*circuito de

polarizao
omitido
Fonte Comum + Dreno Comum
v
Sig
R
Sig
v
OUT
R
L
v
INT
R
Sig
R
L
v
Sig
+
v
IN

A
v
o
C
S

v
I
N
R
outCS
R
i
n
C
S
+
v
INT
A
v
o
C
D

v
I
N
T
R
outCD
R
i
n
C
D
+
v
OUT

Cascode (Fonte Comum + Porta Comum)

v
Sig
R
Sig
v
OUT
R
L

=
1
+
2
+
2

Exemplo 2.3
Um amplificador de tenso para pequenos sinais constitudo por dois
estgios de amplificao. O primeiro estgio formado por um amplificador
de fonte comum degenerada e o segundo por um amplificador de
transcondutncia. Em seu ponto de operao, o transistor do amplificador
de fonte comum degenerada apresenta uma resistncia r
o1
= 4 k e uma
transcondutncia g
m1
= 80 mS. O segundo estgio de amplificao apresenta
resistncia de entrada R
in2
= 500 , resistncia de sada R
out2
= 9 k e
ganho de transcondutncia G
m2
= 100 mS. Determinar o valor da resistncia
de degenerao R
S
que assegura um ganho global de tenso da estrutura
com mdulo igual a 500 para uma carga R
L
= 1 k.
Amplificadores diferenciais
Um sinal diferencial medido entre dois ns que apresentam excurses de sinal de mesma amplitude e
sinais opostos em torno de uma referncia fixa de tenso
Tenso simples
+
v
i
-
Tenso diferencial
+
v
i
-
v
i1
v
i2

=

1
+
2
2

=
1

2
Par diferencial
v
IN
R
L
+ v
OUT
-
R
SS
V
SS
V
DD
R
L
v
IN1
R
L
+ v
OUT
-
R
SS
V
SS
V
DD
R
L
v
IN2

=

1
+
2
2

=
1

2
Par diferencial

2
R
L
+ v
OUT dif
-
R
SS
V
SS
V
DD
R
L

2
Modo diferencial

//

2
R
L

2
Sada diferencial
Par diferencial

2
R
L
v
OUT dif
R
SS
V
SS
V
DD
R
L

2
Modo diferencial

//

2
R
L
Sada simples
v
OUT dif
Par diferencial
Modo comum

= 0
Sada diferencial
R
L
+ v
OUT cm
-
R
SS
V
SS
V
DD
R
L

Par diferencial

R
L
v
OUT cm
R
SS
V
SS
V
DD
R
L

Modo comum

1
=

+ 2

1 +

R
L
v
OUT cm
2R
SS
Sada simples
Par diferencial
Razo de rejeio de modo comum
=

Par diferencial real

=
Ganho de modo comum no nulo
Desequilbrio devido a:
descasamento entre transistores (W/L, V
t
)
descasamento entre resistores
Exemplo 2.4
Considere o seguinte amplificador com dois transistores idnticos, tenso de entrada
diferencial

=
1

2
e tenso de polarizao V
G
de modo a assegurar o
funcionamento em regio de saturao. Desconsiderar a modulao do comprimento dos
canais dos transistores. So dados:
n
C
ox
= 500 A/V
2
;
R
L1
+ v
OUT

I
SS
V
SS
V
DD
R
L2
V
G V
G
v
in 1
v
in 2
W
MOS
= 5 m; L
MOS
= 0,5 m; I
SS
= 5 mA,
R
L1
= 40 k; V
G
= 1,5 V; V
t
= 0,5 V.
(a)Calcular o ganho de tenso diferencial

considerando R
L2
idntico a R
L1
.
(b)Caso R
L2
tenha um valor 10,25% superior a
R
L1
, determinar o valor positivo de tenso
de offset a ser aplicado em srie com v
in1
para
que a tenso de sada seja nula quando a
tenso de entrada tambm for nula.
Considerar 0 V na fonte dos transistores.
(c)Aplicando a tenso determinada no item (b),
determinar o ganho de tenso diferencial.