III .

CAPITOLO III
GIUNZIONI METALLO-SEMICONDUTTORE (M-S)
Limpiego pratico delle giunzioni p-n, nonch la tecnologia dei circuiti integrati
utilizzano comunemente i contatti metallo-semiconduttore nelle interconnessioni tra i vari
componenti di un circuito integrato e nei punti di accesso dallesterno. Dato che le giunzioni
tra materiali conduttori e materiali semiconduttori possono avere carattere rettificante, oltre
che ohmico, trovando vaste applicazioni come diodi (diodi Schottky), bene affrontarne lo
studio in modo analogo a quanto fatto per le giunzioni p-n.

3.1. - Giunzione M-S in assenza di polarizzazione (in condizioni di equilibrio).

Sappiamo che nei metalli il livello di Fermi EF si trova entro un insieme continuo di stati
energetici permessi, mentre nei semiconduttori, con concentrazioni droganti normali, EF
cade entro la banda interdetta e cio dove non vi sono stati energetici occupabili da elettroni
o lacune. Richiamiamo brevemente in fig. 1 gli andamenti delle densit degli stati energetici
occupati da elettroni in funzione di E ed i diagrammi a bande rispettivamente per un metallo
(M) e un semiconduttore (S) che supponiamo di tipo n.

N(E)

N(E)
N(E)

stati energetici
riempiti

N(E)

N(E)F(E)

EF

N(E)F(E)

EV EF EC

E0

livello di riferimento

E0
q

q M

q S
EC
EF
EV

EF

Fig. 1
(Dicembre 2004)

III . 2

Nel metallo il lavoro di estrazione vale q

risulta pari all'energia q

M,

mentre nel materiale semiconduttore

= E0 - EF e varia con il drogaggio. Viene definita come affinit

()
elettronica q lenergia E0 - EC , che risulta ovviamente indipendente dal drogaggio .

Dato che il livello di Fermi EF esprime l'energia media totale posseduta dagli elettroni
sia nei metalli sia nei semiconduttori, considerando i due materiali separatamente luno
dall'altro e cio isolati, si pu affermare che, se M < S , gli elettroni nel metallo saranno
pi "energetici" che nel semiconduttore e viceversa se M > S. Ci fa intuitivamente
prevedere che, nel momento in cui si stabilisce un contatto tra i due materiali (giunzione
metallo - semiconduttore), la differenza di energia posseduta causer un trasferimento di
elettroni dal metallo al semiconduttore nel primo caso o viceversa nel secondo. Questo
processo si fermer non appena i due livelli di Fermi si saranno allineati.
In equilibrio, il trasferimento di elettroni determina, entro il semiconduttore, una densit
totale di carica diversa da zero e quindi la nascita di un campo elettrico che agisce in modo
da bilanciare la tendenza degli elettroni ad occupare stati energetici a energia pi bassa. E'
possibile tracciare qualitativamente, in condizioni di equilibrio, i diagrammi a bande per la
giunzione M-S considerata, ricordando che debbono essere rispettate le seguenti propriet:
a) il livello di Fermi EF costante attraverso la giunzione;
b) il livello di riferimento EO non pu che essere una funzione continua del punto;
c) l'affinit elettronica dei materiali semiconduttori costante con la coordinata x.
Ci posto, tracciamo il diagramma a bande nel caso M > S (fig. 2.a):
A
E0

E0

E0
E0

q M

q S

q M

q
q i

EC
EF
EF

EV

q MS

EF

a)

q S
EC
EF
EV

b)
Fig. 2

()

Poich interessano le differenze di energia, i valori numerici delle suddette quantit sono
riferite al livello EO, che pari all'energia minima necessaria all'elettrone per abbandonare
il materiale cui apparteneva.

III . 3

Esercizio:

tracciare qualitativamente i diagrammi a bande per giunzioni M-S (tipo n) per i

casi:

a) S > M > ;

b) M <

Dal diagramma di fig. 2.b) si nota che alla transizione (sezione AA' ) c' una brusca
discontinuit degli stati energetici permessi agli elettroni, che vale:
(1)

qMS = q (M - )

e dipende dalla scelta della coppia metallo - semiconduttore.

