Qu son los Transistores : Definicin

Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos
principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos electrodos se realiza por
medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales ms frecuentemente
utilizados para la fabricacin de los elementos semiconductores. Los transistores pueden
efectuar prcticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrnicos, incluyendo la
ampliacin y la rectificacin, con muchsimas ventaas.
Elementos de un transistor o transistores:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero
se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
E!"#$%, que emite los portadores de corriente,&huecos o electrones'. #u labor es la
equivalente al ()*$D$ en los tubos de vaco o +lmparas+ electrnicas.
,)#E, que controla el fluo de los portadores de corriente. #u labor es la equivalente a
la %E-"LL) ctodo en los tubos de vaco o +lmparas+ electrnicas.
($LE(*$%, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. #u labor es
la equivalente a la .L)() en los tubos de vaco o +lmparas+ electrnicas.
Ventajas de los transistores electrnicos
El consumo de energa es sensiblemente bao.
El tama/o y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco.
0na vida larga 1til &muchas horas de servicio'.
.uede permanecer mucho tiempo en deposito &almacenamiento'.
2o necesita tiempo de calentamiento.
%esistencia mecnica elevada.
Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la fotosensibilidad.
Tipos de Transistores
Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PP o P !
" BJT, de transistor bipolar de unin &del ingles, ,ipolar -unction *ransistor'.
El termino bipolar reflea el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso
de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.
Transistores de efecto de campo. ( J#ET, $E%#ET,
$&%#ET !
- J#ET, De efecto de campo de unin &-3E*'4 *ambien llamado transistor unipolar, fu5 el
primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo 2 o .. En los terminales de la barra se establece un contacto
hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo 2 de la forma ms bsica.
" $E%#ET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.
" $&%#ET, transistores de efecto de campo de metal6o7ido semiconductor. En estos
componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva,
y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.
Transistores 'BT ( 'E$T.
Las siglas 8,* y 8E!* pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar
de Hetereoestructura) y Hight Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). #on
dispositivos de 9 terminales formados por la combinacin de diferentes componentes, con
distinto salto de banda prohibida.

Transistor IGBT
Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor ()
l transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del in!l"s Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositi#o semiconductor $ue !eneralmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electr%nica de potencia&
ste dispositi#o posee la caractersticas de las se'ales de puerta de los transistores de
e(ecto campo con la capacidad de alta corriente y #olta)e de ba)a saturaci%n del
transistor bipolar, combinando una puerta aislada *T para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositi#o& l circuito de excitaci%n del
IGBT es como el del +,S*T, mientras $ue las caractersticas de conducci%n son
como las del B-T&
.os transistores IGBT /an permitido desarrollos /asta entonces no #iables en particular
en los 0ariadores de (recuencia as como en las aplicaciones en ma$uinas el"ctricas y
con#ertidores de potencia $ue nos acompa'an cada da y por todas partes, sin $ue
seamos particularmente conscientes de eso: autom%#il, tren, metro, autob1s, a#i%n,
barco, ascensor, electrodom"stico, tele#isi%n, dom%tica, Sistemas de 2limentaci%n
Ininterrumpida o S2I (en In!l"s 34S), etc&
Caractersticas
Secci%n de un IGBT
l IGBT es adecuado para #elocidades de conmutaci%n de /asta 56 789 y /a sustituido
al B-T en muc/as aplicaciones& s usado en aplicaciones de altas y medias ener!a
como (uente conmutada, control de la tracci%n en motores y cocina de inducci%n&
Grandes m%dulos de IGBT consisten en muc/os dispositi#os colocados en paralelo $ue
pueden mane)ar altas corrientes del orden de cientos de amperios con #olta)es de
blo$ueo de :&666 #oltios&
Se puede concebir el IGBT como un transistor darlin!ton /brido& Tiene la capacidad de
mane)o de corriente de un bipolar pero no re$uiere de la corriente de base para
mantenerse en conducci%n& Sin embar!o las corrientes transitorias de conmutacion de la
base pueden ser i!ualmente altas& n aplicaciones de electronica de potencia es
intermedio entre los tiristores y los mos(et& +ane)a ms potencia $ue los se!undos
siendo ms lento $ue ellos y lo in#erso respecto a los primeros&
Circuito e$ui#alentede un IGBT
ste es un dispositi#o para la conmutaci%n en sistemas de alta tensi%n& .a tensi%n de
control de puerta es de unos ;< 0& sto o(rece la #enta)a de controlar sistemas de
potencia aplicando una se'al el"ctrica de entrada muy d"bil en la puerta&
SIMBOLOGIA DE LOS TRANSISTORES
*ransistor ,ipolar de 0nin &,-*'
*ransistor de Efecto de (ampo, de
0nin &-3E*'
*ransistor de Efecto de (ampo, de
!etal6:7ido6#emiconductor
&!$#3E*'
3ototransistor
TIPOS DE ECAPSULADO
(psula *$69. #e utiliza
para transistores de gran
potencia, que siempre
suelen llevar un radiador
de aluminio que ayuda a
disipar la potencia que
se genera en 5l.
