MATERIALES SEMICONDUCTORES

DEFINICIN
La denominacin semiconductor advierte en s misma sus caractersticas. El prefijo
semi es aplicado normalmente a un rango de nivel entre dos lmites.
*El trmino conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo
generoso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs
de sus terminales.
*Un aislante o dielctrico es un material que presenta un nivel muy inferior de
conductividad cuando se encuentra bajo la presin de una fuente de voltaje aplicada.
*Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee un nivel de
conductividad que se localia entre los e!tremos de un dielctrico y de un conductor.
"e una manera general, se define a los elementos semiconductores como
materiales cuya resistividad se encuentra comprendida entre la de los aislantes
#$%
$&
'*cm( y la de los conductores #$%
)*
'*cm( y cuya conductividad aumenta al
aumentar la temperatura. Esta definicin resulta insuficiente, ya que algunos materiales
conductores pueden tener una resistividad mayor que la de ciertos materiales
semiconductores y la resistividad de los aislantes disminuye al aumentar la temperatura.
+ara poder definir de manera m,s precisa lo que es un semiconductor, es
necesario emplear alguno de los conceptos de -ec,nica .u,ntica, como la teora de
bandas de energa, y que permite e!plicar de una manera m,s precisa los fenmenos de
conduccin en los slidos y en particular en los semiconductores.
En general, los procesos de conduccin observados en dispositivos construidos con
materiales semiconductores son m,s difciles de analiar que en el caso de dispositivos en
los cuales los fenmenos de conduccin se realian en vaco. En este /ltimo caso, por
ejemplo, se tiene siempre un solo tipo de portadores de carga, que son los electrones,
mientras que en el caso de los semiconductores siempre e!isten dos tipos de portadores0
los electrones y los huecos.
*NOTA 1*
MATERIALES ELCTRICOS
1. 123L1"45E3 65esistividad #( 1lta0 '7m8
9idrio, porcelana, pl,sticos, tefln, papel, vaco, mica, mylar, policarbonato,
aceites dielctricos, moma!, 3i4&.
&. 3E-2.4:"U.;45E30
2ntrnsecos #puros(0
o Germanio (Ge): Es el primer elemento en utiliar en la industria, muy
sensible a los cambios de temperatura #e!isten circuitos que trabajan a
muy alta frecuencia(
o Silicio (Si): Es el segundo empleado en la industria, barato, menos
sensible a la temperatura pero no tan r,pido, es decir, aguanta m,s
rango de temperatura.
o Arseniuro de Galio (AsGa): Este compuesto es m,s moderno, es
costoso, resiste mayor margen de temperatura de trabajo y sumamente
r,pido.
1
*NOTA 2*
En el siguiente diagrama se muestran las propiedades que <acen a los
semiconductores los materiales de eleccin para los dispositivos. Estas propiedades
tambin ponen una enorme carga en los procesos de fabricacin.
Propiedades que da a !os
se"i#odu#$ores %a&i!idades
'i#as para produ#ir disposi$i(os
i$e!i)e$es
De"adas si$uadas e !as
$*#i#as de #re#i"ie$o de
#ris$a!es+,a&ri#a#i- de
disposi$i(os
Estructura de bandas banda de
valencia, de conduccin y regin de
bandas de energa pro<ibidas
;cnicas de crecimiento cristalino de
alta calidad que producen mnimos
defectos en la densidad del material
2ntroduccin controlada de
adulterante para alterar la
conductividad del material en m,s de
$% rdenes de magnitud
;cnicas de adulteracin o =dopado>
ex-situ #despus del crecimiento
cristalino( e in-situ #durante el
crecimiento cristalino(
1islamiento de las regiones de un
dispositivo y contactos elctricos
"eposicin de pelcula delgada de
aislantes y metales
Estructuras de peque?as dimensiones
para alta velocidad@alta densidad
;cnicas de grabado y litografa
Teor.a de !as &adas de eer).a /&adas de #odu#$i(idad0
El estudio de la reparticin de los electrones dentro de un slido se efect/a en
-ec,nica .u,ntica considerando que todo electrn en movimiento tiene una onda
asociada, cuya longitud de onda est, dada por0
A h .
mv
"onde #hA constante de +lancB, mA masa del electrn, vA velocidad( El
comportamiento de esta onda asociada se analia mediante una ecuacin similar a la
ecuacin de onda que se emplea en teora electromagntica, cuya forma es
h
&

