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Resumen


I. INTRODUCCIN.


Se denomina electrnica de potencia a la rama de la
ingeniera elctrica que consigue adaptar y transformar la
electricidad con la finalidad de alimentar otros equipos,
transportar energa, controlar el funcionamiento de mquinas
elctricas. La electrnica de potencia combina la energa, la
electrnica y el control. El control se encarga del rgimen
permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas
de lazo cerrado. La energa tiene que con el equipo de potencia
esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y
distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los
dispositivos y circuitos de estado slido requeridos en el
procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de
control deseados. La electrnica de potencia se puede definir
como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el
control y la conversin de energa elctrica.



La interrelacin entre la electrnica de potencia con potencia,
electrnica y control se muestra en la figura 1.

















Fig. 1 Interrelacin de potencia, electrnica y control.


Diversos tipos de Tiristores.

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento
de activacin y de desactivacin, en general los tiristores
pueden clasificarse en nueve categoras.
a) Tiristores de control de Fase (SCR)

Este tipo de tiristores por lo general operan a la frecuencia de
lnea, y se desactivan por conmutacin natural. El tiempo de
desactivacin

es del orden de 50 a 100, esto es muy

adecuado en especial para las aplicaciones de conmutaciones a
baja velocidad.

b) Tiristores de conmutacin rpida.
c) Tiristores de desactivacin de compuerta
d) Tiristores de triodo bidireccional
e) Tiristores de induccin esttica


II. ACTIVACIN DEL TIRISTOR

Un tiristor se enciende, aumentando la corriente andica. Esto
se hace de una de las siguientes maneras.
Tarea #1: Electrnica de Potencia
Melvin Alexander Castro Otero CO100326, Tatiana Mara Castillo Villacorta CV090139, Idalia Beatriz
Mendez Sandoval MS090332, Diego Josu Vsquez Meja VM100576,


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Trmica.Si la temperatura de un tiristor es alta, hay una
aumento en la cantidad de ares electrn-hueco, que aumenta
las corrientes de fuga.
Luz. Si se deja incidir luz en las uniones de un tiristor,
aumentan los pares electro-hueco y el tiristor puede activarse.
Los tiristores activados con luz se encienden dejando qu la luz
incida sobre la oblea de silicio.
Alto voltaje. Si el voltaje en sentido directo, de nodo a
ctodo, es mayor que el voltaje de ruptura en sentido directo
V
OB
, pasa una corriente de fuga suficiente para iniciar la
activacin regenerativa. Esta clase de activacin es destructiva,
y se debe evitar.
dv/dt. Se ve en la ecuacin (1) que si la rapidez de aumento del
voltaje nodo-ctodo es alta., la corriente de carga de las
uniones capacitivas puede bastar para activar el tiristor. Un
valor alto de la corriente de carga puede daar al tiristor, y se
debe proteger contra una alta tasa dv/dt. Los fabricantes
especifican la tasa dv/dt mxima admisible en sus tiristores.

Fig. #cualquiera: Modelo de dos transistores para tiristor en
estado transitorio.
Ecuacin
x.
Corriente de compuerta.
Si un tiristor est polarizado en sentido directo, la inyeccin de
corriente de compuerta al aplicar voltaje de compuerta al
aplicar voltaje de compuerta positivo, entre los terminales de la
compuerta y el ctodo, enciende al tiristor. Al aumentar la
corriente de compuerta, disminuye el voltaje de bloqueo en
sentido directo, como se ve en la figura 1.
En conclusin: los tiristores poseen nodo, ctodo y
compuerta. Cuando una pequea corriente pasa a travs de la
terminal de la compuerta hacia el ctodo, eso hace que el
tiristor conduzca, siempre y cuando el nodo este a un mayor
potencial que el ctodo. Desde el momento que el tiristor est
activo o modo conduccin el circuito de compuerta no tiene
ningn efecto en el funcionamiento del tiristor, aunque dicho
circuito de compuerta sea desactivado el tiristor sigue en
funcionamiento normal. La cada de tensin o voltaje en el
tiristor esta tpicamente situado entre 0.5 y 2 voltios.