Il salto di potenziale qi , per coppia assegnata, dipende invece dal drogaggio del
semiconduttore e si viene a creare in conseguenza dell'abbandono, da parte degli elettroni
della banda di conduzione del semiconduttore, degli stati energetici ad energia pi alta
rispetto a quella degli stati disponibili nel metallo. Il maggiore scostamento di EC da EF nel
semiconduttore in prossimit della giunzione richiama il fatto di una ridotta concentrazione di
elettroni liberi e quindi una densit totale di carica diversa da zero e pari a quella degli ioni
fissi delle impurit droganti, assumendo valida, anche in questo caso, lipotesi dello
svuotamento totale gi assunta nellanalisi delle giunzioni p-n.
Quanto qui si andato esponendo si basa sullipotesi che, in prossimit della
superficie di transizione tra i due mezzi, sia il metallo sia il semiconduttore continuino ad
essere rappresentati dalle strutture a bande assunte rispettivamente all'interno dei solidi
cristallini ed fin troppo ovvio che questa ipotesi costituisca una approssimazione. Basti
pensare che l'allineamento di atomi in corrispondenza della superficie di transizione vede
una struttura tipicamente asimmetrica. Cos come avviene in presenza di difetti del reticolo
cristallino, anche in questo caso la suddetta dissimmetria modifica la struttura a bande,
introducendo nuovi stati energetici nella banda interdetta con concentrazione non nulla solo
in prossimit della superficie di transizione (stati superficiali).
In Tabella 1 vengono riportati sia i valori dell'affinit elettronica di alcuni materiali
semiconduttori che i valori del lavoro di estrazione per i metalli pi comuni.
Analizziamo adesso la giunzione M-S in equilibrio con riferimento al caso in cui sia

M > S e vediamo di dedurre le analoghe quantit che hanno caratterizzato la giunzione

p-n. Innanzi tutto si nota che, osservando la fig. 2.b), si pu scrivere:
(2)

q i = q (M - S ) = q (M - ) - | EC EF | n

dove l'ultima quantit va valutata nel semiconduttore a grande distanza dalla giunzione.

III . 4

Semiconduttore

q (eV)

Metallo

q M (eV)

Ge

4,13

Cu

4,50

Si

4,05

Al

4,25

GaAs

4,07

Pt

5,60

GaP

3,80

4,50

InP

4,38

Au

5,10

CdS

4,80

Ag

4,30

Tabella 1

Inoltre, dato che l'interno di un metallo

equipotenziale,

gli

elettroni

che

dal

a)

-- + + + +
--- + + + +
-- + + + +

semiconduttore si sono trasferiti nel metallo si

addensano in uno strato di spessore infinitesimo

S (n)

alla superficie del metallo, dando origine ad una

funzione delta di carica. Nel semiconduttore

invece, data la minore densit di elettroni
rispetto al metallo, la carica totale (di segno

n = q ND

opposto), dovuta agli atomi donatori ionizzati,

occuper uno spessore molto maggiore.

b)

Nell'approssimazione dello svuotamento

totale, gi fatta a proposito delle giunzioni p-n e

-q NDW

nel caso di drogaggio uniforme si ha, integrando

successivamente l'equazione di Poisson (fig. 3):

(3)

(4)

Ex

i = Ex

E
c)

q NDW

Ex

W q ND W
=
2
2s

da cui:

d)
(5)

W =

2 s
q

1
i
ND

x
Fig. 3

III . 5

La carica totale nel semiconduttore vale:

(6)

QS = A q ND W

avendo indicato con A l'area della giunzione; sostituendo la (5) nella (6) si ha:
QS = A

(7)

Esercizio:

2 sq ND i

Disegnare il diagramma a bande per una giunzione in equilibrio tra Cu e Si

drogato con ND = 1017 cm-3. Si calcolino le concentrazioni di elettroni e lacune
in corrispondenza della sezione di giunzione.