&
C #E)9( A %
D
2
m
1 esta ecuacin se le denomina ecuacin de Schrdinger y en ella representa la
funcin de onda de la onda asociada y 9 y E son respectivamente las energas potencial y
total de los electrones.
+or medio de esta ecuacin se puede llegar a un modelo en el cual se establece
que los electrones libre dentro de un slido se sit/an /nicamente en ciertos niveles, que
constituyen bandas de energa que pueden ser ocupadas por los electrones, separadas
por bandas de energa que no pueden ser ocupadas por ellos. 1naliando este modelo se
estudian los fenmenos de conduccin dentro del slido.
E!iste una manera simple, aunque muc<o menos rigurosa, para justificar el
modelo de bandas de energa0 consiste en considerar que en el caso de un cuerpo slido
las distancias que separan a sus diferentes ,tomos son muy peque?as, lo que <ace que
e!ista una cierta interaccin entre ellos. Esta interaccin origina que los niveles de
energa correspondientes a un solo ,tomo se dividan en bandas de valores de energa.
2
Esta divisin de los niveles de energa en bandas puede visualiarse f,cilmente
partiendo del <ec<o de que e!iste una relacin cu,ntica entre la energa y la frecuencia
de un sistema atmico #EAhv( y considerando una cierta correspondencia entre un
sistema atmico que posee una energa E y un oscilador de frecuencia vAE@h.
+artiendo de esta <iptesis, se puede considerar el caso similar de un conjunto de
circuitos resonantes separados y oscilando cada uno a su frecuencia fundamental v%.
.uando estos circuitos se acoplan entre s, aparecen otras frecuencias de oscilacin y el
sistema puede oscilar separadamente en un n/mero de frecuencias igual al n/mero de
circuitos acoplados. .uando el acoplamiento entre los diferentes circuitos no es correcto,
las diferentes frecuencias de resonancia permanecen agrupadas cerca de su frecuencia
caracterstica y, por el contrario, cuando dic<o acoplamiento aumenta, la banda de
frecuencias se <ace m,s grande.
En un sistema atmico sucede un fenmeno parecido, pero en este caso el n/mero
de circuitos acoplados es muy elevado. .uando la distancia d entre los ,tomos disminuye,
los fenmenos de la interaccin entre ellos se acent/an y cada nivel de energa se divide
en un gran n/mero de otros niveles que constituyen bandas de energa. 3i se disminuye
a/n m,s el espacio entre los ,tomos, la banda superior se divide en & partes #esta
divisin ocurre para las distancias normales entre los ,tomos de un slido(. 1 la parte
inferior se le denomina banda de valencia y en condiciones normales todos los estados
cu,nticos que posee se encuentran ocupados por los electrones de valencia de los
,tomos. 1 la parte superior se le denomina banda de conduccin y normalmente todos
los estados que puede poseer se encuentran vacos. La banda que se sit/a entre las
bandas de valencia y de conduccin se denomina banda prohibida y no contiene ning/n
estado de energa que pueda se ocupado por los electrones. La e!istencia de estas
bandas pro<ibidas se e!plica considerando que para ciertos valores de la longitud de onda
de la onda asociada #Ah@mv(, es decir, para ciertos valores de la energa E de los
electrones, estas ondas se reflejar,n y por tanto los electrones que posean estos valores
de energa no podr,n propagarse en la red cristalina y regresar,n a la banda inmediata
inferior.
Las bandas correspondientes a los niveles de energa de las capas inferiores son
en general muc<o m,s estrec<as que las de las capas superiores, ya que en ellos los
fenmenos de interaccin son menos marcados que en las superiores.
1 partir del modelo de bandas de energa se puede comprender el mecanismo de
conduccin dentro de un slido, es necesario que los electrones puedan pasar de un
estado cu,ntico a otro y esto no es posible cuando la banda de conduccin se encuentra
completamente vaca y la de valencia totalmente llena.
3in embargo, si algunos electrones pueden pasar de la banda de valencia a la de
conduccin, podr,n efectuar una serie de transiciones dentro de la banda de conduccin,
puesto que todos sus estados cu,nticos se encuentran libres en condiciones normales.
.uando esto sucede, se dice que tiene una conduccin por electrones. E!iste otro tipo
de conduccin al que se denomina conduccin por huecos, que se origina en virtud de
que los estados cu,nticos dejados libres en la banda de valencia por los electrones que
pueden pasar a la de conduccin ser,n ocupados por otros electrones de la misma banda.
Es conveniente notar que el primer caso se considera el movimiento de un mismo
electrn, mientras que en el segundo, el electrn que pasa a ocupar el <ueco dejado,
dejar, a su ve otro <ueco que ser, ocupado por otro electrn y as sucesivamente, por lo
que puede considerarse que es el <ueco el que se desplaa de un lugar a otro.
+ara que los fenmenos anteriores se realicen, es necesario que los electrones
puedan atravesar la banda pro<ibida, para lo cual necesitan poseer una energa superior
a la anc<ura de esta banda. La energa necesaria para atravesar esta banda puede ser
por ejemplo, de origen trmico o electromagntico.
3
E1:"1 "E 91LE:.21
E1:"1
+54F2E2"1
E1:"1 "E .4:"U..2G:
Eg
1ANDA DE 2ALENCIA
1ANDA DE
CONDUCCIN
1ANDA
PRO3I1IDA
E)
Los fenmenos de conduccin depender,n esencialmente de la anc<ura de la banda
pro<ibida, present,ndose los siguientes casos0
a( En los conductores las bandas de valencia y de
conduccin se encuentran unidas, por lo que
siempre e!istir, la posibilidad de que los estado libres
de la banda de conduccin sean ocupados por los
electrones de la banda de valencia, y por lo tanto,
a/n cuando la energa de los electrones sea muy
peque?a, siempre e!istir, una cierta
conduccin elctrica.
b( En el caso de los aislantes, las bandas de
valencia y de conduccin se encuentran
separadas por una banda pro<ibida de una
anc<ura muy grande en comparacin con la
energa que los electrones pueden adquirir por
agitacin trmica a la temperatura ordinaria.
c( El caso de los semiconductores es un caso
intermedio a los dos anteriores0 las bandas de
valencia y de conduccin est,n separadas por
una banda pro<ibida de una anc<ura comparable
ala energa trmica que los electrones de la
banda de valencia poseen ala temperatura del
ambiente, lo que permite que a temperaturas
relativamente bajas pueda e!istir una
cierta conductividad.
Es conveniente notar que en el caso de los conductores la conductividad disminuye
al aumentar la temperatura, debido a que la agitacin trmica de los ,tomos de la red
cristalina <ace que disminuya la movilidad de los electrones.
En el caso de los aislantes y los semiconductores, la conductividad aumenta, ya
que el n/mero de electrones que pueden atravesar la banda pro<ibida crece al elevarse la
temperatura y a/n cuando su movilidad disminuye tambin, esta disminucin no es lo
suficientemente grande como para que predomine sobre el primer efecto.
4
1ANDA DE 2ALENCIA
E1:"1 "E
.4:"U..2G:
*NOTA 4*
La energa trmica en los semiconductores puros produce pares electrn)<ueco. 1l
proceso mediante el cual un electrn ocupa el espacio de un <ueco se le llama
re#o"&ia#i-.
+ara poder romper un enlace covalente en el 3i, es necesario romper la banda
pro<ibida.
En la banda pro<ibida el electrn solo esta de transito
En este proceso se nulifican ambos como carga.
Hap #banda(
Eg A $.I& e9
Ha1s
;rmica
Hap #banda(
Eg A %.JK e9
He
;rmica
MECANISMO DE CONDUCCIN DE CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR PURO
5
Nu"ero a$-"i#o "as )rade5 "eor Eg
RESISTIVIDAD
El trmino Resistividad #, r<o( se utilia en ocasiones al comparar varios niveles
de resistencia de materiales. En unidades mtricas, la resistividad se mide como *cm o
como *m. Las unidades proceden de la de la ecuacin b,sica de resistencia 5A l@10
cm
cm
cm
l
A R

4E;E:.2G: "E L1 E.U1.2G: +151 .1L.UL15 L1 5E323;292"1" .4: U:

3E-2.4:"U.;45 2:;5L:3E.4 4 +U54
A
l
R m
l
RA

I
V
R
G
R

1
Codu#$a#ia o 3iemens
V
I
G
l
A
G

A
l G
A
m m
m

2

A
l
V
I

E
J
l
V
A
I


A
I
J "ensidad de corriente
,
_

2
m
A
6
V Ni q J
E
V


l
V
E .ampo Elctrico
m
Volts
E
9elocidad de portador intrnseca

portador
Coulomb
"ensidad de portador intrnseca
3
#
m
portador
( )
m
s
Coulomb
s
m
m
Portador
Portador
Coulomb
J