)rriba a la izquierda
vemos su distribucin de
terminales, observando
que el colector es el
chasis del transistor.
2tese que los otros
terminales no estn a la
misma distancia de los
dos agueros.
) la derecha vemos la
forma de colocarlo sobre
un radiador, con sus
tornillos y la mica
aislante. La funcin de la
mica es la de aislante
el5ctrico y a la vez
conductor t5rmico. De
esta forma, el colector
del transistor no est en
contacto el5ctrico con el
radiador.
(psula *$6;;<. #e
utiliza para transistores
de menos potencia, para
reguladores de tensin
en fuentes de
alimentacin y para
tiristores y triacs de baa
potencia.
=eneralmente necesitan
un radiador de aluminio,
aunque a veces no es
necesario, si la potencia
que van a disipar es
reducida.
)bao vemos la forma de
colocarle el radiador y el
tornillo de sueccin. #e
suele colocar una mica
aislante entre el
transistor y el radiador,
as como un separador
de plstico para el
tornillo, ya que la parte
metlica est conectada
al terminal central y a
veces no interesa que
entre en contacto
el5ctrico con el radiador.
(psula *$6>;?. #e
utiliza en transistores de
potencia reducida, a los
que no resulta
generalmente necesario
colocarles radiador.
)rriba a la izquierda
vemos la asignacin de
terminales de un
transistor ,-* y de un
*iristor.
)bao vemos dos
transistores que tienen
esta cpsula colocados
sobre peque/os
radiadores de aluminio y
fiados con su tornillo
correspondiente.
(psula *$6@;. Es muy
utilizada en transistores
de peque/a se/al.
En el centro vemos la
asignacin de terminales
en algunos modelos de
transistores, vistos desde
abao.
)bao vemos dos
transistores de este tipo
montados sobre una
placa de circuito
impreso. 2tese la
indicacin +*%A+ de la
serigrafa, que indica que
en ese lugar va montado
el transistor n1mero A del
circuito, de acuerdo al
esquema el5ctrnico.
(psula *$6>B. #e
utiliza en transistores de
peque/a se/al. #u
cuerpo est formado por
una carcasa metlica
que tiene un saliente que
indica el terminal del
Emisor.
(psula miniatura. #e
utiliza en transistores de
peque/a se/al. )l igual
que el anterior, tienen un
tama/o bastante
peque/o.
Normas de los transistores
Bien se ha dicho qe el transistor rene na criosa com!inaci"n de
resistencia # $ra%ilidad al mismo tiem&o' En e$ecto( siendo $isicamente
mcho m)s $erte qe la *)l*la( en canto a las acciones mec)nicas( es
smamente d+!il en lo qe se re$iere a la resistencia al calor( asi como a los
errores de &olari,aci"n el+ctrica( Es &or esta ra,"n qe todo aqel qe
&retenda introdcirse en el cam&o del armado con transistores # diodos(
de!er) interiori,arse ca!almente de las si%ientes normas de tra!a-o( las
qe de!er) res&etar al &ie de la letra drante la mani&laci"n de de los
com&onentes'
./ No de!en em&learse los soldadores de %ran &otencia( normales en el
tra!a-o con *al*las( sino modelos de 01 2 de de consmo como m)3imo
'Sin em!ar%o( &eden tili,arse soldadores de ma#or &otencia si los
transistores se introdcen en el circito al $inal del armado( &ero entonces
ha!r) qe tili,ar el soldador indicado cando se coloqen los dis&ositi*os
semicondctores en el circito el+ctrico'
4/ La &nta de co!re del soldador de!er) ser de tama5o m# $ino( con el $in
de concentrar la tem&eratra en la ,ona de tra!a-o # no correr el ries%o de
da5ar los com&onentes *ecinos( #a qe estos circitos est)n %eneralmente
m# &r"3imos entre s6'
7/ No es recomenda!le la tili,aci"n de soldadores del ti&o de
calentamiento instant)neo( dado qe contienen en s interior n
trans$ormador de alimentaci"n qe %enera n cam&o ma%n+tico alterno a
s alrededor( ssce&ti!le de a$ectar el $ncionamiento del transistor'
0/ Antes de soldar( ha!r) qe lim&iar !ien las s&er$-cies met)licas qe se
*an a en$rentar8 le%o( ha!r) qe reali,ar na cidadosa s-eci"n mec)nica
