Mosfet En modo de Empobrecimiento

Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar

corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede
aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposicin se
consigue eliminar prcticamente la corriente de fuga que apareca en dicho
terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la
estructura de un MOSFET de canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como
de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:
La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones
de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal
estrecho de material semiconductor tipo N.
Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDDaplicada por la fuente, mayor ser
esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la
puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de
portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se aprecia
claramente que, el fenmeno de control se realiza a travs del efecto del campo
elctrico generado por la tensin VGG de la puerta.
Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin
positiva de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al
MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador
provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el
canal, de tal forma que, al aumentar la tensin positiva VGG, aumenta tambin la
corriente de drenador.


Curvas Caractersticas:
En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia
de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo
en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de
enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la tensin ms
positiva de VGS y el corte se consigue con tensin negativa de VGS(apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que
nos indica la relacin que existe entre VGS e ID. sta posee la forma que se muestra
en la siguiente curva abajo a la derecha:

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de
tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones
positivas como negativas. Por esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la
interseccin de la curva con el eje ID, ya no es la de saturacin.
Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la
ecuacin que la define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este
tipo de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto
correspondiente a VGS=0, ID=IDSS. Cuando ste queda polarizado as, el transistor
queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido.
Smbolos de los MOSFET
En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N (punta
hacia adentro) con cuatro terminales disponibles. El terminal de sustrato est
libre, en algunos casos, para dar al transistor un mayor control sobre la corriente
de drenador.

Tipo de enriquecimiento
Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo admite la forma de
trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor
se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
En las siguientes figuras (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y
en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.

Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce
cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente
estar en no conduccin o apagado.
El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican
en las siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b)
MOSFET de enriquecimiento y canal P.

Observa cmo la lnea del canal en estos transistores se representa como una
lnea punteada.