,
_

,
_

,
_

3
E
V Ni q
Mo(i!idad E!e#$r-i#a
-ovilidad del portador
) ( p n Ni q +


-ovilidad del -ovilidad del
Electrn negativa <ueco positiva
TA1LA I
PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES INTR6NSECOS /PUROS0
PROPIEDAD A
4778 9
SILICIO :ERMANIO Arseiuro de :a!io
:umero atmico $I M& M$)MM
"ensidad atmica0
,tomos@mN
* ! $%
&D
I.I$ ! $%
&D
I.I& ! $%
&D
.onstante
dielctrica relativa
$$.D $*.D $M.$
Energa necesaria
para romper un
enlace covalente
$.$& e9 %.JJ e9 $.I& e9
-ovilidad
electrnica del
electrn On en
#mP@v7s(
%.$* %.MQ %.D*
-ovilidad
electrnica del
electrn Op en
#mP@v7s(
%.%ID %.$Q %.%I
:i A +i #Rport@mN(
1socia 1socia $.* ! $%
$J
&.I ! $%
$Q
$.D ! $%
$&
7
s V
m
m
v
s
m

,
_

<uecos
Electrones
+unto de fusin en
S.
$I&% QMJ $&MD
;abla del libro =2ngeniera electrnica>T 1lley 1ttUoodT L2-U31
PRO1LEMA 1
.alcule la resistividad del Ge y del Si puros a M%%S V y determine la resistencia que
tendra un termistor <ec<os de estos materiales a esta temperatura si tuviera las
siguientes dimensiones.
A
l
Rth

Conductividad

) ( p n Ni q +

,
_

,
_

s V
m
m
port
X
port
C
x

!i
2
3
16 19
300
048 . 0 15 . 0 10 5 . 1 10 602 . 1
m m V
A
x

!i

,
_

4
300
10 75 . 4

m
m
x

!i

,
_

75 . 101 , 2
10 75 . 4
1
4 300

8
m
x x

G"
23 . 2 ) 19 . 0 39 . 0 )( 10 4 . 2 ( 10 602 . 1
19 19
300
+

m
m

G"
4484 . 0
23 . 2
1
300

.on fines comparativos V"c"s

m
m

G"

!i
22 . 4687
4484 . 0
75 . 101 , 2
300
300

( )

,
_

m
m x
m Rth

!i
2 . 535
10
4
10 2
75 . 101 , 2
2
2
2
3
300

( )

,
_

m
m x
m Rth

!i
42 . 11
10
4
10 2
4484 . 0
2
2
2
3
300

Wrea

4 2
4
2
2
2 2
#
r
#
r
r # A

NOTA;
2 2
10 10 1

x <1 &*S. debe de estar dnde se <acen todas las pruebas
electrnicas>
9
RESISTI2IDAD DE LOS SEMICONDUCTORES INTR6NSECOS A TEMPERATURA
DIFERENTE DE 4778 9
.uando la temperatura se incrementa en un semiconductor intrnseco ocurren & cosas, es
decir, los siguientes efectos0
$. La densidad intrnseca se incrementa, por que se disponen de m,s energa para
romper enlaces covalentes.
&. La movilidad electrnica de los portadores decrece por que e!isten m,s colisiones
entre ellos y los ,tomos.
3in embargo crece de una manera m,s r,pida la densidad intrnseca que como decrece la
movilidad dando como resultado un decremento en la resistividad o incremento en la
conductividad.
= !i($n"$#)
Ni sube con la temperatura mientras que $n y $p decrecen con el incremento de la
temperatura.
La ecuacin que determina la :i a temperatura diferentes de M%%S V es0
o niP A E;N
"
$ %
%&
'
:ota0 Eg A Xg
o
Ni A'
( ) & 3 2
"

_
,

& 1 2
'&
'
"onde0
V A constante de boltman
E, 1 A .onstante emprica
; A temperatura absoluta
Xg A Energa de gap

Ni crece al incrementarse la temperatura, la n y la ! decrecen al crecer la temperatura,
la ecuacin que determina el valor de la Ni como una funcin de la temperatura absoluta
es0
#1lley 1ttUood (
Ni A'
( ) & 3 2
"

_
,

& 1 2
'&
'
#$(
"onde0
:i A densidad intrnseca de portadores #portadores@mN(
1 A constante emprica
; A ;emperatura absoluta en Velvin
10
Eg A Xg A Energa necesaria para romper un enlace covalente
V A .onstante de Eoltman #V A $.MD* ! $%
)&M
Y@V(
En esta ecuacin Xg a su ve depende de la temperatura como sigue0
Xg A Xg% #$) .;( #&(
"onde0
Xg% A Energa necesaria para romper un enlace covalente a %S V
. A .oeficiente de variacin de energa necesaria para romper un enlace covalente en
funcin de la temperatura.
3ustituyendo la ecuacin #&( en la #$(
Ni '
( ) & 3 2
A "

_
,

& 1 2
'&( ( ) 1 C'
'
Ni '
( ) & 3 2

1
]
1
1
A "

_
,

& 1 2
'&( C

"

_
,

& 1 2
%&(
'
"onde0
A) A "

_
,

& 1 2
%&( C

Ni A)'
( ) & 3 2
"

_
,

& 1 2
%&(
'
#M(
3e puede ver en la ecuacin que la temperatura aumenta al aumentar la densidad
intrnseca.
Los semiconductores puros son buenos aislantes mientras la temperatura se acerque m,s
al %S V.
TA1LA II
CONSTANTES PARA CALCULAR LA Ni DE UN SEMICONDUCTOR PURO DE Si = DE
:e>
-1;E521L Xg% #e9( %S V Xg% #Youles( %S V 1Z
3ilicio $.& e9 $.Q&&I ! $%
)$Q
M.DD ! $%
&&
Hermanio %.KD& e9 $.&*&D ! $%
)$Q
$.KJ ! $%
&&
X A 9 7 [ $e A $.J%& ! $%
)$Q
.@e

11
V
'
*
9 7 e
C?LCULO DE LA MO2ILIDAD DE LOS PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
INTR6NSECOS A TEMPERATURA DOFERENTE DE 47789
-aterial -ovilidad del
electrn On a
M%%SV
-ovilidad del
<ueco Op a
M%%SV
On
mP@v7s
#5ango de
temperatura(
Op
mP@v7s
#5ango de
temperatura(
Hermanio %.MQ mP@v7s %.$Q mP@v7s I.Q!$%
M
;
)$.JJ
\$%%)M%%SV] $.%*!$%
*
;
)
&.**
\$&*)$%%SV]
3ilicio %.$* mP@v7s %.%ID mP@v7s &.$!$%
*
;
)&.**
\$J%)I%%SV] &.M!$%
*
;
)&.K
\$*%)I%%SV]
"atos de 1lley 1ttUood
PRO1LEMA 2
.alcule la resistividad que presenta el silicio puro a I%%SV y en el proceso de c,lculo
compare la densidad intrnseca y las movilidades que se presentan a I%%SV o las que
tiene el material a M%%SVT finalmente compare la resistividad del silicio a M%%SV con la
que tiene I%%SV.

