Tecnologia de Circuitos Integrados

1
Universidad Nacional de La Matanza

Arquitectura de Computadoras
(1109)
Prof !itular "n# $ernando " %z&lann'
Autores( "n# Carlos )odri#uez* Lic Carlos Maidana*
+air ,natiu&
-"ntroducci.n a la tecnolo#/a de
circuitos inte#rados0
Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk
1
Primera Parte:
Dgitos binarios,
niveles lgicos
y formas de onda
2
Los sistemas digitales son de comportamiento binario. Los dos dgitos del
sistema binario se denominan bits!" # se representan $sicamente como dos
%alores distintos de una magnitud $sica" como puede ser una tensi&n
el'ctrica.
(n )! se representa como un ni%el de tensi&n cercano al cero *ue se
denomina +AJ, -lo./ # un 0! se representa como un ni%el de tensi&n m1s
ele%ado *ue se denomina AL2, -3ig3/.
4sta con%enci&n recibe el nombre de lgica positiva
ALTO (high) = 1 BAJO (low) = 0
45iste otra con%enci&n" actualmente de menor uso" denominada l&gica negati%a"
en la *ue un 0 se representa como un ni%el ba6o # un ) como un ni%el alto.
Dgitos binarios
3
Las tensiones *ue se utilizan para representar los unos # ceros reciben el nombre
de niveles lgicos.
Hasta el momento 3emos idealizado la idea del ni%el alto # el ni%el ba6o como una
7nica tensi&n $i6a e in%ariable" pero en la pr1ctica esto resulta imposible #a *ue en
cual*uier circuito electr&nico e5isten tolerancias.
4stas tolerancias obligan a de$inir un ni%el alto como el rango de tensiones
comprendidas entre un m15imo(V
H(mx)
) # un mnimo (V
H(mn)
) # a un ni%el ba6o
como el rango de tensiones comprendidas entre un m15imo(V
L(mx)
) # un mnimo
(V
L(mn)
) .
Niveles Lgicos
4
4ntre los ni%eles de$inidos para alto # ba6o no debe e5istir solapamiento. 4s
decir" el ni%el (V
L(mx)
) nunca debe ser superior al (V
H(mn)
) .
Los %alores de tensi&n comprendidos entre (V
L(mx)
) # (V
H(mn)
) no son
aceptables # pueden ser interpretados por los circuitos" arbitrariamente" como
un %alor alto o como un %alor ba6o.
Niveles Lgicos
5
Niveles Lgicos
BAJO
(0 binario)
Inaceptable
ALTO
(1 binario)
V
L(mn)
V
L(mx)
V
H(mn)
V
H(mx)
6
Las se8ales digitales consisten en ni%eles de tensi&n *ue %aran entre los ni%eles
de$inidos como AL2, # +AJ,.
9e denomina pulso a una se8al el'ctrica *ue se mantiene ma#ormente en uno de
sus ni%eles (inactivo/" #endo al otro ni%el -activo/ en $orma temporaria.
9e denomina pulso positi%o a a*uel cu#o ni%el inacti%o es el ni%el ba6o -)/.
:or su parte se denomina pulso negati%o al *ue presenta el ni%el alto -0/ como
ni%el inacti%o.
Formas de onda digitales
7
:ulsos :ositi%os # :ulsos ;egati%os
AL!8 (,)
9A+8 (L)
AL!8 (,)
9A+8 (L)
t
0
t
1
$lanco
ascendente
anterior
$lanco
descendente
posterior
t
0
t
1
$lanco
descendiente
anterior
$lanco
ascendente
posterior
"mpulso positivo "mpulso ne#ativo
Impulsos ideales
9
Caractersticas de un pulso no ideal
10
<in <out
<in
<out
t
p3l
t
pl3
A
=)> A
=)> A
11
9e denomina amplitud de una se8al a la altura o m15imo %alor del impulso medido
desde su ni%el m1s ba6o.
(na seal peridica es a*uella *ue se repite a inter%alos de tiempo $i6o. 4ste
inter%alo de tiempo se denomina perodo -2/ # se mide en segundos
(na seal no peridica es a*uella *ue est1 compuesta por distintos anc3os de
pulso #?o inter%alos di$erentes entre impulsos.
La $recuencia -f/ es la %elocidad en la *ue se repite el perodo # se mide en Hertz
-Hz/. 9e de$ine como la in%ersa del perodo.
Caractersticas de las $ormas de onda
@segA 2 B
0
$
@HzA $ B
0
2
11
46emplo de se8al peri&dica # se8al no peri&dica
T
1
T
2
T
3
T
T
!
-b/ ;o peri&dica
-a/ :eri&dica -onda cuadrada/
:erodo Crecuencia B 0 ? 2 = T = T = T = T = T = . . . = T
1 2 3 ! n
A
12
9e de$ine como ciclo de traba6o -tambi'n ciclo de acti%idad o de ser%icio/ a la
raz&n entre el anc3o del pulso -t
w
/ # el perodo -T/" normalmente e5presado
como porcenta6e.
Ciclo de traba6o -dut# c#cle/
Ciclo de traba6o ->/ B - / 0))
t.
2
13
Determinar en la siguiente se8al:
a/ :erodo -2/" $recuencia -$/ # dut# c#cle -dc/
2 B 0) mseg $ B B B 0)) Hz
0 0
0) mseg 0) 5 0)
-E
seg
Dc > B 50)) B 5 0)) B 0) >
t.
t
0 mseg
0) mseg
t -ms/
) 0 0) 00
T
t
W
14
Cronogramas o diagramas de tiempo
Definicin
(n diagrama de tiempo es un gr1$ico de $ormas de onda digitales
*ue muestra la relaci&n temporal real entre dos o m1s se8ales" # como %ara cada
se8al en relaci&n con las dem1s.
15
1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1
Per/odo
de :it
)elo;
%ecuencia de :its
que representa
la se<al A
1
0
1
0 A
)elo;
1 1 2 4 3 7 6 5
A
9
C
16
Segunda Parte
Tecnologa de los ateriales
Semiconductores
17
Fntroducci&n:
Los materiales pueden agruparse" de acuerdo a su capacidad
para conducir la electricidad" en:
!onductores
"emiconductores
#islantes$
19
G:or *u' conducen electricidad los materiales
conductoresH
:ara contestar esta pregunta debemos analizar como est1n compuestos los
materiales.
Los materiales est1n compuestos por 1tomos. (n 1tomo consiste en un n7cleo *ue
tiene cargas positi%as # electrones *ue se mue%en alrededor del n7cleo en
tra#ectorias elpticas. 4stos se distribu#en en capas. Los electrones de la capa m1s
