UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERIA

Facultad de Ingeniera Elctrica y
Electrnica

Informe Previo Experiencia N 01

CIRCUITOS AMPLIFICADORES
SINTONIZADOS DE FI PARA MODULACIN
AM Y FM

LABORATORIO CIRCUITOS DE
TELECOMUNICACION

ALUMNOS: JORGE LUIS GOMEZ VARGAS 20102099K
OSCAR MANUEL SALAZAR OJEDA 20062537B

HORARIO: JUEVES 4PM 6PM

SECCION: M

Jueves, 03 de Abril del 2014


1. Explique las diferencias de operacin y construccin entre circuitos que operan a
frecuencias bajas y los que operan a frecuencias de radiofrecuencias.

Cuando trabajamos abajas frecuencias se supone que los capacitores solo tienen
capacitancia y los resistores solo resistencia pero esta suposicin solo es una
simplificacin ya que a esto cambia a medida que la frecuencia aumenta, por ejemplo en
la pista de un circuito impreso se encuentra una pequea inductancia adems de
resistencia y adems se presentaran capacitancias entre esta pista y otra en la tarjeta.

Para disear circuitos que trabajen en RF es necesario reducir el efecto de las
capacitancias e inductancias parasitas que se presentan de manera natural en el
circuito.

Para lograr esto se debe mantener los alambres cortos para reducir la inductancia, y
mantenerlos separados para disminuir la capacitancia entre ellos. El acoplamiento
inductivo se reduce si los conductores e inductores mantienen entre si ngulos rectos,
adems el uso de ncleos toroidales ayuda a reducir los campos magnticos parsitos.

Para solucionar esta posible contradiccin se puede usar el blindaje, la manera ms
comn de realizar esto es dejando la mayor parte del cobre en un lado conectado a
tierra. Por lo general en circuitos RF se mantienen tan cortos y alejados como sea
posible.

Se tiene que tener en cuenta que cuando se trabaja en RF es crtica la colocacin de
componentes y alambrado, ya que mover la terminal de algn componente puede
conllevar a la realineacin completa del circuito.

Tambin se tiene que tener en cuenta que las corrientes de RF no viajen de un lado del
circuito a otro, aunque esto parece improbable ya que las fuentes de alimentacin
contienen capacitores electrolticos que presentan poca reactancia en RF, pero esta
suposicin ignora la inductancia en los cables conductores que van del circuito a la
fuente de alimentacin. Para evitar que la corriente viaje es necesario colocar pequeos
capacitores a tierra justo en la conexin de potencia o alimentacin para cada etapa.

2. Por qu no es posible suponer que una fuente de alimentacin es un
cortocircuito a altas frecuencias?

A fin de evitar que las corrientes de RF viajen de un lado a otro del circuito, es necesario
un desvi o desacoplamiento cuidadoso. Por ejemplo la energa de RF podra viajar de
una etapa a otra que comparta la misma fuente o suministro de alimentacin. En primera
instancia eso podra parecer improbable, ya que las fuentes de alimentacin por lo
regular contienen capacitores electrolticos grandes que deben tener muy poca
reactancia a radiofrecuencias.

As que se esperara que la fuente de alimentacin pareciera un cortocircuito a
frecuencias altas. Desafortunadamente, con esta suposicin se ignora la inductancia en
los cables conductores que van del circuito a la fuente de alimentacin y en los mismos
capacitores electrolticos. Para evitar que por esta ruta viaje la energa de un circuito a
otro, es necesario colocar pequeos capacitores a tierra justo en la conexin de potencia
o alimentacin para cada etapa.

Para esta aplicacin son mejores los capacitores pequeos que los electrolticos
grandes, debido a que tienen menos inductancia. En casos difciles, se aade una
inductancia o resistencia en el cable conductor desde la fuente de alimentacin para
obstaculizar ms la transferencia de energa de RF.

3. Investigue sobre los amplificadores de radiofrecuencia de banda estrecha o
angosta.

En los sistemas de comunicacin de RF se suelen restringir las frecuencias a un
intervalo relativamente reducido. Para tales circunstancias no es necesario usar un
amplificador con un ancho de banda amplio ya que este acarrea problemas de ruido e
interferencia.

La forma ms simple de filtro pasabanda es el circuito resonante por lo que es comn
encontrarlos en los amplificadores RF. Si consideramos un amplificador bipolar de
emisor comn, este contendr un acoplamiento RC. La ganancia de voltaje es
aproximadamente:

AMPLIFICADOR DE BAJA FRECUENCIA CON ACOPLAMIENTO RC



AMPLIFICADOR SINTONIZADO CON ACOPLAMIENTO POR TRANSFORMADOR

En el amplificador sintonizado, en ausencia de un resistor de colector, el voltaje DC del
colector ser igual al voltaje de alimentacin. La ganancia es an es igual al cociente de
la impedancia del circuito de colector y la impedancia del circuito del emisor, pero ahora
la impedancia del circuito de colector es funcin de la frecuencia. El circuito sintonizado
del colector ser resonante en paralelo a:

En resonancia, la impedancia del circuito sintonizado es resistiva y su magnitud est en
un mximo. A frecuencias diferentes a la de resonancia la impedancia baja y es
resistiva, por lo tanto la ganancia es mayor en resonancia. La ganancia de frecuencia
resonante est dado por:

La ganancia disminuye fuera de la resonancia debido a que la impedancia del circuito
resonante es mxima en resonancia y disminuye con rapidez a frecuencia ms altas y
ms bajas. Q depende de la relacin de transformacin del transformador y el
acoplamiento entre los devanado del transformador, a mayor carga del amplificador,
menor es su Q y ms amplio su Ancho de Banda.
Los problemas que presenta la impedancia de salida del transistor estn conectados a
travs del circuito sintonizado. Como el transistor opera a RF, esta impedancia podra
ser de unos miles de ohms. Por lo que el transistor se conecta a travs de solo parte de
la bobina, donde el primario del transformador acta como un autotransformador,
incrementando la impedancia efectiva del transistor e incrementando la Q del circuito.