1
400

!i

'
%&

!i
" ' A Ni
2 2
3
400
0
(

) ( p n q Ni +

,
_

) 400 ( ) 10 385 . 1 ( 2
10 922 . 1
2
3
22
400
23
19
) 400 ( 10 88 . 3

J
X
J x

!i
" x Ni
12
3
18
400
10 08 . 9
m
port
x Ni

!i

=.omparando>
3
16
10 5 . 1
m
port
x Ni
!i

3e obtiene un incremento de J%% en la :i incremento notorio

C@!#u!o de "o(i!idades de! Si!i#io a A7789
s V
m
s V
m
x n

2 2
55 . 2 5
048 . 0 ) 400 ( 10 1 . 2 decreci poco
s V
m
s V
m
x p

2 2
7 . 2 5
027 . 0 ) 400 ( 10 3 . 2 decreci poco
( )[ ]
m
x x 100368 . 0 021 . 0 048 . 0 10 602 . 1 10 08 . 9
19 18
+

!i
96 . 9
1
400

=comparando> v"c"s
m
m

!i

!i
211
96 . 9
75 . 101 , 2
400
300

EBer#i#io 1>
Ca)cu)a* a t+,#+*atu*a a,-i+nt+ )a *+.i.tividad d+) .i)icio int*/n.+co 0 d+) .i)icio ti#o 1 do#ado con
!2 = 231020 4to,o.&c,3. 5ato.6 = 1,6310719 C8 ni = 1,531010 c,73. 1a*a +) .i)icio int*/n.+co6 n = 1500
c,2&9..8 # = 500 c,2&9... 1a*a +) .i)icio 16 # = 30 c,2&9...
Para "l silicio intr+ns"co, n - p - ni. Por tanto,
13
ORI:EN DE LOS PORTADORES DE CAR:A DENTRO DE UN SEMICONDUCTOR
5E+5E3E:;1.2G: ELE.;5G:2.1 "E L43 E:L1.E3 "E 32L2.4
C Electrones@orbita A &:P
V, L, -, :, 4, +, [
:
$ VA &#$(P A &
L A &#&(P A D
- A &#M(P A $D

^ig. $. Estructura atmica del 3ilicio
14
^ig. &. "isposicin esquem,tica de los ,tomos de un semiconductor de silicio puro, no e!isten
electrones ni <uecos libres
^ig M. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre ,tomos liber,ndose un cierto
n/mero de electrones.
Los cuerpos semiconductores se encuentran entre los cristales moleculares, inicos
y covalentes, siendo los m,s importantes, desde el punto de vista elctrico, los que
pertenecen a la familia de cristales covalentes #unidos sus ,tomos por enlaces
covalentes(.
Un semiconductor perfecto es un aislante a la temperatura del cero absoluto,
siendo ciertas imperfecciones, inevitables dentro de l, las que producen los portadores
de carga elctrica que dan al cristal una cierta conductividad.
-ientras que en un material conductor los portadores de carga elctrica se
encuentran en forma natural, dentro de un semiconductor son siempre producidos por
imperfecciones de la red cristalina, siendo esta caracterstica la que origina todas las
propiedades particulares de los semiconductores.
Las principales causas productoras de imperfecciones son la energa de agitacin
trmica, la energa electromagntica y las impureas qumicas.
15
;+co,-inaci<n
=a# (-anda)
>? = 1.1 +9
@i
AB*,ica
Portadores de carga elctrica producidos por la agitacin trmica y por la
energa de una radiacin
.omo sabemos el ,tomo est, compuesto por tres partculas b,sicas0 el electrn, el
!rotn y el neutrn. En la red atmica, los neutrones y protones forman el n"cleo,
mientras que los electrones giran alrededor del n/cleo en una r#ita fija.
1<ora bien, tomemos como ejemplo al germanio #He( y al silicio #3i( dos de los
principales materiales semiconductores. El ,tomo del germanio contiene M& electrones en
rbita mientras que el silicio cuenta con $I de ellos. 1mbos ,tomos cuentan con I
electrones en la capa e!terior #de valencia(. El potencial #!otencial de ioni$acin) que se
requiere para sacar de la estructura a cualquiera de estos I electrones de valencia es
menor que el que se requiere para sacar a cualquier otro electrn de la estructura. En el
caso de un cristal puro #"a$eria! i$r.se#o*( de silicio o de germanio, estos cuatro
electrones de valencia se encuentran entrelaados con I ,tomos adyacentesT una unin
de ,tomos, reforado por electrones compartidos se denomina enlace covalente.
1 pesar de que el enlace covalente asegura un vnculo fuerte entre los electrones
de valencia y su ,tomo, es posible que stos adquieran suficiente energa cintica de
origen natural para poder romper el enlace y asumir un estado libre.
La energa necesaria para separar un electrn de una unin de este tipo, se
denomina energa de e!citacin #Eg( y corresponde a la anc<ura de la banda pro<ibida.
Esta es del orden de %.K*e9 para el He y de $.$e9 para el 3i. 1un cuando estos
valores son importantes, esta energa no es muy elevada con respecto a la energa de
agitacin trmica %;, que a la temperatura ordinaria es de %.%&Ke9. +or lo tanto, puede
decirse que a la temperatura ordinaria algunos electrones podr,n separarse de sus
uniones y moverse dentro del cristal, contribuyendo de esta manera a la conduccin
elctrica, El lugar vaco dejado por un electrn separado de su unin constituye un
hueco, que podr, ser ocupado por otro electrn y as sucesivamente. .uando no e!iste
campo elctrico, los movimientos de los electrones y de los <uecos no seguir,n ninguna
direccin determinada. +or el contrario, bajo la influencia de un campo elctrico e!istir,
un desplaamiento de conjunto de los electrones y de los <uecos.
16
E!e#$roes
de (a!e#ia
E!e#$roes
#o"par$idos

S
i
S
i
S
i
S
i
S
i
S
i
S
i
S
i
S
i
e
Un c,lculo apro!imado permite conocer el n/mero de portadores de carga creados
a la temperatura ordinaria. La probabilidad de romper una unin de energa g a la
temperatura ;, es del orden de
/DE)+ET0
en el caso del material intrnseco de germanio, a temperatura ambiente contiene
apro!imadamente &.I_$%
$Q
portadores libres@cm
M
T para el caso del silicio, en las misma
condiciones, contiene cerca de $.*_$%
$J
portadores de carga por centmetro c/bico.
Los portadores de cargas #libres( obtenidos por agitacin trmica se denominan de
origen intr&nseco y su n/mero por unidad de volumen es funcin de la temperatura,
represent,ndose por ni#;( #n/mero de electrones libresA n/mero de <uecos(
1lgunas uniones pueden romperse por la energa de una radiacin de muy alta
frecuencia. 3i la energa de dic<a radiacin es superior a la anc<ura de la banda
pro<ibida, podr, transmitirse a un electrn de la banda de valencia, que de esta manera
pasar, a la banda de conduccin.
La creacin de los portadores de carga por la lu est, basada en el fenmeno
anterior #fenmeno fotoelctrico(. En este caso, la energa E de un fotn de frecuencia v y
de longitud de onda es igual a0
EA hv A hc .