e5terna se conocen como electrones "e valencia.
Cuando un elemento como el silicio -en estado puro/ se en$ra desde su estado
l*uido" sus 1tomos se ordenan en patrones *ue se llaman cristales.
Niveles de %nerga
10
Los 1tomos de silicio tienen cuatro electrones de %alencia cada uno. :or
lo tanto" cada 1tomo se acomoda compartiendo esos electrones de
%alencia con sus 1tomos %ecinos. 4ste e$ecto se denomina enlaces
covalentes # permiten mantener unida la red.
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11
Aun*ue los electrones de %alencia son retenidos con $uerza en la
estructura cristalina" pueden romper sus enlaces # mo%erse en #or$a
"e con"%ccin. 4sto es posible si se proporciona su$iciente energa
e5terna -en $orma de luz o calor/.
Debido a la interacci&n entre 1tomos en un cristal" es posible *ue los
electrones de %alencia posean ni%eles de $uente de energa dentro de un
inter%alo de %alores. Cuanto m1s le6os se encuentre un electr&n del
n7cleo" ma#or ser1 su ni%el de energa.
As como e5iste un inter%alo o banda de $uente de energas para los
electrones de %alencia" 3a# otro inter%alo de %alores de $uente de
energa para los electrones libres - a*uellos *ue rompen el enlace #
$orman un canal de conducci&n /.
11
4n la $igura se presentan los tres
diagramas de ni%eles de $uente de
energa. La regi&n en blanco
representa la banda pro3ibida de
ni%eles de $uente de energa en la
*ue no e5isten electrones. Cuando
esta banda es relati%amente grande
el material es aislante.
9i la banda es m1s pe*ue8a - del
orden de un electr&n %olt -e<// el
resultado es un semiconductor.
Cuando las bandas se solapan el
material es conductor # permite *ue
se mue%an cargas el'ctricas cuando
e5iste una di$erencia de potencial.
12
!onduccin en materiales semiconductores
4n el 1tomo de silicio los electrones se mantienen 6untos con
su$iciente $uerza. Los electrones interiores se encuentran a
gran pro$undidad dentro del 1tomo" mientras *ue los
electrones de %alencia son parte del enlace co%alente: no
pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de
energa. (na $orma de energa es calentar el material. A
temperatura cero absoluto no se pueden romper los enlaces
co%alentes " por lo tanto no e5isten electrones disponibles en la
banda de conducci&n. :or esta causa no puede e5istir corriente
# el semiconductor se comporta como un aislante.
13
4l calor # otras $uentes de energa
pro%ocan *ue los electrones en la
banda de %alencia rompan enlaces
co%alentes # se con%iertan en
electrones libres en la banda de
conducci&n. :or cada electr&n *ue
de6a la banda de %alencia se $orma
un h%eco (lag%na).
(n electr&n cercano a la banda de
%alencia puede mo%erse # llenar el
3ueco" creando otro" pr1cticamente
sin intercambio de energa. 4l
mo%imiento de electrones entre
enlaces co%alentes contribu#e a la
conducci&n.
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()
Electrn
14
9emiconductores contaminados
4n un semiconductor puro -casos analizados 3asta a3ora/ el n7mero de
3uecos es igual al de los electrones.
La conducti%idad de un semiconductor se puede aumentar en $orma
considerable cuando se le introducen pe*ue8as cantidades de impurezas
espec$icas en un cristal. 4ste proceso se llama conta$inacin. 9i la
sustancia contaminante tiene electrones libres e5tra se conoce como
"ona"or # el semiconductor contaminado es del tipo n.
9i la sustancia contaminantes tiene 3uecos e5tra se conoce como
receptor # el semiconductor contaminado es del tipo p.
15
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=nlace covalente
li:re o >uevo
=nlace covalente
li:re o >uevo
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(+
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=lectr.n li:re =lectr.n li:re
16
,untura -N$ Diodo.
4n la $igura se muestran dos tipos de materiales" uno : # otro ;" los *ue
3an sido ubicados uno 6unto al otro para $ormar una uni&n. 4sto
representa un modelo b1sico # simpli$icado de construcci&n del diodo.
4n la realidad un diodo se constru#e sobre una sola pieza de silicio a la
*ue se le adicionan impurezas : de un lado e impurezas n del otro
e5tremo. A este proceso se lo denomina &%nt%ra.
Modelo simplificado del diodo
Material de
tipo p
Material de
tipo n
( '
p n
17
Regiones des'rticas
p n p n
Regi&n des'rtica
p n
!
D
!
S
!
D
!
S
!
D
!
S
I
<
-
-
<
I
(a) (b) (c)
19
4n una 6untura e5istir1 una regin "es'rtica entre los
materiales : # ;. 4ste $en&meno se debe a la e5istencia de
3uecos # electrones donde se unen los materiales. 4sta regi&n
tendr1 mu# pocos portadores. Los portadores minoritarios a
cada lado de esta regi&n -electrones en la regi&n : # 3uecos en
la region ;/ se trasladar1n 3acia el otro lado # se combinar1n
con iones en el material. De la misma $orma" los portadores
ma#oritarios -electrones en la ; # 3uecos en la :/ se mo%er1n a
tra%'s de la uni&n. 4stos dos componentes de la corriente
constituida por el mo%imiento de 3uecos # electrones a tra%'s
de la uni&n se suman para $ormar la corriente de di$usi&n (
)
.4l
sentido de circulaci&n es del lado : al ;. 45iste adem1s una
corriente C

