linear
Exatidão:
- Absoluta Alta em Alta em Não é Média
ampla faixa estreita faixa possível
- Diferencial Média Média Alta Média
Custo para Médio - Não Baixo - Não Média Muito Baixo
Adequação é um é um Sim Sim, muito
em CI processo processo facilmente
padrão padrão
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