Componentes Electrnicos y Medidas Prctica 10. MOSFETs.

PRCTICA 10
Transistores MOS
1. MOSFET DE POTENCIA
1.1. Competicin MOSFET frente a bipolar.
Para hacer este ejercicio ms interesante vamos a imaginarnos una competicin entre
dos campeones de dos bandos enfrentados: MOSFET versus bipolar !os representantes de
cada bando hacen alarde de las siguientes caracter"sticas:
# $ipolar: %&'())
M*ima potencia +) ,
M*ima corriente -( .
# MOSFET: /0!1'2&
M*ima potencia %) ,
M*ima corriente 2 .
Estos datos parecen favorecer al bipolar Si observamos los encapsulados podemos
apreciar 3ue4 aun3ue son del mismo tipo 5TO#%%(64 el bipolar es considerablemente ms
grande Sin embargo4 a continuacin veremos 3ue en este caso el pe3ue7o vence al grande en
la tarea de entregar potencia a una carga en lugar de consumirla en el propio transistor
0eali8aremos la competicin constru9endo un interruptor con cada transistor4 de
forma 3ue se controle el paso de una corriente elevada por una carga de -( :
Es conveniente probar cada circuito por separado para no sobrepasar la m*ima
corriente 3ue puede dar la fuente de tensin de continua :uando el interruptor est cerrado el
transistor bipolar est saturado mientras 3ue el MOSFET est en la 8ona lineal u hmica .
-
Figura -
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trav;s de la resistencia de -( va a circular una corriente de apro*imadamente () . 9 por
tanto va a tener 3ue disipar una potencia de unos %) , En consecuencia es necesario usar
una resistencia de potencia o de lo contrario se 3uemar <tili8aremos una resistencia de hilo
bobinado con cuerpo cermico de 2 , de potencia nominal
Para cada circuito debemos determinar la potencia consumida por el transistor =anar
el concurso a3u;l 3ue consuma menos potencia En el caso del MOSFET la potencia
consumida ser P>/
?
@
?S
4 mientras 3ue en el bipolar ser la suma de la potencia disipada por la
corriente de base 5/
$
@
$E
6 ms la disipada por la corriente de colector 5/
:
@
:E
6 Mediremos las
tensiones @
?S
4 @
$E
9 @
:E
9 calcularemos las corrientes como /
?
>5)#@
?S
6A-(4 /
$
>5)#
@
$E
6A-((4 e /
:
>5)#@
:E
6A-(
En general4 el parmetro con el 3ue podemos hacernos una idea de cmo de bueno va
a ser el transistor cuando actBa como un interruptor cerrado es @
?S4sat
para el transistor bipolar
9 0
O&
para el MOSFET4 donde 0
O&
es la resistencia entre drenador 9 fuente cuando el
transistor est en la 8ona lineal u hmica 5es decir4 la inversa de la pendiente de la
caracter"stica /
?
frente a @
?S
6 :uanto menor sea 0
O&
en comparacin con la carga 0
!
4 ms se
va a parecer a un interruptor cerrado
:omo prueba tangible de 3ue los circuitos reali8ados estn funcionando como buenos
interruptores4 puede tocar la resistencia de carga 5con cuidado4 pues estar bastante caliente6 9
el transistor ?e esta impresin t;rmica se puede intuir claramente donde se est disipando la
ma9or parte de la potencia . partir de sus medidas calcule 0
O&
5@
?S
A/
?
6 para el transistor
MOSFET 9 la potencia disipada en cada transistor CDui;n gana el concursoE
1.2. Impedancia de entrada.
@amos a continuar la competicin entre el MOSFET 9 el bipolar como interruptores
haciendo 3ue tengan 3ue encender o apagar una bombilla <saremos una bombilla de valores
nominales: F' @ 9 -)( m. 0ecu;rdese de la primera prctica 3ue la caracter"stica /#@ de
una bombilla no es lineal4 sino 3ue su resistencia depende de la temperatura del filamento Por
ello slo tiene sentido definir su resistencia como @A/
El circuito es el mismo 3ue el de la figura -4 sustitu9endo la resistencia de -( por la
bombilla Pruebe cada circuito 9 confirme 3ue funcionan4 encendiendo 9 apagando la
bombilla cuando la entrada se conecta a G) @ o a tierra .l igual 3ue hicimos en el apartado
anterior mida las tensiones @
$E
4 @
:E
4 9 @
?S
cuando el interruptor est cerrado . partir de @
$E
calcule /
$
!a corriente por la bombilla 5/
:
o /
?