Un par electrn)<ueco se forma cuando un fotn de una frecuencia determinada
cede su energa a un electrn de valencia, <acindolo pasar a la banda de conduccin. Es
conveniente notar que /nicamente los fotones cuya energa E es superior a la anc<ura de
la banda pro<ibida Eg del semiconductor contribuyen a la formacin de portadores de
carga que pueden pasar de una banda a otra y producir una corriente elctrica.
*Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que se <an refinado
cuidadosamente con el objetivo de reducir las impureas <asta un nivel muy bajo, tan
puros como sea posible mediante la utiliacin de la tecnologa moderna.
Portadores de carga producidos por impure!as "umicas
2ntroduciendo una peque?a cantidad de impureas qumicas de un cristal
semiconductor puro es posible obtener un e!ceso de electrones o de <uecos, de acuerdo
con la naturalea de dic<as impureas. 1 pesar que estas impureas se a?aden en
proporcin de una parte por cada $% millones, pueden alterar la estructura de las bandas
lo suficiente como para modificar las propiedades elctricas del material por completo.
*Un material e#trnseco es un material semiconductor que se <a sujetado a un proceso
de dopaje #contaminado(
17
E!isten dos materiales e!trnsecos de gran importancia para la fabricacin de
dispositivos semiconductores0 el tipo n y el tipo p.
Se"i#odu#$ores $ipo N
;anto los materiales tipo n como los tipo ! se forman cuando se a?ade un n/mero
predeterminado de ,tomos de impurea a una base de germanio o de silicio.
Las impureas tipo n son materiales pentavalentes, con cinco electrones de
valencia en la capa e!terna del ,tomo. La adicin de una cantidad controlada de una
impurea tipo n al silicio o al germanio, <ace que un electrn se vincule dbilmente al
,tomo paterno, porque cuatro electrones bastan para completar una enlace covalente.
.onsidere lo que ocurre cuando se a?aden traas de boro o fsforo al silicio slido.
#1pro!imadamente, slo cinco de cada milln de ,tomos de silicio se sustituyen por
,tomos de E o +(. La estructura del silicio slido es semejante a la del diamanteT cada
,tomo de silicio est, unido por enlaces covalentes a otros cuatro ,tomos de 3i. El fsforo
#cuya configuracin electrnica es #\:e]Ms
&
Mp
M
(( tiene un electrn de valencia m,s que el
silicio #\:e]Ms
&
Mp
&
(, de modo que sobra un electrn de valencia despus de que cuatro de
ellos se utilian para formar los cuatro enlaces covalentes con el silicio. Este electrn
adicional se puede separar del ,tomo de fsforo mediante la aplicacin de un voltaje a
travs del slido. El electrn libre se puede mover a travs de la estructura y funcionar
como electrn de conduccin. Las impureas de este tipo se conocen como impure!as
donadores$ ya que !ro!orcionan electrones de conduccin' (os slidos )ue contienen
im!ure$as donadoras se llaman semiconductores tipo%n, en donde n proviene de
negativo #la carga del electrn =adicional>(. Los elementos que se utilian para producir
semiconductores tipo n son los elementos del grupo 9 de la tabla peridica #elementos
!entavalentes* con cinco electrones de valencia(T como el antimonio #3b(, el ars+nico
#1s( o el ,s,oro #+(.
18
3emiconductor
tipo :

e
-

S
i
S
i
S
i
S
i
S
i
P
S
i
S
i
S
i
En un semiconductor tipo n los electrones producidos por las impureas se
denominan de origen extr&nseco y a la temperatura ordinaria son muc<o m,s numerosos
que los portadores de origen intrnseco producidos por la agitacin trmica, pero cuando
la temperatura aumenta, el n/mero de los portadores intrnsecos tambin crece y puede
compararse al n/mero de portadores e!trnsecos. .uando esto sucede, en un momento
dado se tendr, la misma cantidad de electrones que de <uecos y se perder, la
caracterstica de tipo n. En el caso particular del germanio, para que los electrones que se
encuentran fuera de las uniones covalentes entre sus ,tomos y los de una impurea
determinada puedan trasladarse a la banda de conduccin, se requiere /nicamente una
energa del orden de %.%$e9, de tal manera que a/n a bajas temperaturas estos
electrones adquieren suficiente energa para pasar a la banda de conduccin. 1 la
temperatura ordinaria puede considerarse que todos los ,tomos de la impurea tipo n se
encuentran ioniados, ya que %;%.%&Ke9.
Semiconductores tipo P
Los semiconductores tipo ! se forman si a un elemento de la cuarta columna de la
tabla peridica #Hermanio, 3ilicio( se le introduce como impurea un elemento que cuente
con tres electrones de valencia, los elementos del grupo tres de la tabla peridica como lo
son el indio #2n(, #oro #E( o el galio #Ha(.
3i se a?ade boro al silicio se presenta el efecto contrario. Un ,tomo de boro tiene
tres electrones de valencia #$s
&
&s
&
&p
$
(. 1s, por cada ,tomo de boro en el cristal de silicio
<ay un hueco en un orbital de unin. Es posible e!citar un electrn de valencia de un
,tomo vecino de 3i <acia este orbital vaco. El <ueco generado en el ,tomo de 3i puede
llenarse con un electrn de otro ,tomo de 3i vecino al primero, y as sucesivamente. "e
este modo, los electrones se pueden mover a travs del cristal en una direccin, mientras
que los <uecos o =agujeros positivos> se mueven en la direccin opuesta, y el slido se
convierte en un conductor elctrico. (as im!ure$as )ue son de,icientes en electrones se
denominan impure!as aceptoras. Los semiconductores que contienen im!ure$as
ace!toras reciben el nombre de semiconductores tipo%p, en donde la ! significa
positivo.
19

"

"

"
E
D
E
(
E
#
E)
E
F
E
i
Electrones e!trnsecos y
donadores ioniados
1 la temperatura ordinaria todos los <uecos pueden pasar a la banda de valencia,
tenindose adem,s algunos electrones de dic<a banda que pueden pasar a la de
conduccin. .uando la temperatura aumenta, el n/mero de electrones que pasa a la
banda de conduccin tambin aumenta y cuando la temperatura es suficientemente
elevada, el n/mero de portadores de carga intrnsecos ser, igual al de portadores
e!trnsecos y el semiconductor dejar, de ser de tipo +, transform,ndose en un
semiconductor intrnseco.
Propiedades &pticas de los semiconductores e#trnsecos
Las propiedades pticas, de la misma manera que las elctricas de un
semiconductor, dependen de la cantidad de impureas que e!isten dentro de su red
cristalina. .uando dic<a cantidad alcana valores muy elevados, las interacciones entre
los diferentes ,tomos de impureas <acen variar notablemente las propiedades del
semiconductor. ;alley y 1igrain <an estudiado este fenmeno, considerando un cierto
desplaamiento de la banda de conduccin <acia la parte inferior, debido a que los
,tomos de las impureas constituyen cerca de la parte inferior de la banda de conduccin
20
3emiconductor tipo
+