pro%ocada por el desplazamiento de portadores
minoritarios a tra%'s de la uni&n. Cuando el diodo no est1
polarizado -circuito abierto/ (
) =
(
*.
20
9i se aplica un potencial positi%o al material : en relaci&n al material
; -$igura b/ se dice *ue el diodo est1 polarizado en directa"
disminu#endo la regi&n des'rtica debido a la atracci&n de portadores
ma#oritarios al lado opuesto -potencial negati%o a la derec3a atrae
3uecos a la regi&n : # %ice%ersa/.
Cuando se polariza en directa (
) +
(
*
.=
(
9i se aplica la tensi&n en $orma in%ersa el diodo se dice *ue est1
polarizado en in%ersa. Los electrones libres se trasladan del material
; 3acia la derec3a # los 3uecos 3acia la iz*uierda" pro%ocando un
ensanc3amiento de la regi&n des'rtica.
Cuando se polariza en in%ersa (
* +
(
)
.=
(
21
Transistores bipolares
"de #untura$
21
2ransistores bipolares de 6untura -2+J/
4l transistor bipolar o de .untura es un elemento semiconductor *ue
posee tres terminales # est1 compuesto por dos porciones de material ;
# una de material :" -los llamaremos transistores ;:;/ o bien dos
porciones de material : # una de ; -los llamaremos transistores :;:/.
9u con$iguraci&n permite aseme6arlos a un par de diodos con un
terminal com7n a ambos.
Cada una de esas porciones de material recibe un nombre. La regi&n
central es la ,ase" un e5tremo el e$isor" # el otro e5tremo" un poco m1s
grande en super$icie" el colector.
22
Diagramas de transistores # smbolos de circuito
9ase
p p n
=misor Colector
9ase
n n p
=misor Colector
9ase
Colector
=misor
Colector
=misor
9ase
n n p
)e#i.n
des?rtica
23
Rb
Rc
Vcc
Vbb
+
-
+
-
Ic
Vce
Saturacin
Corte
24
Funcionamiento del transistor en conmutacin
La operaci&n b1sica de conmutaci&n es la siguiente: cuando la base
est1 apro5imadamente )"J < por encima del emisor # se proporciona
una corriente su$iciente en la base" el transistor para del estado de
corte al de sat%racin.
4l estado de saturaci&n implica una circulaci&n de corriente desde el
colector al emisor" siendo la di$erencia de potencial entre estos
terminales de casi cero <olt" de $orma similar al comportamiento de
un interruptor mec1nico cerrado.
4l estado de corte implica *ue no circula corriente entre los
terminales colector - emisor" siendo la di$erencia de potencial entre
estos terminales igual al %alor de la tensi&n de la $uente de
alimentaci&n" de $orma similar al comportamiento de un interruptor
mec1nico cerrado.