6 no se puede predecir por3ue el filamento no
%
Componentes Electrnicos y Medidas Prctica 10. MOSFETs.
se comporta como una resistencia lineal Midi;ndola con el amper"metro resulta ser de unos
-+) m.
0ecordando 3ue la resistencia e3uivalente entre base 9 emisor del transistor bipolar es
r

>@
t
A/
$
calcule la impedancia de entrada del interruptor reali8ado con este transistor C:mo
ser la impedancia de entrada del MOSFETE Para hacernos una idea de lo elevada 3ue es esa
impedancia vamos a reali8ar el siguiente e*perimento :oja con una mano el cable 3ue va
unido a la puerta del MOSFET 9 con la otra to3ue alternativamente el cable conectado a ) @ 9
el conectado a tierra !a bombilla deber encenderse 9 apagarse CMagiaE Es ms4 si despu;s
de tocar uno de los dos cables lo soltamos el transistor HrecuerdaI la Bltima orden 3ue le
dimos 9 la bombilla se 3ueda encendida o apagada respectivamente &o es magia4 sino
simplemente una impedancia de entrada e*tremadamente elevada en continua 5recordemos
3ue la estructura de puerta del MOSFET es un condensador6 Ello significa 3ue la puerta
apenas consume corriente 9 el condensador de la estructura MOS se puede cargar o descargar
a trav;s del cuerpo humano 59 se 3ueda cargado o descargado una ve8 3ue se suelta el cable6
/ncluso la propia electricidad esttica 3ue ha9a almacenada en el cuerpo puede encender la
bombilla sin necesidad de tocar el terminal de ) @ Este ejercicio nos permite darnos cuenta
de 3ue4 cuando trabajemos con circuitos digitales basados en transistores MOS4 si olvidamos
conectar la entrada de uno de estos transistores al nivel lgico alto o bajo 5) @ o ( @6 el
resultado va a ser impredecible dependiendo de la carga el;ctrica 3ue ha9a en el condensador
de puerta
Finalmente4 a partir de las medidas de @
?S
4 @
:E
9 @
$E
4 9 de los valores de /
$
9 la
corriente por la bombilla4 calcule la potencia disipada en cada transistor CDui;n vuelve a
ganar la competicinE
1.. Conm!tacin a alta" frec!encia".
Jemos visto 3ue el MOSFET de potencia gana al bipolar en impedancia de entrada 9
en eficacia para entregar potencia a una carga Este Bltimo aspecto es debido a la reducida 0
O&
de los transistores de efecto campo de elevada corriente Sin embargo4 el caso de transistores
pe3ue7os puede ser diferente4 9 es posible 3ue el bipolar gane para este tipo de transistores de
menor potencia
@amos a comprobar ahora la principal limitacin del MOSFET4 3ue es su capacidad
de entrada 9 el efecto 3ue tiene a altas frecuencias 9 en los transitorios de conmutacin !os
valores de las capacidades de entrada: :
gs
9 :
gd
son elevados 5del orden de cientos de pF para
un MOSFET 3ue pueda manejar unos cuantos amperios con una baja 0
O&
6
'
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<tili8aremos el generador de se7al para introducir una onda cuadrada entre ( 9 ) @
:on este fin tendr 3ue utili8ar el control de offset del generador de funciones 5de lo contrario
se obtiene una onda sim;trica en torno a cero6 :on a9uda del osciloscopio asegBrese de 3ue
tiene una onda cuadrada entre los valores indicados .pli3ue esta se7al a la puerta del
transistor a trav;s de una resistencia de -( K4 como se muestra en la siguiente figura:
&o olvide 3ue la resistencia de drenador tiene 3ue ser de potencia4 igual 3ue en los
apartados anteriores4 9a 3ue por ella va a circular una corriente elevada
Observe la se7al en la puerta 9 en la salida 5drenador6 conforme se aumenta la
frecuencia a partir de - KJ8 CDu; empie8a a ir malE
. continuacin intente resolver el problema reempla8ando la resistencia de -( K por
otro valor 3ue mejore la respuesta a altas frecuencias4 p ej - K :ompruebe si el interruptor
funciona ahora hasta unos pocos cientos de KJ8
2.# INTE$$%PTO$ ANA&'(ICO CMOS.