E
A
E
(
E
#
E)
E
F
E
i
Fuecos e!trnsecos y
aceptores ioniados
%
e
-

S
i
S
i
S
i
S
i
S
i
1
S
i
S
i
S
i
una banda de energas. La creacin de esta banda obedece a que cuando la concentracin
de impureas es elevada, las interacciones entre sus ,tomos aumentan, de manera que
los niveles de energa correspondientes a sus electrones forman una banda de energas.
.uando la concentracin de impureas es muy elevada, la formar, podr, e!tenderse
<asta confundirse con la banda de conduccin. La interferencia entre las bandas de
impureas y de conduccin principia a manifestarse, en el caso del silicio para una
concentracin del orden de $.D_$%
$D
cm
)M
.
'ovimientos de los portadores de carga
La agitacin trmica dentro de un cristal origina que los portadores de carga se
muevan dentro de l al aar, sin seguir ninguna direccin preferente, por lo que no se
produce ninguna corriente elctrica. Una corriente puede originarse ya sea por un campo
elctrico aplicado al cristal o por un fenmeno de difusin.
() *onductividad. .uando se aplica un campo elctrico a un slido, al movimiento
aleatorio de los electrones creado por la agitacin trmica, se suma un movimiento
continuo en la direccin del campo elctrico. La velocidad de este /ltimo movimiento es
directamente proporcional al campo elctrico E aplicado, es decir, se tiene
vAnE
donde n es una constante de proporcionalidad que se denomina constante de movilidad
de los electrones.
3i n es la densidad de electrones libres y q la carga de un electrn, la densidad de
corriente jn resultante del movimiento creado por el campo elctrico ser,
jnA )nn E
3e puede <acer un raonamiento an,logo para el caso de los <uecos y se obtiene
la e!presin
YpA )!! E
"onde !- densidad de <uecos y A constante de movilidad de los <uecos.
La densidad de corriente total estar, dada por
jA jn C jpA )#nn C !! (E
+or otro lado, se tiene que jA E, de donde se deduce
A ) #nn C !! (.
En general se tiene que n ` ! y en el caso particular del germanio, a la
temperatura ordinaria
n A M J%% cm@seg _ 9@cm y !An @&
En un cristal que contenga /nicamente impureas donadores o aceptoras, la
medicin de la conductividad permite determinar la concentracin de estas impureas,
siempre y cuando la conductividad e!trnseca sea muc<o mayor que la conductividad
intrnseca. "e esta manera, la concentracin Nd en impureas donadoras de un cristal que
contiene /nicamente impureas este tipo valdr,
Nd n A @)n
"onde Nd es el n/mero de ,tomos de impureas por unidad de volumen.
+) Di,usin. .uando en un cristal los electrones libras no est,n repartidos
uniformemente, e!iste una cierta tendencia a la igualacin de la concentracin de estos
electrones en todo cristal. En estas condiciones, cuando la concentracin no es uniforme,
se produce una corriente elctrica denominada corriente de di,usin.
21
-./TA +-
El silicio es el material m,s importante. E!iste en abundancia en la naturalea, es
f,cil de procesar, produce un e!celente !ido que es un buen aislante y sus raonables
propiedades electrnicas lo <acen el material de eleccin para la mayora de los
dispositivos electrnicos.
-./TA 0-
Procesos de Dopa1e2 En estos enfoques se utilian para fabricar sustratos en los
que se fabrican los dispositivos microelectrnicos.
22
.risol
+uerto de
visin
E!tractor
3emilla
Encapsulante
3ilicio de calidad
electrnica
.ama fluidiada
3ilicio metal/rgico Forno de arco -ateriales en bruto
.loruro de
silicio
"estilacin qumica por
deposicin de vapor
.recimiento de .oc<ralsBi -onocristal piriforme
5ebanada del cristal
piriforme
4bleas de monocristal
"oble qumicamente
grabado y pulido
4bleas terminadas
Hrosor de la oblea &%%m
#cabello <umano $%%m(
Los cristales piriformes
pueden tener alrededor
de M%cm de di,metro y
$%cm de longitud.
TCNICA DE CRECIMIENTO DE
CFOC3RFLS9I0 En este enfoque,
ampliamente utiliado para el 3i,
Ha1s y en 2n+, se e!trae
lentamente una semilla del cristal
de una mecla fundida. El cristal
que se e!trae se <ace girar para
asegurarse un crecimiento
cristalino uniforme.
-ecla fundida
.alentador
C?LCULO DE LA RESISTI2IDAD EN UN SEMICONDUCTOR EGTR6NSECO
SILICIO TIPO N = TIPO P
23
TCNICA DE CRECIMIENTO DE
1RID:EMAN; En el enfoque de
Eridgeman la mecla fundida se
encuentra en un recipiente con forma
de canoa que se jala a travs de una
regin de alta temperatura. 3e
muestra dos enfoques0 a( uno en el
cual se funde por completo el material
cristalino, y b( el segundo, en el que la
regin fundida forma una estrec<a
regin que se desplaa lentamente a
medida que el cristal crece.
3emilla
&0
E!traccin
.ristal
+olicristal
aona de fusin
a0
-aterial fundido
E!traccin
;ubo del <orno
.alentador
3emilla
.ristal
Pn
Ni
2
Nn
SILICIO TIPO N
Los ,tomos donadores para fabricar material tipo : pertenecen al grupo 9 de la tabla
peridica de los elementos, por ejemplo0 +, 1s, 3b, :.
La densidad atmica del silicio es *!$%
&D
,tomos@mN y su Eg es de $.$ e9 variando seg/n
su portador.
;ipo de portador
Nn - .A/ 0 ndice de contaminacin
;ipo de materia
Nn

1
]
1
1
.tomosd"silicio
m
3

1
]
1
1
1
1000000
N/atomos0oso0oro
atomossilicio

1
]
1
1
"
atomos0os0oro
3
22
6
28
5
10 25
10
5
10 5
m
"
x x Nn
ppm x

1
]
1

SILICIO TIPO P
Los ,tomos aceptores para fabricar material tipo + pertenecen al grupo 222 de la tabla
peridica de los elementos, por ejemplo0 Ha, 2n, E.
Ley del equilibrio trmico
Nn/1n - Ni/1i Ni - 1i #+or que vienen en pareja(
3emiconductor contaminado 2ntrnseco
-aterial ;ipo :0
;ipo de portadores
Fuecos
La ecuacin dice que ya se contamino y despus de que se <aya establecido se puede
saber cuantos +n tuvo.
24
1o*tado* ,a0o*ita*io +n
)o. ti#o ! 0 ,ino*ita*io
+n )o. ti#o 1
>? = 0.01 +9 0.05 +9
1o*tado* ,ino*ita*io +n
)o. ti#o ! 0 ,a0o*ita*io
+n )o. ti#o 1
3
23
6
28
10 4
10
8
10 5
m
"
x x X #A Nn