3.2. - Giunzione M-S in presenza di polarizzazione.

Come si pu osservare dalla fig. 3.d) che, a scala q, fornisce linclinazione dei
diagrammi delle bande del semiconduttore nella transizione M-S, il salto di potenziale i
cade per intero nel semiconduttore.
Lapplicazione dallesterno di una differenza di potenziale alla giunzione M-S agir,
come si visto per le giunzioni p-n, nel senso di far aumentare (polarizzazione inversa) o di
far diminuire (polarizzazione diretta) laltezza della barriera di potenziale i in condizioni di
equilibrio. Anche in questo caso, la trattazione valida se si ammette che in presenza di
polarizzazione le condizioni di equilibrio siano di poco alterate (condizioni di quasi equilibrio).
Nel caso in esame, la barriera sar abbassata (innalzata) se polarizzeremo il metallo
positivamente (negativamente) rispetto al semiconduttore. Quindi un diodo M-S con M > S
sar polarizzato direttamente se si connetter la tensione come indicato in fig. 4.a).
Invertendo la polarit della tensione V, si otterr, ovviamente, la polarizzazione inversa. In
fig. 4.b) rappresentato il simbolo correntemente usato per questo tipo di diodi.

metallo

semiconduttore
di tipo n

a)

b)
Fig. 4

III . 6

Esercizio:

Disegnare i diagrammi a bande per la giunzione dell'esercizio precedente con

tensione applicata pari a +0,2 V e -1 V.

3.3. Capacit di barriera.

Se dall'esterno applichiamo una tensione V che polarizzi inversamente la giunzione, la
carica totale scoperta, espressa in condizioni di equilibrio dalla (7), si porter al valore:
QS = A

(8)

2 s q N D ( i + V

e la capacit differenziale di barriera sar:

C =

(9)

d QS
dV

q s ND

=A

2 ( i + V

che potr porsi sotto la forma:

C = A

(10)

s
W

analoga alla (11) del Cap. II delle dispense, dove:

(11)

W =

2s
q

( i

+V

ND

Esplicitando nella (9) la tensione V, si ha:

(12)

i +V = A 2

q s ND
2 C 2

Se si misura la capacit differenziale di barriera a varie tensioni di polarizzazione

inverse e si riportano in un grafico (fig. 5) i valori della grandezza 1/C2 in ordinate ed i
corrispondenti valori delle tensioni applicate in ascisse, possibile dalla (12) e dal
coefficiente angolare della retta, risalire alla valutazione del drogaggio ND. Questo metodo

III . 7

(x)

1/C

metallo

semiconduttore
q ND(x)
xj

- i 0

Vinv.
q

0
x

N D ( x ) dx
j

Fig. 5

Fig. 6

viene comunemente adottato per misurare sperimentalmente la concentrazione di atomi

droganti dopo il processo di diffusione delle impurit nelle fette di silicio.
Sinora si supposto che il drogaggio ND fosse uniforme; possibile estendere il
metodo gi descritto per la determinazione del profilo del drogaggio ND (x) nel caso di
concentrazione di impurit non uniforme. Con riferimento alla fig. 6, facciamo lipotesi che il
semiconduttore sia stato drogato con landamento di ND (x) indicato in figura. Supponiamo di
avere applicato alla giunzione M-S una tensione inversa cui corrisponda una zona svuotata
di cariche mobili di spessore xj. La carica totale scoperta vale in questo caso, sempre
nellipotesi dello svuotamento totale:

QS = A q

Un incremento

N D ( x ) dx
j

della tensione inversa applicata causa una variazione

A q ND(x) x che potr porsi come C (x) V. Pertanto, per

ND (x )=

(13)

V 0, si ha:

C (x )
Aq

d x
dV

ma ricordando la (10), con W = x, in questo caso si ha:

d x
dV

d x d C
d C

da cui, sostituendo nella (13), si ottiene:

dV

AS d C
C 2

dV

QS

pari a

III . 8

ND (x )=

(14)

Aq

AS d C
C 2

=
q S A2

dV

d
dV

2
C

2
Linverso della pendenza del grafico di 1/ C in funzione di V fornisce, a scala

2 / (q S A ), il profilo della concentrazione drogante ND(x). La corrispondenza dei valori della

2

tensione inversa con x data ancora dalla (10) attraverso la determinazione di C.

