Electrnica de Potencia

Profesor: Ing. Ramos Oros

J.T.P:Ing. Javier Avramovich
Integrantes:
Archilla Jos leg: 56147
Ceballos Franco leg:
Gutierrez Federico leg:
Parada Manuel leg:56213
12 de abril de 2013

Introduccin

En circuitos de potencia el tiempo de conmutacin de los diodos a utilizar cobra importancia, es por tal
razn que en este trabajo se pretende la medicin de el tiempo de recuperacin inversa de diferentes tipos de
diodos con el n de analizar y comparar su velocidad de respuesta frente a los cambios en su polarizacin.
1.

Para medir el

trr

de un diodo se implemento el siguiente circuito:

Figura 1: Medicin de trr

Conociendo el valor del resistor podemos calcular IRF , y a partir de su valor trr y Qrr :
IRF =

VR
R

donde Qrr representa la carga total desalojada durante el tiempo de recuperacin inversa trr del diodo,
Qrr lo aproximamos como el rea de un tringulo o rectngulo:
Qrr =

IRM trr
2

Qrr = IRM trr

2.

Mediciones realizadas

Las mediciones se realizaron con el generador congurado a 100 [Hz], y con cuatro seales de distintas
magnitudes.
Para una seal cuadrada de 5V de amplitud pico a pico y un oset de 2,5V, se obtuvo:
DIODO
1N5408
MUR160
1N4148

Vin [V]
+5V/-0V
+5V/-0V
+5V/-0V

IRM [mA]

0,976
3,52
6,49

trr [S]

Qrr [nC]

168
0,45
0,02357

81,984
0,00792
0,15292

Cuadro 1: Tabla de medicin 1

Figura 2: Diodo 1N5408-seal 1

Figura 3: Diodo MUR169-Seal 1

Figura 4: Diodo 1N4148-Seal 1

Para una seal cuadrada de 7V de amplitud pico a pico y un oset de 1,5V,se obtuvo:
DIODO
1N5408
MUR160
1N4148

Vin [V]
+5V/-2V
+5V/-2V
+5V/-2V

IRM [mA]

0,928
17
23,32

trr [S]

Qrr [nC]

110
0,204
0,01173

51,04
3,47
0,2969

Cuadro 2: Tabla de medicin 2

Figura 5: Diodo 1N5408-Seal 2

Figura 6: Diodo MUR160-Seal 2

4

Figura 7: Diodo 1N4148-Seal 2

Para una seal cuadrada de 10V de amplitud pico a pico y un oset de 5V, se obtuvo:
DIODO
1N5408
MUR160
1N4148

Vin [V]
+10V/-0V
+10V/-0V
+10V/-0V

IRM [mA]

1,19
0,576
7,2

trr [S]

Qrr [nC]

22,2
176
0,03134

13,209
101,3
0,2256

Cuadro 3: Tabla de medicin 3

Figura 8: Diodo 1N5408-Seal 3

Figura 9: Diodo MUR160-Seal 3

Figura 10: Diodo 1N4148-Seal 3

Para una seal cuadrada de 12V de amplitud pico a pico y un oset de 4V, se obtuvo:
DIODO
1N5408
MUR160
1N4148

Vin [V]
+10/-2V
+10/-2V
+10/-2V

IRM [mA]

0,864
0,688
27,81

trr [S]

Qrr [nC]

36
59,2
0,0177

15,55
20,36
0,4924

Cuadro 4: Tabla de medicin 4

Figura 11: Diodo 1N5408-Seal 4

Figura 12: Diodo MUR160-Seal 4

Figura 13: Diodo 1N4148-Seal 4

Conclusin

Al comenzar el prctico se observ una gran diferencia en el Trr medido de 450ns, con el de la hoja
de dato que es 50ns en el diodo MUR160, esta discrepancia se debe a que el fabricante especica este
valor en las condiciones ms ptimas de trabajo.
En la medicin de la curva de el diodo 1N4148, se obtuvieron valores que no correspondian a la curva real.
Como se nos anticip, no se puede observar lo que en verdad ocurre y los valores tomados son erroneos.
Para diodos de estas caractersticas es necesario utilizar instrumentos aptos para estas mediciones.
Adems a estas velocidades de respuesta inuyen otro factores como la capacidad introducida por la
punta de pruebas, como as tambin el tiempo de respuesta del generador de seales. Debido a la
imposibilidad de medir el trr se realiz una simulacin del mismo en un software (ORCAD-Pspice).
Cuando se aumenta la tensin de 5V a 10V, aumentan a su vez los tiempos de almacenamientos y
decaimiento, es decir, el tiempo de recuperacin en inversa. Esto se debe a que por el circuito circula
una mayor corriente y por lo tanto los portadores mayoritarios y minoritarios del semiconductor debern
realizar una mayor cantidad de cambios internos hasta llegar al equilibrio.
Si se aplica una tensin negativa, en nuestros casos -2V, es notable la disminucin del trr respecto a
una tensin solo positiva. Esto era de esperarse, ya que a mayor tensin inversa mayor es el campo
elctrico en el mismo sentido de la unin, por lo tanto se produce en menor tiempo la disminucin de
portadores en las adyesceciasde de la unin, como as tambin se maniesta con mayor intensidad el
fenmeno de recombinacin de cargas, el cual al recombinarse las cargas no formarn corriente.