En esta segunda parte de la prctica vamos a estudiar un circuito de gran utilidad 9
numerosas aplicaciones4 9 3ue puede dar solucin a muchos problemas 3ue ser"a dif"cil
resolver de otra forma Se trata del interruptor analgico :MOS
Su funcionamiento es mu9 simple <na se7al de control permite o blo3uea el paso de
una se7al analgica Ello se consigue con dos transistores MOS4 uno de canal n 9 otro de
canal p4 conectados en paralelo de manera tal 3ue para cual3uier valor de la se7al analgica al
menos uno de ellos est en la 8ona lineal u hmica 59 se comporta por tanto como una
pe3ue7a resistencia 0
O&
3ue deja pasar la se7al a trav;s de ella6 El nombre :MOS
5complementary MOS6 proviene de la combinacin de un transistor de canal n 9 otro p
El interruptor analgico :MOS 5a veces tambi;n llamado transistor de paso6 re3uiere
2
Figura %
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una alimentacin entre los dos valores para los cuales va a permitir el paso de se7ales
analgicas Por ejemplo4 si la se7al analgica puede tomar valores entre L-%@ 9 G-%@ es
necesario conectar el substrato del transistor de canal n a L-%@ 9 el substrato del transistor de
canal p a G-% @ <na se7al de control se aplica entonces a la puerta del transistor de canal n4 9
su inversa lgica a la puerta del transistor p En este caso la se7al de control ser"a G-%@ para
cerrar el interruptor 5permitir el paso de la se7al analgica6 9 L-% @ para abrirlo 5blo3uear el
paso6
En la figura podemos ver un es3uema simplificado del funcionamiento de este
dispositivo :uando la se7al de control est en el nivel lgico alto 5G-% @ en este caso6 ambos
transistores estn en conduccin 5el canal est formado 9 se permite el paso entre drenador 9
fuente6 Si la se7al analgica se apro*ima a uno de los dos e*tremos de la alimentacin el
canal de uno de los dos transistores empie8a a desaparecer por insuficiente tensin puerta#
fuente 5@
=S
6 pero el otro continBa formado ?e esta forma los transistores se a9udan uno a
otro a mantener el interruptor cerrado P ej4 si la se7al analgica se apro*ima a G-% @ se
empe8ar"a a blo3uear el canal del transistor tipo n 5cu9a tensin de puerta es G-% @6 pero
continBa en conduccin el transistor tipo p M viceversa4 si la se7al analgica se acerca a L-%
@ se vac"a el canal del transistor tipo p 5cu9a tensin de puerta es L-% @6 pero continBa
conduciendo el transistor tipo n
Por otra parte4 cuando la se7al de control est en el nivel lgico bajo 5#-% @ en el caso
anterior6 ambos transistores estn en corte 9 no ha9 comunicacin entre drenador 9 fuente El
interruptor est por tanto abierto
!os interruptores analgicos :MOS como el 3ue vamos a usar en el laboratorio vienen
en forma de circuitos integrados4 usualmente con varios interruptores en el mismo chip4 9
)
Figura '
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estn dise7ados para poder utili8ar una se7al de control entre los niveles lgicos estndar de (
@ 9 ) @ Para ello re3uieren como alimentacin tanto los dos niveles de tensin 3ue
establecen los l"mites de la se7al analgica 5p ej G-% @ 9 L -% @ en el ejemplo anterior6
como la tensin 3ue establece el nivel lgico alto de la se7al de control 5usualmente ) @6 El
patillaje del chip 3ue vamos a utili8ar 5el ?=2('6 es el siguiente:
Este chip contiene cuatro interruptores 5numerados del - al 26 El terminal de entrada
de cada interruptor va marcado con la letra S 5de S- a S26 9 el de salida con la letra ? 5de ?-
a ?26 !a entrada /&- 5patilla -)6 controla los interruptores - 9 '4 de tal forma 3ue cuando