Esercizio:

Far vedere che, anche nel caso di drogaggio disuniforme, la capacit di

barriera, con buona approssimazione, espressa dalla (10).

3.4 Caratteristica I-V della giunzione M-S.

Ricaviamo adesso la caratteristica I - V della giunzione M-S. In condizioni di equilibrio,
nell'unit di tempo, vi saranno tanti elettroni che attraverseranno la giunzione, portandosi dal
semiconduttore nel metallo, quanti da questo nel semiconduttore.
Questa migrazione dovuta all'agitazione termica che tiene in costante movimento gli
elettroni liberi nei due materiali. In queste condizioni la densit di corrente netta nulla, nel
senso che la componente qnvth diretta in un verso sar bilanciata da una componente
eguale e di segno opposto. La concentrazione nS di elettroni liberi alla giunzione M-S pu
porsi, osservando il diagramma di fig. 2.b), pari a:

(15)

ns = NC e

q MS
kT

= NDe

qi
kT

e pertanto le due correnti dirette dal semiconduttore al metallo (S M) e viceversa (M S)

saranno date da:

I S M = I M S = h N D e

qi
kT

ove h una costante di proporzionalit, comprendente la velocit di agitazione termica.

III . 9

L'applicazione di una tensione V dall'esterno, dato che il potenziale cade nel

semiconduttore, modifica la disponibilit di elettroni liberi che dal semiconduttore possono
migrare nel metallo, lasciando invece inalterata la componente di corrente IMS . In presenza
di polarizzazione diretta avremo:

ns = ND e

q ( i V

kT

e quindi

I S M = h N D e

q ( i V

kT

e pertanto la corrente netta varr :

I S M I M S = h N D e

qi

kT

qV

kT

che potr porsi come l'equazione del diodo (si veda la formula (25) del Cap. II delle
dispense):
I=

IS

qV

kT

Da questa espressione si rileva che in polarizzazione inversa circola una corrente

inversa IS che, dal ragionamento seguito, appare indipendente dalla tensione inversa
applicata. In realt la corrente inversa dipende dalla tensione inversa applicata in quanto
nascono, alla giunzione, fenomeni analoghi all'effetto Schottky, che si verifica a proposito
dell'emissione di elettroni da parte di un metallo in presenza di campi acceleranti. La
presenza del campo applicato dall'esterno sulla superficie del metallo sostanzialmente
abbassa il lavoro di estrazione del metallo (qM ).
Nel caso delle giunzioni M-S, in polarizzazione inversa, si ha lo stesso abbassamento
del lavoro di estrazione (abbassamento Schottky) che riduce il salto di energia qMS . Di
conseguenza si ha una maggiore concentrazione di elettroni liberi che dal metallo possono
passare nel semiconduttore e quindi un aumento della componente IMS con la tensione
inversa applicata.

III . 10

Misure sperimentali effettuate su giunzioni M-S hanno mostrato che la caratteristica

I - V meglio approssimata dalla espressione:

I=

IS

qV

mkT

ove m un numero adimensionale dipendente dalla coppia di materiali che formano la

giunzione M-S; i valori di m sono compresi tra 1,02 ed 1,15. Per giunzioni Al-Si, m vale 1,07.