,
_

-aterial ;ipo +0 Np
P i
2
Pp
+ortador mayoritario

o Un semiconductor tipo : cuya base es 3ilicio se encuentra a M%%SV y fue
contaminado previamente con un ndice de D ppm de ,tomos de fsforo en
relacin a ,tomos de 3ilicio. "etermine la densidad de portadores minoritarios
#<uecos( que presenta dic<o material.
+ortador
Nn
Ni
Pn
2

3
16
300
10 5 . 1
m
port
x Ni

!i

-aterial
"ensidad 1tmica
ppm 8
10
8
6

( )
3
8
23
2
16 2
co.
10 625 . 5
10 4
10 5 . 1
m
hu"
x
x
x
Nn
Ni
Pn
1n A +ortadores minoritarios tipo <ueco en un material :.
o .alcule la resistividad de un semiconductor contaminado tipo : con D ppm de
,tomos de fsforo.

1
300
) (

ppm 'ipoN


m
x x
n q Nn
612 , 9 ) 15 . 0 )( 10 602 . 1 ( 10 4
19 23

m x

ppm !ilicioN

4
300
) 8 (
10 04 . 1
3i se analia este valor se comprueba que est, por el valor de los metales.
25
p q Pn n q Nn +
Pn Nn >>
LA UNIN PN
Una unin +): se forma cuando a lo largo de un cristal semiconductor se tienen
dos tipos de conductividad diferente, es decir, se coloca un material tipo ! en un lado de
un cristal de un material semiconductor puro, y se coloca tambin un material tipo n en el
otro lado.
1 temperatura ambiente, los electrones, que son los portadores mayoritarios en la
regin n se difunden del lado tipo n al lado tipo !T los <uecos, que son los portadores
mayoritarios en la regin tipo !, se difunden del lado ! al lado tipo n. (os electrones 2 los
huecos se recom#inan cerca de la unin y, por consiguiente, se anulan entre s. En cada
lado de la unin <abr, cargas opuestas, lo que crea una regin de agotamiento, o regin
26
9 A
Tipo p Tipo n
de carga es!acial. Eajo condiciones de equilibrio trmico, no <abr, m,s electrones o
<uecos que crucen la unin.
"ebido a la presencia de cargas opuestas en cada lado de la unin, se establece un
campo elctrico a travs de sta. La barrera de potencial resultante 3j, que se forma
porque el lado tipo n est, a un potencial mayor que el tipo !, impide cualquier flujo de
portadores mayoritarios <acia el otro lado.
1 causa de la barrera de potencial 9j, los electrones, que son los portadores
minoritarios en el lado !, cruan la unin <acia el lado nT los <uecos, los portadores
minoritarios en el lado n, cruan la unin <acia el lado !. "e esta manera, fluye una
corriente provocada por los portadores minoritarios #<uecos( del lado n <acia el lado !,
que se conoce como corriente de deriva 4.R. 1simismo, una corriente conocida como
corriente de di,usin 4.5 fluye del lado ! <acia el lado n, provocada por los electrones
mayoritarios. En condiciones de equilibrio, la corriente resultante es cero. En
consecuencia, estas dos corrientes #2"^ e 2"5( son iguales y fluyen en direcciones opuestas,
es decir0
IDFH I IDR
27
Re)i- de a)o$a"ie$o
ID
IS
IDF IDR
Tipo n
Ui-
Tipo p
9 A
- - - -
- - - -
- - - -
+ + + +
+ + + +
+ + + +
1arrera de
po$e#ia! 2
B
DJ Dis$a#ia5 J
Re)i- de a)o$a"ie$o
2
B
7
Po$e#ia!
*NOTA A*
UNIN NDP SIN POLARIFACIN EGTERNA
I> Di,usi- K I> Deri(a H 7
.uando se fabrica una unin :)+ se presentan las siguientes dos acciones0
$( Los portadores mayoritarios cercanos a la unin de ambos materiales se
recombinan entre su creando una corriente moment,nea de cargas que provoca
que el lado : de la unin obtenga un voltaje mas alto que el lado +, creando un
28
campo elctrico en la regin en donde se dio la recombinacin de cargas #aona
enrarecida de carga(#Earrera de potencial(.
&( La presencia de un voltaje mayor en el lado : arrastra a los portadores
minoritarios para que estos a su ve se recombinen en la unin mediante una
corriente transitoria conocida como .4552:;E "E "E5291.
La suma de ambas corrientes es igual a cero dado que no e!iste un voltaje e!terno
aplicado al diodo.
Ui- #o Po!ariLa#i- Dire#$a
3e dice que una unin tiene polariacin directa si el lado ! se <ace positivo con
respecto al lado n. 3i se incrementa el voltaje aplicado v", la barrera de potencial se
reduce a 91 b v", y un gran n/mero de <uecos fluyen del lado ! al lado n. "e la misma
manera, fluye un gran n/mero de electrones del lado n a lado !. La corriente en el diodo
resultante es a<ora i"A 2"^ b 2"5. .onforme la corriente del diodo i" se incrementa, las
resistencias <micas del lado ! y del lado n provocan una significativa cada de voltaje en
serie. 3i v" se incrementa a/n m,s, la mayor parte de este incremento se pierde como
una cada de voltaje en serie. 1s, el anc<o de la regin de agotamiento se reduce con el
incremento del voltaje en polariacin directa. La barrera de potencial no se reduce
proporcionalmente, aunque puede llegar a ser cero.
29
v
5
Re)i- de a)o$a"ie$o
i
"
"
C
I
DF
I
DR
Tipo n Tipo p
A
- - - -
- - - -
- - - -
+ + + +
+ + + +
+ + + +
Re)i- de a)o$a"ie$o
2
B
J DJ
7
1arrera de po$e#ia!
2nicial
5esultante
s
2
B
Iv
D
*NOTA M*
UNIN NDP CON POLARIFACIN DIRECTA
.uando se aplica un voltaje positivo al lado + #,nodo( y uno negativo al lado : #c,todo(
de un diodo, los portadores mayoritarios son obligados a recombinarse en la unin como
una gran corriente de difusin llamada 4' ,or6ard.
3imult,neamente, los portadores minoritarios son atrados <acia los e!tremos del diodo
provocando que $ .ER43A tienda a .E54.
30
3nin con polari!acin Inversa
3e dice que una unin tiene polariacin inversa cuando el lado n se <ace positivo
con respecto al lado !. 3i se incrementa el voltaje inverso v", la barrera de potencial se
incrementa a 9j C v". Los <uecos del lado ! y los electrones del lado n no pueden cruar
la unin, y la corriente de difusin 2"^ provocada por los portadores mayoritarios es
insignificante. 3in embargo, a causa de la barrera de potencial m,s alta, los <uecos
minoritarios del lado ! cruan la unin <acia el lado n. +or tanto, la corriente fluye
solamente a causa de los portadores minoritarios. El flujo de corriente inversa se debe a
la corriente de deriva 2"5, la cual se conoce como corriente de saturacin #o de fuga(
inversa, de notada por 23.
La cantidad de portadores minoritarios disponible es muy peque?a y, por
consiguiente, la corriente resultante tambin los es, del orden de los picoamperes. La
produccin de portadores minoritarios depende de la temperatura. +or tanto, si el voltaje
inverso v" se incrementa a/n m,s, la corriente del diodo permanece casi constante <asta
que se alcana una condicin de ruptura. 3in embargo, si se incrementa la temperatura,
la corriente inversa del diodo tambin se incrementa, por lo que el anc<o de la regin de
agotamiento se incrementa al incrementarse el voltaje aplicado.
31
v
5
Re)i- de a)o$a"ie$o
i"
"
C
IDF
IDR
Tipo n Tipo p
A
- - - -
- - - -
- - - -
+ + + +
+ + + +
+ + + +
5esultante
2nicial
Re)i- de a)o$a"ie$o
7
J IJ
2
B
2
B
D v
D
1arrera de Po$e#ia!
7ondicin de ru!tura
3i el voltaje inverso se mantiene suficientemente alto, el campo elctrico de la
capa de agotamiento llega a ser tan fuerte como para romper los enlaces covalentes de
los ,tomos de silicio #o de germanio(, lo que produce una gran cantidad de pares
electrn)<ueco por todo el cristal semiconductor. Estos electrones y <uecos producen un
gran flujo de corriente inversa. La regin de agotamiento #a menudo llamada regin de
carga es!acial( llega a ser tan anc<a que las colisiones son menos probables, aunque
cada ve m,s intenso campo elctrico dispone de la fuera para romper directamente los
enlaces. Este fenmeno se llama e,ecto de tuneli$acin o e,ecto $ener. El mecanismo se
conoce como ru!tura $ener. Los electrones y los <uecos anulan a su ve las cargas
negativas y positivas de la regin de agotamiento, y la barrera de potencial de la unin
virtualmente se elimina. La corriente inversa est, limitada entonces /nicamente por el
circuito e!terno, mientras que el voltaje terminal inverso permanece casi constante, en
un valor igual al voltaje 9.
.uando el campo elctrico llega a ser suficientemente fuerte, los electrones del
lado ! se aceleran a travs del cristal y c<ocan con los enlaces covalentes no rotos, con
fuera suficiente para romperlos. Los electrones generados por los c<oques pueden
adquirir suficiente energa cintica para c<ocar con otros enlaces no rotos, tambin con la
fuera suficiente para romperlos. Este efecto acumulativo, que produce una gran cantidad
de flujo de corriente no controlado se conoce como ru!tura en avalancha.
En la pr,ctica, no <ay distincin entre los efectos ener y en avalanc<a, porque
ambos llevan a una gran corriente inversa. .uando ocurre una ruptura con 9c* 9 #como
en uniones e!cesivamente impurificadas(, se trata de una ruptura ener. .uando ocurre
con 9 `K 9 #apro!.(, es una ruptura en avalanc<a. .uando la unin se rompe con un
voltaje entre * y K 9, la ruptura puede ser ener o en avalanc<a, o una combinacin de
las dos.
*NOTA N*
UNIN NDP CON POLARIFACIN IN2ERSA
.uando a un diodo se le aplica un voltaje negativo al ,nodo respecto al c,todo, los
portadores mayoritarios se alejan de la unin <acia los e!tremos del diodo, creciendo la
barrera de potencial y provocando que la corriente de difusin sea .E54. 1l mismo
tiempo el voltaje e!terno provoca que los portadores minoritarios sean obligados a
recombinarse en la unin como una corriente de deriva que se suele llamar .4552E:;E
"E ^UH1 2:9E531, el valor de esta corriente en los diodos de silicio duplica su valor cada
ve que se incrementa la temperatura de la unin en JS..
0 ' '1
I I
;+ 0 0