III. ABERTURA DE UN TRANSISTOR
El tiempo de abertura (t
apag
) de un dispositivo, es la suma del
tiempo de almacenamiento y del tiempo de bajada.
El tiempo de abertura de los tiristores de alta velocidad y
bloqueo inverso ha mejorado bastante, y es posible tener de 10
a 20 s en un tiristor para 3000 V y 3600 A. El tiempo de
abertura se define como el intervalo de tiempo entre el instante
en el que la corriente principal baja a cero despus de una
interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el
instante cuando el tiristor es capaz de sostener un voltaje
principal de respaldo especificado sin encenderse. sea el
tiempo cuando la onda de corriente alterna alcanza su lado
negativo, desde el momento en que el voltaje alcanza el valor
de cero el tiristor se apaga y a ese tiempo durante el tiristor
est apagado se le llama tiempo de abertura.
Un tiristor que est en el estado encendido se puede apagar o
abrir reduciendo la corriente en sentido directo hasta un valor
inferior al de la corriente de retencin I
h
. Hay varias tcnicas
para apagar un tiristor. En todas las tcnicas de conmutacin,
la corriente andica se mantiene inferior a la corriente de
retencin durante un tiempo suficientemente largo para que
todo el exceso de portadores en las cuatro capas fluyan o se
recombinen; en corriente alterna acurre cuando el voltaje pasa
por cero hacia su zona negativa.
Los GTO y los SITH son tiristores de auto abertura. Se
encienden (activan o desbloquean) aplicando un pulso positivo
corto a las compuertas, y se apagan por aplicacin de pulso
negativo corto a las compuertas. No requieren circuito alguno
de conmutacin.

Fig. 3elqsiga: Tiempos de los tiristores en CA.

Fig. #cualqueiraqsea: Circuito de alimentacin.




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IV. CONMUTACIN EN LINEA

Los tiristores conmutados por lnea se apagan (o desactivan
o bloquean) debido a la naturaleza senoidal del voltaje de
entrada, y los tiristores de conmutacin forzada se apagan con
un circuito adicional, llamado circuito de conmutacin. La
figura #defig2 muestra diversas configuraciones de tiristores
con control de fase (o conmuta dos por lnea): borne, disco,
plano y clavija.

Fig. #defig2: Diversas configuraciones de tiristores.
Debido a las dos uniones pn exteriores, las caractersticas de
apagado serian semejantes a las de un diodo, con un tiempo t
rr

de recuperacin inverso y una corriente pico I
RR
de
recuperacin inversa. I
RR
puede ser mucho mayor que la
corriente normal de bloqueo inverso I
R
. En un circuito
convertidor conmutado en lnea, donde el voltaje de entrada es
alterno, como se ve en la figura #FIG3. Aparece un voltaje en
sentido inverso del tiristor inmediatamente despus que la
corriente en sentido directo pasa por el valor de cero.

Fig. #fig3: conmutacin de lnea.
En conclusin: la conmutacin de lnea se da cuando al tiristor
es alimentado con corriente alterna, y cada vez que se da un
semiciclo positivo y el voltaje alcanza valores cercanos o
menores que cero, el transistor se apaga automticamente, esto
hace que el circuito conmute y est cambiando de un valor
positivo a un valor cercano a cero mientras se siga alimentado
el circuito con corriente alterna.

V. CONMUTACIN FORZADA.

Un tiristor que est en el estado encendido puede apagarse
reduciendo la corriente en sentido directo hasta un valor
inferior al de la corriente de retencin

. Hay varias tcnicas

para apagar un tiristor. En todas las tcnicas de conmutacin,
la corriente andica se mantiene inferior a la corriente de
retencin durante un tiempo suficientemente largo para que
todo el exceso de portadores en las cuatro capas fluyan o se
recombinen.