25
26

Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
V
CBO
Collector-Base Voltae! ! BC5"#
! BC5"$%55&
! BC5"'%5"(
'&
5&
)&
V
V
V
V
C*O
Collector-*mitter Voltae ! BC5"#
! BC5"$%55&
! BC5"'%5"(
#5
"5
)&
V
V
V
V
*BO
*mitter-Base Voltae ! BC5"#%5"$
! BC5"'%5"(%55&
#
5
V
V
+
C
Collector Current ,-C. /&& m0
P
C
Collector Power -issi1ation 5&& m2
T
3
3unction Tem1erature /5& C
T
ST4
Storae Tem1erature -#5 5 /5& C

Electrical Characteristics Ta=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Test Condition 6in7 Ty17 6a87 Units
+
CBO
Collector Cut-o99 Current V
CB
=)&V: +
*
=& /5 n0
h
;*
-C Current 4ain V
C*
=5V: +
C
=2m0 //& '&&
V
C*
,sat. Collector-*mitter Saturation Voltae +
C
=/&m0: +
B
=&75m0
+
C
=/&&m0: +
B
=5m0
(&
2&&
25&
#&&
mV
mV
V
B*
,sat. Base-*mitter Saturation Voltae +
C
=/&m0: +
B
=&75m0
+
C
=/&&m0: +
B
=5m0
$&&
(&&
mV
mV
V
B*
,on. Base-*mitter On Voltae V
C*
=5V: +
C
=2m0
V
C*
=5V: +
C
=/&m0
5'& ##& $&&
$2&
mV
mV
9
T
Current 4ain Bandwidth Product V
C*
=5V: +
C
=/&m0: 9=/&&6<= )&& 6<=
C
ob
Out1ut Ca1acitance V
CB
=/&V: +
*
=&: 9=/6<= )75 # 1;
C
ib
+n1ut Ca1acitance V
*B
=&75V: +
C
=&: 9=/6<= ( 1;
>; >oise ;iure ! BC5"#%5"$%5"'
! BC5"(%55&
! BC5"(
! BC55&
V
C*
=5V: +
C
=2&&0
;=/?<=: @
4
=2?
V
C*
=5V: +
C
=2&&0
@
4
=2?: 9=)&5/5&&&6<=
2
/72
/7"
/7"
/&
"
"
)
dB
dB
dB
dB