nA I
C
1
25 0

32
48 A .orriente de fuga inversa o de saturacin inversa
Ecuacin que determina la corriente de fuga inversa en funcin de la temperatura.
1
]
1

6
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;+ 0 0
2
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0 ' '1
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C
1
25 0

nA nA I
C
1024 2 1
6
) 25 85 (
85 0

1
]
1

1bstractamente tenemos que0

La polariacin "irecta 2. "2^U32G: ` 2. "E5291
La polariacin 2nversa 2. "2^U32G: c 2. "E5291
La polariacin E!terna 2. "2^U32G: A 2. "E5291
33
EL DIODO
El diodo es un dispositivo de dos terminales que, en una situacin ideal, se
comporta como un interruptor com/n con la condicin especial de que solo puede
conducir en una direccin. ;iene un estado encendido, el que en teora parece ser
simplemente un circuito cerrado entre sus terminales, y un estado apagado, en el que sus
caractersticas terminales son similares a las de un circuito abierto.
3u funcionamiento y construccin se rigen por las polariaciones de la unin n!
antes mencionadasT por lo que cuando el voltaje tiene valores positivos de 9" #9" ` % 9(
el diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado #5A % '( y la corriente que circula
a travs de este est, limitada por la red en la que est instalado el dispositivo. +ara la
polaridad opuesta #9" c % 9(, el diodo se encuentra en el estado de circuito abierto #5A d
'( e 2" A % m1.
*NOTA O*
U po#o de %is$oria de! diodo>>>
Los primeros diodos eran v,lvulas grandes en c<ips o tubos de vaco, tambin
llamadas v,lvulas termoinicas constituidas por dos electrodos rodeados de vaci en un
tubo de cristal, con un aspecto similar al de las l,mparas incandescentes. Los tubos de
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vaco tienen un filamento #el c,todo( a travs del que circula la corriente, calent,ndolo
por efecto Youle. El filamento est, tratado con !ido de bario, de modo que al calentarse
emite electrones al vaco circundanteT electrones que son conducidos electrost,ticamente
<acia una placa met,lica cargada positivamente #el ,nodo(, producindose as la
conduccin. Evidentemente, si el c,todo no se calienta, no podr, ceder electrones. +or
esa ran los circuitos que utiliaban v,lvulas de vaco requeran un tiempo para que las
v,lvulas se calentaran antes de poder funcionar y las v,lvulas se quemaban con muc<a
facilidad.
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