Tiristores de conmutacin rpida

Se usan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad,
con conmutacin forzada (por ejemplo, inversores resonantes
e inversores).

Tienen un tiempo corto de apagado, por lo general de 5 a 50
fLS, dependiendo del intervalo de voltaje.
La cada de voltaje en estado de encendido vara,
aproximadamente en funcin inversa del tiempo de encendido
tq.
A esta clase de tiristor tambin se le llama tiristor inversor.
Estos tiristores tienen alta tasa dv/dt, normalmente de 1000
V/fLS, y tasa dildt de 1000 A/fLS.
El apagado rpido y la alta dildt son muy importantes para
reducir el tamao y el peso de los componentes de
conmutacin o del circuito reactivo. El voltaje en estado de
encendido, de un tiristor de 1800 V-2,200 A suele ser de 1.7 V.
Los tiristores inversores, con posibilidades muy limitadas de
bloqueo en sentido inverso, normalmente de 10 V, Yque tienen
un tiempo de apagado muy corto, de 3 a 5 us, se llaman
tiristores asimtricos (ASCRS).

Inversor monofsico de medio puente

El principio de los inversores monofsicos, se puede explicar con
la FIGURAAAAAAAAAA siguiente.



Fig. 1 Inversor monofsico de medio puente.




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El circuito de el inversor consiste en dos pulsadores. Cuando slo
enciende el transistor Ql durante el tiempo

/2, el voltaje
instantneo

a travs de la carga es Vs/2. Si el transistor Q2 se

enciende durante un tiempo

/2, aparece Vs /2 a travs de la

carga. El circuito lgico se debe disear de tal modo que Q1 y Q2
no estn activos al mismo tiempo.
Este inversor requiere una fuente de CD de tres hilos, y cuando un
transistor est apagado, su voltaje inverso es

en lugarde

2. A
este inversor se le llama inversor en medio puente.

El voltaje raz cuadrtico medio (RMS) de salida se puede
calcular con

El voltaje instantneo de salida se puede expresar como serie de
Fourier, es:



Debido a la simetra de cuarto de onda respecto al eje x, tanto aa
como an son cero. Se obtiene bn, como:



Por lo que el voltaje instantneo de salida Va es:


Donde,

Es la frecuencia del voltaje de salida, en radianes por segundo.
Por la simetra de cuarto de onda del voltaje de salida respecto al
eje x, los voltajes armnicos pares estn ausentes.

Para n = 1, el valor rms de la componente fundamental, es:

Secuencia de disparo.

La secuencia de disparo para el control de los dispositivos de
conmutacin es la siguiente:

1. Generar una seal de disparo cuadrada, Vg1 con una frecuencia

y ciclo de trabajo de 50%. La seal de disparo Vg2 debe ser una

inversa lgica de Vg1.

2. La seal Vg1 controla al interruptor

a travs de un circuito
aislador de compuerta, y Vg2 puede controlar a Q2 sin circuito
alguno de aislamiento.

Puntos clave
Se puede obtener un voltaje alterno de salida conectando,
alternativamente, las terminales positiva y negativa de la fuente de
cd a travs de la carga y encendiendo y apagando en forma
correspondiente los dispositivos de conmutacin. La componente
fundamental rms,

> del voltaje de salida, es 0.45Vs.

Se requieren diodos de retroalimentacin para regresar a la
fuente de cd la energa almacenada en la inductancia de carga.

VI. TIEMPO DE APERTURA DE UN TIRISTOR.
El problema mayoritario que hay entre el circuito de
potencia el circuito de disparo es que hay una gran diferencia
de tensiones, ya que los circuitos de disparos andan en los
rdenes comunes de 12 a 24 voltios mientras que los d
potencia superiores a 100 voltios lo que ocasiona a fuerza de
incorporar un circuito aislador que sea el que comunique las
dos partes antes mencionadas.