Recordar que para AC el extremo superior del inductor est conectado de manera
efectiva a tierra a travs de la capacitancia del filtro de la fuente de alimentacin. La
capacitancia entre el colector La capacitancia entre el colector y al base del transmisor
tambin tiene probabilidades de causar problemas. Al retroalimentar parte de la seal de
salida a la entrada, se reduce la ganancia del circuito a frecuencias altas. De hecho
parte del circuito emisor comn ilustrado en la siguiente figura:



El efecto de esta capacitancia, que suele llamarse efecto Miller, es el mismo que si se
hubiera conectado una capacitancia mucho mayor a la entrada. La influencia del efecto
Miller se reduce un poco al acoplar con transformador tanto la entrada como la salida y
sintonizar el secundario del transformador de entrada. La capacitancia de Miller se
vuelve parte de la capacitancia necesaria para sintonizar a resonancia el circuito de
entrada. En la figura siguiente mostramos el circuito.


Se hace una derivacin de la entrada en el secundario del transformador para reducir el
efecto de carga del transistor y su circuito de polarizacin en la Q del circuito
sintonizado. C1 sintoniza al circuito sintonizado de la entrada, y en este circuito C2 es el
capacitor de sintonizacin de la salida.

La prctica de sintonizar la entrada y la salida de un amplificador puede producir
inestabilidad. Esta se corrige mediante neutralizacin.
Otra forma de evitar el efecto de Miller es usar un amplificador de base comn, segn
como se ilustra en la siguiente figura:


En este circuito se muestra acoplamiento por transformador en la entrada y salida. Los
amplificadores de base comn son raros en las aplicaciones de baja frecuencia, pero
son bastante comunes en radiofrecuencias. La capacitancia entre el colector y la base
aparece a travs del circuito sintonizado de la salida, donde simplemente reduce la
capacitancia externa necesaria para lograr la resonancia. Con esto se ampliara por
mucho el intervalo de frecuencias til del transmisor.

En la figura anterior, el circuito sintonizado de la entrada consiste en L1 y C1, y el circuito
sintonizado de la salida es L2 y C2. Se muestra la polarizacin del emisor, pero una
polarizacin por divisin de voltaje tambin es adecuada y no requiere una fuente de
voltaje negativo.

El efecto de carga de las impedancias del transistor en circuitos sintonizados se reduce
bastante al usar transistores de efecto de campo, en vez de bipolares. Los FET son
famosos por su muy alta impedancia de entrada, pero su impedancia de salida es
tambin mucho mayor que la de los transistores bipolares.

4. Explique cmo determinar en forma experimental Frecuencia de resonancia
mnima y mxima. - Lin y Cin de la bobina - Rp (Resistencia de prdidas de la
bobina).

a. Frecuencia de resonancia mnima y mxima

La frecuencia de resonancia se define como:

Entonces como el condensador es un valor fijo de la bobina, para encontrar la
frecuencia de resonancia mxima y mnima tenemos que variar el valor de la
inductancia.
Comenzamos a variar el valor de la inductancia y cuando en el osciloscopio se
observe que el voltaje de salida va aumentando hasta que toma un valor
mximo y luego empieza a disminuir entonces habremos obtenido el valor de la
inductancia mximo y por tanto la frecuencia de resonancia mnima.

De igual forma, al observar cuando el voltaje de salida toma valores bajos y
luego empieza a aumentar se habr obtenido el valor de la inductancia mnima,
obtenindose tambin la frecuencia de resonancia mxima.

b. Lin y Cin de la bobina

En el momento en que el colector del transistor este conectado en 3, colocamos
el condensador Cext1 a la bobina y a continuacin medimos la frecuencia de la
bobina, con lo cual obtendremos:

)


Ahora retiramos el Cext1 y colocamos el Cext2, procederemos a medir la
frecuencia de la bobina:

)


Ahora de las 2 ecuaciones anteriores podemos despejar el valor de Lin y Cin, ya
que los valores de W1, W2, Cext1 y Cext2 son conocidos.
c. Rp (Resistencia de prdidas de la bobina)

En el momento en que el colector del transistor este conectado en 3, tenemos
que variar la frecuencia del generador y determinar la respuesta en frecuencia
de la bobina, ajustando Rpot, hasta obtener V2=100mVpp en resonancia. A
continuacin colocamos un potencimetro de 100K en paralelo con el tanque y
ajustamos el potencimetro hasta obtener V2=50mVpp, luego anotamos el valor
de Rp.












5. Indicar que consideraciones se deben tener en cuenta para seleccionar los
transistores. Asimismo de los manuales obtener los datos de los transistores
C1394 y 2N2222.

DATASHEET C1394



DATASHEET 2N2222