/&- est en el nivel lgico alto 5) @6 el interruptor - est cerrado 9 el ' abierto4 9 cuando /&-
est en el nivel lgico bajo 5( @6 el interruptor - est abierto 9 el ' cerrado ?e manera
anloga la entrada /&% 5patilla -(6 controla los interruptores % 9 2 5cuando /&% est en alta el
interruptor % est cerrado 9 el 2 abierto6
?ebemos conectar la patilla -' 5no representada en el dibujo anterior6 a tierra4 9 los
terminales -- 9 -2 a los niveles de tensin de G-% @ 9 L-% @ respectivamente4 3ue tomaremos
de los conectores situados en el frontal de cada puesto del laboratorio 5no olvidar unir tambi;n
el conector central a tierra6 !a patilla -% establecer el nivel lgico 3ue abrir o cerrar el
interruptor4 por lo 3ue la conectaremos a G) @ utili8ando la fuente de tensin del panel de
instrumentos de Jameg 5de nuevo4 no olvidar conectar tambi;n la tierra de la fuente6
Finalmente4 la entrada de control 3ue no utilicemos 5/&- o /&%6 debe fijarse a un nivel lgico
alto o bajo 5G) @ o tierra64 9 no dejarse flotante 5sin conectar6 nunca En caso contrario esa
entrada lgica se 3uedar"a en un nivel indeterminado entre medias del nivel lgico alto 9 bajo4
una circunstancia 3ue puede causar un calentamiento e*cesivo 9 da7o al dispositivo
<na ve8 3ue nos hemos asegurado 3ue todo est correctamente conectado podemos
F
U 1
D G 4 0 3
1 1
1 2
1 4
1 5
1 0
1 6
9
4
5
1
8
3
6
V +
V L
V -
I N 1
I N 2
S 1
S 2
S 3
S 4
D 1
D 2
D 3
D 4
Figura 2 Patillaje del ?=2('
Falta indicar la patilla -'4 3ue
debe conectarse a tierra
Componentes Electrnicos y Medidas Prctica 10. MOSFETs.
proceder a encender las fuentes de tensin @amos a trabajar por ejemplo con el interruptor -4
entre los terminales S- 5patilla -F6 9 ?- 5patilla -6 0ecuerde 3ue la entrada de control es /&-
5patilla -)6 9 3ue cuando /&- se pone al nivel lgico alto 5G) @6 el interruptor est cerrado
5permite el paso de S- a ?-64 mientras 3ue cuando /&- se coloca al nivel lgico bajo 5( @6 el
interruptor est abierto 5no permite el paso de S- a ?-6 &o olvide colocar /&% a un nivel fijo
alto o bajo 5no dejarla flotante6
.ntes de reali8ar algunos ejercicios con este componente compruebe su
funcionamiento introduciendo una onda senoidal en S- con el generador de funciones 9
comprobando con el osciloscopio 3ue la se7al slo pasa al terminal ?- cuando la entrada de
control est a G) @
2.1. Medida de $
ON
.
Si el interruptor con transistores fuera perfecto estar"a completamente cerrado 5on6 o
bien completamente abierto 5off6N es decir4 se comportar"a como lo hace un interruptor
mecnico Pero la realidad slo se apro*ima al caso ideal :uando el interruptor analgico
:MOS est cerrado se comporta como una pe3ue7a resistencia 50
O&
64 mientras 3ue cuando
est abierto se comporta como una pe3ue7a capacidad 3ue une la salida con la entrada !a
importancia de estas imperfecciones depende del circuito En unos casos pueden pasar
desapercibidas 9 en otros dejarse notar . continuacin vamos a medir primero la resistencia
0
O&
9 despu;s la capacidad
Para medir 0
O&
conecte la patilla ?- a tierra 9 apli3ue la se7al analgica a S- a trav;s
de una resistencia de - K ?e este modo habremos construido un divisor de tensin formado
por la resistencia de - K 9 0
O&
.pli3ue una onda senoidal de - KJ8 9 varios voltios de
amplitud4 9 observe con el osciloscopio la se7al de entrada 9 la se7al en S- !a atenuacin
e*perimentada por la se7al cuando el interruptor est cerrado le permite calcular 0
O&
a partir
de la ecuacin del divisor de tensin
2.2. Medida de la capacidad C
DS
a tra)*" del interr!ptor.