Lo que se genera en el circuito es que mediante la aplicacin
de un pulso en la Resistencia 1, se hace que el transistor entre
en la regin de saturacin, ocasionando que conduzca desde el
colector al emisor haciendo que el transformador comience a
trabajar, pero como es un pulso por un tiempo definido, al caer
ya sea en una regin negativa o a cero, el diodo no deja pasar
voltaje por consiguiente el transistor deja de conducir, pero
como el transformador posee corriente inducida, esta se escapa
mediante el diodo Dm que esta en paralelo a su primario.


Pulso Largo

En este caso solamente se ha agregado un capacitor en paralelo
con la Resistencia R lo cual limita el ancho de pulso, y es
tpica para pulsos de 50 a 100 micro segundos






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Fig. 1 Circuito de largo pulso.


Tren de pulsos
Es posible gracias a la utilizacin del devanado auxiliar que se
observa en la figura, y es que al encender el transistor induce
un voltaje en el devanado auxiliar de tal modo que el diodo 1
se pone en inversa haciendo que se apague, entre todo esto el
capacitor se est cargando por medio de R1 y es quien
enciende y apaga continuamente a Q1 mientras exista voltaje
en V1




Fig. 1 Circuito generador de tren de pulsos.







Tren de pulsos compuerta AND

En este caso ya no se utiliza un devanado auxiliar sino mas
bien una compuerta AND conectada al voltaje V1 y a un
oscilador, y si bien es cierto no es posible conectarlo as como
se muestra en la figura debido a que la compuerta no podr
encender el transistor, solamente acoplando una etapa de
amplificacin, ella ser capaz de generar el tren de pulsos que
se muestra en la figura.




Fig. 1 Circuitode tren de pulsos compuerta AND.

VII. AISLAMIENTO DE COMPUERTA Y EXCITADORES DE BASE:
TRANSFORMADORES DE PULSO Y OPTOACOPLADORES






















Fig. 1 Excitador de compuerta aislado por transformador.


Transformadores de pulso

Se caracterizan por solo tener un devanado primario y pueden
tener varios devanados secundarios, esto permite tener varios
transistores ya sea en serie o en paralelo, y poder activarlos
cuando uno lo necesite.
Para que este circuito pueda funcionar adecuadamente el
transformador debe tener una inductancia de fuga muy
pequea y un tiempo corto en el que realice la subida del
pulso, ya que si no posee esas caractersticas el transformador
podra saturarse y la seal podra distorsionarse lo que
ocasionara una desestabilizacin del transistor.

2. Opto-Acopladores
Los opto acopladores son dispositivos encapsulados que
constan de dos dispositivos principales, los cuales son el ILED
que es un diodo emisor de luz infrarroja y un fototransistor, el
cual es un transistor que en lugar de ser excitado con corriente
es editado con un haz de luz, que en este caso es infrarrojo,
este tipo de dispositivos son tiles para la proteccin de
dispositivos, para el acople de electrnica de potencia con
electrnica de baja potencia, en fin tiene muchas utilidades,
poseen unos tiempos de encendidos muy bajos y tiempos de
apagado igual de bajos, en encendido ronda los 2 a 5 micro
segundos y los tiempos de apagado los 300 nano segundos.

La nica desventaja que la etapa del fototransistor necesitara
una fuente de alimentacin especfica para el tipo de opto
acoplador, porque no ser lo mismo para uno fabricado de
transistores normales, que otro hecho con transistores
Darlington; a continuacin se muestra un circuito de un
ejemplo de una utilizacin de un opto acoplador. Observamos
como el opto acoplador hace la funcin de aislador


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Fig. 1 Aislamiento de compuerta de compuerta por optoacopladores.