3.5 - Contatti ohmici tra metalli e semiconduttori

Abbiamo visto che, se M > S , la regione di semiconduttore a contatto con il
metallo si svuota di elettroni liberi e ci fa nascere una barriera di potenziale. L'applicazione
di una tensione esterna pu agire su questa barriera ma essenzialmente la corrente che pu
fluire attraverso la giunzione M-S controllata dal salto di potenziale i V.
Si possono avere contatti metallo-semiconduttore in cui la giunzione M-S, al
passaggio della corrente in entrambe le direzioni, offre una resistenza trascurabile rispetto a
quella presentata dal corpo del semiconduttore (caduta ohmica). In questo caso si parla di
contatti ohmici o non rettificanti. Essi possono essere di due tipi:
a) contatti ohmici che sfruttano leffetto tunnel;
b) contatti ohmici di tipo Schottky.
Nei primi si raggiunge lo scopo drogando molto intensamente il semiconduttore. Infatti,
osservando il diagramma di fig. 2.b), si vede immediatamente che l'aumento del drogaggio
di tipo n del semiconduttore causa sia
l'avvicinamento del livello di Fermi all'estremo

A
E0

q i

inferiore della banda di conduzione, sia la

riduzione

della

larghezza

della

E0

zona
q M

svuotata (formula 5).

Quando la larghezza W si riduce a

q MS

qualche decina di ngstrom, il passaggio di

elettroni da M ad S e viceversa avviene per un

EF

EC
EF
EV

nuovo fenomeno di trasporto di carica, che si

chiama "effetto tunnel", su cui si basa il
funziamento dei diodi tunnel.

Fig. 7

III . 11

19

Il diagramma a bande di fig. 2.b) in caso di drogaggi dell'ordine di ~10 cm

-3

(semiconduttore degenere) diventa quello rappresentato in fig. 7. In questo caso il

passaggio di elettroni non richiede lenergia necessaria per superare la barriera (~ qMS ),
ma avviene tra stati energetici occupati da una parte della barriera e stati energetici di
eguale energia disponibili dalla altra parte della barriera. Dalla figura si vede
immediatamente che questa condizione si viene a creare allorch una seppur piccola
tensione venga applicata dall'esterno con una polarit o con l'opposta. Ne consegue sia una
resistenza trascurabile offerta dalla giunzione M-S al passaggio della corrente, sia la perdita
del carattere rettificante della giunzione.
Il secondo tipo di contatti ohmici si pu realizzare facendo in modo che alla giunzione,
in assenza di polarizzazione, si abbia, piuttosto che uno svuotamento di elettroni liberi, una
concentrazione in eccesso rispetto alla concentrazione di equilibrio. Richiamando quanto
esposto nel paragrafo 3.1, questa condizione si verifica quando si sceglie un metallo il cui
lavoro di estrazione minore di quello del semiconduttore (qM < qS ).
In questo caso gli elettroni si trasferiscono dal metallo al semiconduttore; la loro
densit, in eccesso rispetto alle condizioni di equilibrio, fornisce, una carica negativa
distribuita nel semiconduttore in prossimit
della giunzione compensata da una di carica
positiva alla superficie del metallo. Si osservi

E0

E0

bene che, a differenza di quanto esaminato nel

q M

paragrafo 3.1, qui il campo elettrico interno e

di conseguenza il potenziale non sono dovuti

q i

alla presenza di cariche fisse ionizzate e

localizzate, bens a cariche mobili (elettroni in

q S

EC
EF
EV

EF

eccesso) la cui distribuzione va ricercata.

Comunque possibile tracciare in modo
qualitativo (fig. 8) il diagramma a bande per
una giunzione con M < S salvo poi a

Fig. 8

verificarne il preciso andamento.