H
FE
Classification
Classi9ication 0 B C
h
;*
//& 5 22& 2&& 5 "5& "2& 5 '&&

27
Transistores unipolares
"efecto de campo$
29
30
31
p ,substrato.
n n n
;uente Puerta -renador
S
i
O
2
Canal
9undido
0luminio
31
p ,substrato.
n
n n
;uente Puerta ,-. -renador
S
i
O
2
32
33
Tercera parte:
Tecnologas de circuitos
integrados digitales
34
%ompuertas &gicas
35
Par'metros est'ticos de
una compuerta
36
<
,H
F
FH
<
FH
F
,H
F
DD
<
99
<
DD
:ar1metros de tensi&n # corriente
F
DD
Corriente del dispositi%o en reposo
F
,H
Corriente de salida de ;i%el Alto
F
FH
Corriente de entrada de ;i%el Alto
<
,H
2ensi&n de salida de ;i%el Alto
<
FH
2ensi&n de entrada de ;i%el Alto
37
:ar1metros de tensi&n # corriente
F
DD
Corriente del dispositi%o en reposo
F
,L
Corriente de salida de ;i%el +a6o
F
FL
Corriente de entrada de ;i%el +a6o
<
,L
2ensi&n de salida de ;i%el +a6o
<
FL
2ensi&n de entrada de ;i%el +a6o
<
,L
F
FL
<
FL
F
,L
F
DD
<
99
<
DD
39
Margen de ruido en corriente alterna
<
;H
B <
,H-mn/
- <
FH-mn/
<
;L
B <
FL-m15/
- <
,L-m15/
-argen "e r%i"o
Resulta importante tener en cuenta el anc3o del pulso" #a *ue si este es demasiado
corto puede *ue el circuito no responda "pudi'ndose incrementar la amplitud de
ellos sin *ue se produzca %ariaci&n en la salida.
40
41
Factor de carga de salida (#an o%t)
Cuando se conecta la salida de una compuerta a la entrada de
otra" se produce una circulaci&n de corriente.
41
45iste un lmite para el n7mero de entradas conectadas a una
salida" el *ue se conoce como fan(out o factor de cargabilidad)
:ara determinar el $an-out de una compuerta debemos conocer
los %alores de sus corrientes de entrada # salida.
4l $an-out para el estado de salida AL2, se obtiene como:
F
,H-m15/
?

F
FH -m15/
Mientras *ue el $an-out para el estado de salida +AJ, se
obtiene como:
F
,L-m15/
?

F
FL -m15/
42
Disipacin de potencia
(na compuerta re*uiere de la $uente de alimentaci&n una cierta
corriente para permitir su $uncionamiento. 4sta corriente
depende del estado de salida. Cuando la salida de una compuerta
est1 en estado alto circula una corriente F
CCH"
mientras *ue"
cuando el estado de salida es ba6o" circula una corriente F
CCL.
:ara calcular la disipaci&n de potencia de una compuerta en un
estado est1tico -sin cambios/se deben tomar los siguientes
par1metros
-
DH
/ V
!!
0 1
!!H
donde <
CC
es la tensi&n de alimentaci&n de la compuerta e F
CCH
es
la corriente en alto dela compuerta # :
D
es la potencia disipada
de la compuerta.
43
La disipaci&n de potencia media depende del ciclo de traba6o:
Habitualmente se la especi$ica para un ciclo de traba6o del =)>" por
lo *ue la corriente de alimentaci&n media ser1:
:ara un ciclo de traba6o di$erente al =)> la potencia media
disipada ser1:
Pdm = Vcc . (Icc
H
+ Icc
L
)
2
Pdm = Vcc . (Icc
H
t
H
+ Icc
L
t
L
)
t
,
@