VIII. CI DE EXCITADORES DE COMPUERTA

El diseo de un circuito excitador requiere conocer las
caractersticas de compuerta y las necesidades de dispositivos
como tiristores, tiristores apagados por compuerta (GTO),
transistores bipolares de unin (BJT), MOSFET y IGBT.
Excitador de Compuerta para MOSFET.
Los MOSFET son controlados por voltaje y poseen un valor
de impedancia muy alta. La compuerta consume una corriente
de fuga muy pequea, del orden de nanoamperes. El tiempo de
encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga o de
compuerta. El tiempo de encendido se puede reducir
conectando un circuito RC como se muestra en la fig. 45 para
cargar con mayor rapidez la capacitancia de la compuerta.
Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente
inicial de carga de la capacitancia es:

Ecuacion ()

Y el valor de estado permanentemente del voltaje de
compuerta:

Ecuacion ()

Donde

es la resistencia interna de la fuente que excita la

compuerta.



Fig. 45. Circuito RC.
Para poder obtener velocidades de conmutacin del orden
100ns o menos que este valor, el cirucito que excita a la
compuerta debe tener una baja impedancia de salida, y la
capacidad de disparar y suministrar y disparar corrientes
grandes. Con el siguiente circuito mostrado en la fig. 46
consiste en un arreglo en ttem que es capaz de disipar
corrientes grandes. La seal de compuerta para el MOSFET de
potencia se puede generar con un amplificador operacional.

Fig. 45. Excitador de compuerta en arreglo de ttem con
formacin de flanco de pulso.

Excitador de base para BJT.
La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el
tiempo de activacin, encendido,

. Se puede reducir

permitiendo un pico de la corriente de base durante la
activacin, dando como resultado una forzada baja

) al
principio luego puede aumentar hasta un valor suficientemente
alto como para mantener al transistor en la regin de casi
saturacin. El

se puede reducir invirtiendo la corriente de

base y permitiendo un pico de la corriente de base durante la
desactivacin. Al aumentar el valor de la corriente de base
inversa

disminuye el tiempo de almacenamiento. El la fig.

47 se muestra una forma de onda tpica de la corriente de base.


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Fig. 47. Forma de onda de corriente de excitacin de base.

Tambin la forzada puede controlarse en forma continua
para que coincida con las variaciones de corriente de colector.
Tcnicas comunes para optimizar la activacin de la base de
un transistor son:
Control al encendido
Control al apagado
Control proporcional en base
Control por antisaturacion
Control al encendido. La correcion de la corriente de base se
puede proporcionar con el circuito de la fig. 48 cuando se
conecta voltaje de entrada, la corriente de base se limita con el
resistor R1 y el valor inicial de esa corriente es:

Ecuacion
()
Fig. 48.
Correccin
de
corriente
de base durante el encendido.
La corriente de base es:

El capacitor C1 se carga hasta un valor final de:

Ecuacin (er)
Control al apagado. Si el voltaje de entrada, en la fig. (48), se
cambia a

durante el apagado, el voltaje

del capacitor,
en la ecuacin (er), se suma a

como voltaje inversoatravez

del transistor, por lo tanto habr un pico de coriente de base
durante el apagado. a medida que se descarga el capacitor

,
se puede reducir el voltaje inverso hasta un valor de estado
permanente

. Si se requieren caractersticas distintas de

encendido y apagado. Se puede agregar un circuito de apagado
(usando

) como se ve en la fig. 45.1. el diodo

aisala el circuito de encendido de la base del circuito de
apagado de la base al polarizarse en sentido inverso, durante el
apagado.

Fig. 45.1. Correcion de corriente durante el encendido y el
apagado.
Control proporcional de base. Este tipo de control tiene
ventajas sobre el circuito excitador constante. Si la corriente
del colector cambia debido a un cambio en la demanda de
carga, la corriente de encendido de la base cambia en
proporcin a la corriente del colector. Un arreglo se muestra en
la fig. 45.2 cuando se activa el interruptor

, pasara un pulso
de corriente de corta duracin por la base del transistor

, y

se activa, enciende hasta la saturacin. Una vez que la
corriente del colector comienza a fluir, se induce una
corriente4 correpondiente en la base.

Fig. 41.2. Circuito de excitacin proporcional de base.