:olo3ue una resistencia de -(( K entre ?- 9 tierra4 9 elimine la resistencia de - K
3ue hab"amos puesto a la entrada4 de tal modo 3ue ahora apli3uemos la se7al directamente a
S- :uando el interruptor est cerrado la se7al debe pasar a ?- sin ninguna atenuacin
apreciable4 9a 3ue 0
O&
es despreciable frente a los -(( K :uando el interruptor est abierto
5off6 no deber"a pasar ninguna se7al a ?- Sin embargo veamos lo 3ue ocurre si aumentamos
+
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la frecuencia
/ncremente la frecuencia hasta unos -(( KJ8 9 observe la se7al a la salida con el
osciloscopio <tilice una onda senoidal primero 9 despu;s una onda cuadrada @emos 3ue una
parte de la se7al pasa a trav;s del interruptor en off CPor 3u;E Teniendo en cuenta 3ue la
impedancia e3uivalente de entrada del osciloscopio es una capacidad 5:
in
>-OpF6 en paralelo
con una resistencia 50
in
>-M6 podemos calcular el valor de :
?S
Para ello tenga en cuenta
3ue a estas frecuencias la impedancia correspondiente a la capacidad del osciloscopio es
bastante menor 3ue su resistencia4 por lo 3ue podemos considerar 3ue tenemos un divisor de
tensin formado por dos condensadores: :
?S
9 :
in4osc

2.. Aplicacin pr+ctica, circ!ito de m!e"treo.

Jemos mencionado 3ue el interruptor analgico :MOS o transistor de paso tiene
numerosas aplicaciones <na de las ms inmediatas 9 a la ve8 ms Btiles es el circuito de
muestreo Se utili8a para muestrear una forma de onda cambiante4 manteniendo el valor
muestreado mientras otro proceso ocurre T"picamente ese otro proceso ser"a una conversin
del valor muestreado de forma analgica a forma digital Es decir4 el circuito de muestreo es
la primera etapa de un conversor analgico#digital
:uando el interruptor est cerrado 5G)@6 la se7al pasa al condensador 5el circuito est
muestreando6 Pero cuando el interruptor se abre 5(@6 la se7al deja de pasar 9 el condensador
mantiene el valor en el 3ue se ha9a 3uedado !a misin del seguidor de tensin con
amplificador operacional es pasar ese valor a la siguiente etapa del circuito sin 3ue el
condensador se descargue Para ello se emplea un operacional con entrada PFET como el
!F2--4 cu9o consumo de corriente en las entradas es mucho menor 3ue para los operacionales
con entrada bipolar como el +2-
Podemos probar 3ue el circuito funciona sin necesidad de reali8ar el seguidor de
O
0
0
U 1
D G 4 0 3
1 1
1 2
1 4
1 5
1 0
1 6
9
4
5
1
8
3
6
V +
V L
V -
I N 1
I N 2
S 1
S 2
S 3
S 4
D 1
D 2
D 3
D 4
U 2
L F 4 1 1
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
O U T
B 1
B 2
C 1
S e a l
0 V ( m a n t e n e r )
+ 5 V ( m u e s t r e a r )
Figura )
Componentes Electrnicos y Medidas Prctica 10. MOSFETs.
tensin Para ello utilice un condensador de valor elevado4 p ej FO( nF4 9 ponga la sonda de
osciloscopio en modo -( 5recuerde 3ue cuando se utili8a la sonda en este modo ha9 3ue
calibrarla con a9uda de la se7al de calibracin 3ue proporciona el osciloscopio 9 ajustando su
condensador variable a trav;s del tornillo con el 3ue viene e3uipada la sonda 5utilice un
pe3ue7o destornillador especial de plstico 3ue se proporcionar para este fin6 .l utili8ar la
sonda en modo -( pretendemos aumentar la impedancia de entrada del osciloscopio4 de
modo 3ue el condensador se descargue ms lentamente a trav;s de ;l 9 podamos ver el valor
muestreado :on esta misma idea hemos empleado un condensador de valor elevado4 3ue al
acumular ms carga tardar ms en descargarse .Bn as" podremos ver como el valor
muestreado desaparece lentamente al observarlo en el osciloscopio E*pli3ue 3u;
consecuencias negativas tendr"a emplear un condensador de valor demasiado elevado
Q