t
L
44
4scalas de Fntegraci&n
4scala de Fntegraci&n Compuertas
9mall 99F K 0L
Medium M9F 0L M NN
Large L9F 0)) M NNN
<er# Large <L9F 0))) M NNNNN
(ltra Large (L9F O 0)))))
45
Familias lgicas
46
2ecnologa
+F:,LAR
22L
-l&gica transistor transistor/
(;F:,LAR
C42
-2ransistor de e$ecto de campo/
;M,9
:M,9
CM,9
47
22L
4st1ndar -9; 5555/
+a6o Consumo -JPL 5555/
Alta <elocidad -JPH 5555/
9c3ottk# -JP9 5555/
9c3ottk# ba6o consumo -JPL9 5555/
9c3ottk# a%anzado -JPA9 5555/
9c3ottk# a%anzado ba6o consumo
-JPAL9 5555/
Acoplados por emisor
4CL
49
CM,9
P)))
JPC 5555 -Compatible pin a pin con 22l/
JPHC 5555 -Ma#or %elocidad compatible con
la JPL9 de 22L/
JPHC2 5555 -Ma#or %elocidad compatible con
los ni%eles de tensi&n de 22L/
50
51
:ar1metros din1micos
:ar1metros est1ticos
51
;i%eles l&gicos de la $amilia 22L
*ntrada
/ lAico
,0BTO.
& lAico
,B03O.
>o 1ermitido
2 V
5 V
& V
&:' V
V
+<
V
+B
V
+B 6C8
V
+< 6Dn
Salida
/ lAico ,0BTO.
& lAico ,B03O.
>o 1ermitido
2:" V
5 V
& V
&:" V
V
O<
V
OB
V
OB 6C8
V
O< 6Dn
V
+B 6Dn
V
+< 6C8
V
O< 6C8
V
OB 6Dn
52
*ntrada
/ lAico
,0BTO.
& lAico
,B03O.
>o 1ermitido
):5 V
5 V
& V
/:5 V
V
+<
V
+B
V
+B 6C8
V
+< 6in
(a) +5 V CMO
Salida
/ lAico ,0BTO.
& lAico ,B03O.
>o 1ermitido
":" V
5 V
& V
&:)) V
V
O<
V
OB
V
OB 6C8
V
O< 6in
*ntrada
/ lAico
,0BTO.
& lAico
,B03O.
>o 1ermitido
2 V
):) V
& V
&:' V
V
+<
V
+B
V
+B 6C8
V
+< 6in
(b) +!"! V CMO
Salida
/ lAico ,0BTO.
& lAico ,B03O.
>o 1ermitido
2:" V
):) V
& V
&:" V
V
O<
V
OB
V
OB 6C8
V
O< 6in
;i%eles l&gicos de los circuitos CM,9
53
Determinacin de los mrgenes de ruido de los
niveles alto 2 ba.o para la familia 33L
V
1H(mn)
/ 4V
V
1L(mx)
/ 567V
V
8H(mn)
/ 46)V
V
8L(mx)
/ 56)V
V
NH
/ V
8H(mn)
' V
1H(mn)
/ 46)V ' 4V / 56)V
V
NL
/ V
1L(mx)
' V
8L(mx)
/ 567V ' 56)V / 56)V
54
Determinacin de los mrgenes de ruido de los
niveles alto 2 ba.o para la familia !98" Vdd/+V
V
1H(mn)
/ *6+V
V
1L(mx)
/ :6+V
V
8H(mn)
/)6)V
V
8L(mx)
/56**V
V
NH
/ V
8H(mn)
' V
1H(mn)
/ )6)V ' *6+V / 56;V
V
NL
/ V
1L(mx)
' V
8L(mx)
/ :6+V ' 56**V / :6:<V
55
Familia lgica 33L
Circuito in%ersor 22L est1ndar
56
Circuito in%ersor con salida de
colector abierto
57
Circuito con salida de tres estados
59
Vss
Circuito l&gico de una compuerta in%ersora
CM,9
60
Tecnologas de circuitos
integrados digitales
An'lisis comparativo
61
JPHC P)))+ JP JP9 JPL9 JPA9 JPAL9 4CL
Disipaci&n de
potencia -m./
K0 K0 0) L) L Q 0"L P)
Retardo de
propagaci&n -ns/
Q =) N E N"= 0"J P 0
<elocidad-
potencia -p6/
0"P = N) R) 0N 0E"R P"Q P)
M15ima
$recuencia de relo6
-MHz/
P) 0L E= 0L"= P= L)) J) E))
Margen de ruido )"N 0"= )"P )"E )"E )"E )"P )"L=
Comparaci&n entre $amilias l&gicas
61
JP JPL JPH JP9 JPL9 JPA9 JPAL9
-armetros de funcionamiento
Retardo de propagaci&n -ns/ N EE R E N.= 0.J P
Disipaci&n de potencia -mS/ 0) 0 LE L) L Q 0
:roducto %elocidad-potencia -pJ/ N) EE 0EQ R) 0N 0E.R P.Q
M15ima $recuencia del relo6 -MHz/ E= E =) 0L= P= L)) J)
Cactor de carga de la salida -para la
misma serie/
0) L) 0) L) L) P) L)
-armetros de volta.e
<
,H
-mn/
L.P L.P L.P L.J L.J L.= L.=
<
,L
-m15/
).P ).P ).P ).= ).= ).= ).P
<
FH
-mn/
L.) L.) L.) L.) L.) L.) L.)
<
FL
-m15/
).Q ).J ).Q ).Q ).Q ).Q ).Q
62
Camilia 2- ns/
pd
:
d
-mS/

Margen de ruido
-m</
Crecuencia de Ck
-MHz/
JP N 0) P)) E=
JPA9 0.J Q E)) L))
JPAL9 P 0.L P)) J)
JP9 E L) E)) 0L=
JPL9 N.= L E)) P=
4CL 0 P) L=) R))

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