Control antisaturacin. Si el transistor se excita muy rpido,
el tiempo de almacenamiento, que es proporcional a la
corriente de base, aumenta, y se reduce la velocidad de
conmutacin. Se puede reducir el tiempo de almacenamiento
operando el transistor con una saturacin gradual, en lugar de
muy rpida. Esto se puede hacer sujetando el voltaje de
colector a emisor a un valor predeterminado, y la corriente en
el colector es:

ecuacion as

donde Vcm es el voltaje sujetador y Vcm > VCD(sat). Un
circuito con accin sujetadora (que tambin
se llama sujetador Baker) se ve en la figura 78.2.
La corriente de base sin sujecin, que es adecuada para la
activacin rpida del transistor,
se puede determinar con:

Fig. 78.2. Circuito sujetador de colector.


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y la corriente de colector correspondiente es:

Despus de incrementar la corriente del colector, el transistor
se activa y se presenta la sujecin
(debido a que D2 queda con polarizacin directa y conduce).
Entonces:

La corriente de carga es:

ecuacin gh

y la corriente de colector en la sujecin es:

ecuacin 123

Para que haya sujecin, Vd! > Vd2, yeso se puede lograr
conectando dos o ms diodos en lugar de DI' La resistencia Re
de carga debe satisfacer la condicin:

De acuerdo con la ecuacin gh

La accin sujetadora da como resultado una corriente reducida
de colector y la casi eliminacin del tiempo de
almacenamiento. Al mismo tiempo se logra una activacin
rpida. Sin embargo, debido al mayor VCE, la disipacin de
potencia en estado activo, en el transistor, aumenta, mientas
que disminuye la prdida de potencia por conmutacin.

IX. PROTECCIN DE DISPOSITIVOS EN CIRCUITOS


Aun en los circuitos cuidadosamente diseados, pueden
ocurrir situaciones de fallas debidas a un corto circuito, que
dan como resultado un flujo excesivo de corriente a travs de
los dispositivos. El calor producido por las perdidas en un
dispositivo semiconductor dede disiparse en forma suficiente y
eficaz, a fin de que este opere por debajo de su lmite superior
de temperatura. Para la operacin confiable de un convertidor
es necesario aegurar que en ningn momento las condiciones
del circuito excedern las especificaciones de los dispositivos
de potencia, mediante la adicion de protecciones contra
sobrecorriente y sobrecalentamiento. En la practica los
dispositivos de potencia estan protegidos de:
Excesos trmicos mediante disipadores de calor.

altos, mediante circuitos de apoyo

Transitorios en el lado de la alimentacin y de la
carga
Condiciones de falla, mediante fusibles.

Enfriadores y disipadores de calor.

Debido a las perdidas por operacin y por conmutacin, dentro
del dispositivo de potencia se genera calor. Este calor debe
transferirse del dispositivo a un medio ms frio, a fin de
mantener la temperatura de operacin de la unin dentro del
rango especificado. Aunque esa transferencia de calor puede
llevarse a cabo mediante conduccin, conveccin o radiacin
ya sea natural o de aire forzado, en las aplicaciones
industriales es como utilizar el enfriamiento por conveccin.
El calor debe fluir lejos del dispositivo hacia su carcaza y de
ah hacia el disipador de calor en el medio enfriador. Si

es
la perdida de potencia promedio del dispositivo, el anlogo
elctrico de un dispositivo, que esta montado den un disipador
de calor, aparece en la fig. 49 la temperatura de la unin de un
dispositivo

esat dada por:

ecuacion (78)
Donde:

= resistencia trmica de la unin a la carcasa, C/W

= resistencia trmica de la carcasaal disipador, C/W

= resistencia trmica del disipador al ambiente, C/W

= temperatura ambiente, C

quedan por lo general espedificados por los

fabricantes del dispositivo de potencia. Una vez que se
conoce la perdida de potencia del dispositivo,

, se puede
calcular la resistencia trmica requerida del disipador de
calor, en relacin con una temperatura ambiente conocida

. El siguiente paso es seleccionar el disipador de calor

de una dimensin que cumpla con el requisito de la
resistencia trmica. Las caractersticas de resistencia
trmica de un disipador de calor tpico, con enfriamiento
natural y forzado aparecen en la fig. 50 donde la
disipacin de potencia en funcin de la elevacin de
temperatura del disipador queda ilustrada para un
enfriamiento natural.