Per trovare la soluzione di questo problema, occorre risolvere lequazione di Poisson;
ma in questa occorre mettere la densit (x) della carica totale che dipende, come si detto,
dalla distribuzione degli elettroni liberi. Per questi si pu assumere, anzich una funzione del
punto, una distribuzione in funzione dell'energia che segua la statistica di Boltzmann. Ci
vuol dire che la concentrazione di elettroni liberi nella banda di conduzione dipende dal
potenziale attraverso la funzione e (q /kT) . Nel nostro caso, indicando come riferimento del

III . 12

potenziale la stessa superficie (cio ponendo = 0, per x = 0), la densit degli elettroni in
eccesso varr:
q

n' = n s e

(16)

(x)

kT

dove (x) una funzione da determinare (si osservi che il potenziale (x)
intrinsecamente negativo). In questa ipotesi l'equazione di Poisson da risolvere diventa:

(17)

d 2
dx

q n'

(18)

kT

E( x )=

Quest'equazione si pu trasformare, ricordando che

q ns

d ( x )
d x

, in:

q ( x )

q ns

kT

che, integrata, fornisce

(19)

E( x )=

2 kT n s

q ( x )

2 kT

Integrando una seconda volta, si ottiene

(20)

( x)=

2 kT
q

ln 1 +

L D

x
2

dove la lunghezza:
(21)

LD =

s kT
ns q 2

viene definita come "lunghezza di Debye. Sostituendo la (20) nella (19) e nella (14), si
ottengono rispettivamente:

III . 13

E( x )=

(22)

kT
q LD

1
x

1+

2 LD
1

n' = n s

(23)

1 +

L D

x
2

Da quest'ultima equazione, si vede che LD fornisce una misura della estensione, nel
semiconduttore, dello strato formato dagli elettroni liberi in eccesso al contatto ohmico M-S.
Ricordando che i (vedi fig. 8) vale:

i =

EC EF

( M

lo spessore W della zona, nel semiconduttore, con 0 dalla (18), risulta essere

W =

Esercizio:

LD

q i

2 kT

Per un contatto Ag-Si(p) con NA = 1017 cm-3, in condizioni di equilibrio, si

riportino in un diagramma le funzioni date dalle (23), (22) e (20) e si
determinino i e W.

3.6. - Impieghi dei diodi Schottky.

Le

giunzioni

rettificanti

metallo-semiconduttore,

comunemente chiamate diodi

Schottky, trovano un impiego industriale molto vasto per alcune peculiari propriet che le
rendono in certe applicazioni superiori alle giunzioni p-n.
Come si evidenziato discutendo la caratteristica I-V delle giunzioni M-S, la corrente
diretta trasportata dagli elettroni (portatori maggioritari) che dal semiconduttore passano
nel metallo. In questi diodi non vi sono quindi effetti di accumulo di portatori minoritari

III . 14

iniettati in polarizzazione diretta e quindi la capacit di diffusione di questi diodi

trascurabile. Pertanto i tempi di commutazione di questi diodi sono estremamente brevi,
condizionati unicamente dalla costante di tempo legata alla capacit di barriera, che pu
ridursi sensibilmente agendo sulla sezione della giunzione, insieme con la resistenza della
zona neutra del semiconduttore. Per questa caratteristica questi diodi trovano applicazione
nei circuiti integrati come interruttori veloci con tempi di commutazione di pochi picosecondi.
Un secondo settore di impiego quello dei raddrizzatori di potenza, in quanto
possibile aumentare la sezione della giunzione con il duplice vantaggio di aumentare il flusso
della corrente, fornendo anche, attraverso il contatto metallico, una ottima via per lo
smaltimento del calore dissipato nella giunzione.
Un ulteriore vantaggio offerto dal fatto che normalmente nei diodi Schottky al Silicio
la tensione di soglia (V) di 0,4 V anzich 0,6 V.
Un terzo settore di applicazione comprende limpiego dei diodi Schottky come
condensatori non lineari, che possono produrre in campi di frequenze molto elevate
(frequenze di microonde, 1 GHz come ordine di grandezza) effetti di moltiplicazione di
frequenza, miscelazione e modulazione di segnali.

BIBLIOGRAFIA
[1] A.Y.C. YU, The metal-semiconductor contact: an old device with a new future. IEEE
Spectrum, p. 83 - marzo 1970.
[2] J. CARROLL, Physical Models for Semiconductor Devices. Arnold (1975).
[3] R.S. MULLER, T.I. KAMINS, Device Electronics for Integrated Circuits. J. Wiley (1977).