de la &atita del transistor' Rec+rdese qe la soldadra tiene na misi"n
el+ctrica # no mec)nica(
9/ Se recomienda la tili,aci"n de aleaci"n soldante $ormada &or :1 ; de
esta5o # 01 ; de &lomo( dado qe es la qe tiene el &nto de $si"n m)s
!a-o'
:/ Colocar dos diodos # los transistores al $inal del monta-e' Peden sarlos
si son de !ena calidad( qe ase%ren la s-eci<on $irme de las &atas'
=/ La soldadra de!er) reali,arse des&+s de ha!er e$ectado n adecado
>cortocircito t+rmico>( &ara na s$iciente disi&aci"n del calor a&licado
drante la soldadra' Estos cortocircitos t+rmicos se reali,ar)n tomando la
&atita a soldar entre las &ntas de n &ar de &in,as met)licas a na
distancia a mitad de camino entre el &nto de a&licaci"n de la soldadra #
la masa del transistor'
?/ La &ro!a!ilidad de da5os drante el &roceso de soldadra' es mcho m)s
nota!le en el caso de los com&onentes del ti&o miniatra' Por e-em&lo( si n
resistor de com&osici"n &eqe5o es soldado( a n circito tili,ando n
soldador adecado( &ero de-ando na lon%itd de menos de .'9 cm &ara las
&atitas del com&onente( el *alor de resistencia el+ctrica cam!iar) en m)s
del 41 &or ciento( o sea en m)s del *alor m)3imo de tolerancia de
$a!ricaci"n'
)a primera letra indica el material semiconductor utili*ado en la
construccin del dispositi+o
A - Germanio
B - Silicio
C - Arseniuro de Galio
D - Antimoniuro de Indio
R - Material de otro tipo
)a se,unda letra indica la construccin ( utili*acin principal del
dispositi+o
A - Diodo de seal (diodo detector, de conmutacin a alta velocidad, mezclador!
B - Diodo de capacidad varia"le (varicap!
C - #ransistor, para aplicacin en "a$a %recuencia!
D - #ransistor de potencia, para aplicacin en "a$a %recuencia
& - Diodo t'nel!
( - #ransistor para aplicacin en alta %recuencia!
) - #ransistor de potencia, para aplicacin en alta %recuencia
* - Dispositivo sensi"le a las radiaciones!
R - Dispositivo de conmutacin o de control, +o"ernado el,ctricamente - teniendo
un e%ecto de ruptura (tiristor!
S - #ransistor de aplicacin en conmutacin!
# - Dispositivo de potencia para conmutacin o control, +o"ernado el,ctricamente -
teniendo un e%ecto de ruptura (tiristor!
. - #ransistor de potencia para aplicacin en conmutacin
/ - Diodo multiplicador (varactor!
0 - Diodo de potencia (recti%icador, recuperador!
1 - Diodo 1ener o de re+ulacin de tensin!
)a serie numrica consta:
a De tres ci%ras (entre 233 a 444 para dispositivos pro-ectados principalmente en
aparatos de aplicacin dom,stica (radio, #5, re+istradores, ampli%icadores!
" .na letra (/,0,1, se+uida de dos ci%ras (de 23 a 44 para los dispositivos
pro-ectados para usos principales en aplicaciones industriales - pro%esionales!
&n &stados .nidos se utiliza la nomenclatura de la 6&D&C ( 6oint &lectronic Devices
&n+ineerin+ Council re+ulado por la &IA (&lectronic Industries Association, 7ue
consta de un n'mero, una letra - un n'mero de serie (este 'ltimo sin si+ni%icado
t,cnico! &l si+ni%icado de los n'meros - letras es el si+uiente8
29 - Diodo o recti%icador
:9 - #ransistor o tiristor
;9 - #ransistor de &%ecto de Campo (&# o M<S(&#
)os %a"ricantes $aponeses utilizan el cdi+o re+ulado por la 6IS (6apanese Industrial
Standards, 7ue consta de un n'mero, dos letras - n'mero de serie (este 'ltimo sin
nin+'n si+ni%icado t,cnico! &l n'mero - letras tienen el si+uiente si+ni%icado8
9'mero8
3 - (ototransistor
2 - Diodo, recti%icador o varicap
: - #ransistor, tiristor
; - Semiconductor con dos puertas!
*rimera letra8
S - Semiconductor
Se+unda letra8
A - #ransistor *9* de A!(!
B - #ransistor *9* de B!(!
C - #ransistor 9*9 de A!(!
D - #ransistor 9*9 de B!(!
( - #iristor de puerta *
G - #iristor de puerta 9
6 - (&# de canal *
= - (&# de canal 9