Fig. 50. Caractersticas de la resistencia trmica.
En el caso de un enfriamiento forzado, la resistencia
trmica se reduce con la velocidad del aire. Sin embargo,
mas alla de cierta velocidad, la reduccin de la resistencia
trmica no es significativa. En la fig. 345 se muestra
disipadores de calor de varios tipos


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Fig. 456. Disipadores de calor.
El rea de contacto entre el dispositivo y el disipador de calor
es de extrema importancia para minimizar la resistencia
trmica entre la carcaza y el disipador. Las superficies deben
ser planas, lisas y libres de suciedad, corrosin y xidos
superficiales. Normalmente, para mejorar la capacidad de
transferencia de calor y minimizar la formacin de xidos y
agentes corrosivos, se aplican grasas de silicio.
El dispositivo puede enfriarse mediante tuberas parcialmente
llenas con un liquido de vapor de baja presin. El dispositivo
queda montado en un costado de la tubera, con un mecanismo
de condensacin (o un disipador de calor) en el otro extremo
tal y como s emuestra en la fig 678, el calor producido por el
dispositivo vaporiza el liquido y entonces el vapor fluye al otro
extremo, donde se condensa, regresando el liquido a la fuente
de calor. Este dispositivo puede quedar a cierta distancia del
disipador de calor.
En las aplicaciones de alta potencia, los dispositivos se enfran
con mayor xito mediante un liquido, por lo comn aceite o
agua. Esa mas efectivo el enfriamiento por agua que por aceite,
es tres veces ms efectivo que el enfriamiento por aceite.
La impedancia trmica de un dispositivo de potencia es muy
pequea y como resultado la temperatura de la unin del
dispositivo varia con la perdida instantnea de potencia. La
temperatura instantnea de la unin del dispositivo varia con la
perdida instantnea de potencia. La temperatura instantnea de
la unjon debe siempre mantenerse por debajo del valor
aceptable. Una grafica de la impedancia trmica transitoria, en
funcin de la duracin del pulso de onda cuadrada es por lo
general suministrada por los fabricantes.
La respuesta en escalon de un sistema de primer orden puede
aplicarse para expresar la impedancia trmica transitoria. Si

es la impedancia trmica de la unin a la carcaza en rgimen
permanente, la impedancia trmica instantnea se puede
expresar como:

Donde

es la constante trmica de tiempo del dispositivo. Si

la perdida de potencia es

la elevacin instantnea de
temperatura en la unin por arriba de la carcaza es:

ecuacion 78
Si la perdida de potencia es de tipo pulsante, tal y como se
muestra en la fig. 894, se puede aplicar la ecuacin 78, para
trazar las respuestas en escalon de la temperatura de la unin,

Fig. 894. Temperatura de la unin con pulsos de potencia
rectangulares.
Si

es la duracin de un pulso de orden n, las impedancias

trmicas correspondientes al principio y al final del pulso de
orden n son

= Z (t=

),
respectivamente.
La exactitud de estas aproximaciones puede mejorarse si se
incrementa el numero de pulsos y reduce la duracin de cada
uno de ellos. Esto queda mostrado en la fig. 745.

Fig. 745. Aproximacin de un pulso de potencia mediante
pulsos rectangulares.
La temperatura de la unin al final del pulso de orden m puede
determinarse a partir de:

REFERENCIAS
[1] Robert L. Boylestad, Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos, Ed. Mxico, 8. Ed., 2003,pp 37-40 y pp.92-98.
[2] W. Hayt, Circuitos Elctricos para Ingeniera.
[3] Segio Franco, Diseo con amplificadores operacionales y circuitos
integrados analgicos, 3 Edicin, pp 429-430.